JP2000323461A - 微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法 - Google Patents

微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法

Info

Publication number
JP2000323461A
JP2000323461A JP11130608A JP13060899A JP2000323461A JP 2000323461 A JP2000323461 A JP 2000323461A JP 11130608 A JP11130608 A JP 11130608A JP 13060899 A JP13060899 A JP 13060899A JP 2000323461 A JP2000323461 A JP 2000323461A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern forming
mold
mark
wafer
fine pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11130608A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroo Hongo
廣生 本郷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP11130608A priority Critical patent/JP2000323461A/ja
Publication of JP2000323461A publication Critical patent/JP2000323461A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C43/00—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor
    • B29C43/02—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles
    • B29C43/021—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface
    • B29C2043/023—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves
    • B29C2043/025—Compression moulding, i.e. applying external pressure to flow the moulding material; Apparatus therefor of articles of definite length, i.e. discrete articles characterised by the shape of the surface having a plurality of grooves forming a microstructure, i.e. fine patterning

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ナノインプリントによるパターニングのアラ
イメント可能な微細パターン形成装置、その製造方法、
および形成方法を提供する。 【解決手段】 ナノインプリントのモールドを、光等を
透過可能なモールド基板に設け、このモールド基板に位
置参照用のマークを設ける。ウェハにも、モールド基板
のマークに対応したマークを形成する。モールド基板で
のモールドの位置決めを精度良く行うために、ナノイン
プリントのモールドは、モールド基板にマークを形成し
た後に、マーク位置を参照して形成する。モールド基板
にモールドとマークを形成することによって、ウェハ上
側から、光等によってモールド基板を透過してモールド
基板のマークとウェハのマークを同時に観察・参照する
ことでウェハとモールドとの相対位置をアライメントす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、微細パターン形成
装置、その製造方法、および形成方法に係り、特に、半
導体製造方法における半導体装置のパターニング技術、
およびその位置合わせに用いて好適な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造に際して、１００ｎｍ（ナノ
メートル）以下の半導体構造のパターニングと量産性を
両立させる技術として、米国特許５，７７２，９０５号
公報に記載されているナノインプリントの技術が存在し
ている。この米国特許公報には、２５ｎｍ（ナノメート
ル）以下のサイズをもつパターンのモールドを形成し、
これをレジスト膜に押し付けることでレジストの微細パ
ターニングを行なう方法が開示されている。
【０００３】図６は、従来のナノインプリントによる微
細パターニングの一例である。この例においては、図６
（ａ）に示すように、ウェハ３上にパターニング用のレ
ジストを塗布し、一方、モールド台７の上にモールド１
を形成する。次いで、図６（ｂ）に示すように、このモ
ールド１をレジスト２へ押しつけることによって、モー
ルド１のパターンをレジスト２へ転写する。ここで、図
６（ｃ）に示すように、レジスト２の膜厚がモールド１
の凸部分の高さよりも大きい場合は、異方性のあるリア
クティブイオンエッチング（図中ではＲＩＥ）でエッチ
ングを施し、パターン凹部でウェハ３表面を露出させ
る。上記米国特許５，７７２，９０５号公報記載のナノ
インプリントによるパターニング方法においては、２５
ｎｍ（ナノメートル）以下程度のパターニングを一括し
て行なうことが出来る点で有用である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ナノインプリント法では、モールドを形成しているモー
ルド基板が光、あるいは電子線を透過させないため、下
のウェハとの相対位置を知る手段が無い。そのため、ウ
ェハ上側からモールド基板位置を制御してパターニング
が行えないという問題がある。さらに、同一ウェハ上を
分割してパターニングする場合においても、それぞれの
分割部分との相対位置を知る手段が無い。加えて、２層
以上にわたるインプリントをおこなう場合においても、
これら２層間における位置合わせの方法が無い。これら
の場合にも、ウェハ上側からモールド基板位置を制御し
て複数回のパターニングを行えないという問題がある。
また、大規模の集積半導体装置を製造する際、一つのウ
ェハ上で幾つかのチップを順番にパターニングすること
が必要であり、各々のチップ間の相対位置の位置合わせ
が行えない場合には、半導体製造への応用が困難であ
る、さらに実際の半導体装置の製造においては、多層に
わたるパターニングの位置合わせが不可欠である。以上
のことから、現行のナノインプリントの方法を半導体装
置の製造に適用することは困難であるという問題があっ
た。
【０００５】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、少なくとも以下の目的のうちの１つを達成しよう
とするものである。 ナノインプリントによるパターニングのアライメント
可能な微細パターン形成装置を提供すること。 上記の可能な微細パターン形成装置の製造方法を提供
すること。 ナノインプリントによるパターニングのアライメント
可能な微細パターン形成方法を提供すること。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の微細パターン形
成装置においては、ウェハに一括パターン形成する微細
パターン形成装置において、パターン形成手段が光、電
子、イオン、またはＸ線等を透過させるパターン形成基
板に設けられることにより上記課題を解決した。本発明
は、前記パターン形成基板に、前記パターン形成手段と
前記ウェハとの位置決めにおける位置参照用のマークが
形成されることができる。本発明は、前記パターン形成
基板に、前記パターン形成手段が直接形成されるか、ま
たは、パターン形成台を介して形成される手段を選択す
ることができる。本発明は、前記ウェハには、該ウェハ
と前記パターン形成手段との位置決めにおける位置参照
用のマークが形成され、該マークと、前記パターン形成
