KR101366373B1 - 템플릿의 제조 장치 및 템플릿의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
일 실시 형태에 따르면, 템플릿의 제조 장치는 진공 챔버, 전극 및 조정체를 포함한다. 진공 챔버는 반응성 가스의 도입구와 배기구를 포함한다. 진공 챔버는 대기압보다 감압된 분위기를 유지시킬 수 있다. 전극은 진공 챔버의 내부에 설치된다. 전극에는 고주파 전압이 인가된다. 전극 위에는 기판이 배치된다. 기판의 이면은 전극 측에 놓여 진다. 이면에는 오목부가 형성된다. 오목부에는 조정체가 삽입된다. 조정체는 절연성이다.
Description
[관련 출원의 상호 참조]
본 출원은 2011년 10월 6일자로 출원된 일본 특허 출원 제2011-221841호에 기초하고 이를 우선권 주장하며, 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로 포함되어 있다.
본 명세서에 설명된 실시 형태들은, 일반적으로 템플릿의 제조 장치 및 템플릿의 제조 방법에 관한 것이다.
미세 패턴의 형성 기술은 놀라운 진전을 보이며 반도체 등의 전자 디바이스, 광 디바이스, 저장 매체, 화학/바이오 디바이스, MEMS(Mechanical Electrical Micro Systems) 등의 각종 디바이스에 응용되어 왔다. 예를 들어, 현재, 광을 이용한 수십nm 이하의 레지스터 패턴, 및 전자선을 이용한 10nm 이하의 레지스트 패턴에 대한 패턴 형성이 달성되었다. 그러나, 이들의 미세 패턴 형성을 위한 장치는 고가로, 미세 패턴 형성에 대한 보다 저렴한 기술이 요망되고 있다. 이를 실현하기 위해서, 나노임프린트 기술이 개발되고 있다.
나노임프린트 기술은, 종래의 프레스 기술에 비하여, 보다 미소한 구조를 실현할 수 있다. 나노임프린트 기술 자체에는 해상도의 한계가 없고, 해상도는 나노임프린트에 이용되는 몰드(템플릿)의 정밀도에 의해 결정된다. 즉, 고정밀도의 몰드를 실현함으로써, 종래의 포토리소그래피보다 용이하게, 훨씬 저렴한 장치를 이용하여, 지극히 미세한 패턴을 형성할 수 있다.
나노임프린트 기술의 하나인 광 경화(photocured) 나노임프린트에서는, 예를 들어, 투명 기판의 표면에 미세한 3차원 형상의 요철 패턴을 포함하는 투명한 기판으로 이루어진 템플릿을 이용한다. 이 방법에서는, 예를 들어 실리콘 기판상에 광 경화 수지를 코팅하고, 그 광 경화 수지상으로 나노임프린트 템플릿의 표면을 압박한 상태에서 자외광을 조사하여 광 경화 수지를 경화시키고, 나노임프린트 템플릿을 박리함으로써 광 경화 수지에 원하는 패턴을 형성한다.
또한, 나노임프린트 기술의 다른 방법인 열 나노임프린트, 소프트 리소그래피 등에서도, 상기한 바와 같이 나노임프린트 템플릿을 수지상으로 압박하여 패턴을 전사한다.
나노임프린트 기술을 양산에 적용할 때에는, 나노임프린트 템플릿으로서 마스터 템플릿(master template)으로부터 제작된 복제 템플릿(이하, 단순히「템플릿」이라 함)을 이용한다. 템플릿에서, 미세한 3차원 형상의 요철 패턴이 형성된 표면 측의 면과 반대측의 이면(back surface)에는, 부분적으로 오목부가 형성되는 경우가 있다. 즉, 예를 들어 템플릿 기판의 이면의 중앙부에 오목부를 형성하고, 그 오목부의 두께를 주변부보다 얇게 함으로써, 템플릿 기판을 쉽게 변형해, 광 경화 수지상으로의 상기 템플릿의 프레싱 공정(패턴 전사 공정) 및 템플릿의 박리 공정을 용이하게 할 수 있고, 그 결과, 처리량을 향상시킬 수 있다.
템플릿의 표면측의 면에서의 미세한 3차원 형상의 요철 패턴의 형성에는 건식 에칭 가공이 이용되지만, 템플릿의 이면에 부분적으로 오목부가 형성되어 있으면, 오목부의 유무에 의해 건식 에칭 시에 플라즈마 전위 차가 발생한다. 이에 의해, 에칭 레이트(rate)가 변동한다. 이로 인해, 템플릿의 표면측의 면을 에칭할 때, 면내 정밀도가 열화한다.
또한, 예를 들어, 템플릿의 면내에서 에칭 레이트를 변화시켜, 면의 원하는 부분에서 보다 고정밀도의 패턴을 실현하는 기술도 기대되고 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 템플릿의 제조 장치는 진공 챔버, 전극 및 조정체(adjustor)를 포함한다. 진공 챔버는 반응성 가스의 도입구와 배기구를 포함한다. 진공 챔버는 대기압보다 감압된 분위기를 유지시킬 수 있다. 전극은 진공 챔버의 내부에 설치된다. 전극에는 고주파 전압이 인가된다. 전극 위에는 기판이 배치된다. 기판의 이면이 전극 측에 놓여진다. 이면에는 오목부가 형성된다. 오목부에는 조정체가 삽입되도록 구성된다. 조정체는 절연성이다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 템플릿의 제조 방법이 개시된다. 이 방법은 템플릿을 형성하는데 사용되는 기판을, 기판의 이면을 전극에 대향시켜 전극 위에 배치하는 단계를 포함할 수 있다. 고주파 전압이 전극에 인가된다. 기판은 표면에 패터닝 면을 갖고, 이면에 오목부를 갖는다. 이 방법은 오목부의 내부에 조정체를 삽입한 상태에서 패터닝 면을 건식 에칭하는 단계를 포함할 수 있다. 조정체는 절연성이다. 본 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치 및 템플릿의 제조 방법은 우수한 패터닝 정밀도를 제공할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치를 예시하는 개략적 단면도.
도 2의 (a) 내지 (c)는 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 일 주요 구성요소를 예시하는 개략적 단면도.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 일 주요 구성요소를 예시하는 개략적 평면도.
