TWI759728B - 用於在本體上提供耐磨材料之方法及複合本體 - Google Patents

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Abstract

本發明揭示一種用於在一本體上提供一耐磨材料之方法。亦揭示一種可藉由該方法獲得之複合本體。該複合本體可為用於一微影裝置中之一基板固持器或一倍縮光罩夾具。該方法包含：提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之一本體；提供具有多於20 GPa之一硬度之一耐磨材料；及將該耐磨材料硬焊或雷射焊接至該本體。

Description

用於在本體上提供耐磨材料之方法及複合本體
本發明係關於一種用於在諸如未加工的基板固持器或未加工的倍縮光罩夾具之本體上提供耐磨材料之方法。本發明亦關於一種包含耐磨材料之複合本體，諸如基板固持器或倍縮光罩夾具。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化器件(例如光罩)之圖案(亦常常被稱作「設計佈局」或「設計」)投影至提供於基板(例如晶圓)上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
當將圖案自圖案化器件轉印時，基板被夾持至微影裝置中之基板固持器上。基板固持器通常具有用以支撐基板之複數個瘤節。相比於基板之總面積，與基板接觸之瘤節之總面積較小。因此，污染物粒子隨機地位於基板之表面上或基板固持器被截留於瘤節與基板之間的機會小。又，在製造基板固持器時，相比於可將大的表面準確地製成平坦，可將瘤節之頂部更準確地製成共平面。
當首先將基板裝載至基板固持器上以準備曝光時，基板係由所謂的e-銷釘支撐，該等e-銷釘將基板固持於三個位置處。當基板由e- 銷釘固持時，其自有重量將致使該基板失真，例如在自上方檢視時變成凸面。為了將基板裝載至基板固持器上，使e-銷釘縮回使得基板由基板固持器之瘤節支撐。當基板降低至基板固持器之瘤節上時，基板將在一些地點接觸，例如在邊緣附近、在其他地點之前，例如在中心附近。瘤節與基板之下部表面之間的任何摩擦可防止基板完全地鬆弛成平坦的未受應力狀態。此可導致在基板之曝光期間之聚焦及疊對誤差。
基板固持器通常由陶瓷材料製成，諸如碳化矽(SiC)或SiSiC(在矽基質中具有SiC顆粒之材料)。使用習知製造方法，可易於將此陶瓷材料加工成所要形狀。當自基板固持器裝載及卸載基板時，陶瓷材料可快速磨損。陶瓷材料之比較高摩擦係數亦可防止基板在被裝載至基板固持器上時鬆弛成平坦的未受應力狀態。
已提議提在基板固持器之瘤節上提供類金剛石碳(DLC)層，例如DLC a-C：H、a-C或ta-C。此層耐磨損且減少了基板固持器與基板之間的摩擦力。因為DLC之沈積在低於300℃之溫度下係可能的，所以DLC可直接沈積至基板固持器之瘤節上。超過300℃之溫度會使基板固持器有損壞風險。
本發明人已認識到，此類DLC塗佈之基板固持器之效能並不滿足預期。沈積於基板固持器上之DLC之磨損速度比所期望快約10倍，從而需要比所要操作週期更早地重新研磨及重新調節基板固持器。
因此需要例如在一本體上提供與一DLC塗佈本體相比較具有改良之耐磨屬性的一耐磨材料。該耐磨材料與一DLC塗佈本體相比較亦可具有其他所期望的屬性，諸如例如改良之耐腐蝕性。
根據本發明之一態樣，提供一種用於在一本體上提供一耐磨材料之方法，該方法包含以下步驟：提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之一本體；提供具有多於20GPa之一硬度之一耐磨材料；及將該耐磨材料硬焊或雷射焊接至該本體。
根據本發明之另一態樣，提供一種複合本體，其包含：由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之一本體、具有多於20GPa之一硬度的一耐磨材料，及連接該本體及該耐磨材料之一中間硬焊層或一相互擴散層。
20:瘤節
20':未加工的瘤節
21:主體
22:主體表面
30:耐磨材料
30':分離部分/分離區
31:材料層
60:基板固持器
60':未加工的基板固持器
72:生長基板
74:載體膜
80:硬焊成型材料
81:中間硬焊層/第一部分
82:中間硬焊層/第二部分
89:通孔
92:分層雷射
94:硬焊雷射
200:方法
201:方法
B:輻射光束
BD:光束遞送系統
C:目標部分
d1:直徑
H:距離
h1:高度
IL:照明系統/照明器
LA:微影裝置
M1:圖案化器件對準標記
M2:圖案化器件對準標記
MA:圖案化器件
P1:基板對準標記
P2:基板對準標記
PM:第一定位器
PMS:位置感測器
PS:投影系統
PW:第二定位器
SO:輻射源
SP:支撐平面
S210:步驟
S220:步驟
S221:步驟
S222:步驟
S230:步驟
S231:步驟
S232:步驟
S240:步驟
S250:步驟
S260:步驟
S261:步驟
S262:步驟
T:圖案化器件支撐結構
t1:厚度
W:基板
WT:基板台或晶圓台
現在將參看隨附示意性圖式而僅作為實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應元件符號指示對應部件，且在該等圖式中：圖1示意性地描繪微影裝置；圖2以平面圖描繪基板固持器，其為根據一實施例之複合本體之實例；圖3A描繪用於根據一實施例的在本體上提供耐磨材料之方法；圖3B描繪用於根據另一實施例的在本體上提供耐磨材料之方法；圖4A至圖4D示意性地描繪用於在本體上提供耐磨材料之方法的實施例；圖4D描繪根據一實施例之複合本體；圖5A至圖5C示意性地描繪用於提供耐磨材料之方法的另一實施例；圖5C描繪根據另一實施例之複合本體；圖6A至圖6D示意性地描繪用於提供耐磨材料之方法步驟。
