JP6128972B2 - 液体吐出ヘッド用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は液体吐出ヘッド用基板の製造方法に関する。
液体吐出ヘッド用基板に液体供給口を形成する方法としては、ドリル、レーザー、サンドブラスト等を用いる方法、異方性エッチングにより液体供給口を形成する方法、ドライエッチングにより液体供給口を形成する方法等が提案されている。この中でも、エッチングガスを用いるドライエッチングにより液体供給口を形成する方法は、ほぼ垂直な形状の液体供給口を形成することができるため、異方性エッチングにより液体供給口を形成する方法より、チップサイズを小さくすることができる。ドライエッチングを用いた液体供給口の形成方法については、特許文献１に、基板裏面側から共通液体供給口を形成した後に、その底部にドライエッチングにより独立液体供給口を形成する方法が開示されている。
しかしながら、特許文献１に開示された方法では、共通液体供給口の底部にドライエッチングにより独立液体供給口を形成するが、共通液体供給口の立体形状に依存して独立液体供給口が斜めに形成される、チルトと呼ばれる現象が生じる。チルトが顕著に発生すると、基板表面の独立液体供給口の開口位置が所望の位置より大きくずれるため、信頼性が低下し、チップサイズが増加する可能性がある。そこで、本発明は、生産性を低下させることなくチルトの発生を抑制できる液体吐出ヘッド用基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法は、シリコン基板を貫通する液体供給口をドライエッチングにより形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、前記工程は、（１）シリコン基板上にエッチング保護膜を形成する工程と、（２）前記エッチング保護膜のうち、底部のエッチング保護膜を除去する工程と、（３）シリコン基板をエッチングする工程と、を順次繰り返す工程であり、前記工程（２）において形成されるシースは、前記工程（３）において形成されるシースよりも厚い。
また、本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法は、シリコン基板に液体供給口を形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、前記工程は、（ａ）シリコン基板に共通液体供給口を形成する工程と、（ｂ）前記共通液体供給口の底部に、前記シリコン基板を貫通する独立液体供給口をドライエッチングにより形成する工程と、を含み、前記工程（ｂ）は、（１）シリコン基板上にエッチング保護膜を形成する工程と、（２）前記エッチング保護膜のうち、底部のエッチング保護膜を除去する工程と、（３）シリコン基板をエッチングする工程と、を順次繰り返す工程であり、前記工程（２）において形成されるシースは、前記工程（３）において形成されるシースよりも厚い。
また、本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法は、シリコン基板に液体供給口を形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、前記工程は、（ａ）シリコン基板に共通液体供給口を形成する工程と、（ｂ）前記共通液体供給口の底部に、前記シリコン基板を貫通する独立液体供給口をドライエッチングにより形成する工程と、を含み、前記工程（ｂ）は、（１）シリコン基板上にエッチング保護膜を形成する工程と、（２）前記エッチング保護膜のうち、底部のエッチング保護膜を除去する工程と、（３）シリコン基板をエッチングする工程と、を順次繰り返す工程であり、前記工程（２）のソースパワーは、前記工程（３）のソースパワーよりも小さい。
本発明によれば、液体吐出ヘッド用基板の製造において、生産性を低下させることなくチルトの発生を抑制できる。
