JP5655443B2 - 無機化合物膜のエッチング方法および半導体光素子の製造方法 - Google Patents
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Description
ICPパワー:150W
バイアスパワー:10W
CF4ガス流量:50sccm
O2ガス流量:5sccm
プロセス圧力:4Pa
Claims (7)
- 基板上に設けられた無機化合物膜をエッチングして所定のパターンを形成する方法であって、
前記無機化合物膜上に第1の樹脂層を形成したのち、前記所定のパターンを有するモールドを前記第1の樹脂層に押し付けることにより、前記所定のパターンの反転パターンを前記第1の樹脂層に形成するインプリント工程と、
シリコンを含み、前記第1の樹脂層に対してエッチング選択性を有する第2の樹脂層によって前記第1の樹脂層を覆ったのち、CF4ガス及び酸素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって前記第2の樹脂層をエッチングすることにより前記第1の樹脂層を露出させるエッチバック工程と、
前記第1の樹脂層を選択的にエッチングして前記無機化合物膜を露出させるブレイクスルーエッチング工程と、
前記第2の樹脂層をマスクとして前記無機化合物膜をエッチングすることにより、前記所定のパターンを前記無機化合物膜に形成するパターン形成工程と
を備え、
前記エッチバック工程の際の前記反応性イオンエッチングは、自己バイアスを印加しながら行うことにより、前記第2の樹脂層のエッチングと合わせて、エッチングにより生じるSi生成物を除去しながら行われることを特徴とする、無機化合物膜のエッチング方法。 - 前記エッチバック工程の際に、前記第2の樹脂層をエッチングするための前記反応性イオンエッチングにおいて印加される自己バイアス電圧の絶対値を130V以上とすることを特徴とする、請求項1に記載の無機化合物膜のエッチング方法。
- 前記エッチバック工程の際に、前記CF4ガスの流量FLCF4と前記酸素ガスの流量FLO2との比(FLCF4/FLO2)を5以上10以下とすることを特徴とする、請求項1または2に記載の無機化合物膜のエッチング方法。
- 前記エッチバック工程後の前記第2の樹脂層の表面粗さの最大高さRmaxが6nm以下であることを特徴とする、請求項1〜3のいずれか一項に記載の無機化合物膜のエッチング方法。
- 前記ブレイクスルーエッチング工程後の前記第1の樹脂層のラインエッジラフネスが10nm以下であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一項に記載の無機化合物膜のエッチング方法。
- 回折格子を有する半導体光素子の製造方法であって、
前記回折格子のための半導体層を基板上に成長させる半導体層成長工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に第1の樹脂層を形成したのち、前記回折格子のパターンを有するモールドを前記第1の樹脂層に押し付けることにより、前記回折格子のパターンの反転パターンを前記第1の樹脂層に形成するインプリント工程と、
シリコンを含み、前記第1の樹脂層に対してエッチング選択性を有する第2の樹脂層によって前記第1の樹脂層を覆ったのち、CF4ガス及び酸素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングによって前記第2の樹脂層をエッチングすることにより前記第1の樹脂層を露出させるエッチバック工程と、
前記第1の樹脂層を選択的にエッチングして前記絶縁膜を露出させるブレイクスルーエッチング工程と、
前記第2の樹脂層をマスクとして前記絶縁膜をエッチングすることにより、前記回折格子のパターンを前記絶縁膜に形成するパターン形成工程と、
前記絶縁膜をマスクとして前記半導体層をエッチングすることにより前記回折格子を形成する回折格子形成工程と
を備え、
前記エッチバック工程の際の前記反応性イオンエッチングは、自己バイアスを印加しながら行うことにより、前記第2の樹脂層のエッチングと合わせて、エッチングにより生じるSi生成物を除去しながら行われることを特徴とする、半導体光素子の製造方法。 - 前記エッチバック工程の際に、前記第2の樹脂層をエッチングするための前記反応性イオンエッチングにおいて印加される自己バイアス電圧の絶対値を130V以上とすることを特徴とする、請求項6に記載の半導体光素子の製造方法。
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