도 4의 (a) 내지 (d)는 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 특성을 예시하는 개략도.
도 5의 (a) 내지 (c)는 참고예의 템플릿의 제조 장치의 특성을 예시하는 개략도.
도 6의 (a) 및 (b)는 제1 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 장치의 주요 구성요소들을 예시하는 개략적 단면도.
도 7의 (a) 내지 (e)는 제1 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 장치의 주요 구성요소들을 예시하는 개략적 평면도.
도 8은 제2 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 방법을 예시하는 순서도.
도 2의 (a) 내지 (c)는 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 일 주요 구성요소를 예시하는 개략적 단면도.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 일 주요 구성요소를 예시하는 개략적 평면도.
도 4의 (a) 내지 (d)는 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 특성을 예시하는 개략도.
도 5의 (a) 내지 (c)는 참고예의 템플릿의 제조 장치의 특성을 예시하는 개략도.
도 6의 (a) 및 (b)는 제1 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 장치의 주요 구성요소들을 예시하는 개략적 단면도.
도 7의 (a) 내지 (e)는 제1 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 장치의 주요 구성요소들을 예시하는 개략적 평면도.
도 8은 제2 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 방법을 예시하는 순서도.
이하에서는 다양한 실시 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도면들은 개략적 또는 개념적인 것이며, 각 부분의 두께와 폭의 관계, 부분간의 크기의 비 계수(proportional coefficients) 등은 반드시 실제의 값과 동일하지는 않다. 또한, 동일한 부분일 경우에도, 도면 간에 서로의 치수 및/또는 비 계수가 다르게 나타날 경우도 있다.
본원 명세서와 도면들에서, 앞서의 도면에 관해서 전술한 것과 마찬가지의 구성요소에는 동일한 참조 부호를 붙이며 상세한 설명은 적절히 생략한다.
[제1 실시 형태]
도 1은, 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치를 예시하는 개략 단면도이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치(8)는, 진공 챔버(11), 전극(15), 조정체(22)를 포함한다.
진공 챔버(11)는, 대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능하다. 진공 챔버(11)는, 예를 들어, 반응성 가스를 도입하도록 구성된 가스 도입구(17a)와, 배기 구(17)를 갖는다.
진공 챔버(11)에는 반응성 가스가 도입되고, 일정한 압력 제어가 행해진다. 즉, 진공 챔버(11)에는 가스 도입구(17a)가 형성되고, 미리 정해진 가스를 진공 챔버(11) 내에 도입할 수 있다. 진공 챔버(11)에 형성된 배기구(17)는 진공 펌프 등에 접속된다.
이에 의해, 미리 정해진 가스를 진공 챔버(11) 내에 도입하고, 배기구(17)를 통해서 진공 챔버(11) 내의 가스를 배기함으로써 진공 챔버(11) 내의 압력이 원하는 값으로 제어된다.
전극(15)은, 진공 챔버(11)의 내부에 설치된다. 예를 들어, 진공 챔버(11)의 내부의 절연성의 스테이지(15s) 위에 전극(15)이 설치된다. 전극(15) 위에는 템플릿을 형성하는데 이용되는 기판(14)이 배치된다.
전극(15)에는, 바이어스용 고주파 전원(16)(고주파 전원)이 접속된다. 이에 의해, 전극(15)에 고주파 전압(바이어스 전압)이 인가된다. 그 결과, 전극(15) 위에 배치된 기판(14)에 바이어스 전계가 인가된다.
본 구체예의 제조 장치(8)는, 유도 결합(inductively coupled) 플라즈마 에칭 장치(유도 결합 플라즈마 에칭 시스템)이며, 전극(15)의 상방의 진공 챔버(11)에, 유도 결합 플라즈마 발생원으로서, ICP(Inductively Coupled Plasma) 고주파 코일(12)이 설치된다. ICP 고주파 코일(12)은, ICP 고주파 전원(13)에 접속된다.
ICP 고주파 코일(12)에 인가되는 ICP 고주파 전압에 의해, 진공 챔버(11) 내에서 플라즈마가 발생하고, 이 플라즈마 내의 활성종(active species)이 전극(15)에 인가되는 바이어스 전압에 의해 가속된다. 이에 의해, 기판(14)의 표면이 에칭 가공된다. ICP 고주파 코일(12)은, 유도 결합 안테나이며, 나선 형상의 코일이어도 좋고, 또는 평판 형상의 코일이라도 좋다.
본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 유도 결합 플라즈마 에칭 장치를 이용하는 형태 외에, 반응성 가스 플라즈마를 이용한 플라즈마 에칭 장치를 이용하는 형태, 및 반응성 이온 에칭(RIE; Reactive Ion Etching) 장치(반응성 이온 에칭 시스템)를 이용하는 각종 형태가 이용되어도 좋다. 이 경우, ICP 고주파 코일(12) 및 ICP 고주파 전원(13)은 예시되지 않는다. 예를 들어, 평행 평판형 RIE 장치의 경우에는, 예를 들어 전극(15)에 대향하여, 평행 평판 전극이 설치된다. 그래서, 본 실시 형태에서는 활성종을 생성하는 구성은 임의이다. 이하에서는, 제조 장치(8)가 유도 결합 플라즈마 에칭 장치일 경우를 설명한다.
한편, 패터닝해야 할 기판(14)은 전극(15) 위에 배치된다. 전극(15)의 배치 상태는 임의이다. 예를 들어, 도 1에 나타낸 바와 같이, 기판(14)은 전극(15) 위에 배치되고, 이러한 경우에 기판(14)에 대향하는 전극(15)의 면은 위를 향한다(중력 방향에 역방향). 그러나, 기판(14)에 대향하는 전극(15)의 면은 중력 방향을 따라 설치되어도 좋고, 하향(중력 방향)으로 설치되어도 좋고, 또는 이들의 중간의 방향이어도 좋다.
즉, 기판(14)은 전극(15)의「위」에 배치되지만, 이 경우의「위」란, 중력에 대응하는 상방향을 의미하는 것으로 한정되는 것은 아니고, 전극(15)과 기판(14)이 서로 대향하도록 기판(14)이 배치되면 된다.