本発明に係る方法によって製造される液体吐出ヘッド用基板の一例の構造を、図４を用いて説明する。図４に示される液体吐出ヘッド用基板は、シリコン基板４０３、シリコン基板４０３上に積層された吐出口形成部材４０６、及び吐出エネルギー発生素子４０５を備える。シリコン基板４０３の第一の面４１０側には、吐出される液体が充填される液体流路４０８が形成されている。さらに、シリコン基板４０３の第二の面４１１側には、共通液体供給口４１４が形成されている。共通液体供給口４１４の内部には、独立液体供給口４０２がシリコン基板４０３の第一の面４１０に到達するように形成されている。液体は、共通液体供給口４１４及び独立液体供給口４０２を通じて液体流路４０８へ供給される。また、吐出口形成部材４０６は、複数の樹脂層が順次シリコン基板４０３上に積層されることで形成されている。また、吐出口形成部材４０６には、液体を吐出するための液体吐出口４０１が液体流路４０８と連通するように形成されている。なお、図４に示されるシリコン基板４０３には共通液体供給口４１４が形成されているが、共通液体供給口４１４は形成されていなくてもよい。
次に、本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法について説明する。本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法は、シリコン基板を貫通する液体供給口をドライエッチングにより形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、前記工程は、（１）シリコン基板上にエッチング保護膜を形成する工程と、（２）前記エッチング保護膜のうち、底部のエッチング保護膜を除去する工程と、（３）シリコン基板をエッチングする工程と、を順次繰り返す工程であり、前記工程（２）において形成されるシースは、前記工程（３）において形成されるシースよりも厚い。
また、本発明に係る液体吐出ヘッド用基板の製造方法は、シリコン基板に液体供給口を形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、前記工程は、（ａ）シリコン基板に共通液体供給口を形成する工程と、（ｂ）前記共通液体供給口の底部に、前記シリコン基板を貫通する独立液体供給口をドライエッチングにより形成する工程と、を含み、前記工程（ｂ）は、（１）シリコン基板上にエッチング保護膜を形成する工程と、（２）前記エッチング保護膜のうち、底部のエッチング保護膜を除去する工程と、（３）シリコン基板をエッチングする工程と、を順次繰り返す工程であり、前記工程（２）において形成されるシースは、前記工程（３）において形成されるシースよりも厚い。
本発明に係る方法によれば、生産性を低下させることなく、基板に対して垂直な液体供給口を形成することができ、チルトによるチップサイズの増加、信頼性の低下を抑制することができる。特に、本発明に係る方法では、以下に説明するボッシュプロセスにより液体供給口を形成するが、エッチング保護膜を形成する工程で形成されるシースを、シリコン基板をエッチングする工程で形成されるシースよりも厚くする。これにより、シースのゆがみが抑制され、シリコン基板に対しイオンが垂直に入射するため、チルトの発生を抑制することができる。なお、シースの厚みは例えば各工程のソースパワーを小さくすると厚くなる。このため、前記工程（２）のソースパワーを前記工程（３）のソースパワーよりも小さくすることで、前記工程（２）において形成されるシースを前記工程（３）において形成されるシースよりも厚くすることができる。以下、本発明に係る方法の詳細を説明する。
本発明に係る方法では、シリコン基板に深い穴や溝を形成する手法として、いわゆるボッシュプロセスと呼ばれるドライエッチング方法（反応性イオンエッチング方法）を用いる。ボッシュプロセスの各工程の模式的断面図を図６に示す。まず、シリコン基板６０１に所望のエッチングマスク６０２を形成する。次に、エッチング保護膜６０３を形成する（工程（１）、保護膜形成工程とも示す、図６（ａ））。エッチング保護膜６０３は、例えば、ＣＦ系ガスを主に用いたプラズマにて穴や溝の側壁等に形成される。次に、エッチング保護膜６０３のうち、底部のエッチング保護膜を除去する（工程（２）、保護膜除去工程とも示す、図６（ｂ））。例えば、ＳＦ6ガスを主に用いたプラズマにて穴底のエッチング保護膜６０３を除去する。次に、シリコン基板６０１をエッチングする（工程（３）、Ｓｉエッチ工程とも示す、図６（ｃ））。例えば、ＳＦ6ガスを主に用いたプラズマにてシリコン基板６０１をエッチングする。これら３つの工程を順次繰り返すことにより、見かけ上、垂直な穴を形成することができる。