基板のマークとが平面視して略同一形状に形成されるこ
とが好ましい。本発明は、前記パターン形成手段が、モ
ールドとされるか、または、平面状の電子線源とされる
ことが選択できる。本発明の微細パターン形成装置の製
造方法は、上記微細パターン形成装置において、前記ウ
ェハのマークと、前記パターン形成基板のマークとを、
同一のマーク形成用モールドにより形成することにより
上記課題を解決した。本発明の微細パターンの形成方法
は、ウェハに一括パターン形成する微細パターン形成方
法において、光、電子、イオン、またはＸ線等を透過さ
せるパターン形成基板に設けられるパターン形成手段
と、前記ウェハとの位置決めを、光、電子、イオン、ま
たはＸ線等を用いて前記パターン形成基板を透過して観
察・参照することによりおこなうことができる。
【０００７】本発明においては、ナノインプリントの位
置アライメント方法が、ナノインプリントのモールド
（パターン形成手段）を、光、電子、イオン、またはＸ
線等を透過可能なモールド基板（パターン形成基板）に
設け、このモールド基板に位置参照用のマークを設ける
ことができる。ウェハにも、モールド基板のマークに対
応したマークを形成する。モールド基板に対するモール
ドの相対位置決めを精度良く行うために、ナノインプリ
ントのモールドを、モールド基板にマークを形成した後
に、このマーク位置を参照して形成する。モールド基板
にモールドとマークを形成することによって、ウェハの
モールド基板と反対側から、光、電子、イオン、または
Ｘ線等によってモールド基板を透過してモールド基板の
マークとウェハのマークとを同時に観察・参照すること
ができ、ウェハとモールドとの相対位置をアライメント
することが出来る。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る微細パターン
形成装置、その製造方法、および形成方法の第１実施形
態を、図面に基づいて説明する。図１は、本実施形態の
微細パターン形成装置におけるモールド基板を示す斜視
図、図２は、本実施形態の微細パターン形成方法を示す
正断面図である。図１ないし図２において、符号１はモ
ールド、２はレジスト、３はウェハである。
【０００９】本実施形態においては、図１に示すよう
に、ナノインプリントに用いるモールド（パターン形成
手段）１は、光等の透過性を有するモールド基板（パタ
ーン形成基板）４上に形成する。アライメント用のマー
ク５も同じモールド基板４上に形成する。図１に示す本
実施形態では、モールド１は従来技術と同様にシリコン
基板などのモールド台（パターン形成台）７をモールド
基板４上に張り付けて、そのモールド台７上に酸化膜な
どを加工することにより形成する。
【００１０】従来の技術においては、モールド台７は光
を透過しない材料を用いており、マーク５などを形成し
ても、ウェハ３上面からウェハ３位置とモールド１の位
置を同時に参照あるいは確認することができない。一
方、本実施形態においては、光等が透過するモールド基
板４を用いることでウェハ３上面からウェハ３位置とモ
ールド１の位置を参照あるいは確認できる。このよう
に、第１実施形態の特徴は、光を透過させるモールド基
板４上に、モールド１と位置参照用のマーク５との２つ
を形成する点にある。
【００１１】インプリントの過程ではモールド１をウェ
ハ３に押しつけたり、ウェハ３を加熱したりするため、
モールド基板４は光を透過させる性質を持つだけではな
く、同時に耐熱性、機械的強度を持つことが望ましい。
このことから、モールド基板４の材料としては耐熱ガラ
スを用いることが望ましい。ナノインプリントの過程
で、温度を上昇させない場合は通常のガラスでも可能で
ある。
【００１２】モールド基板４上のマーク５は、クロムを
用いて形成することができるが、光に対してコントラス
トが得られる材料であれば何でも良い。マーク５とモー
ルド基板４との密着性を有する材料を選ぶのが望まし
い。他にタングステンなどの金属を用いても同様の効果
を得ることができる。
【００１３】次にアライメント方法について説明する。
本実施形態の微細パターン形成方法においては、図２に
示すように、転写される側のウェハ３上にはあらかじめ
アライメント用のマーク６を形成しておく。マーク６の
形状は、ウェハ３とのコントラストが光で得られるもの
であれば何でも良い。具体的には、金属をウェハ３上に
堆積したもの、ウェハ３をエッチングして溝状に形成し
たものなどを用いることができる。モールド基板４上の
マーク５と、ウェハ３上のマーク６を、モールド基板４
のウェハ３と反対側から参照し、ウェハ３とモールド１
との相対位置のアライメントを行う。
【００１４】マーク５，６位置の確認は、マーク５，６
付近にレーザー光を照射し、反射信号を検出して、その
強度の変化を観察することで行う。また、人間が眼で確
認することでも同様の効果を得ることができる。
【００１５】ここで、位置決め時の精度を向上するため
に、モールド基板４上のマーク５は、ウェハ３上のマー
ク６と形状・大きさを平面視して同じ形状にすることが
好ましい。ウェハ３上のマーク６はウェハ３とのコント
ラストが得られる材料を選ぶのが望ましい。図２に示す
ように、本実施形態においては、エッチングにより溝状
に形成したマークを用いている。さらに、位置精度の向
上のためには、モールド基板４のマーク５と、ウェハ３
上のマーク６との位置、形状を出来る限り一致させるこ
とが望ましい。パターニングを行う前に、マーク形成用
モールドを別に用意し、ウェハ３およびモールド基板４
上のマーク５，６に対して、共通のマーク形成用モール
ドを用いて形成することで、マーク形成の位置精度を向
上することができる。
【００１６】本実施形態の微細パターン形成装置、その
製造方法、および形成方法によれば、ナノインプリント
によるパターニングのアライメント可能な微細パターン
形成装置、その製造方法、および形成方法を提供し、こ
の際、さらに、モールドとウェハとの位置決めの精度を
高いレベルにすることができるという効果を奏する。
【００１７】以下、本発明に係る微細パターン形成装
置、その製造方法、および形成方法の第２実施形態を、
図面に基づいて説明する。図３は、本実施形態の微細パ
ターン形成装置におけるモールド基板を示す斜視図、図
４は、本実施形態の微細パターン形成方法を示す正断面
図である。本実施形態において、図１ないし図２に示す
第１実施形態と異なる点は、モールド１をモールド台７
を用いずにモールド基板４上に直接形成する点である。
【００１８】具体的には、光を透過させるモールド基板
４上に、図１ないし図２に示したモールド台７を設ける
ことなくモールド１を直接形成する。モールド１の材質
は機械的な強度と、モールド基板４との密着性があれば
何でもよい。モールド基板４上のマーク５の材料と同様
に、クロム、タングステンなどを用いることが可能であ
る。本実施形態の微細パターン形成装置、その製造方
法、および形成方法によれば、第１実施形態と同様の効
果を奏するとともに、さらに、上述した構造により、よ
り簡便にモールド１とマーク５を形成することができ、
モールド１、マーク５の形成の工程を少なくすることが
可能である。さらに、モールド１形成後に収束イオンビ
ームなどでモールド１の形状等を修正することが可能で
ある。
【００１９】なお、上記の実施形態のいずれについて
も、レーザー光の代わりに電子線、Ｘ線の散乱強度の変
化を検出しても目的を達することができる。その場合は
電子線、あるいはＸ線を透過させる材料からなるモール
ド基板４にモールド１を設け、モールド基板４上およ
び、ウェハ３上に設ける位置アライメント用のマーク
５，６はそれぞれ電子線、あるいはＸ線を散乱する材料
で構成する。モールド基板４およびウェハ３の相対位置
は、それぞれ、電子線あるいはＸ線の散乱強度の変化を
検出することで検知することができる。
【００２０】以下、本発明に係る微細パターン形成装
置、その製造方法、および形成方法の第３実施形態を、
図面に基づいて説明する。図５は、本実施形態の微細パ
ターン形成装置における平面状電子線源基板を示す斜視
図である。本実施形態において、図１ないし図４に示す
第１および第２実施形態と異なる点は、パターン形成手
段としてモールド１のかわりに平面状の電子線源を設け
る点である。
【００２１】本実施形態において、図５に示すように、
モールド１のかわりに平面電子源（パターン形成手段）
９を設けてある。電子源支持基板８は、図１ないし４に
おけるモールド基板４と略同様のものとされ、光、電