在本文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線輻射(例如，具有為365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如具有約13nm之波長)。
本文中所使用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化器件」可被廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化器件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中，亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射或反射；二元、相移、混合式等)以外，其他此類圖案化器件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪一實施例之微影裝置LA。該微影裝置LA包含：-視情況，照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如UV輻射或DUV輻射)；-圖案化器件支撐結構(例如光罩台)T，其通常包含倍縮光罩夾具，該倍縮光罩夾具經建構以支撐圖案化器件(例如光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來準確地定位該圖案化器件MA之第一定位器PM；-支撐台，例如用以支撐一或多個感測器之感測器台或基板台或晶圓台WT，其經建構以固持基板(例如抗蝕劑塗佈之生產基板)W，連接至經組態以根據某些參數來準確定位例如基板W之台之表面的第二定位器PW；及-投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器 件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包含晶粒之部分、一個晶粒或多個晶粒)上。
在操作中，照明器IL例如經由光束遞送系統BD自輻射源SO接收輻射光束。照明系統IL可包括用於導向、塑形及/或控制輻射的各種類型之光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電及/或其他類型之光學組件，或其任何組合。照明器IL可用以調節輻射光束B，以在圖案化器件MA之平面處在其橫截面中具有所要空間及角強度分佈。
本文所使用之術語「投影系統」PS應被廣泛地解譯為涵蓋適於所使用之曝光輻射及/或適於諸如浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的各種類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、合成、磁性、電磁及/或靜電光學系統，或其任何組合。可認為本文中對術語「投影透鏡」之任何使用皆與更一般之術語「投影系統」同義。
微影裝置LA可屬於具有兩個或多於兩個支撐台之類型，例如，兩個或多於兩個支撐台，或一或多個支撐台及一或多個清潔台、感測器台或量測台之組合。舉例而言，微影裝置LA為包含位於投影系統PS之曝光側處之兩個或多於兩個台的多載物台裝置，每一台包含及/或固持一或多個物件。在一實例中，該等台中之一或多者可固持輻射敏感基板。在一實例中，該等台中之一或多者可固持用以量測來自投影系統之輻射之感測器。在一實例中，多載物台裝置包含經組態以固持輻射敏感基板之第一台(亦即支撐台)及未經組態以固持輻射敏感基板的第二台(下文中通常且非限制性地被稱作量測台、感測器台及/或清潔台)。第二台可包含及/或可固持除輻射敏感基板之外的一或多個物件。此一或多個物件可包括選自以下各者之一或多個物件：用以量測來自投影系統之輻射之感測器、一或多 個對準標記，及/或清潔器件(用以清潔(例如)液體限制結構)。
在操作中，輻射光束B入射於存在於圖案化器件(例如光罩)MA上之圖案(設計佈局)上，該圖案化器件被固持於圖案化器件支撐結構(例如光罩台)T上；且由該圖案化器件MA而圖案化。在已橫穿圖案化器件MA之情況下，輻射光束B傳遞通過投影系統PS，投影系統PS將該光束聚焦至基板W之目標部分C上。憑藉第二定位器PW及位置感測器PMS(例如干涉器件、線性編碼器、2D編碼器或電容式感測器)，可準確移動基板台WT，例如以便使不同目標部分C在聚焦且對準位置處定位於輻射光束B之路徑中。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器(其未在圖1中明確地描繪)可用以相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化器件MA。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管所說明之基板對準標記P1、P2佔據專用目標部分C，但其可位於目標部分C之間的空間中(此等標記被稱為切割道對準標記)。