이하에서는, 도 1에 나타낸, 기판(14)이 전극(15) 위에 배치되고, 기판(14)에 대향하는 전극(15)의 면이 상향, 즉 전극(15)의 상면(15u) 위에 기판(14)이 배치되는 경우를 설명한다.
제조 장치(8)를 이용하는 템플릿의 제조는, 예를 들어 이하와 같이 행해진다.
우선, 템플릿을 형성하는데 이용되는 기판(14)을 진공 챔버(11) 내의 전극(15) 위에 배치한다.
기판(14)에는, 예를 들어 석영(quartz)(SiO2)이 포함될 수 있다. 이후, 기판(14) 위에는, 미리 정해진 형상의 패턴을 포함하는 레지스트(14r)가 형성된다. 레지스트(14r)에는, 예를 들어, 자외광이 조사되어 경화된 광 경화 수지 레지스트 패턴이 포함될 수 있다. 즉, 기판(14)의 표면의 일부는, 미리 정해진 패턴을 포함하는 레지스트(14r)로 덮이고, 기판(14)의 표면의 다른 일부는 노출된다. 레지스트(14r)가 형성되는 면은 기판(14)의 표면측의 면이며, 패터닝 면으로서 이용된다.
계속해서, 진공 챔버(11)에 형성된 가스 도입구(17a)를 통해서 반응성 가스를 도입하고, 진공 챔버(11) 내의 가스의 흐름을 치우침 없는 상태로 균일화하고, 배기구(17)를 통하여 진공 챔버(11) 내의 가스를 배기함으로써 진공 챔버(11) 내를 미리 정해진 압력으로 한다.
이후, ICP 고주파 전원(13)에 의해 ICP 고주파 코일(12)에 고주파를 인가한다. 이에 의해, 반응성 가스를 여기(exciting)시킴으로써 고밀도 플라즈마를 발생시켜, 에칭에 필요한 활성종(이온 및/또는 래디컬을 포함)을 생성한다.
바이어스용 고주파 전원(16)에 의해 전극(15)에 바이어스 전압을 인가함으로써, 기판(14)에 입사하는 이온 및 래디컬의 에너지를 제어한다.
이에 의해, 레지스트(14r)로부터 노출된 기판(14)의 표면이 선택적으로 에칭되어, 기판(14)의 표면에 원하는 미세한 3차원 형상의 요철 패턴이 형성된다.
반응성 가스로서는, 예를 들어 불소계 가스와 산소 가스의 혼합 가스가 이용된다.
이러한 경우, 본 실시 형태에 따른 제조 장치(8)에 이용되는 기판(14)의 이면(레지스트(14r)가 형성되는 표면측의 면과 반대측의 면)에는 오목부(14c)가 형성되고, 이 오목부(14c)에 대응하도록 전극(15) 위에 볼록 형상의 조정체(22)가 설치된다. 조정체(22)는 절연체를 주성분으로 한다. 조정체(22)는 절연성이다. 조정체(22)는 전극(15) 위에 배치되는 기판(14)의 전극(15) 측의 면에 형성된 오목부에 삽입된다. 이하, 이러한 구성에 관해서 상세하게 설명한다.
도 2의 (a) 내지 (c)는, 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 일 주요 구성요소를 예시하는 개략적 단면도이다.
즉, 도 2의 (a)는 이러한 제조 장치에 적용되는 템플릿을 형성하는데 이용되는 기판(14)을 예시하며, 도 2의 (b)는 제조 장치(8)의 전극(15)을 예시하며, 도 2의 (c)는 전극(15) 위에 기판(14)이 배치된 상태를 예시한다.
도 3은 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 일 주요 구성요소를 예시하는 개략적 평면도이다.
도 2의 (a)에 나타낸 바와 같이, 템플릿을 형성하는데 이용되는 기판(14)의 표면측의 면(14a)(표면)에는 레지스트(14r)가 형성된다. 본 구체예에서는, 표면측의 면(14a)의 중앙부에 볼록부(14p)가 형성되고, 그 볼록부(14p) 위에 레지스트(14r)가 형성된다. 볼록부(14p)에 의해, 기판(14)의 표면측의 면(14a)을 실리콘 기판의 수지 등에 압박할 때에 효율적으로 패턴이 전사될 수 있다. 단, 볼록부(14p)는 필요에 따라 형성되어도 좋고, 생략해도 좋다.
한편, 예를 들어 표면측의 면(14a)과 반대측의 기판(14)의 이면(14b)의 중앙부에는 오목부(14c)가 형성된다.
오목부(14c)는 깊이 d14를 갖는다. 깊이 d14는 기판(14)의 이면(14b)과, 오목부(14c)의 바닥면 사이의 거리이다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 평면 형상은 예를 들어 직사각형이며, 오목부(14c)의 평면 형상은 예를 들어 원형이다. 단, 도 3은 일례이며, 본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 즉, 기판(14) 및 오목부(14c)의 형상은 임의이다. 예를 들어, 기판(14)은 원형(또는 원형의 일부)이며, 오목부(14c)의 형상은 직사각형이여도 좋다. 또한, 기판(14)의 크기에 대한 오목부(14c)의 상대적인 크기도 임의이다.
이러한 오목부(14c)에 의해, 예를 들어 기판(14)이 변형하기 쉬워지고, 템플릿을 이용하는 패턴 전사 공정 및 템플릿의 박리 공정을 용이하게 할 수 있고, 그 결과, 처리량을 향상시킬 수 있다.
오목부(14c)는, 예를 들어 적절한 마스크를 형성함으로써 기판(14)의 이면(14b)을 에칭하여 형성될 수 있다. 오목부(14c)의 형성에는 습식 에칭, 건식 에칭, 기계적인 연마가 이용될 수 있고, 또한, 이들을 조합한 방법이 이용되어도 된다.
기판(14)의 크기는 예를 들어, 6인치 × 6인치이며, 기판(14)의 두께는 예를 들어 5mm ~ 6mm이며, 오목부(14c)의 깊이 d14는 예를 들어 4mm ~ 5mm이다. 오목부(14c)에서의 기판(14)의 두께는 예를 들어 약 1mm이다.