前記ドライエッチングを実施するための装置の一例の概略構成を図８に示す。図８に示される装置は、被エッチング物を収納するエッチングチャンバ８０１、及びエッチングチャンバ８０１内の下部に設置され、被エッチング物が配置される基板ステージ８０２を備える。また、該装置は、エッチングチャンバ８０１内に所望の流量のエッチングガス及び保護膜形成ガスを供給するガス供給手段８０７、並びにエッチングチャンバ８０１内を減圧する手段８０６を備える。更に該装置は、エッチングチャンバ８０１の外周に設置されコイルに高周波電力を印加してプラズマを発生させるプラズマ生成手段８０５（ソースパワー）及び基板ステージ８０２に高周波電力を印加する基板バイアス発生手段８０４（バイアスパワー）を備える。
ここで、チルトが発生する原因について説明する。ドライエッチング中のシリコン基板表面には、シースと呼ばれる空間電荷層が形成される。エッチング種となるイオンは、このシースに対して垂直な方向に入射する。この時、図５に示すように、シース５０４にゆがみが生じていると、シリコン基板５０１に対してイオンが斜めに入射する。このため、ドライエッチングにより独立液体供給口５０３はシリコン基板５０１に対して斜めに形成され、チルトと呼ばれる現象が生じる。シースがゆがむ原因としては、プラズマ分布等のプロセスの影響や、シリコン基板の立体形状による影響等が挙げられる。図５に示すシリコン基板５０１では、共通液体供給口５０２の立体形状に沿ってシース５０４が形成されるため、シース５０４にゆがみが生じる。
生じるチルトを小さくするためには、シースを厚くしてシースのゆがみを抑制することが有効である。ここで、シースの厚みは、いわゆるチャイルドラングミュアの法則（Ｃｈｉｌｄ−Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｌａｗ）にて計算できる。この法則によれば、ドライエッチング中のプラズマ密度を小さくすれば、シースを厚くすることができる。しかしながら、プラズマ密度を小さくするとエッチングレートが低下するため、生産性が低下する。
ここで、ボッシュプロセスにおいてチルトが発生する現象を、図７を用いて詳細に説明する。ボッシュプロセスでは、前述したように複数の工程を繰り返すことによりエッチングを進行させる。保護膜除去工程においては、バイアスパワーを大きくすることによりイオンを基板に入射させ、底部のエッチング保護膜を効率的に除去する。この時、図７（ｂ）に示すようにシースのゆがみによりイオンが斜めに入射すると、エッチング保護膜が偏って除去されるため、図７（ｃ）に示すようにＳｉエッチ工程において穴が斜めに形成されると推測される。すなわち、保護膜除去工程においてイオンを垂直に入射させることが重要であり、この工程におけるシースを厚くすることで、チルトを抑制することができる。また、次のＳｉエッチ工程では、プラズマ密度を高く、バイアスパワーを小さくして、等方性エッチングの傾向を強くすることにより、エッチングレートの低下を抑制しながらチルトを小さくすることができる。
保護膜除去工程において形成されるシースの厚みを、Ｓｉエッチ工程において形成されるシースの厚みよりも厚くする方法としては特に限定されない。例えば、保護膜除去工程のソースパワーをＳｉエッチ工程のソースパワーよりも小さくする方法、保護膜除去工程のバイアスパワーを大きくする方法等が挙げられる。バイアスパワーの増加は、装置構成的に限界があるため、装置仕様上の観点から、保護膜除去工程のソースパワーをＳｉエッチ工程のソースパワーよりも小さくする方法がより簡易的に効果を得ることができる。保護膜除去工程のソースパワーをＳｉエッチ工程のソースパワーよりも小さくする場合、Ｓｉエッチ工程のソースパワーに対する保護膜除去工程のソースパワーの減少率は、１０％以上、５０％以下が好ましい。ソースパワーの減少率が１０％以上であることにより、保護膜除去工程において形成されるシースを十分に厚くすることができる。また、ソースパワーの減少率が５０％以下であることにより、安定したプラズマの生成が可能となる。なお、ソースパワーの減少率は以下の式で表される値である。
ソースパワーの減少率（％）＝（（Ｓｉエッチ工程のソースパワー）−（保護膜除去工程のソースパワー））／（Ｓｉエッチ工程のソースパワー）×１００