基板台WT包含基板固持器60。圖2描繪根據一實施例之用於微影裝置LA的基板固持器60。基板固持器60係用於支撐基板W。基板固持器60包含主體21。主體21具有主體表面22。提供自主體表面22突出之複數個瘤節20。每一瘤節20之遠端表面與基板W嚙合。瘤節20之遠端表面係共平面的，亦即，瘤節20之遠端表面大體上遵照支撐平面SP且支撐基板W。主體21可由陶瓷形成，例如SiC或SiSiC。瘤節20可由與主體21相同的材料形成，或可由不同材料形成。
瘤節20可具有在10μm至500μm之範圍內，例如約150μm之高度。瘤節20之遠端表面之直徑可在100μm至300μm之範圍內，例 如約200μm。瘤節20之間距可在約0.5mm至3mm之範圍內，例如約1.5mm。瘤節20之間距為兩個鄰近瘤節20之中心之間的距離。所有瘤節20之遠端表面之總面積可在基板固持器60之總面積的1%至3%之範圍內。瘤節20之形狀可為截頭圓錐形，其中瘤節側表面稍微傾斜。替代地，瘤節側表面可為豎直或甚至懸垂的。瘤節20之平面可為圓形。替代地，視需要瘤節20亦可以其他形狀形成。
複數個通孔89可形成於主體21中。通孔89允許e-銷釘突出通過基板固持器60以收納基板W。通孔89亦可允許抽空基板W與基板固持器60之間的空間。若亦未抽空基板W上方的空間，則抽空基板W與基板固持器60之間的空間可提供夾持力。夾持力將基板W保持在適當位置。若亦抽空基板W上方的空間，正如在使用EUV輻射之微影裝置中的狀況一樣，則可將電極提供於基板固持器60上以形成靜電夾具。
可提供例如用以控制基板固持器60與基板W之間的氣流及/或熱導率之其他結構。基板固持器60可具備電子組件。電子組件可包含加熱器及感測器。加熱器及感測器可用以控制基板固持器60及基板W之溫度。
為了減少瘤節20之磨損及摩擦，已提議將DLC層沈積於基板固持器60之瘤節20之至少遠端表面上。然而，本發明人已發現此DLC層比預期更快地磨損。此可歸因於在DLC中存在sp2混成碳。通常，DLC具有在10：1至1：1之範圍內的sp2：sp3碳比率，且可包括截留氫氣以形成所謂的H-DLC或a-C：H。雖然ta-C僅包含碳且因此未經氫化，但其亦含有處於較低濃度之sp2碳。sp2混成碳之行為相似於石墨，且因此在機械上弱且導電，且可能經受接觸磨損、摩擦帶電誘發之磨損及氧化。此導致DLC降 解比預期更快，尤其是在諸如浸潤微影裝置之潮濕環境中。
因此需要向基板固持器60提供比DLC更好地耐受磨損的耐磨材料。本發明人已發現，此耐磨材料應具有多於20GPa之硬度，如藉由維氏硬度測試判定。多於20GPa之硬度確保耐磨材料適合用於本體上，本體諸如基板固持器60或微影裝置LA之其他支撐結構(例如由除基板台WT之外的支撐台所包含之支撐結構、基板夾具、用於固持圖案化器件MA之倍縮光罩固持器或倍縮光罩夾具)。耐磨材料較佳為結晶或至少奈米結晶材料，諸如金剛石、立方氮化硼(c-BN)、立方氮化矽(Si3N4)、立方氮化碳(C3N4)、AlMgB14、Al2O3、WB4、VyBx、TayBx、ZryBx、NbyBx、c-BC2N、其他C-B-N三元化合物或其任何組合。替代地，舉例而言，耐磨材料可為含有等於或多於50% sp3碳的非晶DLC。此sp3碳含量引起DLC中之內部機械應力，從而確保非晶DLC具有高於30GPa之硬度。此等材料歸因於其極低磨損及摩擦屬性而尤其適合用作微影裝置LA中之耐磨材料。使用增強型氣相沈積(CVD、PVD、脈衝雷射沈積)在生長基板上生長此等材料要求該生長基板將處於自500℃至1200℃之高溫下。此高溫可導致耐磨材料待施加至之基板固持器60或其他本體損壞。耐磨材料在基板固持器60上之定向沈積因此使基板固持器60有損壞風險。
本發明人已識別出在由陶瓷、玻璃或玻璃陶瓷製成之本體上提供耐磨材料之新方法。此本體之一個實例為未加工的基板固持器60'。然而，本發明不限於在未加工的基板固持器60'上施加耐磨材料，藉此產生供用於微影裝置LA中之基板固持器60。本發明擴展至將耐磨材料施加至由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之任何其他本體。使用習知製造方法，可容易加工由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之本體，且因此該等本體尤 其適用於形成用於諸如微影裝置LA中所使用之組件之組件的基底材料。
用於在本體上提供耐磨材料之方法200的實施例在圖3A中加以描繪。該方法200包含提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之本體(S210)。舉例而言，該本體可由SiC或SiSiC製成。該方法200進一步包含提供具有多於20GPa之硬度的耐磨材料(S220)。耐磨材料之實例為金剛石及c-BN，以及上文所提及之其他耐磨材料。步驟S220可包括在生長基板上生長材料層(S221)及將材料層之部分轉移至載體膜(S222)，如圖6A至圖6D中示意性地所描繪。
方法200進一步包含在耐磨材料與本體之間提供適合於將耐磨材料硬焊至本體之硬焊成型材料(S230)。此可包括用硬焊成型材料塗佈耐磨材料及/或本體(S231)及將耐磨材料及本體按壓在一起(S232)，如圖4A以及圖4B中以及圖5A及圖5B中示意性地所描繪。方法200進一步包含藉由加熱硬焊成型材料而將耐磨材料硬焊至本體(S240)。此在圖4B及圖5B中示意性地描繪。在方法200之最終步驟S250中，可移除載體膜。藉由方法200獲得之複合本體在圖4D及圖5C中示意性地描繪。
