JP6017936B2 - プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 - Google Patents
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Description
本発明の第2の観点では、基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、基板を収容してプラズマ処理を施すための処理容器と、前記処理容器内で基板を載置する基板載置台と、前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、前記処理容器内を排気する排気機構と、前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、前記基板載置台上の基板の周辺部へ、前記プラズマ中の活性種をトラップするトラップガスを供給するトラップガス供給機構とを具備し、前記基板載置台上には、載置された基板を囲むようにシールドリングが設けられており、前記トラップガス供給機構は、前記シールドリングの側面に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
本発明の第4の観点では、基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、処理容器内の基板載置台に基板を載置した状態で、処理容器内に処理ガスを供給し、前記処理容器内に処理ガスのプラズマを生成して基板に対してプラズマ処理を行い、その際に、前記基板載置台上の基板を囲むシールドリングの側面に設けられたトラップガス供給機構から、基板の周辺部に前記プラズマ中の活性種をトラップするトラップガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。
本発明ではプラズマ処理装置の一例としてプラズマエッチング装置について説明する。
最初に第1の実施形態について説明する。
図1は本発明の第1の実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置を示す断面図、図2は図1のプラズマエッチング装置における基板載置台を部分的に示す断面図、図3は図1のプラズマエッチング装置における基板載置台を示す平面図である。
まず、排気装置30によってチャンバー2内を排気して所定の圧力とし、ゲートバルブ32を開放して搬入出口31を介して隣接する真空に保持された搬送室(図示せず)から搬送手段(図示せず)によって基板Gを搬入し、図示しないリフタピンを上昇させた状態でその上に基板Gを受け取り、リフタピンを下降させることにより基板載置台4上に基板Gを載置させる。搬送手段をチャンバー2から退避させた後、ゲートバルブ32を閉じる。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
図6は本発明の第2の実施形態に係るプラズマ処理装置としてのプラズマエッチング装置を示す断面図である。
次に、実験例について説明する。
(実験例1)
ここでは、図7に示すように、550×650mmの基板をエッチングする容量結合型プラズマエッチング装置において、基板載置台の短辺のシールドリングに対応する部分に、500mmの範囲で水素ガスを吐出させるためのガス吐出ノズル16を設け、このガス吐出ノズルに形成された複数のガス吐出口から、所定の流量で水素ガスを供給しながら所定の処理ガスにより以下に示す膜のエッチング処理を行った。このときの基板の水素ガスを供給している端部から基板中央にかけてのエッチングレートの分布を測定した。
Fラジカルの影響を受けやすいa−Si膜について、ベース条件を以下のようにし、水素ガス(H2ガス)流量を0、25、50sccmで変化させてエッチングを行った。
圧力:60mTorr
ソースパワー:3000W
バイアスパワー:300W
処理ガスおよび流量:
SF6 100sccm
Ar 200sccm
この図に示すように、H2ガスを供給しない従来の手法でエッチングした場合には、基板外周部のエッチングレートが非常に高くなり、エッチングレートの均一性(ばらつき)は17.9%であった。これに対して、基板周辺部にH2ガスを供給することにより、中央部へのエッチングレートにほとんど影響なく、基板外周部のエッチングレートのみをコントロールすることができ、H2ガスの流量が増加するほど基板外周部のエッチングレートが低下することがわかる。そして、H2ガス流量が25sccmのときにエッチングレートの均一性(ばらつき)は5.8%と非常に小さくなる。H2ガス流量が50sccmになると基板外周部のエッチングレートはさらに低下し、均一性(ばらつき)は17.2%と大きくなる。基板中央部のエッチングレートより低くすることが可能となっており、H2流量によりエッチング分布が制御可能であることがわかる。
FラジカルおよびOラジカルの影響を受けやすいSiNx膜について、ベース条件を以下のようにし、水素ガス(H2ガス)流量を0、25、50sccmで変化させてエッチングを行った。
圧力:60mTorr
ソースパワー:3000W
バイアスパワー:300W
処理ガスおよび流量:
SF6 200sccm
O2 100sccm
この図に示すように、H2ガスを供給しない従来の手法でエッチングした場合には、基板外周部のエッチングレートが非常に高くなり、エッチングレートの均一性(ばらつき)は15.8%であった。これに対して、基板周辺部にH2ガスを供給することにより、中央部へのエッチングレートにほとんど影響なく、基板外周部のエッチングレートのみをコントロールすることができ、H2ガスの流量が増加するほど基板外周部のエッチングレートが低下することがわかる。そして、H2ガス流量が50sccmのときにエッチングレートの均一性(ばらつき)は5.3%と非常に小さくなる。H2ガス流量が25sccmでも効果は大きく、均一性(ばらつき)は6.4%である。