以下、本発明に係る方法の実施形態の一例を、図１を用いて示す。なお、本発明は以下に示す方法に限定されない。まず、図１（Ａ）に示すように、吐出エネルギー発生素子１０５の配置されたシリコン基板１０３の表面に、エッチングストップ層１０４を形成する。また、吐出エネルギー発生素子１０５及びエッチングストップ層１０４を覆うように、絶縁膜（不図示）を形成する。エッチングストップ層１０４の材料には、アルミニウム等を用いることができる。絶縁膜には、シリコンの酸化膜を用いることができる。次に、シリコン基板１０３の裏面に、熱酸化膜１１１を形成する。次に、シリコン基板１０３の表面に、密着層（不図示）、液体流路となる型材料であるポジ型レジスト１０７、並びに流路壁及び液体吐出口１０１を形成する吐出口形成部材１０６を形成する。密着層の材料には、ポリエーテルアミド等を用いることができる。次に、シリコン基板１０３の裏面に、後に共通液体供給口１１４を形成するために、エッチングマスク１１２を形成する。エッチングマスク１１２の材料には、ポリエーテルアミド等を用いることができる。
以下、本発明に係る方法の実施形態の一例を、図１を用いて示す。なお、本発明は以下に示す方法に限定されない。まず、図１（Ａ）に示すように、吐出エネルギー発生素子１０５の配置されたシリコン基板１０３の表面に、エッチングストップ層１０４を形成する。また、吐出エネルギー発生素子１０５及びエッチングストップ層１０４を覆うように、絶縁膜（不図示）を形成する。エッチングストップ層１０４の材料には、アルミニウム等を用いることができる。絶縁膜には、シリコンの酸化膜を用いることができる。次に、シリコン基板１０３の裏面に、熱酸化膜１１１を形成する。次に、シリコン基板１０３の表面に、密着層（不図示）、液体流路となる型材料であるポジ型レジスト１０７、並びに流路壁及び液体吐出口１０１を形成する吐出口形成部材１０６を形成する。密着層の材料には、ポリエーテルアミド等を用いることができる。次に、シリコン基板１０３の裏面に、後に共通液体供給口１１４を形成するために、エッチングマスク１１２を形成する。エッチングマスク１１２の材料には、ポリエーテルアミド等を用いることができる。
次に、図１（Ｂ）に示すように、シリコン基板１０３及び吐出口形成部材１０６の表面に、アルカリ溶液から保護するための保護レジスト１１３を形成する。保護レジスト１１３の材料としては、例えばＯＢＣ（商品名、東京応化工業（株）製）を用いることができる。次に、図１（Ｃ）に示すように、シリコン基板１０３をアルカリ溶液に浸漬し、共通液体供給口１１４を形成する。アルカリ溶液としては、例えばＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）溶液等を用いることができる。共通液体供給口１１４の深さは特に限定されないが、例えば３００μｍ以上、６５０μｍ以下とすることができる。次に、図１（Ｄ）に示すように、エッチングマスク１１２及び熱酸化膜１１１を除去する。次に、図１（Ｅ）に示すように、独立液体供給口形成マスク１１５を形成する。独立液体供給口形成マスク１１５の形成方法は特に限定されないが、例えば感光性材料を、スプレー装置等を用いて均一に塗布した後、裏面露光機を用いて独立液体供給口に対応する位置に開口部を形成することで形成することができる。
次に、図１（Ｆ）に示すように、独立液体供給口形成マスク１１５をマスクにして、前述したボッシュプロセスを用いたドライエッチングによりシリコン基板１０３に独立液体供給口１１６を形成する。本発明に係る方法では、保護膜除去工程において形成されるシースの厚みを、Ｓｉエッチ工程において形成されるシースの厚みよりも厚くすることで、チルトの発生を抑制する。独立液体供給口１１６の深さは特に限定されないが、例えば５０μｍ以上、４００μｍ以下とすることができる。次に、図１（Ｇ）に示すように、独立液体供給口形成マスク１１５、エッチングストップ層１０４及び絶縁膜を除去する。次に、図１（Ｈ）に示すように、保護レジスト１１３を除去し、その後ポジ型レジスト１０７を除去することにより、液体流路１０８を形成する。以上により、液体吐出ヘッド用基板が完成する。
［実施例１］