단, 상기의 크기는 일례이며, 본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 즉, 기판(14)의 크기 및 두께와, 오목부(14c)의 깊이 d14와, 오목부(14c)에서의 기판(14)의 두께는 임의이다. 이하에서는, 설명을 간략히 하기 위해서, 기판(14)의 두께가 5mm이며, 오목부(14c)의 깊이 d14가 4mm이며, 오목부(14c)에서의 기판(14)의 두께가 1mm일 경우를 설명한다.
한편, 도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)이 배치되는 전극(15)의 면에는, 오목부(14c)의 바닥면과 전극(15)의 상면(15u) 사이의 공극을 조정하는 조정체(22)(커버 브릿지 플레이트)가 배치된다. 조정체(22)는, 전극(15)의 상면(15u)으로부터 돌출되며, 기판(14)의 오목부(14c)에 대응한 형상을 갖는다.
즉, 도 3에 나타낸 바와 같이, 오목부(14c)가 원형일 경우, 조정체(22)는 또한 예를 들면 원형이며, 조정체(22)는, 조정체(22)의 적어도 일부가 기판(14)의 오목부(14c)의 내부에 들어갈 수 있는 형상을 갖는다.
조정체(22)에는, 예를 들어 절연 재료가 포함될 수 있다. 또한, 조정체(22)에는, 예를 들어 기판(14)과 동일한 재료(예를 들어 SiO2)가 포함될 수 있다. 이에 의해, 조정체(22)는, 기판(14)과 동일한 전기적 특성을 가질 수 있어, 후술하는 전위의 변동의 억제 효과를 용이하게 달성할 수 있다. 단, 본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 조정체(22)에는, 예를 들어 티타니아(TiO2) 함유 석영 재료가 포함될 수 있다. 조정체(22)에는 임의의 절연체(유전체를 포함)가 포함될 수 있다. 조정체(22)는 고 진공의 분위기에 배치되므로, 조정체(22)로서는, 진공에서 가스가 쉽게 방출될 수 없는 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
조정체(22)를 전극(15) 위에 배치할 때에는, 조정체(22)의 위치를 고정하기 위해서, 전극(15)에 홈(trench)이나 구멍 등의 오목부 등을 형성하고, 그 오목부에 대응하는 볼록부를 전극(15)에 대향하는 조정체(22)의 면에 형성함으로써, 조정체(22)와 전극(15)의 상대적인 위치를 고정시킬 수 있다. 볼록부는 조정체(22) 자신의 형상이어도 좋다. 반대로, 전극(15)에 볼록부를 형성하고, 그 볼록부에 대응하는 오목부를 전극(15)에 대향하는 조정체(22)의 면에 형성함으로써 조정체(22)와 전극(15)의 상대적인 위치를 고정시킬 수 있다. 또한, 조정체(22)와 전극(15)의 고정에는, 나사 등의 각종 고정 지그(jig)를 이용해도 된다.
조정체(22)는 높이 d22를 갖는다. 높이 d22는 전극(15)의 상면(15u)과, 조정체(22)의 상측면 사이의 거리이다.
도 2의 (b)에 나타낸 바와 같이, 본 구체 예에서 전극(15)의 상면(15u) (기판(14)이 배치되는 면)의 주변부에는, 기판(14)을 가이드하는 가이드 플레이트(21)가 설치된다. 가이드 플레이트(21)에는, 임의의 재료가 포함될 수 있지만, 기판(14)의 표면에서의 전위의 분포에 영향을 주지 않도록 절연 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 가이드 플레이트(21)에는, 기판(14)의 재료(예를 들어 SiO2)가 포함될 수 있다. 예를 들어, 가이드 플레이트(21)에는, 조정체(22)의 재료(예를 들어 SiO2)가 포함될 수 있다. 가이드 플레이트(21)에는, 티타니아(TiO2) 함유 석영 재료가 포함될 수 있다. 단, 본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 가이드 플레이트(21)에는, 임의의 절연체(유전체 포함)가 포함될 수 있다. 가이드 플레이트(21)는 고 진공의 분위기에 배치되므로, 가이드 플레이트(21)로서는, 진공에서 가스가 쉽게 방출될 수 없는 재료를 이용하는 것이 바람직하다.
가이드 플레이트(21)에는 단차부(step-like portion; 21a)가 형성된다. 단차부(21a)는 단차 d21을 갖는다. 단차 d21은, 전극(15)의 상면(15u)과, 단차부(21a)의 상측의 면 사이의 거리이다.
단차 d21은, 예를 들어 0.15mm 내지 0.20mm이다. 단, 이는 일례이며, 본 실시 형태는 이에 한정되지 않는다. 단차 d21의 크기는 임의이다. 이하에서는 설명을 간단히 하기 위해 단차 d21이 0.15mm일 경우를 설명한다.
도 2의 (c)에 나타낸 바와 같이, 전극(15) 위에 기판(14)을 배치했을 때에는, 기판(14)의 단부가, 전극(15)의 가이드 플레이트(21)에 의해 가이드되어, 기판(14)은 전극(15) 위의 미리 정해진 위치에 배치된다.
이때, 가이드 플레이트(21)의 단차부(21a)에 의해 기판(14)은, 전극(15)의 상면(15u)에 대해 이격되어 배치된다. 이에 의해, 기판(14)의 이면(14b) 중의 가이드 플레이트(21)에 대향하는 부분 이외의 부분은, 전극(15)의 상면(15u)과 접촉하지 않으므로, 기판(14)의 이면(14b)에서의 흠집의 발생이나 오물의 부착을 방지할 수 있다.
또한, 기판(14)의 이면(14b)과 전극(15)의 상면(15u) 사이의 거리 t1은, 가이드 플레이트(21)의 단차부(21a)의 단차 d21와 실질적으로 동일하다. 즉, 거리 t1은, 단차 d21에 의해 제어될 수 있다.
기판(14)의 오목부(14c)의 내부에, 전극(15)의 조정체(22)가 들어간다. 즉, 예를 들어, 전극(15)의 조정체(22)의 측면은, 기판(14)의 오목부(14c)의 내측 면을 따른 형상을 갖고, 조정체(22)의 적어도 일부가 오목부(14c)의 내부에 수용된다.