Clラジカルの影響を受けやすいAl膜について、ベース条件を以下のようにし、水素ガス(H2ガス)流量を0、50、100sccmで変化させてエッチングを行った。
圧力:20mTorr
ソースパワー:1500W
バイアスパワー:50W
処理ガスおよび流量:
BCl3 200sccm
Cl2 300sccm
この図に示すように、H2ガスを供給しない従来の手法でエッチングした場合には、基板外周部のエッチングレートが非常に高くなり、エッチングレートの均一性(ばらつき)は34.0%であった。これに対して、基板周辺部にH2ガスを供給することにより、基板外周部のエッチングレートをコントロールすることができ、H2ガスの流量が増加するほど基板外周部のエッチングレートが低下することがわかる。そして、H2ガス流量が100sccmのときにエッチングレートの均一性(ばらつき)は19.5%と大きく改善されているのがわかる。H2ガス流量が50sccmでも均一性(ばらつき)は28.8%と改善効果が得られる。ローディングの影響を受けやすいAl膜では整流ウォールを用いることが多いが、基板周辺部にトラップガスであるH2ガスを供給することにより、整流ウォールを設けなくても均一性が改善することが確認された。
次に、以上の結果から、処理ガス流量に対するトラップガスの供給量の適正範囲を検証した結果について説明する。
上記結果は基板の一辺にトラップガスであるH2ガスを吐出するガス吐出ノズルを設けて、そこからトラップガスであるH2ガスを供給してエッチングレートに及ぼすトラップガスの影響を把握したものであるが、実際には供給された処理ガスは基板の中央部から四辺(全周2400mm)を介して排出される。このため、以下の検証は、処理ガス量を、トラップガスを供給した辺あたりに換算して処理ガスに対して相対的に必要となるトラップガス流量を算出する手法をとった。
上記実験例では、処理ガスとしてSF6ガスを100sccm使用しているから、プラズマにより全て解離したとすると、体積は7倍となり、体積流量はSが100sccm、Fが600sccmということとなる。また、上述したように、基板に供給された処理ガスは、4辺を介して排気されるから、基板全周2400mmとすると、基板の辺500mmあたりのFの換算量は125sccmとなる。一方、トラップガスであるH2ガスは25〜50sccmであるから、これらが全て解離すると、体積は2倍となり、Hが50〜100sccmとなる。原子量の比率に換算すると、F原子量に対してH原子量は40〜80%の範囲となる。
上記実験例では、処理ガスとしてSF6ガスを200sccm使用し、O2ガスを100sccm使用しているから、これらがプラズマにより全て解離したとすると、Sが200sccm、Fが1200sccm、Oが200sccmということとなり、FおよびOの体積流量は1400sccmということとなる。したがって、基板の辺500mmあたりの活性種(ラジカル)の換算量は291.7sccmとなる。一方、トラップガスであるH2ガスは25〜50sccmであるから、これらが全て解離すると、Hが50〜100sccmとなる。原子量の比率に換算すると、活性種(ラジカル)原子量に対してH原子量は17.1〜34.3%の範囲となる。
上記実験例では、処理ガスとしてBCl3ガスを200sccm使用し、Cl2ガスを300sccm使用しているから、これらがプラズマにより全て解離したとすると、Clの体積流量は1200sccmとなる。したがって、基板の辺500mmあたりのClの換算量は250sccmとなる。一方、トラップガスであるH2ガスは50〜100sccmであるから、これらが全て解離すると、Hが100〜200sccmとなる。原子量の比率に換算すると、Cl原子量に対してH原子量は40〜80%の範囲となる。
以上のことから、単位時間に供給される、処理ガスの中のF、Cl、Oの原子量に対して、H原子量の比率が17〜80%の範囲となるように、トラップガスであるH2ガスを供給することにより、基板周辺部におけるエッチングレートの制御に効果があることが確認された。
次に、図1と同様の構成を有する容量結合型のプラズマエッチング装置により、実プロセスを想定した実験を行った結果について説明する。基板サイズは730×920mmであり、トラップガスは基板周囲に供給される。
圧力:10mTorr
ソースパワー:5000W
バイアスパワー:5000W
処理ガスおよび流量(シャワーヘッド):
C4F8 60sccm
Ar 100sccm
H2 100sccm、0sccm
トラップガス(H2ガス)流量(基板周辺部):0sccm、100sccm
なお、この場合の活性種であるFの原子量に対するトラップガスであるHの原子量の比率は41.7%である。
次に、トラップガスであるH2ガスを供給するトラップガス供給ノズルを図4に示すようにシールドリングの側面に設けた以外は、図6と同様の構成を有する誘導結合型のプラズマエッチング装置により、エッチングを行った結果について説明する。基板サイズは1850×1500mmである。
2,2′;チャンバー(処理容器)
4;基板載置台
5;基材
6;絶縁部材
7;シールドリング
14a,58;第1の高周波電源
14b;第2の高周波電源
16;トラップガス吐出ノズル
17;ガス吐出口
18;ガス流路
19;トラップガス供給源
20;シャワーヘッド
25:処理ガス供給管
28:処理ガス供給源
29:排気管
30:排気装置
31;搬入出口
40;制御部
55;高周波アンテナ
G;基板
Claims (19)
- 基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
基板を収容してプラズマ処理を施すための処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する基板載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記基板載置台上の基板の周辺部へ、前記プラズマ中の活性種をトラップするトラップガスを供給するトラップガス供給機構と