子、Ｘ線あるいはイオンビーム等を透過させる材料で構
成する。この電子源支持基盤（パターン形成基板）８に
は、裏面ゲート電極１１ および表面ゲート電極１２が
設けられ、これらはそれぞれ平面電子源９の裏面電極１
０および表面電極１３と接続する。本実施形態の微細パ
ターン形成装置、その製造方法、および形成方法によれ
ば、第１，第２実施形態と同様の効果を奏するととも
に、さらに、上述した構造により、電子線による微細パ
ターン形成を行うことができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の微細パターン形成装置、その製
造方法、および形成方法によれば、以下の効果を奏す
る。 （１）パターン形成手段が光、電子、イオン、またはＸ
線を透過させるパターン形成基板に設けられることによ
り、光、電子、イオン、またはＸ線を用いて前記パター
ン形成基板を透過してウェハとパターン形成基板との位
置状態を観察・参照することにより位置決めが可能とす
ることができる。 （２）これを繰り返して行うことにより、ナノインプリ
ントのパターニングを、同一ウェハ上の異なる位置、あ
るい は多層にわたってアライメントすることが可能で
ある微細パターン形成装置を提供することができる。 （３）前記パターン形成基板に、前記パターン形成手段
と前記ウェハとの位置決めにおける位置参照用のマーク
が形成されることにより、位置決めにおける精度を、よ
り向上することができる。 （４）前記ウェハには、該ウェハと前記パターン形成手
段との位置決めにおける位置参照用のマークが形成され
ることにより、位置決めにおける精度を、より向上する
ことができ、前記ウェハのマークと、前記パターン形成
基板のマークとが平面視して略同一形状に形成されるこ
とによりさらに位置決めにおける精度を、より向上する
ことができる。 （５）前記ウェハのマークと、前記パターン形成基板の
マークとを、同一のマーク形成用モールドにより形成す
ることにより、マーク形成の位置精度を向上することが
でき、位置決めにおける精度を、より向上することがで
きる。 （６）上記により、ナノインプリントによるパターニン
グのアライメント可能な微細パターン形成装置、その製
造方法、および形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の微細パターン形成装置、その製造方
法、および形成方法の第１実施形態の微細パターン形成
装置におけるモールド基板を示す斜視図である。
【図２】 本発明の微細パターン形成装置、その製造方
法、および形成方法の第１実施形態の微細パターン形成
方法を示す正断面図である。
【図３】 本発明の微細パターン形成装置、その製造方
法、および形成方法の第２実施形態の微細パターン形成
装置におけるモールド基板を示す斜視図である。
【図４】 本発明の微細パターン形成装置、その製造方
法、および形成方法の第２実施形態の微細パターン形成
方法を示す正断面図である。
【図５】 本発明の微細パターン形成装置、その製造方
法、および形成方法の第３実施形態の微細パターン形成
装置における電子源支持基板を示す斜視図である。
【図６】 従来の微細パターン形成を示す正断面図であ
る。
【符号の説明】
１…モールド，２…レジスト，３…ウェハ，４…モール
ド基板（パターン形成基板），５，６…マーク，７…モ
ールド台（パターン形成台），８…電子源支持基盤（パ
ターン形成基板），９…平面電子源 （パターン形成手
段），１０…裏面電極，１１…裏面ゲート電極，１２…
表面ゲート電極１２

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ウェハに一括パターン形成する微細パタ
    ーン形成装置において、パターン形成手段が光、電子、
    イオン、またはＸ線を透過させるパターン形成基板に設
    けられることを特徴とする微細パターン形成装置。
  2. 【請求項２】 前記パターン形成基板に、前記パターン
    形成手段と前記ウェハとの位置決めにおける位置参照用
    のマークが形成されることを特徴とする請求項１記載の
    微細パターン形成装置。
  3. 【請求項３】 前記パターン形成基板に、前記パターン
    形成手段が直接形成されるか、または、パターン形成台
    を介して形成されることを特徴とする請求項１または２
    記載の微細パターン形成装置。
  4. 【請求項４】 前記ウェハには、該ウェハと前記パター
    ン形成手段との位置決めにおける位置参照用のマークが
    形成され、該マークと、前記パターン形成基板のマーク
    とが平面視して略同一形状に形成されることを特徴とす
    る請求項１から３のいずれか記載の微細パターン形成装
    置。
  5. 【請求項５】 前記パターン形成手段が、モールドとさ
    れるか、または、平面状の電子線源とされることを特徴
    とする請求項１から４のいずれか記載の微細パターン形
    成装置。
  6. 【請求項６】 請求項４記載の微細パターン形成装置に
    おいて、前記ウェハのマークと、前記パターン形成基板
    のマークとを、同一のマーク形成用モールドにより形成
    することを特徴とする微細パターン形成装置の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 ウェハに一括パターン形成する微細パタ
    ーン形成方法において、光、電子、イオン、またはＸ線
    を透過させるパターン形成基板に設けられるパターン形
    成手段と、前記ウェハとの位置決めを、光、電子、イオ
    ン、またはＸ線を用いて前記パターン形成基板を透過し
    て観察・参照することによりおこなうことを特徴とする
    微細パターン形成方法。
JP11130608A 1999-05-11 1999-05-11 微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法 Pending JP2000323461A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11130608A JP2000323461A (ja) 1999-05-11 1999-05-11 微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11130608A JP2000323461A (ja) 1999-05-11 1999-05-11 微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000323461A true JP2000323461A (ja) 2000-11-24

Family

ID=15038294

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11130608A Pending JP2000323461A (ja) 1999-05-11 1999-05-11 微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000323461A (ja)

Cited By (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068411A (ja) * 1999-07-28 2001-03-16 Lucent Technol Inc デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス
JP2002283354A (ja) * 2001-03-27 2002-10-03 Daikin Ind Ltd インプリント加工用金型およびその製造方法
JP2004504714A (ja) * 2000-07-17 2004-02-12 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム
JP2004505439A (ja) * 2000-07-16 2004-02-19 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィのための高分解能オーバレイ・アライメント方法およびシステム
JP2004526581A (ja) * 2001-03-14 2004-09-02 ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー ソフトリソグラフィ及びフォトリソグラフィを使用して微小針（ｍｉｃｒｏｎｅｅｄｌｅｓ）構造を製造する方法