이러한 경우, 오목부(14c)의 깊이 d14는, 조정체(22)의 높이 d22에 대하여 적절한 크기로 설정되며, 오목부(14c)의 바닥면은, 조정체(22)의 상면에 대해 이격되어질 수 있다. 이에 의해, 기판(14)의 오목부(14c)의 바닥면과, 조정체(22)의 상면이 접촉하지 않기 때문에, 오목부(14c)의 바닥면에서의 흠집의 발생이나 오물의 부착을 방지할 수 있다.
기판(14)의 오목부(14c)의 바닥면과, 조정체(22)의 상면 사이의 거리 t2는, 단차부(21a)의 단차 d21, 오목부(14c)의 깊이 d14, 및 조정체(22)의 높이 d22에 의해 제어된다. 즉, 단차부(21a)의 단차 d21(즉, 거리 t1)와, 오목부(14c)의 깊이 d14가 고정된 경우에도, 조정체(22)의 높이 d22를 변경함으로써 거리 t2는 임의로 설정될 수 있다.
여기서, 거리 t2는 d21 + d14 - d22 이므로, 조정체(22)의 높이 d22는, 단차 d21과 오목부(14c)의 깊이 d14의 합보다 작게 설정된다. 이후, 예를 들면, 거리 t2을 거리 t1과 동일하게 설정할 때, 조정체(22)의 높이 d22를 깊이 d14와 동일하게 설정하면 된다.
이와 같이, 전극(15)의 상면(15u)에 기판(14)을 배치했을 때, 기판(14)의 테두리부는, 가이드 플레이트(21)의 단차부(21a)에 의해 지지되며, 기판(14)의 이면(14b)은 전극(15)의 상면으로부터 이격되고, 기판(14)의 오목부(14c)의 바닥면은 조정체(22)의 상면으로부터 이격될 수 있다.
기판(14)의 이면(14b)과, 전극(15)의 상면(15u) 사이의 거리 t1은, 기판(14)의 오목부(14c)의 바닥면과 조정체(22)의 상면 사이의 거리 t2와 독립적으로 정해질 수 있다. 그리고, 거리 t1과 거리 t2과는 실질적으로 동일하다고 할 수 있다. 또는, 거리 t1과 거리 t2가 서로 다르게 거리 t1 및 거리 t2를 설정해도 좋다.
이와 같이, 본 실시 형태에 따른 제조 장치(8)에서는, 패터닝해야 할 기판(14)의 이면(14b)에 형성된 오목부(14c)에 적합하도록 조정체(22)를 전극(15)의 상면(15u)에 설치함으로써, 기판(14)의 오목부(14c)의 바닥면과 조정체(22) 사이의 거리 t2를 조정할 수 있다.
즉, 조정체(22)에 의해, 기판(14)의 오목부(14c)의 전극(15) 측의 공극의 폭을, 조정체(22)가 이용되지 않을 때의 폭(즉, d21 + d14)보다 작게 한다. 본 구체예에서는, 기판(14)의 오목부(14c)의 전극(15) 측의 공극의 폭을 d21 + d14 - d22로 작게 한다.
이에 의해, 기판(14)의 이면(14b)에 오목부(14c)가 형성되는 경우에도, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 전위를, 오목부(14c)가 형성되는 장소 또는 오목부(14c)가 형성되지 않는 장소에 관계없이 실질적으로 균일하게 할 수 있다.
이에 의해, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 건식 에칭 시의 전위의 변동을 감소시키고, 건식 에칭에서의 면내의 에칭 레이트를 균일화하고, 패턴 정밀도가 높은 템플릿을 제조할 수 있다.
또한, 기판(14)의 오목부(14c)의 바닥면과 조정체(22) 사이의 거리 t2를 임의로 조정함으로써, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 전위의 분포를 제어하고, 기판(14)의 면내에서 에칭 레이트를 변화시켜, 면내의 원하는 부분에서 보다 고정밀도의 패턴을 실현할 수 있다.
이하에서는, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 건식 에칭 시의 전위의 변동을 감소시키고 건식 에칭 시의 면내의 에칭 레이트를 균일화하는 예에 관하여 더 설명한다. 일례로서, 기판(14)의 오목부(14c)의 바닥면과 조정체(22) 사이의 거리 t2를, 기판(14)의 이면(14b)과 전극(15)의 상면(15u) 사이의 거리 t1과 동일한 값으로 설정하는 예를 설명한다.
도 4의 (a) 내지 (d)는, 제1 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 장치의 특성을 예시하는 개략도이다.
즉, 도 4의 (a)는 전극(15) 및 기판(14)의 좌표를 예시하며, 도 4의 (b)는 전극(15)과 기판(14), 및 조정체(22)와 기판(14) 사이의 공극의 폭의 분포를 예시하며, 도 4의 (c)는 기판(14)의 표면측의 면(14a)에서의 전위의 분포를 예시하며, 도 4의 (d)는 기판(14)의 표면측의 면(14a)에서의 에칭 레이트의 분포를 예시한다.
도 4의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 표면측의 면(14a)에 대하여 평행한 일 방향을 X축으로 취한다. X축은, 예를 들어, 전극(15)의 상면(15u)에 대하여 평행한 평면 내의 일 방향이다. 기판(14)의 단부의 X축 위치를 위치 X0라 하며, 기판(14)의 다른 쪽의 단부의 X축 위치를 위치 X1이라 하고, 위치 X0에 가까운 오목부(14c)의 단부의 X축 위치를 위치 X2라 하고, 오목부(14c)의 다른 쪽의 단부의 X축 위치를 위치 X3이라 한다.
도 4의 (b), (c) 및 (d)에서 횡축은 위치 X를 나타내고, 종축은 각각, 전극(15)과 기판(14), 및 조정체(22)와 기판(14) 사이의 공극의 폭 Wg과, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 전위 Vp와, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 에칭 레이트 ER를 나타낸다.
도 4의 (b)에 나타낸 바와 같이, 전극(15)과 기판(14), 및 조정체(22)와 기판(14) 사이의 공극의 폭 Wg는, 위치 X가 X0 내지 X2 및 X3 내지 X1의 범위에서는 거리 t1이며, 위치 X가 X2 내지 X3의 범위에서는 거리 t2이다. 이 예에서는, 거리 t1과 거리 t2는 동일하게 설정되므로, 전극(15)과 기판(14), 및 조정체(22)와 기판(14) 사이의 공극의 폭 Wg은 일정하다.
