JP2007083660A - インクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッド - Google Patents
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Abstract
【課題】 厚膜の液室パターンを形成するポジ型レジストの上層に、インク流路壁となる樹脂組成物をソルベントコートしても、クラックを生じることがないポジ型レジストに係るインクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッドの提供。
【解決手段】 具体的な構成として、ポジ型レジストが長鎖炭素系化合物の末端に官能基をもつ構造単位を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 具体的な構成として、ポジ型レジストが長鎖炭素系化合物の末端に官能基をもつ構造単位を有することを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明はインクジェット記録方式に用いる記録液小滴を発生するためのインクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッドに関するものである。
インクジェット記録方式(液体噴射記録方式)に適用されるインクジェットヘッドは、一般に微細なインク吐出口(以下、オリフィスと称す)、液流路および該液流路の一部に設けられる液体吐出エネルギー発生部を複数備えている。従来、このようなインクジェットヘッドを作製する方法としては、例えば特許文献1記載の次のような工程が知られている。
まず、インク吐出圧力発生素子が形成された基板上に溶解可能な樹脂にてポジ型レジストにてインク流路パターンを形成し、このインク流路パターン上にインク流路壁となるエポキシ樹脂及び光カチオン重合開始剤を含む被覆樹脂層をソルベントコートにて形成し、フォトリソグラフィーによりインク吐出圧力発生素子上にオリフィスを形成し、次いで前記ポジ型レジストを光分解後に溶出してインク流路を形成し、インク流路壁となる被覆樹脂層を硬化する。
前記インク流路パターンを形成するポジ型レジストは、特許文献1に記載のポリメチルイソプロペニルケトンや、特許文献2に記載のポリフェニルイソプロペニルケトン、ポリメチルビニルケトン、ポリフェニルビニルケトン、ポリイソプロペニルt−ブチルケトン、ポリメチルメタクリレート、ポリn−ブチルメタクリレート、ポリt−ブチルメタクリレート、ポリフェニルメタクリレート、ポリヘキサフルオロブチルメタクリレート、ポリメタクリル酸等が知られている。
ところで、近年の記録技術の進展に伴い、インクジェット記録技術にはより高精細な記録が求められており、インクジェットヘッドを製造する際の寸法精度の要求もかなり高くなってきている。しかし、従来のポジ型レジストを用いたインク流路パターンの形成方法では、インク流路パターンの上層にインク流路壁となるエポキシ樹脂組成物をソルベントコートする際、良い膜厚分布を得るためにエポキシ樹脂組成物の塗布溶媒に溶解性の高い高沸点溶媒を用いると、ポジ型レジストが溶解して相溶層を形成してしまい、その結果インク流路が形崩れしてインクジェットヘッドを精度良く作成する事ができない場合があった。
この課題を解決するために、特許文献3ではインク流路パターンを形成するポジ型レジストに分子間架橋可能な構造単位を有するポジ型レジストを用いる事で、上記課題を解決している。
しかし、近年のインクジェットヘッドでは更なる発泡効率の向上のために、インク流路の高さを従来のインクジェットヘッドのものより高くする、すなわちインク流路パターンを形成するポジ型レジストの塗布膜厚を厚くする場合がある。このような場合、特許文献3に記載の分子間架橋可能なポジ型レジストをインク流路パターン形成に用いると、上層にインク流路壁となる樹脂組成物をソルベントコートする際にその塗布溶媒種によっては、インク流路パターンに微量ながら塗布溶媒が浸透してしまい、その結果発生した応力によりインク流路パターンにクラックが生じる場合がある。
インク流路パターンにクラックを生じると、そのクラックの隙間にインク流路壁となる樹脂組成物が浸透してしまい、精度良くインクジェットヘッドを作成できない場合がある。
このように上述のインクジェット製造方法では、インク流路の高さを高くする、すなわちインク流路パターンを形成するポジ型レジストの塗布膜厚を厚くした場合、上層のインク流路壁となる樹脂組成物をソルベントコートした際のインク流路パターンのクラック抑制という技術課題がある。
特開平6−286149号公報
特開平5−330066号公報
特開平8−323985号公報
本発明は前述した従来技術における問題点を解決し、インク流路パターンを高くした場合においても、精度よくインクジェットヘッドが作成できるインクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッドを提供することを目的とする。
本発明者らは前述した従来技術における問題点を解決して上記課題を達成すべく鋭意研究した結果、従来のインクジェットヘッドにおけるインク流路パターン形成に用いるポジ型レジストに関して、(I)に示す長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストを用いれば、上層にインク流路壁となる樹脂組成物をソルベントコートした際にもインク流路パターンにクラックが発生せず、精度良くインクジェットヘッドが得られることが判明した。
式中R1は、炭素数4〜10のアルキル基、もしくは側鎖にケトン構造を含む炭素数4〜10の直鎖の炭素系化合物、エーテル結合を含む炭素数4〜10の直鎖の炭素系化合物、ケトン構造とエーテル結合を含む炭素数4〜10の直鎖の炭素系化合物を示す。
R2は、水素原子、又はアルキル基、又はハロゲン原子を示す。
R2は、水素原子、又はアルキル基、又はハロゲン原子を示す。
