KR940008021A - 전자기 고주파(rf) 커플링을 사용하는 플라즈마 반응기 및 방법 - Google Patents

전자기 고주파(rf) 커플링을 사용하는 플라즈마 반응기 및 방법 Download PDF

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양 챤-온
유엔-퀴 옹 제리
마크스 제프리
알. 케스윅 피터
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Abstract

플라즈마 반응기 챔버는 반응기돔 내부에 유도성 결합된다. 안테나는 고선택성으로 산소 비함유층 상부의 산호 함유층을 에칭하기 위해 챔버 내부에 고밀도, 저에너지 플라즈마를 발생시킨다. 웨이퍼 지지 음극에 가해진 보조 RF 바이어스 에너지는 음극 외장 전압을 제어하고 밀도에 독립하여 이온에너지를 제어한다. 여러가지 자기 및 전압 공정 향상 기술이, 다른 에칭 공정, 중착 공정 및 에칭/증착 결합공정에 따라 기술된다. 본 기술된 발명은 손상이나 마이크로 부하가 없는 민감한 소자의 처리 공정을 제공하며 이리하여 수율을 향상시킨다. 산소 비함유층 상부의 산소 함유층 에칭을 고선택성으로 달성할 수 있게 된다.

Description

전자기 고주파(RF) 커플링을 사용하는 플라즈마 반응기 및 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제3도는 본 발명의 플라즈마 처리장치의 부분단면도.

Claims (9)

  1. a)플라즈마를 발생시키기 위한 진공챔버를 제공하고, b)챔버내의 전극상에 처리될 물품을 고정시키고, c)챔버에 플루오르 함유 에칭 가스를 공급하고, d)상기 물품을 처리용의 고밀도 플라즈마를 발생시키기 위해 RF전원으로부터 챔버내로 RF 에너지를 전자기 커플링하고, e)지지 전극을 경유하여 챔버내로 RF 에너지를 용량성 커플링 하고, f)상기 플라즈마에 실리콘 이온 소스를 제공하는 공정을 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 에칭공정.
  2. 제1항에 있어서, 실리콘 소스는 상기 챔버의 플라즈마 영역내에 위치함을 특징으로 하는 플라즈마 에칭공정.
  3. 제1항에 있어서, 상기 지지 전극에 공급된 안테나 전력 및 바이어스 전력은 이방성, 반이방성, 및 등방성 에칭에 유효하도록 변화됨을 특징으로 하는 플라즈마 에칭공정.
  4. 제1항에 있어서, 상기의 처리되는 물품은 산소 비함유물질 및 상부의 산소함유물질을 포함함을 특징으로 하는 플라즈마 에칭공정.
  5. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 함유 가스는 CF4, C2F6및 C3F8로 구성된 그룹으로부터 선택됨을 특징으로 하는 플라즈마 에칭공정.
  6. 제1항에 있어서, 기판은 단결정 실리콘, 폴리실리콘, 실리콘 질화물, 텅스텐 실리사이드, 티타늄 질화물, 알루미늄으로 구성된 그룹으로 부터 선택됨을 특징으로 하는 플라즈마 에칭공정.
  7. 제6항에 있어서, 상기 산소함유물질은 실리콘 산화막 또는 글래스임을 특징으로 하는 플라즈마 에칭공정.
  8. 제1항에 있어서, 탄소 50%이상 및 플루오르 40%이하를 함유하는 표면 안정화 폴리머가 기판상에 형성됨을 특징으로 하는 플라즈마 에칭공정.
  9. 탄소 50중량%이상 플루오르 40중량% 이하를 함유함을 특징으로 하는 탄소-플루오르 함유 폴리머.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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