이에 의해, 도 4의 (c)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 표면측의 면(14a)에서의 전위 Vp는 실질적으로 일정하며, 전위 Vp의 분포는 균일하다.
이에 의해, 도 4의 (d)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 표면측의 면(14a)에서의 에칭 레이트 ER은 실질적으로 일정하며, 에칭 레이트 ER은 균일하다.
이하, 조정체(22)를 이용하지 않는 참고 예의 템플릿의 제조 장치의 특성에 관해서 설명한다.
도 5의 (a) 내지 (c)는, 참고 예의 템플릿의 제조 장치의 특성을 예시하는 개략도이다.
즉, 도 5의 (a), (b) 및 (c)는, 각각, 전극(15)과 기판(14) 사이의 공극의 폭 Wg의 분포와, 기판(14)의 표면측의 면(14a)에서의 전위 Vp의 분포와, 기판(14)의 표면측의 면(14a)에서의 에칭 레이트 ER의 분포를 예시한다.
도 5의 (a)에 나타낸 바와 같이, 참고 예의 템플릿의 제조 장치에는 조정체(22)가 설치되지 않으므로, 전극(15)과 기판(14) 사이의 공극의 폭 Wg는, 위치 X가 X0 내지 X2 및 X3 내지 X1의 범위에서는 거리 t1이지만, X가 X2 내지 X3의 범위에서는 t1 + d14이다. 즉, 예를 들어, 오목부(14c) 이외의 부분에서 전극(15)과 기판(14) 사이의 공극의 폭 Wg은 0.15mm이며, 오목부(14c)에서 폭 Wg는 4.15mm이다. 이와 같이, 참고 예의 경우에는, 오목부(14c)의 유무에 의해 공극의 폭 Wg이 크게 변한다.
이로 인해, 도 5의 (b)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 표면측의 면(14a)에서의 전위 Vp는, 오목부(14c)의 위치에 따라 크게 변한다.
그 결과, 도 5의 (c)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 표면측의 면(14a)에서의 에칭레이트 ER은, 오목부(14c)의 위치에 따라 크게 변하고, 그 결과, 레지스트(14r)로부터 노출된 기판(14)의 표면측의 면(14a)을 패터닝하여 형성된 3차원 형상의 요철 패턴의 크기(깊이 및 높이 포함)의 변동이 커진다.
이에 비하여, 상술된 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 제조 장치(8)에서는, 조정체(22)를 전극(15)의 상면(15u)에 설치함으로써, 기판(14)의 오목부(14c)의 바닥면과 조정체(22) 사이의 거리 t2를 조정하여, 공극의 폭 Wg을 일정하게 한다. 이에 의해, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 건식 에칭 시의 전위의 변동을 감소시킬 수 있으며, 건식 에칭 가공에서의 면 내의 에칭 레이트를 균일화할 수 있고, 패턴 정밀도가 높은 템플릿을 제조할 수 있다.
이에 의해, 본 실시 형태에 따른 제조 장치(8)를 이용함으로써 에칭 가공한 템플릿용의 기판(14)에서는, 이면에 오목부가 형성되지 않는 통상의 광 리소그래피에서 이용되는 광 마스크(레티클(reticle)) 기판과 동등한, 우수한 에칭 가공 정밀도를 얻을 수 있다.
도 4의 (a) 내지 (d)는 본 실시 형태에 따른 제조 장치(8)에서의 특성을 모델적으로 설명한 것으로서, 예를 들어, 전위 Vp 및 에칭 레이트 ER의 분포는, 도 3의 (c) 및 (d)에 예시한 바와 같이 반드시 일정하지 않아도 좋다. 즉, 일반적으로, 유도 결합 플라즈마 에칭 장치와 같은 건식 에칭 장치에서는 장치의 중심부와 주변부 간에 플라즈마 밀도 차이가 있으며, 그 결과, 에칭에 기여하는 활성종의 밀도에 면내 분포가 있다. 이로 인해, 예를 들어, 이면(14b)에 오목부(14c)가 형성되지 않는 기판을 이용한 경우에도, 에칭 레이트 ER에 면내 분포가 발생할 수 있다.
이면(14b)에 오목부(14c)가 형성된 기판(14)의 경우에는, 상술된 참고 예에 관해서 설명된 바와 같이, 기판(14)과 전극(15) 사이의 공극의 폭 Wg이, 오목부(14c)로 인해 크게 변동하므로, 에칭 레이트 ER의 변동이 매우 커진다.
본 실시 형태에 따른 제조 장치(8)에서는, 에칭 레이트 ER의 변동을 억제시키는 것으로 충분하며, 반드시 에칭 레이트 ER은 면내에서 엄밀하게 균일하지 않아도 좋다.
즉, 참고 예에서는, 오목부(14c)로 인해, 기판(14)과 전극(15) 사이의 공극의 폭 Wg이, 거리 t1 내지 (거리 t1 + 깊이 d14)의 폭으로 변동한다(이러한 예에서는 0.15mm 내지 4.15mm으로 변동). 이에 비하여, 본 실시 형태에 따른 제조 장치(8)에서는, 기판(14)과 전극(15) 사이의 공극의 폭 Wg이, 이러한 변동의 폭보다도 작아지도록 되면 충분하다.
본 실시 형태에 따른 제조 장치(8)에서는, 거리 t2를 거리 t1과 동일하게 하지 않아도 좋으며, 예를 들어 에칭에 기여하는 활성종의 밀도의 면내 분포를 보상하도록, 거리 t2을 거리 t1과 다르게 설정해도 좋다. 상술된 바와 같이, 거리 t2는, 단차부(21a)의 단차 d21(즉, 거리 t1)과, 오목부(14c)의 깊이 d14가 고정되었을 경우에도, 조정체(22)의 높이 d22를 변경함으로써 임의로 설정될 수 있다.
즉, 에칭 레이트를 면내에서 변경시킴으로써, 고정밀도의 패턴을 넓은 마진(margin)으로 패터닝할 수 있고, 동시에, 비교적 저정밀도의 부분의 패터닝은 고생산성으로 패터닝될 수 있으며, 전체적으로 고정밀도와 고생산성을 양립할 수 있다.