圖3B描繪用於在本體上提供耐磨材料之方法201的替代實施例。該方法201包含提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之本體(S210)及提供具有多於20GPa之硬度之耐磨材料(S220)，如關於圖3A之方法200已經所論述。然而，與圖3A之方法200相比較，在圖3B之方法201中，並不在耐磨材料與本體之間提供硬焊成型材料。取而代之，使耐磨材料30與本體直接實體接觸。方法201包含將耐磨材料雷射焊接(或雷射誘發焊接)至本體(S260)。此包含使耐磨材料與本體直接實體接觸(S261)且使用ps或fs脈衝雷射來曝露耐磨材料與本體之間的界面。耐磨材料及載體膜可對ps或 fs雷射透明，且本體可對ps或fs雷射不透明。耐磨材料與本體之間的界面因此可藉由ps或fs脈衝雷射經由耐磨材料及載體膜而曝露。
方法200及201可用以將耐磨材料施加至本體，而不依賴於直接在本體上生長耐磨材料(此要求高溫)，且因此降低了損壞本體之風險。取而代之，耐磨材料可在最佳條件下且在高溫下在不同於本體之生長基板上生長，從而允許獲得高品質耐磨材料。耐磨材料之後續硬焊或雷射焊接至本體確保了本體與耐磨材料之間的強連接。此硬焊可需要低溫使得直接在本體上生長耐磨材料，或可僅需要硬焊成型材料及周圍區域之局部加熱，因此與整個本體被加熱至高溫以在本體上生長耐磨材料之情形相比較，降低了本體損壞之風險。相似地，雷射焊接僅需要耐磨層與本體之間的界面高度局部加熱，因此亦降低了損壞風險。
圖4A至圖4D展示用於在本體上提供具有多於20GPa之硬度的耐磨材料30之方法200的一項實施例。在此實施例中，本體為未加工的基板固持器60'。未加工的基板固持器60'包含一主體21，該主體具有主體表面22及自主體表面22突出之複數個未加工的瘤節20'。
如圖4A中所展示，耐磨材料30可以層之形式被提供，且可因此為耐磨層。此使支撐結構(諸如基板固持器60)中之耐磨材料30之使用簡單，此係因為耐磨層尤其適合於界定用於支撐物件之支撐平面SP，而在耐磨層沈積於支撐結構上之後無需過度研磨。耐磨材料30較佳具有在0.1μm至500μm之範圍內之厚度。
可在複數個分離部分30'中提供耐磨材料30。當時以平面圖進行檢視時，需要使分離部分30'之直徑d1或平均側向尺寸小於2mm或較佳小於500μm。
在複數個分離部分30'中提供耐磨材料30會允許在未加工的基板固持器60'之未加工的瘤節20'之遠端表面上提供耐磨材料30(如在圖4A至圖4D中)。在此狀況下，耐磨材料30較佳具有自0.1μm至10μm之厚度t1(在垂直於主體表面22之方向上)。由耐磨材料30形成且尤其由耐磨材料30之分離部分30'形成的圖案較佳在幾何形狀上相似於或相同於由複數個未加工的瘤節20'形成之圖案。替代地，由耐磨材料30(之分離部分30')形成之圖案可在幾何形狀上相似於或相同於由複數個未加工的瘤節20'之子集(例如每隔兩個或每隔三個未加工的瘤節20')形成之圖案。此允許在兩個或多於兩個階段將耐磨材料30施加至複數個未加工的瘤節20'，使得例如在第一階段向未加工的瘤節20'之第一半提供耐磨材料30且在第二階段向未加工的瘤節20'之第二半提供耐磨材料30。分離部分30'中之每一者之直徑d1可等於或小於未加工的瘤節20'之直徑，且例如在50μm至300μm之範圍內，例如約200μm。兩個鄰近分離部分30'之中心之間的距離可等於未加工的瘤節20'之間距，且例如為約0.5mm至3mm，例如約1.5mm。分離部分30'之形狀可在幾何形狀上相似於未加工的瘤節20'之遠端表面之形狀，且例如在平面圖中為圓形。視需要，分離部分30'亦可以其他形狀形成。
如圖4A中所展示，提供耐磨材料30較佳包含在載體膜74上提供耐磨材料30。此允許在本體上簡單及準確地置放耐磨材料。當在複數個分離部分30'中提供耐磨材料時，載體膜74亦用以界定該等分離部分30'彼此及與該等分離部分30'待施加至之本體的相對位置。載體膜74較佳為大體上平坦的。載體膜74可例如對用於硬焊之硬焊雷射或用於雷射焊接之ps或fs脈衝雷射係透明的。較佳地，載體膜74與耐磨材料30相比較係剛性 的且與本體相比較係可撓性的。提供與耐磨材料30相比較剛性的載體膜74會確保可在本體上置放耐磨材料30時在耐磨材料30之分離部分30'中之每一者與本體之間達成良好的接觸。視情況，可在耐磨材料30與載體膜74之間提供黏接層(圖中未繪示)以使載體膜74上之耐磨材料30或耐磨材料30之分離部分30'穩定。黏接層之黏接屬性可例如藉由加熱黏接層而可逆，以允許在需要時(例如在硬焊步驟S240之後)將載體膜74自耐磨材料30拆卸。黏接層可為透明的，以允許雷射通過黏接層。
圖4A及圖4B示意性地描繪在耐磨材料30與本體(其為未加工的基板固持器60')之間提供硬焊成型材料80之步驟S220。硬焊成型材料80適合於將耐磨材料30硬焊至未加工的基板固持器60'，亦即，硬焊成型材料80在加熱後與耐磨材料30及未加工的基板固持器60'發生化學反應，以便形成將耐磨材料30連接至未加工的基板固持器60'之中間硬焊層81、82。舉例而言，當未加工的基板固持器60'由SiC或SiSiC製成時，硬焊成型材料80可與未加工的基板固持器60'之SiC或SiSiC形成碳化物或矽化物。當耐磨材料30由金剛石製成時，硬焊成型材料80亦可與金剛石形成碳化物。