本実施例における液体吐出ヘッド用基板の製造方法を、図１を用いて説明する。まず、図１（Ａ）に示す７００μｍの厚みのシリコン基板１０３を準備した。シリコン基板１０３の表面には、吐出エネルギー発生素子１０５、エッチングストップ層１０４、並びに吐出エネルギー発生素子１０５及びエッチングストップ層１０４上に形成された絶縁層（不図示）が配置されている。エッチングストップ層１０４は、５００ｎｍの厚さのアルミニウム膜をスパッタリングにより形成することで形成した。絶縁層は、７００ｎｍの厚さの酸化膜をプラズマＣＶＤにより形成することで形成した。更に、シリコン基板１０３の表面側には、後に液体流路壁及び液体吐出口を形成するために、密着層（不図示）、ポジ型レジスト１０７及び吐出口形成部材１０６が形成されている。密着層はポリエーテルアミドからなる。ポジ型レジスト１０７は液体流路となり、型材料である。吐出口形成部材１０６は流路壁及び液体吐出口１０１を形成する。また、シリコン基板１０３の裏面には、６００ｎｍの厚さの熱酸化膜１１１が形成されている。さらに、後に共通液体供給口を形成するために、ポリエーテルアミドからなるエッチングマスク１１２が形成されている。
本実施例における液体吐出ヘッド用基板の製造方法を、図１を用いて説明する。まず、図１（Ａ）に示す７００μｍの厚みのシリコン基板１０３を準備した。シリコン基板１０３の表面には、吐出エネルギー発生素子１０５、エッチングストップ層１０４、並びに吐出エネルギー発生素子１０５及びエッチングストップ層１０４上に形成された絶縁層（不図示）が配置されている。エッチングストップ層１０４は、５００ｎｍの厚さのアルミニウム膜をスパッタリングにより形成することで形成した。絶縁層は、７００ｎｍの厚さの酸化膜をプラズマＣＶＤにより形成することで形成した。更に、シリコン基板１０３の表面側には、後に液体流路壁及び液体吐出口を形成するために、密着層（不図示）、ポジ型レジスト１０７及び吐出口形成部材１０６が形成されている。密着層はポリエーテルアミドからなる。ポジ型レジスト１０７は液体流路となり、型材料である。吐出口形成部材１０６は流路壁及び液体吐出口１０１を形成する。また、シリコン基板１０３の裏面には、６００ｎｍの厚さの熱酸化膜１１１が形成されている。さらに、後に共通液体供給口を形成するために、ポリエーテルアミドからなるエッチングマスク１１２が形成されている。
次に、図１（Ｂ）に示すように、シリコン基板１０３及び吐出口形成部材１０６の表面に、アルカリ溶液から保護するための保護レジスト１１３を形成した。保護レジスト１１３にはＯＢＣ（商品名、東京応化工業（株）製）を用いた。次に、図１（Ｃ）に示すように、シリコン基板１０３を２２質量％ＴＭＡＨ溶液に、８３℃で１２時間浸漬し、共通液体供給口１１４を形成した。共通液体供給口１１４の深さは、シリコン基板１０３の裏面から６００μｍであった。次に、図１（Ｄ）に示すように、エッチングマスク１１２及び熱酸化膜１１１を除去した。次に、図１（Ｅ）に示すように、独立液体供給口形成マスク１１５を形成した。独立液体供給口形成マスク１１５は、感光性材料（商品名：ＡＺＰ４６２０、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製）を、スプレー装置を用いて均一に塗布した後、裏面露光機を用いて独立液体供給口に対応する位置に開口部を形成することで形成した。
次に、図１（Ｆ）に示すように、独立液体供給口形成マスク１１５をマスクにして、前述したボッシュプロセスを用いたドライエッチングによりシリコン基板１０３に独立液体供給口１１６を形成した。ボッシュプロセスの各工程における条件を表１に示す。また、各工程のソースパワー及びバイアスパワーの変化を図２に示す。保護膜除去工程のシースを厚くしてチルトを抑制するために、保護膜形成工程及びＳｉエッチ工程のソースパワーに対して、保護膜除去工程のソースパワーを小さく設定した。Ｓｉエッチ工程のソースパワーに対する保護膜除去工程のソースパワーの減少率は２７％であった。ソースパワーの関係から、チャイルドラングミュアの法則を用いてシースの厚みの関係を判断したところ、保護膜除去工程において形成されるシースは、Ｓｉエッチ工程において形成されるシースよりも厚かった。