WO2005008636A1 (ja) * 2003-07-22 2005-01-27 Tdk Corporation 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体用スタンパーおよび磁気記録媒体用中間体
JP2005064492A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
JP2006516065A (ja) * 2002-08-01 2006-06-15 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント
JP2006253644A (ja) * 2005-03-07 2006-09-21 Dms:Kk 微細パターン形成装置
KR100647314B1 (ko) 2005-01-31 2006-11-23 삼성전자주식회사 나노 임프린트 리소그래피용 정렬시스템 및 이를 채용한임프린트 리소그래피 방법
JP2006339644A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Asml Netherlands Bv インプリント・リソグラフィ
EP1760526A1 (en) 2005-09-06 2007-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint method, and process for producing chip
JP2007190734A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Hitachi Ltd パターン形成方法およびモールド
JP2007200953A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
JP2007305647A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Toppan Printing Co Ltd ナノインプリント装置及びナノインプリント方法
JP2007326367A (ja) * 2007-06-18 2007-12-20 Daikin Ind Ltd インプリント加工用モールド及びその製造方法
JP2008507114A (ja) * 2004-04-27 2008-03-06 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス
JP2008517448A (ja) * 2004-05-21 2008-05-22 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド リバーストーン処理を利用したリセス構造の形成方法
JP2008137387A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Samsung Electronics Co Ltd 整列マークが形成された軟体テンプレート
JP2008221821A (ja) * 2006-04-18 2008-09-25 Canon Inc パターン転写装置、インプリント装置、パターン転写方法および位置合わせ方法
JP2008230232A (ja) * 2007-02-20 2008-10-02 Canon Inc モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法
JP2009088264A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Toshiba Corp 微細加工装置およびデバイス製造方法
JP2009200510A (ja) * 2001-03-28 2009-09-03 Freescale Semiconductor Inc リソグラフィックテンプレート
JP2009532909A (ja) * 2006-04-03 2009-09-10 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法
JP2009545163A (ja) * 2006-07-24 2009-12-17 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． 接触リソグラフィのための位置合わせ
US7717696B2 (en) * 2000-07-18 2010-05-18 Nanonex Corp. Apparatus for double-sided imprint lithography
US7794222B2 (en) 2005-06-08 2010-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Mold, pattern forming method, and pattern forming apparatus
US7914480B2 (en) 2004-03-24 2011-03-29 Corium International, Inc. Transdermal delivery device
JP2011091307A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Toshiba Corp パターン形成方法
JP2011140225A (ja) * 2011-01-31 2011-07-21 Hitachi Ltd パターン形成方法およびモールド
JP4791597B2 (ja) * 2007-07-20 2011-10-12 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノ・インプリント・プロセスにおける基板のアラインメント・システム及び方法
JP2012004515A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置
US8132505B2 (en) 2006-07-07 2012-03-13 Hitachi High-Technologies Corporation Imprint apparatus and imprint method
US8153530B2 (en) 2007-12-28 2012-04-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US8216190B2 (en) 2000-10-16 2012-07-10 Corium International, Inc. Microstructures for delivering a composition cutaneously to skin
US8253941B2 (en) 2006-05-09 2012-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for manufacturing display panel and method for manufacturing the same
US20120326346A1 (en) * 2010-03-08 2012-12-27 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Sheet-shaped mold position detection device, transfer device and tranfer method
US8409889B2 (en) 2009-05-22 2013-04-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for producing semiconductor optical device
JP2013511826A (ja) * 2009-11-24 2013-04-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． アライメント及びインプリントリソグラフィ
US8609008B2 (en) 2011-02-07 2013-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint method, and method of manufacturing article