硬焊成型材料80可選自由Ti、Zr、Mo、Cr、Nb、V、Ta、Ni、Fe、Co、Al、Ag、Au、C、Si、B及其組合組成的硬焊成型材料80之群組。合適硬焊成型材料80之選擇將取決於特定耐磨材料及取決於構成本體之特定玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷。舉例而言，當本體由SiC或SiSiC製成且耐磨材料為金剛石時，硬焊成型材料80較佳地選自由Ti、Zr、Mo、Cr、Nb、V、Ta、C、Si及B及其組合組成的硬焊成型材料80之群組。舉例而言，硬焊成型材料80可為Ag-Cu-Ti。當本體由SiC或SiSiC 製成且耐磨材料為c-BN時，硬焊成型材料80較佳地選自由Mo、Ni、Fe、Co、Al、Si、Ti及Zr及其組合組成的硬焊成型材料80之群組。
如圖4A中所展示，提供硬焊成型材料80之步驟S230可包含用硬焊成型材料80塗佈未加工的基板固持器60'，且尤其塗佈耐磨材料待提供至之本體之至少部分(諸如未加工的瘤節20'之遠端表面)的步驟S231。替代地或另外，待連接至本體之耐磨材料30之至少表面可用硬焊成型材料80塗佈。在一實施例中，提供有耐磨材料30之載體膜74之側面亦用硬焊成型材料80塗佈，從而避免了對遮蔽之需要且使硬焊成型材料80之提供更簡單。硬焊成型材料80之厚度較佳小於耐磨材料30之厚度t1、更佳小於耐磨材料30之厚度t1的一半。此確保在硬焊之後，最佳地保留了耐磨材料30之背對未加工的基板固持器60'的表面之所期望的化學及結構屬性。
如圖4B中所展示，提供硬焊成型材料80之步驟S230可進一步包含將本體(亦即基板固持器60)及耐磨材料30(或耐磨材料30之分離部分30')按壓在一起使得硬焊成型材料80位於本體與耐磨材料30之間的步驟S232。當將硬焊成型材料80塗佈於未加工的基板固持器60'上(如圖4A中所展示)時，將耐磨材料30按壓至硬焊成型材料80中。替代地，當將硬焊成型材料80塗佈於耐磨材料30時，將未加工的基板固持器60'(且尤其未加工的基板固持器60'之複數個未加工的瘤節20')按壓至硬焊成型材料80中。將未加工的基板固持器60'及耐磨材料30按壓在一起以確保藉由未加工的基板固持器60'以及耐磨材料30之分離部分30'與硬焊成型材料80接觸而適當潤濕。
圖4B亦示意性地展示藉由加熱硬焊成型材料80而將耐磨材 料30硬焊至本體的步驟S240。可將硬焊成型材料80加熱例如至在500℃至1500℃之範圍的溫度內。替代地，例如當使用10至100ns雷射輻照加熱同時提供相對較冷本體時，可將硬焊成型材料80加熱至較高溫度。當加熱硬焊成型材料80時，該硬焊成型材料80可與本體及/或耐磨材料30化學上結合及/或擴散至本體及/或耐磨材料30中，因此形成中間硬焊層81、82。如圖4C中所展示，中間硬焊層81、82可包含第一部分81及第二部分82或由該第一部分81及該第二部分82組成，該第一部分81係由擴散至耐磨材料30中之硬焊成型材料80形成，且該第二部分82係由擴散至未加工的基板固持器60'或其他本體中之硬焊成型材料80形成。
用以將耐磨材料30連接至本體之硬焊成型材料80之部分較佳經局部加熱，亦即僅加熱硬焊成型材料80之此等部分及與硬焊成型材料80之此等部分鄰近的本體及耐磨材料30之區。未加工的基板固持器60'可未被完全加熱，因此降低了未加工的基板固持器60'損壞之風險。
較佳地，硬焊成型材料80係由硬焊雷射94加熱，因此雷射硬焊位於耐磨材料與本體之間的硬焊成型材料80之部分。此情形在圖4B中加以展示。硬焊雷射94可經由載體膜72及耐磨材料30照明及加熱硬焊成型材料80(例如當耐磨材料30透明的，諸如為金剛石層時)。替代地或另外，硬焊雷射94可經由本體(圖中未繪示)照明及加熱硬焊成型材料80。硬焊雷射94可以一或多個雷射脈衝照明硬焊成型材料80之部分。硬焊雷射94之波長可經選擇為使得硬焊雷射94之功率的不到50%、較佳不到5%在耐磨材料30中被吸收(當雷射光束透射通過耐磨材料時)或本體中被吸收(當雷射光束透射通過本體時)。此確保了由硬焊成型材料吸收硬焊雷射94之大多數功率。通常，每一雷射脈衝可具有自1ns至100ns之持續時間及 在0.05J/cm2至5J/cm2之範圍內之通量。替代地，每一雷射脈衝可具有小於1ns之持續時間，具有在0.01J/cm2至1J/cm2之範圍內之減小之通量。使用硬焊雷射94允許快速加熱經照明之硬焊成型材料80之部分，從而降低對經照明部分周圍之區域的加熱影響且因此降低未加工的基板固持器60'損壞之風險。
例如當耐磨材料為c-BN(其在超過1500℃之溫度下不穩定)時，硬焊雷射94亦可用以加熱耐磨材料。因為耐磨材料與硬焊成型材料80實體接觸，所以此經由導電熱轉移加熱硬焊成型材料，因此將耐磨材料硬焊至本體。
除硬焊雷射94之外的加熱器件亦可用以局部加熱硬焊成型材料80。舉例而言，可藉由使硬焊成型材料80與加熱器件直接接觸(例如藉由對載體膜72加熱且對耐磨材料30之分離部分30'接觸加熱)經由導電熱轉移來局部加熱硬焊成型材料80。替代地，對於可在低於300℃之溫度下與未加工的基板固持器60'及耐磨材料30發生化學反應及/或擴散至未加工的基板固持器60'及耐磨材料30中的硬焊成型材料80，可加熱整個未加工的基板固持器60'。此係因為未加工的基板固持器60'可耐受此類低溫。
在硬焊步驟S240之後，可使載體膜72與耐磨材料30分離。若載體膜72具備可選黏接層，則此黏接層可經加熱以促進耐磨材料30與載體膜72分離。可移除過量硬焊成型材料80，諸如在並不具備耐磨材料30的未加工的基板固持器60'之部分上所提供的硬焊成型材料80。在硬焊之後，耐磨材料30之背對未加工的基板固持器60'之表面界定用於支撐待支撐之物件(諸如基板W)之平面表面的支撐平面SP。視情況，可在硬焊之後研磨及平坦化耐磨材料30以確保由耐磨材料30界定之支撐平面SP滿足 在微影裝置LA中使用所需之規格。