도 6의 (a) 및 (b)는, 제1 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 장치의 주요 구성요소를 예시하는 개략적 단면도이다.
도 6의 (a)에 나타낸 바와 같이, 조정체(22)의 높이 d22를 중심부에서 높게 해도 좋고, 주변부에서 낮게 해도 좋다. 즉, 조정체(22)의 상면은 볼록 렌즈 형상의 형상을 갖는다. 이 경우, 기판(14)과 전극(15) 사이의 공극(오목부(14c)와 조정체(22) 사이의 공극)의 폭 Wg은, 중심부에서 작고, 주변부에서 크다.
또한, 도 6의 (b)에 나타낸 바와 같이, 조정체(22)의 높이 d22를 중심부에서 낮게 하여도 좋고, 주변부에서 높게 하여도 좋다. 즉, 조정체(22) 상면은 오목 렌즈 형상의 형상을 갖는다. 이 경우, 기판(14)과 전극(15) 사이의 공극(오목부(14c)와 조정체(22) 사이의 공극)의 폭 Wg은, 중심부에서 크고, 주변부에서 작다.
조정체(22)는, 도 6의 (a) 및 (b)에 예시한 형상뿐만 아니라, 기판(14)의 오목부(14c)의 내부에 조정체(22)의 일부가 수용되어도 좋고, 조정체(22)의 단면 형상은 임의로 설정될 수 있다.
도 7의 (a) 내지 (e)는, 제1 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 장치의 주요 구성요소를 예시하는 개략적 평면도이다.
이들 도면에서는, 기판(14) 및 기판(14)의 오목부(14c)의 평면 형상도 함께예시되어 있다.
도 7의 (a)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 오목부(14c)의 평면 형상이, 라운딩 코너부를 갖는 직사각형일 경우, 조정체(22)의 평면 형상은, 오목부(14c)의 평면 형상에 대응하도록 라운딩 코너부를 갖는 직사각형일 수 있다.
도 7의 (b)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 평면 형상은, 일부에 오리엔테이션 플랫(orientation flat)을 갖는 원형이어도 좋다. 본 구체예에서는, 기판(14)의 오목부(14c)의 평면 형상은 라운딩 코너부를 갖는 직사각형이며, 조정체(22)의 평면 형상은 오목부(14c)의 평면 형상에 대응하도록 라운딩 코너부를 갖는 직사각형이다.
도 7의 (c)에 나타낸 바와 같이, 기판(14)의 오목부(14c)의 평면 형상은 원형이며, 조정체(22)의 평면 형상은 라운딩 코너부를 갖는 직사각형이다. 이 경우, 조정체(22)가 설치되는 부분에서 기판(14)의 오목부(14c)와 조정체(22) 사이의 간극의 폭 Wg은 거리 t2이며, 조정체(22)가 설치되지 않는 부분의 오목부(14c)에서 기판(14)의 오목부(14c)와 전극(15) 사이의 간극의 폭 Wg은 거리 t1 + 깊이 d14이다.
이와 같이, 기판(14)의 오목부(14c)의 평면 형상과 조정체(22)의 평면 형상을 다르게 하여, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 에칭 레이트 ER을, 조정체(22)가 설치되는 장소와 조정체(22)가 설치되지 않는 장소 간에 상이하게 할 수 있으므로, 기판(14)의 표면측의 면(14a)의 패터닝 정밀도를 장소에 따라 변화시킬 수 있다. 그리고, 이를 이용하여, 부분적으로보다 높은 정밀도로 패터닝할 수도 있다. 즉, 패터닝 정밀도의 제어성과 패터닝 시간을 보다 높은 자유도로 제어할 수 있고, 패터닝 정밀도와 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 6의 (a) 및 (b)에 관해서 설명한 조정체(22)의 높이 d12의 임의의 설정과, 도 7의 (c)에 관해서 설명한 조정체(22)의 평면 형상의 임의인 설정을 조합해서 실시해도 좋다.
도 7의 (d)에 나타낸 바와 같이, 1개의 오목부(14c)에 대응하도록 2개의 조정체(22)가 설치된다. 이와 같이, 복수의 조정체(22)를 설치하고, 복수의 조정체(22)를 1개의 오목부(14c)에 들어가게 해도 좋다.
도 7의 (e)에 나타낸 바와 같이, 조정체(22)의 평면 형상(전극(15)의 상면(15u)에 대하여 평행한 평면에 투영했을 때의 형상)은 2차원적으로 배열된 도트 형상이어도 좋다. 각각의 도트의 크기와 도트의 밀도를 적절하게 제어함으로써, 조정체(22)의 평면 형상이 일체적인 형상일 경우와 실질적으로 동등한 효과를 발휘시킬 수 있다. 즉, 기판(14)의 오목부(14c)와, 전극(15)의 상면(15u) 사이의 간극의 폭 Wg을 실질적으로 일체적인 형상으로서 제어할 수 있다. 또한, 본 구체예에서는, 조정체(22)를 도트의 집합체로 함으로써, 도트의 배치의 일부를 변경하는 것만으로, 임의인 형상의 오목부(14c)에 대응하도록 조정체(22)의 형상을 용이하게 제어한다. 조정체(22)의 형상을 임의의 형상을 갖도록 제어함으로써, 임의의 형상을 갖도록 전위 Vp를 제어하는 것이 용이해져 편리하다.
[제2 실시 형태]
도 8은 제2 실시 형태에 따른 변형예의 템플릿의 제조 방법을 예시하는 순서도이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 템플릿의 제조 방법에서는, 고주파 전압이 인가되는 전극(15) 위에, 템플릿을 형성하는데 사용되며 표면(표면측의 면(14a))에 패터닝 면을 갖고 이면에 오목부(14c)를 갖는 기판(14)을, 기판(14)의 이면을 전극(15)에 대향시켜 배치한다(스텝 S110).
이후, 오목부(14c)의 내부에, 절연체를 주성분으로 하는 조정체(22)를 삽입한 상태에서, 패터닝 면을 건식 에칭한다(스텝 S120). 조정체(22)는, 오목부(14c)와 전극(15) 사이의 간극(간극의 폭 Wg)을 조정하는 절연체이다.