US8636498B2 (en) 2010-08-10 2014-01-28 Sumitomo Electric Industries Ltd Method for manufacturing nano-imprint mold, method for forming resin pattern by nano-imprint technique, and nano-imprint mold
US8652862B2 (en) 2010-09-06 2014-02-18 Sumitomo Electronic Industries Ltd. Method for etching insulating film and method for manufacturing semiconductor optical device
JP2014045013A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Bondtech Inc 基板上への対象物の位置決め方法及び装置
US8702726B2 (en) 2000-10-16 2014-04-22 Corium International, Inc. Method of exfoliation of skin using closely-packed microstructures
US8821446B2 (en) 2007-01-22 2014-09-02 Corium International, Inc. Applicators for microneedles
US8827685B2 (en) 2010-07-02 2014-09-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nano-imprint mold
US8911749B2 (en) 2007-04-16 2014-12-16 Corium International, Inc. Vaccine delivery via microneedle arrays
US9056938B2 (en) 2009-08-26 2015-06-16 Mitsui Chemicals, Inc. Fluorine-containing cyclic olefin polymer composition, imprint product obtained using the composition, and method for producing the same
US9114238B2 (en) 2007-04-16 2015-08-25 Corium International, Inc. Solvent-cast microprotrusion arrays containing active ingredient
JP2016028442A (ja) * 2015-10-08 2016-02-25 大日本印刷株式会社 テンプレート
US9314963B2 (en) 2009-02-27 2016-04-19 Mitsui Chemicals, Inc. Imprint product and method for producing the same
JP2016092310A (ja) * 2014-11-07 2016-05-23 キヤノン株式会社 モールド及びその製造方法、インプリント装置、並びに物品の製造方法
US9687641B2 (en) 2010-05-04 2017-06-27 Corium International, Inc. Method and device for transdermal delivery of parathyroid hormone using a microprojection array
US9962534B2 (en) 2013-03-15 2018-05-08 Corium International, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent, methods of use, and methods of making
JP2018198278A (ja) * 2017-05-24 2018-12-13 キヤノン株式会社 型、インプリント装置、および物品の製造方法
US10195409B2 (en) 2013-03-15 2019-02-05 Corium International, Inc. Multiple impact microprojection applicators and methods of use
US10245422B2 (en) 2013-03-12 2019-04-02 Corium International, Inc. Microprojection applicators and methods of use
US10384046B2 (en) 2013-03-15 2019-08-20 Corium, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent and methods of use
US10384045B2 (en) 2013-03-15 2019-08-20 Corium, Inc. Microarray with polymer-free microstructures, methods of making, and methods of use
US10624843B2 (en) 2014-09-04 2020-04-21 Corium, Inc. Microstructure array, methods of making, and methods of use
US10857093B2 (en) 2015-06-29 2020-12-08 Corium, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent, methods of use, and methods of making
US11052231B2 (en) 2012-12-21 2021-07-06 Corium, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent and methods of use
JP2024003899A (ja) * 2022-06-28 2024-01-16 キヤノン株式会社 インプリントシステム、基板、インプリント方法、レプリカモールド製造方法及び、物品の製造方法
KR20250159001A (ko) 2023-03-07 2025-11-07 도레이 카부시키가이샤 수지 조성물, 경화막, 경화막의 패턴 형성 기판의 제조 방법, 광학 소자, 및 폴리실록산의 제조 방법

Cited By (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001068411A (ja) * 1999-07-28 2001-03-16 Lucent Technol Inc デバイス製作のためのリソグラフィ・プロセス
JP2010087526A (ja) * 2000-07-16 2010-04-15 Board Of Regents The Univ Of Texas System テンプレートを有する転写リソグラフィシステムおよび基板とテンプレートを整列させる方法
JP2004505439A (ja) * 2000-07-16 2004-02-19 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィのための高分解能オーバレイ・アライメント方法およびシステム
JP2010087528A (ja) * 2000-07-16 2010-04-15 Board Of Regents The Univ Of Texas System 基板とこの前記基板から所定の距離をおいて位置するテンプレート間の整列を決定する方法
JP2010087529A (ja) * 2000-07-16 2010-04-15 Board Of Regents The Univ Of Texas System テンプレートおよび転写リソグラフィシステム
JP2004504714A (ja) * 2000-07-17 2004-02-12 ボード・オブ・リージエンツ，ザ・ユニバーシテイ・オブ・テキサス・システム 転写リソグラフィ・プロセスのための自動液体ディスペンス方法およびシステム
