JP6099891B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
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Description
液体を吐出するエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子と、密着性向上膜とを、第一の面側に有する基板と、該基板の前記第一の面上に設けられかつ前記液体が流れる流路を少なくとも構成する被覆樹脂層と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
(1)前記基板の前記第一の面上に設けられた前記密着性向上膜を反応性イオンエッチングによってパターニングする工程と、
(2)パターニング後の前記密着性向上膜の上に前記被覆樹脂層を形成する工程と、
を含み、
前記密着性向上膜の反応性イオンエッチングによるパターニングを、前記ドライエッチング方法を用いて実施することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法である。
本実施形態のインクジェット記録ヘッドの製造方法について、図1を用いて以下に説明する。
(実施例1)
上述の実施形態に沿って、インクジェット記録ヘッドを形成し、反応性イオンエッチング後のエッチング残渣の有無と、密着性向上膜と被覆樹脂層との密着性について評価した。
エッチング残渣については、パターニングされた密着性向上膜の側壁部を走査型電子顕微鏡で観察して評価した。側壁部にエッチング残差であるフッ化生成物が付着している場合を「残渣あり」と判断し、フッ化生成物が付着していない場合を「残渣なし」と判断した。
ノズル部が形成されたチップをインクに浸漬後、ESPEC社製のTPC−412Mを用いて、121℃、2atm、10時間浸漬のプレッシャークッカー試験を実施し、密着性向上膜と流路壁の密着性を評価した。密着性向上膜と流路壁の界面に、インクの浸透が無い場合を◎とし、僅かにインクの浸漬が有る場合を○とした。
CF4ガスの比率を1.0%とした以外は、実施例1と同様にして密着性向上膜のパターニング及びインクジェット記録ヘッドの作製を行った。また、評価も実施例1と同様に実施した。
CF4ガスの比率を5.0%とした以外は、実施例1と同様にして密着性向上膜のパターニング及びインクジェット記録ヘッドの作製を行った。また、評価も実施例1と同様に実施した。
CF4ガスの比率を1.25%とした以外は、実施例1と同様にして密着性向上膜のパターニング及びインクジェット記録ヘッドの作製を行った。また、評価も実施例1と同様に実施した。
CF4ガスの比率を0%とした以外は、実施例1と同様にして密着性向上膜のパターニング及びインクジェット記録ヘッドの作製を行った。また、評価も実施例1と同様に実施した。エッチングに寄与するO2プラズマを精製するためのCF4ガスが全く無い場合ではエッチング反応が低下するため、比較例1ではエッチング残渣が発生した。
CF4ガスの比率を10.0%とした以外は、実施例1と同様にして密着性向上膜のパターニング及びインクジェット記録ヘッドの作製を行った。また、評価も実施例1と同様に実施した。CF4ガスを過剰に供給すると、CF4ガスに含まれるカーボンがエッチング反応を阻害しやすくなるため、比較例2ではエッチング残渣が発生した。
CF4ガスの比率を5.0%、圧力を0.5Paとした以外は、実施例1と同様にして密着性向上膜のパターニング及びインクジェット記録ヘッドの作製を行った。また、評価は実施例1と同様に実施した。圧力を下げるとエッチング特性が異方性に傾き、その影響で側壁部に残渣が残りやすいため、比較例3ではエッチング残渣が発生した。
CF4ガスの比率を0.9%とした以外は、実施例1と同様にして密着性向上膜のパターニング及びインクジェット記録ヘッドの作製を行った。また、評価は実施例1と同様に実施した。この結果、エッチング残渣の発生が確認された。
CF4ガスの比率を6.0%とした以外は、実施例1と同様にして密着性向上膜のパターニング及びインクジェット記録ヘッドの作製を行った。また、評価は実施例1と同様に実施した。この結果、エッチング残渣の発生が確認された。
102:吐出エネルギー発生素子
103:保護膜
104:密着性向上膜
105:レジスト膜
106:レジストマスク
107:型材料
108:流路型材
109:被覆樹脂層
110:インク吐出口
111:インク供給口
112:エッチング残渣
Claims (8)
- 樹脂膜を、レジストマスクを用いて反応性イオンエッチングによりエッチングする工程を有するドライエッチング方法であって、
前記反応性イオンエッチングは、エッチング開始から前記樹脂膜の厚さの5〜95%を除去する第一段階と、該第一段階の後のエッチングを行う第二段階とからなり、前記第二段階での高周波アンテナ電力が前記第一段階での高周波アンテナ電力より高く、かつ、
前記反応性イオンエッチングにおいて、エッチング反応室内の圧力を1.0Pa以上とし、流量百分率が1.0〜5.0%のCF4ガスを含む混合ガスを用いてエッチングを行うことを特徴とするドライエッチング方法。 - 前記第二段階での高周波アンテナ電力は前記第一段階での高周波アンテナ電力よりも1000w以上高い請求項1に記載のドライエッチング方法。
- 前記第一段階での高周波アンテナ電力が1000〜3000wであり、前記第二段階での高周波アンテナ電力が2000〜4000wである請求項2に記載のドライエッチング方法。
- 前記第一段階での高周波バイアス電力が450〜1050wであり、前記第二段階での高周波バイアス電力が30〜70wである請求項1乃至3のいずれかに記載のドライエッチング方法。
- 前記樹脂膜が、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂又はアクリレート系光硬化樹脂で形成されている請求項1乃至4のいずれかに記載のドライエッチング方法。
- 前記樹脂膜が非感光性ポリアミド系樹脂で形成されている請求項1乃至5のいずれかに記載のドライエッチング方法。
- 前記反応性イオンエッチングにおいて、流量百分率が1.0〜1.25%のCF4ガスを含む混合ガスを用いてエッチングを行う請求項1乃至6のいずれかに記載のドライエッチング方法。
- 液体を吐出するエネルギーを発生する吐出エネルギー発生素子と、密着性向上膜とを、第一の面側に有する基板と、該基板の前記第一の面の上に設けられかつ前記液体が流れる流路を少なくとも構成する被覆樹脂層と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
(1)前記基板の前記第一の面の上に設けられた前記密着性向上膜を反応性イオンエッチングによってエッチングする工程と、
(2)エッチング後の前記密着性向上膜の上に前記被覆樹脂層を形成する工程と、
を含み、
前記密着性向上膜の反応性イオンエッチングによるエッチングを、請求項1乃至7のいずれかに記載のドライエッチング方法を用いて実施することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
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