本発明のインクジェットヘッドの製造方法によれば、インク流路の高さを高くする、すなわちインク流路パターンを形成するポジ型レジストの塗布膜厚を厚くしても、精度よくインク流路を形成することが可能となり、信頼性の高いインクジェットヘッドを提供できるものである。
以下、本発明を更に詳細に説明する。
本発明のインク流路パターン形成材として用いる長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストは、長鎖炭素系化合物の部位が弾性を付与することにより、上層にインク流路壁となる樹脂組成物をソルベントコートした際に、若干の溶媒の浸透により発生するインク流路パターンの応力を緩和する事ができる。その結果、上層樹脂層塗布時のインク流路パターンのクラックは発生する事が無い。また、長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもっていることより、該構造単位は加熱による架橋が可能であり、インク流路パターン形成時に加熱処理を施すことで、該パターンは殆どの溶剤に溶解しなくなる。
また、本発明記載の長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストの、長鎖炭素系化合物の部位における長手方向の原子数4〜10が好ましい。原子数が4以下では、所望の弾性率付与の効果が得られず、また原子数が10以上では弾性率が低くなりすぎてしまいレジストの靭性低下を引き起こしてしまうおそれがあるからである。
本発明における長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストは、長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位が樹脂組成中1〜40wt%、好ましくは2〜20wt%であることが望ましい。長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位が樹脂構造中1wt%以下では、応力緩和の効果を得ることができず、また40wt%以上では分子間架橋時に所望の架橋密度を得る事ができなくなり、外部からの溶媒浸透性が高くなるおそれがあるからである。
すなわち、本発明記載の長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストは、他の構造単位との共重合体を使用することが望ましい。具体的に共重合する構造体としては、メチルイソプロペニルケトン、フェニルイソプロピニルケトン、メチルビニルケトン、フェニルビニルケトン、イソプロペニルt−ブチルケトン、メチルメタクリレート、n−ブチルメタクリレート、t−ブチルメタクリレート、フェニルメタクリレート、ヘキサフルオロブチルメタクリレート、メタクリル酸等が挙げられる。
また、本発明の長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストの分子量は10000以上200000以下、好ましくは20000以上150000以下が望ましい。分子量が10000以下では、該ポジ型レジストに加熱処理による架橋反応を行なわせても高い耐溶剤性が得られず、分子量が200000以上では、フォトリソグラフにて該ポジ型レジストのパターニングを行なう際に光分解感度が低下するおそれがあるからである。
本発明記載の長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストとしては、具体的には下記(II)〜(V)のものが挙げられるが、無論本発明はこれらに限定されることはない。
本発明記載の長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストの現像液としては、光分解により溶解性が向上した露光部を完全に溶解し、且つ未露光部が溶解しないものが好適に用いられ、具体的にはテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド等のアルカリ水溶液等が好適に用いられる。
以下、実施例を示す。
本実施例では本発明記載の長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を有するポジ型レジストを、インク流路パターン形成に用いた場合について示す。以下、図面を用いて詳細に説明する。
図1に示すようにインク供給口形成用マスク3を設けた結晶軸(100)のSiウエハー基板1上にインク圧力発生素子として電熱変換素子(TaN)2を配置し、更に保護層としてSiN層4、Ta層5を形成した。なお、電気熱変換素子2にはその素子を動作させるための制御信号入力電極が接続されている(不図示)。
図2に図1のA−A’断面図を示す。
次いで前記基板1上に密着層としてポリエーテルアミドからなる層6を以下の方法で厚み2.0μmにて形成した。ポリエーテルアミド層には日立化成工業(株)社製HIMAL1200を用い、スピナーで前記基板1上に塗布し、100℃/30分+250℃/1時間ベークを行った。
次いで前記HIMAL上に東京応化工業(株)社製ポジレジストOFPR800を用いてパターニングを行い、更にOFPRパターンをマスクとしてO2プラズマアッシングによりHIMAL層のパターニングを行い、最後にマスクとして使用したOFPRパターンを剥離することで図3に示す密着層を形成した。
次いで、基板1上にインク流路パターンを形成するポジ型レジスト:メタクリル酸メチル/メタクリル酸/2−メタクリロイロキシエチルコハク酸メタクリル酸メチル=85/10/5共重合体(重量平均分子量30000)をシクロヘキサノンにて15%wtに調整したものをスピンコートにて塗布し、次いで200℃にて1時間ベークして分子間架橋させた(不図示 厚み18μm)。
次いで、ウシオ社製Deep UV照射装置:UX−3000にて、上記ポジ型レジストの露光を行いアルカリ現像することでインク流路パターン7を得た(図4)。
更に、インク流路壁となる以下の組成からなる樹脂組成物8を基板1上ソルベントコートにて形成し、フォトリソグラフィーによってオリフィス9(直径10μm)を形成した(図5参照)。