US7717696B2 (en) * 2000-07-18 2010-05-18 Nanonex Corp. Apparatus for double-sided imprint lithography
US8702726B2 (en) 2000-10-16 2014-04-22 Corium International, Inc. Method of exfoliation of skin using closely-packed microstructures
US8216190B2 (en) 2000-10-16 2012-07-10 Corium International, Inc. Microstructures for delivering a composition cutaneously to skin
JP2004526581A (ja) * 2001-03-14 2004-09-02 ザ プロクター アンド ギャンブル カンパニー ソフトリソグラフィ及びフォトリソグラフィを使用して微小針（ｍｉｃｒｏｎｅｅｄｌｅｓ）構造を製造する方法
JP4778669B2 (ja) * 2001-03-14 2011-09-21 コリウム インターナショナル， インコーポレイテッド ソフトリソグラフィ及びフォトリソグラフィを使用して微小針（ｍｉｃｒｏｎｅｅｄｌｅｓ）構造を製造する方法
US7763203B2 (en) 2001-03-14 2010-07-27 Corium International, Inc. Method of manufacturing microneedle structures using photolithography
JP2002283354A (ja) * 2001-03-27 2002-10-03 Daikin Ind Ltd インプリント加工用金型およびその製造方法
JP2009200510A (ja) * 2001-03-28 2009-09-03 Freescale Semiconductor Inc リソグラフィックテンプレート
JP2006516065A (ja) * 2002-08-01 2006-06-15 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント
JP2011101016A (ja) * 2002-08-01 2011-05-19 Molecular Imprints Inc インプリント・リソグラフィの散乱計測アラインメント
WO2005008636A1 (ja) * 2003-07-22 2005-01-27 Tdk Corporation 磁気記録媒体の製造方法、磁気記録媒体用スタンパーおよび磁気記録媒体用中間体
JP2005064492A (ja) * 2003-07-28 2005-03-10 Kyocera Corp 単結晶サファイア基板とその製造方法及び半導体発光素子
US7914480B2 (en) 2004-03-24 2011-03-29 Corium International, Inc. Transdermal delivery device
JP2008507114A (ja) * 2004-04-27 2008-03-06 ザ ボード オブ トラスティーズ オブ ザ ユニヴァーシティー オブ イリノイ ソフトリソグラフィ用複合パターニングデバイス
JP2008517448A (ja) * 2004-05-21 2008-05-22 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド リバーストーン処理を利用したリセス構造の形成方法
KR101139302B1 (ko) 2004-05-21 2012-05-25 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 리버스 톤 공정을 사용하는 리세스형 구조물 형성 방법
KR100647314B1 (ko) 2005-01-31 2006-11-23 삼성전자주식회사 나노 임프린트 리소그래피용 정렬시스템 및 이를 채용한임프린트 리소그래피 방법
JP2006253644A (ja) * 2005-03-07 2006-09-21 Dms:Kk 微細パターン形成装置
US7670128B2 (en) 2005-03-07 2010-03-02 Dms Co., Ltd. Apparatus for forming fine pattern on substrate
JP2006339644A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Asml Netherlands Bv インプリント・リソグラフィ
US8770958B2 (en) 2005-06-08 2014-07-08 Canon Kabushiki Kaisha Pattern forming method and pattern forming apparatus in which a substrate and a mold are aligned in an in-plane direction
US7794222B2 (en) 2005-06-08 2010-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Mold, pattern forming method, and pattern forming apparatus
US7510388B2 (en) 2005-09-06 2009-03-31 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint method, and process for producing chip
US8668484B2 (en) 2005-09-06 2014-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint method, and process for producing a chip
US8562846B2 (en) 2005-09-06 2013-10-22 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing a chip using a mold
US7981304B2 (en) 2005-09-06 2011-07-19 Canon Kabushiki Kaisha Process for producing a chip using a mold
EP1760526A1 (en) 2005-09-06 2007-03-07 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint method, and process for producing chip
JP2007190734A (ja) * 2006-01-18 2007-08-02 Hitachi Ltd パターン形成方法およびモールド
US8268209B2 (en) 2006-01-18 2012-09-18 Hitachi, Ltd. Pattern forming method and its mold
JP2007200953A (ja) * 2006-01-24 2007-08-09 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
JP2009532909A (ja) * 2006-04-03 2009-09-10 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法
JP2008221821A (ja) * 2006-04-18 2008-09-25 Canon Inc パターン転写装置、インプリント装置、パターン転写方法および位置合わせ方法
JP2007305647A (ja) * 2006-05-09 2007-11-22 Toppan Printing Co Ltd ナノインプリント装置及びナノインプリント方法
US8253941B2 (en) 2006-05-09 2012-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for manufacturing display panel and method for manufacturing the same