圖4D展示藉由圖4A至圖4D中所描繪之方法200所獲得的最終複合本體。最終複合本體為基板固持器60。未加工的瘤節20'結合中間硬焊層81、82及耐磨材料30構成基板固持器60之瘤節20。
圖5A至圖5C展示用於在本體上提供耐磨材料之方法200的另一實施例。此實施例與圖4A至圖4D之實施例的不同之處在於：在未加工的基板固持器60'之預製造之未加工的瘤節20'上不提供耐磨材料30。取而代之，耐磨材料30形成自基板固持器坯料或模板之主體21之主體表面22突出的複數個瘤節20。
在圖5A至圖5C之實施例中，由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之本體為基板固持器坯料。基板固持器坯料可由SiC或SiSiC製成。基板固持器坯料包含具有主體表面22之主體21。主體表面21係大體上平面的。基板固持器坯料不包含複數個瘤節20。
在圖5A至圖5C之實施例中，提供耐磨材料之步驟S220係如關於圖4A至圖4D所描述。在複數個分離區30'上提供耐磨材料30會允許耐磨材料30在基板固持器坯料上形成複數個瘤節20，藉此形成基板固持器60。當使用耐磨材料30以形成複數個瘤節20時，耐磨材料30之厚度t1(在垂直於主體表面22之方向上)等於所要瘤節20之高度h1，較佳自10μm至500μm。分離區30'之直徑d1可在50μm至300μm之範圍內，例如約200μm。兩個鄰近分離區30'之中心之間的距離可約為0.5mm至3mm，例如約1.5mm。分離區30'之形狀在平面圖中可為圓形，以便形成圓形瘤節20。視需要，分離區30'亦可以其他形狀形成。
在圖5A至圖5C之實施例中，硬焊成型材料80係如關於圖 4A至圖4D所描述。基板固持器坯料之整個主體表面22或耐磨材料30待施加至之主體表面22之至少部分係用硬焊成型材料80塗佈。替代地或另外，待連接至基板固持器坯料之耐磨材料30之表面可用硬焊成型材料80塗佈。硬焊成型材料80接著經(局部)加熱以便例如以關於圖4A至圖4D已經所描述之方式形成將耐磨材料30連接至基板固持器坯料之中間硬焊層81、82。可移除載體膜74及過量硬焊成型材料80，且視情況可研磨及平坦化硬焊成型材料30，以便形成圖5C中所描繪之複合本體。
圖5C展示藉由圖5A至圖5C中所描繪之方法200所獲得的最終複合本體。最終複合本體為基板固持器60。中間硬焊層之第一部分81及耐磨材料30構成基板固持器60之瘤節20.
圖4及圖5示意性地描繪用於在本體上提供耐磨材料之圖3A之方法200的步驟。圖3B之方法201可如關於圖4及圖5所描述來進行，其例外之處在於：在耐磨材料30與本體之間不提供硬焊成型材料80。代替硬焊成型雷射94，可使用ps或fs脈衝雷射以將耐磨材料30或耐磨材料30之每一分離部分30'雷射焊接至本體。較佳地，耐磨材料30係透明的(對ps或fs脈衝雷射)且本體係不透明的(對ps或fs脈衝雷射)，且ps或fs脈衝雷射經由耐磨材料30曝露本體與耐磨材料30之間的界面。該ps或fs脈衝雷射可發射具有小於100ps、較佳小於10ps之持續時間的雷射脈衝。每一雷射脈衝可在其焦點處具有多於0.01J/cm2、較佳0.1J/cm2至1J/cm2之通量。ps或fs脈衝雷射可聚焦於耐磨材料30之每一分離區30'與本體之間的界面之至少一部分上，從而達成在此界面處高度局部加熱至超過1000K之溫度。此高度局部加熱導致耐磨材料30擴散至本體之玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷材料中，及/或反之亦然。此產生將耐磨材料30連接至本體之相互擴散 層，且導致耐磨材料30與本體之間的強結合。
方法200可用以獲得根據本發明之一實施例之複合本體。圖4D及圖5C示意性地描繪此複合本體之兩個實施例。在圖4D及圖5C之實施例中，複合本體為供用於微影裝置LA中之基板固持器60。替代地，複合本體可為任何其他支撐結構，諸如用於微影裝置LA中之倍縮光罩夾具或倍縮光罩固持器、用於微影裝置LA中之基板或任何其他支撐台。複合本體亦可為在除微影裝置LA之外的應用中，例如在度量衡裝置或其他基板處理器件中使用的支撐結構。複合本體亦可並非出於支撐物件之目的，而是出於受益於將高度耐磨材料施加至玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷本體之任何其他應用的目的。
複合本體包含由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之本體，諸如未加工的基板固持器60'(如在圖4D中)、基板固持器坯料(如在圖5C中)、倍縮光罩夾具坯料或任何其他支撐結構坯料。複合本體亦包含例如呈耐磨層之形式且具有多於20GPa之硬度的耐磨材料30。複合本體進一步包含中間硬焊層81、82。中間硬焊層81、82藉由硬焊而連接本體及耐磨材料。中間硬焊層81、82可包含擴散至本體中且擴散至耐磨材料中的硬焊成型材料80。當在透射電子顯微鏡(TEM)、拉曼光譜儀中使用聚焦離子束(FIB)系統或經由使用光學顯微鏡之視覺檢測來檢測複合本體時，可易於偵測到中間硬焊層81、82。
複合本體因此可在微影裝置LA中或在其他應用中用作基板固持器60或其他支撐結構。若複合本體之中間硬焊層81、82例如在基板W、光罩MA或其他物件自複合本體之預定數目次裝載/卸載循環之後疲乏，則可修復該中間硬焊層81、82。此可藉由加熱中間硬焊層81、82來 達成。此加熱可使用硬焊雷射94使用與原始硬焊步驟相比較相似或較低的輻照來完成。