이러한 제조 방법에서는, 예를 들어 제1 실시 형태에서 설명된 제조 장치(8)를 이용할 수 있다.
이에 의해, 기판의 이면에 오목부가 형성된 경우에도, 건식 에칭의 면내의 에칭 레이트를 제어할 수 있으며, 패턴 정밀도가 우수한 템플릿을 제조할 수 있다.
또한, 상기의 조정체(22)의 측면은, 오목부(14c)의 내측 면을 따르도록 형성될 수 있다. 이에 의해, 오목부(14c)와 전극(15) 사이의 간극의 폭 Wg을 효율적으로 제어할 수 있다. 이에 의해, 전위를 효율적으로 제어하고, 에칭 레이트의 분포를 효율적으로 제어할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 기판의 이면에 오목부가 형성된 경우에도, 건식 에칭에서의 면내의 에칭 레이트를 제어할 수 있고, 패턴 정밀도가 우수한 템플릿의 제조 장치 및 템플릿의 제조 방법을 제공할 수 있다.
이상, 구체예를 참조하여, 본 발명의 예시적인 실시 형태들에 대해 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이들 구체예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 템플릿의 제조 장치에 포함되는 진공 챔버, 전극, 바이어스용 고주파 전원, 배기구 및 조정체 등의 구성요소들의 구체적인 구성에 관해서는, 당업자가 공지된 기술로부터 적절히 선택함으로써 본 발명을 마찬가지로 실시하고, 마찬가지의 효과를 얻을 수 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
또한, 구체예들의 임의의 2개 이상의 구성요소를 기술적으로 가능한 범위 내에서 조합한 것도, 본 발명의 요지를 포함하는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.
그 외, 본 발명의 실시 형태로서 상술된 템플릿의 제조 장치 및 템플릿의 제조 방법을 기초로 하여, 당업자가 적절히 설계 변경해서 실시할 수 있는 모든 템플릿의 제조 장치 및 템플릿의 제조 방법도, 본 발명의 요지를 포함하는 한, 본 발명의 범위에 속한다.
그 외, 본 발명의 사상의 범주에 있어서, 당업자라면 각종 다른 변경 및 변형을 상도해 낼 수 있으며, 그들 변경 및 변형에 대해서도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 이해되어야 한다.
본 발명의 특정 실시 형태들을 설명했으나, 이들 실시 형태는 단지 예로서 제시된 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것을 의도하지 않는다. 본 명세서에 설명된 이들 신규 실시 형태는, 다른 다양한 형태로 실시될 수 있으며, 또한 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 본 명세서에서 설명된 실시 형태들의 다양한 생략, 치환 및 변경을 행할 수 있다. 첨부된 청구항 및 이의 균등물은 본 발명의 범위 및 요지 내에 있는 한, 상기의 다른 다양한 형태 또는 변형을 커버해야 한다.
11: 진공 챔버
14: 기판
15: 전극
22: 조정체
14: 기판
15: 전극
22: 조정체
Claims (20)
- 템플릿의 제조 장치로서,
대기압보다 감압된 분위기를 유지 가능하고, 반응성 가스의 도입구와 배기구를 포함하는 진공 챔버와,
상기 진공 챔버의 내부에 설치되고, 고주파 전압이 인가되는 전극과,
절연성의 조정체를 포함하고,
상기 절연성의 조정체는, 상기 전극 위에 배치되고 이면이 상기 전극 측에 위치된 기판의 상기 이면에 형성된 오목부에 삽입되도록 구성되는, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 조정체의 측면은 상기 오목부의 내측면을 따르는, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 조정체는 상기 기판과 동일한 재료로 형성되는, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 조정체는 SiO2를 포함하는, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 조정체는 TiO2를 포함하는 석영을 포함하는, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전극의 상면의 주변부에 설치되어 상기 기판을 가이드하는 절연성의 가이드 플레이트를 더 포함하는, 템플릿의 제조 장치. - 제6항에 있어서,
상기 가이드 플레이트는 상기 조정체와 동일한 재료로 형성되는, 템플릿의 제조 장치. - 제6항에 있어서,
상기 가이드 플레이트는 SiO2를 포함하는, 템플릿의 제조 장치. - 제6항에 있어서,
상기 가이드 플레이트는 TiO2를 포함하는 석영을 포함하는, 템플릿의 제조 장치. - 제6항에 있어서,
상기 가이드 플레이트는 단차를 갖는 단차부(step-like portion)를 갖는, 템플릿의 제조 장치. - 제10항에 있어서,
상기 단차는 0.15mm이상이며 0.20mm 이하인, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 조정체는 복수 설치되고, 복수의 상기 조정체는 상기 오목부에 삽입되는, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 조정체를 상기 전극의 상면에 대하여 평행한 평면에 투영했을 때의 형상은, 상기 평면 내에서 2차원적으로 배열된 도트 형상인, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 조정체의 상면은 상기 오목부의 바닥면으로부터 이격되는, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 전극의 상방에서 상기 진공 챔버에 추가로 설치된 유도 결합 플라즈마(inductively coupled plasma) 고주파 코일을 더 포함하는, 템플릿의 제조 장치. - 제1항에 있어서,
상기 반응성 가스는, 불소계 가스 및 산소 가스로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는, 템플릿의 제조 장치. - 템플릿의 제조 방법으로서,
고주파 전압이 인가되는 전극 위에, 템플릿을 형성하는데 사용되며 표면에 패터닝 면을 갖고 이면에 오목부를 갖는 기판을, 상기 기판의 이면을 상기 전극에 대향시켜 배치하는 단계와,
상기 오목부의 내부에 절연성의 조정체를 삽입한 상태에서 상기 패터닝 면을 건식 에칭하는, 템플릿의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
상기 조정체의 측면은 상기 오목부의 내측면을 따르는, 템플릿의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
상기 조정체는 상기 기판과 동일한 재료로 형성되는, 템플릿의 제조 방법. - 제17항에 있어서,
상기 기판의 상기 패터닝 면 위에는, 미리 정해진 패턴 형상을 갖는 레지스트층이 형성되는, 템플릿의 제조 방법.
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