US8132505B2 (en) 2006-07-07 2012-03-13 Hitachi High-Technologies Corporation Imprint apparatus and imprint method
JP2009545163A (ja) * 2006-07-24 2009-12-17 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル．ピー． 接触リソグラフィのための位置合わせ
JP2008137387A (ja) * 2006-12-01 2008-06-19 Samsung Electronics Co Ltd 整列マークが形成された軟体テンプレート
US8821446B2 (en) 2007-01-22 2014-09-02 Corium International, Inc. Applicators for microneedles
US7815430B2 (en) 2007-02-20 2010-10-19 Canon Kabushiki Kaisha Mold, production process of mold, imprint apparatus, and imprint method
JP2008230232A (ja) * 2007-02-20 2008-10-02 Canon Inc モールド、モールドの製造方法、インプリント装置及びインプリント方法、インプリント方法を用いた構造体の製造方法
US9114238B2 (en) 2007-04-16 2015-08-25 Corium International, Inc. Solvent-cast microprotrusion arrays containing active ingredient
US9452280B2 (en) 2007-04-16 2016-09-27 Corium International, Inc. Solvent-cast microprotrusion arrays containing active ingredient
US8911749B2 (en) 2007-04-16 2014-12-16 Corium International, Inc. Vaccine delivery via microneedle arrays
US10238848B2 (en) 2007-04-16 2019-03-26 Corium International, Inc. Solvent-cast microprotrusion arrays containing active ingredient
US9498524B2 (en) 2007-04-16 2016-11-22 Corium International, Inc. Method of vaccine delivery via microneedle arrays
JP2007326367A (ja) * 2007-06-18 2007-12-20 Daikin Ind Ltd インプリント加工用モールド及びその製造方法
JP4791597B2 (ja) * 2007-07-20 2011-10-12 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド ナノ・インプリント・プロセスにおける基板のアラインメント・システム及び方法
JP2009088264A (ja) * 2007-09-28 2009-04-23 Toshiba Corp 微細加工装置およびデバイス製造方法
US8153530B2 (en) 2007-12-28 2012-04-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US9314963B2 (en) 2009-02-27 2016-04-19 Mitsui Chemicals, Inc. Imprint product and method for producing the same
US8409889B2 (en) 2009-05-22 2013-04-02 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for producing semiconductor optical device
US10000633B2 (en) 2009-08-26 2018-06-19 Mitsui Chemicals, Inc. Fluorine-containing cyclic olefin polymer composition, imprint product obtained using the composition, and method for producing the same
US9056938B2 (en) 2009-08-26 2015-06-16 Mitsui Chemicals, Inc. Fluorine-containing cyclic olefin polymer composition, imprint product obtained using the composition, and method for producing the same
JP2011091307A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Toshiba Corp パターン形成方法
JP2013511826A (ja) * 2009-11-24 2013-04-04 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． アライメント及びインプリントリソグラフィ
US9649787B2 (en) * 2010-03-08 2017-05-16 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Sheet-shaped mold position detection device, transfer device and transfer method
US20120326346A1 (en) * 2010-03-08 2012-12-27 Toshiba Kikai Kabushiki Kaisha Sheet-shaped mold position detection device, transfer device and tranfer method
US9687641B2 (en) 2010-05-04 2017-06-27 Corium International, Inc. Method and device for transdermal delivery of parathyroid hormone using a microprojection array
US12377044B2 (en) 2010-05-04 2025-08-05 Panther Life Sciences Corporation Method and device for transdermal delivery of parathyroid hormone using a microprojection array
US11419816B2 (en) 2010-05-04 2022-08-23 Corium, Inc. Method and device for transdermal delivery of parathyroid hormone using a microprojection array
JP2012004515A (ja) * 2010-06-21 2012-01-05 Dainippon Printing Co Ltd インプリント用モールド、アライメント方法、インプリント方法、およびインプリント装置
US8827685B2 (en) 2010-07-02 2014-09-09 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Nano-imprint mold
US8636498B2 (en) 2010-08-10 2014-01-28 Sumitomo Electric Industries Ltd Method for manufacturing nano-imprint mold, method for forming resin pattern by nano-imprint technique, and nano-imprint mold