方法201可用以獲得根據本發明之替代實施例之複合本體。此複合本體可如上文所描述，其例外之處在於：提供相互擴散層來代替中間硬焊層81、82。相互擴散層係藉由將耐磨材料30雷射焊接至本體而形成。相互擴散層包含自本體之玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷材料至耐磨材料之(元素)組成梯度。可以與中間硬焊層81、82相同之方式偵測及/或修復相互擴散層。
圖6A至圖6D示意性地描繪提供耐磨材料之步驟S220的較佳實施例。步驟S220較佳包含在生長基板72上生長具有多於20GPa之硬度的材料層31，諸如金剛石、c-BN、C3N4、Si3N4、AlMgB14、Al2O3、WB4、VyBx、TayBx、ZryBx、NbyBx、c-BC2N、其他C-B-N三元化合物之層或其任何組合(S221)。生長基板可例如由單晶或多晶SiC、Si或藍寶石製成。材料層31可在最佳條件下例如在自500℃至1200℃之生長基板溫度下使用增強型氣相沈積而生長。最佳生長條件將取決於待生長之材料。亦可使用用以生長或產生結晶、硬膜之其他方法，諸如高壓、高溫燒結/熱壓，來提供材料層31。材料層31之至少部分可接著自生長基板72轉移至載體膜74(S222)，藉此在載體膜74上形成耐磨材料30。轉移至載體膜74之材料層31之部分對應於待施加至本體之耐磨材料30之分離部分30'。經轉移之材料層31之部分的圖案因此等於待施加至本體之耐磨材料30之圖案。
如圖6A及6B中所展示，雷射誘發之分層可用以將材料層31之該等部分轉移至載體膜。分層雷射92可例如使用飛秒(fs)脈衝式雷射 光束來照明待轉移之材料層31之部分。分層雷射92可發射具有小於500fs、較佳小於100fs之持續時間的雷射脈衝。此等雷射脈衝之通量可大於0.1J/cm2，較佳大於1J/cm2。此在生長基板72與材料層31之間的界面處之經照明區中引起剝蝕，使得材料層31之部分被分層且朝向載體膜74或載體膜74上之可選黏接層發送。可選黏接層具有降低分層部分自載體膜74反彈而非黏附至載體膜74之風險的附加益處。
分層雷射92可經由載體膜74照明材料層31之部分(如圖6A中所展示)，以實現材料層31之該等部分至載體膜74之所謂的後向轉移。替代地，分層雷射92可經由生長基板72照明材料層31(例如：c-BN)之部分(如圖6B中所展示)，以實現材料層31之該等部分至載體膜74之所謂的前向轉移。應較佳在低壓中或在真空下執行轉移步驟。在轉移步驟期間，載體膜74與材料層31之間的距離H較佳小於1mm、更佳小於100μm，以確保分離部分30'在載體膜74上之準確定位。
視情況，在雷射誘發之分層之前，生長基板72上之材料層可經預圖案化以輔助材料層31之部分至載體膜74之轉移。此在圖6C及圖6D中示意性地描繪。此預圖案化尤其用於轉移材料31之相對較厚層之部分，諸如具有多於10μm之厚度的材料層31。舉例而言，如圖6C中所展示，可在雷射誘發之分層之前蝕刻待轉移之部分周圍的材料層31之部分，或未被轉移之材料層31之整個部分。此確保了分層製程較精確且導致損壞之轉移部分較少。替代地，如圖6D中所展示，可在第一步驟中使用雷射誘發之分層以分層及移除待轉移之部分周圍的材料層31之部分。可接著在第二步驟中使用雷射誘發之分層來分層待轉移之該等部分且將該等部分轉移至載體膜74。
本發明不限於使用圖6A至圖6D之雷射誘發之分層製程在載體膜74上提供耐磨材料。代替生長材料層31且接著將此材料層31之部分轉移至載體膜74以產生耐磨材料，可例如在生長基板72上在增強型氣相沈積期間使用光罩而在複數個分離部分30'中生長耐磨材料。亦可直接在載體膜74上生長耐磨材料，或將耐磨材料自生長基板72直接轉移至本體。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置LA在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置LA可具有其他應用，諸如，製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者將瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更一般之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示內容應用於此類及其他基板處理工具。另外，可將基板處理多於一次，例如，以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有一個或多個經處理層之基板。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述方式不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對所描述之本發明進行修改。
本發明可自以下編號條項進一步顯而易見。
1.一種用於在一本體上提供一耐磨材料之方法，該方法包含以下 步驟：提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之一本體；提供具有多於20GPa之一硬度之一耐磨材料；及將該耐磨材料硬焊或雷射焊接至該本體。