を具備し、
前記トラップガス供給機構は、前記基板載置台の基板の周囲に設けられていることを特徴とすることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
基板を収容してプラズマ処理を施すための処理容器と、
前記処理容器内で基板を載置する基板載置台と、
前記処理容器内に処理ガスを供給する処理ガス供給機構と、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記処理容器内に前記処理ガスのプラズマを生成するプラズマ生成手段と、
前記基板載置台上の基板の周辺部へ、前記プラズマ中の活性種をトラップするトラップガスを供給するトラップガス供給機構と
を具備し、
前記基板載置台上には、載置された基板を囲むようにシールドリングが設けられており、
前記トラップガス供給機構は、前記シールドリングの側面に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記プラズマ処理は、プラズマエッチング処理であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガスは、F、Cl、Oのうち少なくとも1種を含むガスであり、前記トラップガスは水素ガスであることを特徴とする請求項3に記載のプラズマ処理装置。
- 前記処理ガス中の活性種の原子数に対する前記トラップガスの原子数の比率が17〜80%であることを特徴とする請求項3または請求項4に記載のプラズマ処理装置。
- 前記プラズマエッチング処理のエッチング対象は、基板上に形成されたSi膜、SiNx膜、Al膜のいずれかであることを特徴とする請求項4または請求項5に記載のプラズマ処理装置。
- エッチング対象がSi膜の場合に、活性種としてFを用い、前記処理ガス中の活性種の原子数に対する前記トラップガスの原子数の比率が40〜80%であることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- エッチング対象がSiNx膜の場合に、活性種としてFとOを用い、前記処理ガス中の活性種の原子数に対する前記トラップガスの原子数の比率が17.1〜34.3%であることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- エッチング対象がAl膜の場合に、活性種としてClを用い、前記処理ガス中の活性種の原子数に対する前記トラップガスの原子数の比率が40〜80%であることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理装置。
- 基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
処理容器内の基板載置台に基板を載置した状態で、処理容器内に処理ガスを供給し、前記処理容器内に処理ガスのプラズマを生成して基板に対してプラズマ処理を行い、その際に、前記基板載置台の基板の周囲に設けられたトラップガス供給機構から、基板の周辺部に前記プラズマ中の活性種をトラップするトラップガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 基板に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
処理容器内の基板載置台に基板を載置した状態で、処理容器内に処理ガスを供給し、前記処理容器内に処理ガスのプラズマを生成して基板に対してプラズマ処理を行い、その際に、前記基板載置台上の基板を囲むシールドリングの側面に設けられたトラップガス供給機構から、基板の周辺部に前記プラズマ中の活性種をトラップするトラップガスを供給することを特徴とするプラズマ処理方法。 - 前記プラズマ処理は、プラズマエッチング処理であることを特徴とする請求項10または請求項11に記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理ガスは、F、Cl、Oのうち少なくとも1種を含むガスであり、前記トラップガスは水素ガスであることを特徴とする請求項12記載のプラズマ処理方法。
- 前記処理ガス中の活性種の原子数に対する前記トラップガスの原子数の比率が17〜80%であることを特徴とする請求項12または請求項13に記載のプラズマ処理方法。
- 前記プラズマエッチング処理のエッチング対象は、基板上に形成されたSi膜、SiNx膜、Al膜のいずれかであることを特徴とする請求項13または請求項14に記載のプラズマ処理方法。
- エッチング対象がSi膜の場合に、活性種としてFを用い、前記処理ガス中の活性種の原子数に対する前記トラップガスの原子数の比率が40〜80%であることを特徴とする請求項15に記載のプラズマ処理方法。
- エッチング対象がSiNx膜の場合に、活性種としてFとOを用い、前記処理ガス中の活性種の原子数に対する前記トラップガスの原子数の比率が17.1〜34.3%であることを特徴とする請求項15に記載のプラズマ処理方法。
- エッチング対象がAl膜の場合に、活性種としてClを用い、前記処理ガス中の活性種の原子数に対する前記トラップガスの原子数の比率が40〜80%であることを特徴とする請求項15に記載のプラズマ処理方法。
- コンピュータ上で動作し、プラズマ処理装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項11から請求項18のいずれかのプラズマ処理方法が行われるように、コンピュータに前記プラズマ処理装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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