US8652862B2 (en) 2010-09-06 2014-02-18 Sumitomo Electronic Industries Ltd. Method for etching insulating film and method for manufacturing semiconductor optical device
JP2011140225A (ja) * 2011-01-31 2011-07-21 Hitachi Ltd パターン形成方法およびモールド
US8609008B2 (en) 2011-02-07 2013-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Mold, imprint method, and method of manufacturing article
JP2014045013A (ja) * 2012-08-24 2014-03-13 Bondtech Inc 基板上への対象物の位置決め方法及び装置
US11052231B2 (en) 2012-12-21 2021-07-06 Corium, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent and methods of use
US10245422B2 (en) 2013-03-12 2019-04-02 Corium International, Inc. Microprojection applicators and methods of use
US11110259B2 (en) 2013-03-12 2021-09-07 Corium, Inc. Microprojection applicators and methods of use
US10384046B2 (en) 2013-03-15 2019-08-20 Corium, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent and methods of use
US10195409B2 (en) 2013-03-15 2019-02-05 Corium International, Inc. Multiple impact microprojection applicators and methods of use
US10384045B2 (en) 2013-03-15 2019-08-20 Corium, Inc. Microarray with polymer-free microstructures, methods of making, and methods of use
US9962534B2 (en) 2013-03-15 2018-05-08 Corium International, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent, methods of use, and methods of making
US11565097B2 (en) 2013-03-15 2023-01-31 Corium Pharma Solutions, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent and methods of use
US10624843B2 (en) 2014-09-04 2020-04-21 Corium, Inc. Microstructure array, methods of making, and methods of use
JP2016092310A (ja) * 2014-11-07 2016-05-23 キヤノン株式会社 モールド及びその製造方法、インプリント装置、並びに物品の製造方法
US10857093B2 (en) 2015-06-29 2020-12-08 Corium, Inc. Microarray for delivery of therapeutic agent, methods of use, and methods of making
JP2016028442A (ja) * 2015-10-08 2016-02-25 大日本印刷株式会社 テンプレート
JP2018198278A (ja) * 2017-05-24 2018-12-13 キヤノン株式会社 型、インプリント装置、および物品の製造方法
JP7058951B2 (ja) 2017-05-24 2022-04-25 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
JP2024003899A (ja) * 2022-06-28 2024-01-16 キヤノン株式会社 インプリントシステム、基板、インプリント方法、レプリカモールド製造方法及び、物品の製造方法
KR20250159001A (ko) 2023-03-07 2025-11-07 도레이 카부시키가이샤 수지 조성물, 경화막, 경화막의 패턴 형성 기판의 제조 방법, 광학 소자, 및 폴리실록산의 제조 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000323461A (ja) 微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法
JP4478424B2 (ja) 微細加工装置およびデバイスの製造方法
US7136150B2 (en) Imprint lithography template having opaque alignment marks
TWI289731B (en) A system for forming a pattern on a substrate
TWI413176B (zh) 用於邊緣場奈米壓印之對準技術
US7807065B2 (en) Processing method
US20060032437A1 (en) Moat system for an imprint lithography template
JP6497938B2 (ja) インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法。
JP2005116978A (ja) ナノインプリント装置及び方法
CN104570594B (zh) 压印设备和制造制品的方法
TW201107120A (en) Pattern forming apparatus and pattern forming method
EP1526411A1 (en) Apparatus and method for aligning surface
US7401549B2 (en) Arrangement for transferring information/structures to wafers
JP4455093B2 (ja) モールド、モールドを用いた加工装置及びモールドを用いた加工方法
JP4262267B2 (ja) モールド、インプリント装置及びデバイスの製造方法
TWI759728B (zh) 用於在本體上提供耐磨材料之方法及複合本體
TW201229657A (en) Method of fabricating a mask
JP2005101313A (ja) 微細パターン形成装置
JP5343378B2 (ja) ステンシルマスクおよびその製造方法
JP2004071831A (ja) 微細加工装置およびこれを用いたデバイス
CN117826285A (zh) 一种超表面透镜的制备方法及超表面透镜
JP2006216952A (ja) ナノインプリント・リソグラフィ用位置合わせシステム及びこれを採用したインプリント・リソグラフィ方法
CN115826351B (zh) 用于扫描微探针对准的纳米压印装置及其控制方法
US20200249567A1 (en) Imprint templates, method for manufacturing imprint templates, and method for manufacturing semiconductor devices
WO2020256132A1 (ja) 金属製品の微細加工装置、金属製品の微細加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20020611