次に、図１（Ｇ）に示すように、独立液体供給口形成マスク１１５、エッチングストップ層１０４及び絶縁膜を除去した。次に、図１（Ｈ）に示すように、保護レジスト１１３を除去し、その後ポジ型レジスト１０７を除去することにより、液体流路１０８を形成した。これにより、液体吐出ヘッド用基板を完成させた。得られた液体吐出ヘッド用基板の独立液体供給口のチルトを測定したところ、約２μｍであった。なお、チルトの測定は、両面顕微鏡により、独立供給口の基板における表裏の開口位置を測定することにより行った。
［実施例２］
ボッシュプロセスの各工程における条件を表２に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様に液体吐出ヘッド用基板を作製した。Ｓｉエッチ工程のソースパワーに対する保護膜除去工程のソースパワーの減少率は４５％であった。ソースパワーの関係から、チャイルドラングミュアの法則を用いてシースの厚みの関係を判断したところ、保護膜除去工程において形成されるシースは、Ｓｉエッチ工程において形成されるシースよりも厚かった。得られた液体吐出ヘッド用基板の独立液体供給口のチルトを測定したところ、約１．５μｍであった。
ボッシュプロセスの各工程における条件を表２に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様に液体吐出ヘッド用基板を作製した。Ｓｉエッチ工程のソースパワーに対する保護膜除去工程のソースパワーの減少率は４５％であった。ソースパワーの関係から、チャイルドラングミュアの法則を用いてシースの厚みの関係を判断したところ、保護膜除去工程において形成されるシースは、Ｓｉエッチ工程において形成されるシースよりも厚かった。得られた液体吐出ヘッド用基板の独立液体供給口のチルトを測定したところ、約１．５μｍであった。
［比較例１］
ボッシュプロセスの各工程における条件を表３に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様に液体吐出ヘッド用基板を作製した。ボッシュプロセスの各工程のソースパワー及びバイアスパワーの変化を図３に示す。Ｓｉエッチ工程のソースパワーに対する保護膜除去工程のソースパワーの減少率は０％であった。ソースパワーの関係から、チャイルドラングミュアの法則を用いてシースの厚みの関係を判断したところ、保護膜除去工程において形成されるシースは、Ｓｉエッチ工程において形成されるシースよりも厚くなかった。得られた液体吐出ヘッド用基板の独立液体供給口のチルトを測定したところ、約３μｍであった。
ボッシュプロセスの各工程における条件を表３に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様に液体吐出ヘッド用基板を作製した。ボッシュプロセスの各工程のソースパワー及びバイアスパワーの変化を図３に示す。Ｓｉエッチ工程のソースパワーに対する保護膜除去工程のソースパワーの減少率は０％であった。ソースパワーの関係から、チャイルドラングミュアの法則を用いてシースの厚みの関係を判断したところ、保護膜除去工程において形成されるシースは、Ｓｉエッチ工程において形成されるシースよりも厚くなかった。得られた液体吐出ヘッド用基板の独立液体供給口のチルトを測定したところ、約３μｍであった。
なお、本実施例では、シリコン基板に形成された共通液体供給口を立体障害として、これに起因するチルトに対する効果を示したが、本発明は他の立体障害に起因するチルトに対しても有効である。例えば、シリコン基板の最外周では、シリコン基板の端部自体が立体障害となり得るが、これに起因するチルトに対しても有効である。
１０１、４０１ 液体吐出口
１０３、４０３、５０１、６０１ シリコン基板
１０４ エッチングストップ層
１０５、４０５ 吐出エネルギー発生素子
１０６、４０６ 吐出口形成部材
１０７ ポジ型レジスト
１０８、４０８ 液体流路
４１０ 第一の面
４１１ 第二の面
１１１ 熱酸化膜
１１２、６０２ エッチングマスク
１１３ 保護レジスト
１１４、４１４、５０２ 共通液体供給口
１１５ 独立液体供給口形成マスク
１１６、４０２、５０３ 独立液体供給口
５０４ シース
６０３ エッチング保護膜
８０１ エッチングチャンバ
８０２ 基板ステージ
８０３ 基板
８０４ 基板バイアス発生手段
８０５ プラズマ生成手段
８０６ 減圧手段
８０７ ガス供給部
１０３、４０３、５０１、６０１ シリコン基板