エポキシ樹脂:EHPE−3150(ダイセル化学工業社製) 100部
光開始剤 :SP−170(旭電化工業社製) 6部
シラン剤 :A−187(日本ユニカー社製) 5部
塗布溶媒 :γ−ブチロラクトン 80部
光開始剤 :SP−170(旭電化工業社製) 6部
シラン剤 :A−187(日本ユニカー社製) 5部
塗布溶媒 :γ−ブチロラクトン 80部
次いで前記基板1をSi異方性エッチングによりエッチングし、インク供給口10を形成した(図6参照)。
次いでインク供給口上のSiN膜、及びODURからなるインク流路パターン7を除去し、さらにノズル構成部材である前記エポキシ樹脂8を完全に硬化させるために、200℃/1時間加熱を行い、インクジェットヘッドを得た(図7参照)。
次いで、メチルイソプロペニルケトン/メタクリル酸/ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノアクリレート=80/10/10共重合体(重量平均分子量100000)を、インク流路パターンを形成するポジ型レジストとして用いる以外は、実施例1と同一の手順にてインクジェットヘッドを得た。
次いで、フェニルイソプロペニルケトン/メタクリル酸/2−メタクリロイロキシエチルコハク酸メタクリル酸メチル=70/15/15共重合体(重量平均分子量120000)を、インク流路パターンを形成するポジ型レジストとして用いる以外は、実施例1と同一の手順にてインクジェットヘッドを得た。
(比較例1)
メチルメタクリレート/メタクリル酸=90/10共重合体(重量平均分子量120000)を、インク流路パターンを形成するポジ型レジストとして用いる以外は、実施例1と同一の手順にてインクジェットヘッドを得た。
メチルメタクリレート/メタクリル酸=90/10共重合体(重量平均分子量120000)を、インク流路パターンを形成するポジ型レジストとして用いる以外は、実施例1と同一の手順にてインクジェットヘッドを得た。
実施例1〜3と比較例1で作成したインクジェットヘッドのオリフィス断面を観察したところ、比較例1で作成したインクジェットヘッドのオリフィス断面は、インク流路壁にポジ型レジストのクラックに起因した変形が確認された。これに対し、実施例1〜3で作成したインクジェットヘッドのオリフィス断面を観察したところ、クラックに起因したインク流路壁の変形は確認されなかった。
次いで、実施例1〜3及び比較例1で作成したインクジェットヘッドにて印字を行なったところ、実施例1〜3のインクジェットヘッドの印字は良好であったが、比較例1で作成したインクジェットヘッドの印字はインク流路壁の変形により、インク滴の大きさ及び吐出方向に若干のばらつきを生じてしまい、良好な印字が得られなかった。
1 Si基板
2 インク吐出圧力発生素子
3 インク供給口
4 SiN膜
5 Ta膜
6 密着層
7 インク流路パターン
8 ノズル構成部材
9 吐出口
10 インク供給口
2 インク吐出圧力発生素子
3 インク供給口
4 SiN膜
5 Ta膜
6 密着層
7 インク流路パターン
8 ノズル構成部材
9 吐出口
10 インク供給口
Claims (4)
- インク吐出圧力発生素子が形成された基体上に(1)ポジ型レジストを用いてフォトリソグラフにてインク流路パターンを形成する工程と、(2)前記ポジ型レジスト上にインク流路壁となる被覆樹脂層を形成する工程と、(3)インク吐出圧力発生素子上方にインク吐出口を形成する工程と、(4)前記ポジ型レジストを溶出し、インク流路を形成する工程と、を有するインクジェットヘッドの製造方法において、前記ポジ型レジストが、メタクリル酸メチルを主骨格とした共重合体であって、概共重合体が下記(I)に示す長鎖炭素系化合物の末端に水酸基を持つ構造単位を少なくとも含むことを特徴とするインクジェットヘッドの製造方法。
式中
R1は、長鎖炭素系化合物であって、炭素数4〜10のアルキル基、もしくは側鎖にケトン構造を含む炭素数4〜10の直鎖の炭素系化合物、エーテル結合を含む炭素数4〜10の直鎖の炭素系化合物、ケトン構造とエーテル結合を含む炭素数4〜10の直鎖の炭素系化合物を示す。
R2は、水素原子、又はアルキル基、又はハロゲン原子を示す。
nは自然数。 - 前記ポジ型レジストが、長鎖炭素系化合物の末端に水酸基をもつ構造単位を、メタクリル酸メチルを主骨格とした共重合体中に1wt%から40wt%含むことを特徴とする請求項1記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 前記ポジ型レジストの分子量が、10000から200000であることを特徴とする請求項1または2記載のインクジェットヘッドの製造方法。
- 請求項1から3のいずれかに記載のインクジェットヘッドの製造方法により製造されたことを特徴とするインクジェットヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005277997A JP2007083660A (ja) | 2005-09-26 | 2005-09-26 | インクジェットヘッドの製造方法及びインクジェットヘッド |
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Cited By (1)
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JP2010158886A (ja) * | 2008-12-12 | 2010-07-22 | Canon Inc | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
-
2005
- 2005-09-26 JP JP2005277997A patent/JP2007083660A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
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