１０４ エッチングストップ層
１０５、４０５ 吐出エネルギー発生素子
１０６、４０６ 吐出口形成部材
１０７ ポジ型レジスト
１０８、４０８ 液体流路
４１０ 第一の面
４１１ 第二の面
１１１ 熱酸化膜
１１２、６０２ エッチングマスク
１１３ 保護レジスト
１１４、４１４、５０２ 共通液体供給口
１１５ 独立液体供給口形成マスク
１１６、４０２、５０３ 独立液体供給口
５０４ シース
６０３ エッチング保護膜
８０１ エッチングチャンバ
８０２ 基板ステージ
８０３ 基板
８０４ 基板バイアス発生手段
８０５ プラズマ生成手段
８０６ 減圧手段
８０７ ガス供給部
Claims (8)
- シリコン基板を貫通する液体供給口をドライエッチングにより形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記工程は、
（１）シリコン基板上にエッチング保護膜を形成する工程と、
（２）前記エッチング保護膜のうち、底部のエッチング保護膜を除去する工程と、
（３）シリコン基板をエッチングする工程と、を順次繰り返す工程であり、
前記工程（２）において形成されるシースは、前記工程（３）において形成されるシースよりも厚い液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - シリコン基板に液体供給口を形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記工程は、
（ａ）シリコン基板に共通液体供給口を形成する工程と、
（ｂ）前記共通液体供給口の底部に、前記シリコン基板を貫通する独立液体供給口をドライエッチングにより形成する工程と、を含み、
前記工程（ｂ）は、
（１）シリコン基板上にエッチング保護膜を形成する工程と、
（２）前記エッチング保護膜のうち、底部のエッチング保護膜を除去する工程と、
（３）シリコン基板をエッチングする工程と、を順次繰り返す工程であり、
前記工程（２）において形成されるシースは、前記工程（３）において形成されるシースよりも厚い液体吐出ヘッド用基板の製造方法。 - 前記工程（２）のソースパワーは、前記工程（３）のソースパワーよりも小さい請求項１または２に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記工程（３）のソースパワーに対する前記工程（２）のソースパワーの減少率が、１０％以上、５０％以下である請求項３に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記工程（１）が、ＣＦ系ガスを用いたプラズマによりエッチング保護膜を形成する工程である請求項１から４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記工程（２）が、ＳＦ6ガスを用いたプラズマにより底部のエッチング保護膜を除去する工程である請求項１から５のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記工程（３）が、ＳＦ6ガスを用いたプラズマによりシリコン基板をエッチングする工程である請求項１から６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- シリコン基板に液体供給口を形成する工程を含む液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
前記工程は、
（ａ）シリコン基板に共通液体供給口を形成する工程と、
（ｂ）前記共通液体供給口の底部に、前記シリコン基板を貫通する独立液体供給口をドライエッチングにより形成する工程と、を含み、
前記工程（ｂ）は、
（１）シリコン基板上にエッチング保護膜を形成する工程と、
（２）前記エッチング保護膜のうち、底部のエッチング保護膜を除去する工程と、
（３）シリコン基板をエッチングする工程と、を順次繰り返す工程であり、
前記工程（２）のソースパワーは、前記工程（３）のソースパワーよりも小さい液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
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