2.如條項1之方法，其中該方法係用於製造包含複數個瘤節之一支撐結構，該複數個瘤節界定用於支撐一物件之一支撐平面，且其中在硬焊或雷射焊接之後，該耐磨材料之背對該本體的表面界定該等瘤節之遠端表面。
3.如條項1或2之方法，其包含：在該耐磨材料與該本體之間提供適合於將該耐磨材料硬焊至該本體之一硬焊成型材料；及藉由加熱該硬焊成型材料將該耐磨材料硬焊至該本體。
4.如條項3之方法，其中該硬焊成型材料係選自由Ti、Zr、Mo、Cr、Nb、V、Ta、Ni、Fe、Co、Al、Ag、Au、C、Si、B或其任何組合組成的硬焊成型材料之群組。
5.如條項3或4之方法，其中提供一硬焊成型材料之該步驟包含用該硬焊成型材料塗佈該耐磨材料待被提供至之該本體之至少部分及/或用該硬焊成型材料塗佈待連接至該本體的該耐磨材料之表面，及將該本體及該耐磨材料按壓在一起使得該硬焊成型材料位於該本體與該耐磨材料之間。
6.如條項3至5中任一項之方法，其中將該耐磨材料硬焊至該本體之該步驟包含局部加熱該硬焊成型材料。
7.如條項6之方法，其中使用一硬焊雷射以局部加熱該硬焊成型材料及/或與該硬焊成型材料鄰近的該耐磨材料之至少一部分。
8.如條項7之方法，其中該硬焊雷射經由該耐磨材料或經由該本 體照明該硬焊成型材料。
9.如條項3至8中任一項之方法，其中塗佈於該本體之該等部分上及/或該耐磨材料上之該硬焊成型材料之厚度小於該耐磨材料之厚度。
10.如條項1或2之方法，其包含藉由使該耐磨材料與該本體實體接觸，及使用一ps或fs脈衝雷射來曝露該耐磨材料與該本體之間的界面而將該耐磨材料雷射焊接至該本體。
11.如條項10之方法，其中該耐磨材料透明且該本體不透明，且其中該耐磨材料與該本體之間的該界面係經由該耐磨材料曝露。
12.如任一前述條項之方法，其中該本體係由SiC或SiSiC製成。
13.如任一前述條項之方法，其中該本體包含一主體，該主體具有一主體表面及自該主體表面突出之複數個未加工的瘤節，每一未加工的瘤節具有一遠端表面，且其中該耐磨材料提供於該複數個未加工的瘤節中之每一者的該遠端表面上以便形成包含複數個瘤節之一支撐結構，該複數個瘤節之該等遠端表面界定用於支撐一物件之一平面表面之一支撐平面。
14.如條項13之方法，其中該耐磨材料具有自0.1μm至10μm之一厚度。
15.如條項1至12中任一項之方法，其中該本體包含具有一主體表面之一主體，且其中在硬焊或雷射焊接之後，該耐磨材料形成自該主體表面突出之複數個瘤節，該複數個瘤節界定用於支撐一物件之一平面表面之一支撐平面。
16.如條項15之方法，其中該耐磨材料具有自10μm至500μm之一厚度。
17.如任一前述條項之方法，其中該耐磨材料為金剛石、c-BN、 Si3N3、C3N4、AlMgB14、Al2O3、WB4、VyBx、TayBx、ZryBx、NbyBx、c-BC2N、其他C-B-N三元化合物中之一者或其任何組合。
18.如任一前述條項之方法，其中在複數個分離部分中提供該耐磨材料。
19.如任一前述條項之方法，其中提供該耐磨材料之該步驟包含在一載體膜上提供該耐磨材料。
20.如條項19之方法，其進一步包含在該硬焊步驟之後使該載體膜與該耐磨材料分離之步驟。
21.如條項19或20之方法，其中提供該耐磨材料之該步驟包含在一生長基板上生長具有多於20GPa之一硬度的一材料層；及將該材料層之部分自該生長基板轉移至該載體膜，藉此在該載體膜上形成該耐磨材料。
22.如條項21之方法，其中雷射誘發之分層用以將該材料層之該等部分轉移至該載體膜。
23.如條項22之方法，其中在雷射誘發之分層之前，對該生長基板上之該材料層進行預圖案化以輔助轉移該材料層之部分。
24.一種複合本體，其可藉由如任一前述條項之方法獲得。
25.一種複合本體，其包含由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之一本體、具有多於20GPa之一硬度的一耐磨材料，及連接該本體及該耐磨材料之一中間硬焊層或一相互擴散層。
26.如條項24或25之複合本體，其中該複合本體係包含複數個瘤節之一支撐結構，該複數個瘤節界定用於支撐一物件之一支撐平面，且其中該耐磨材料之背對該本體的表面界定該等瘤節之遠端表面。
27.如條項24至26中任一項之複合本體，其中該支撐結構係供用於 一微影裝置中之一基板固持器。
28.如條項27之複合本體，其中該本體係一未加工的基板固持器，其包含具有一主體表面之一主體及自該主體表面突出之複數個未加工的瘤節，每一未加工的瘤節具有一遠端表面，且其中該耐磨材料提供於該複數個未加工的瘤節中之每一者的該遠端表面上，因此界定用於支撐一基板之一支撐平面。
29.如條項27之複合本體，其中該本體係包含具有一主體表面之一主體的一基板固持器坯料，且其中該耐磨材料形成自該主體表面突出之複數個瘤節，該複數個瘤節界定用於支撐一基板之一支撐平面。
30.如條項24至26中任一項之複合本體，其中該支撐結構係供用於一微影裝置中之一倍縮光罩夾具，該耐磨材料界定用於支撐一圖案化器件之一支撐平面。
31.如條項24至30中任一項之複合本體，其包含該中間硬焊層，其中該中間硬焊層包含擴散至該本體中且擴散至該耐磨材料中的一硬焊成型材料。
32.如條項25至32中任一項之複合本體，其包含該相互擴散層，其中該相互擴散層包含自該本體之該玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷至該耐磨材料的一組成梯度。
33.一種微影裝置，其包含如條項24至32中任一項之複合本體。
20':未加工的瘤節
30':分離部分/分離區
60':未加工的基板固持器
74:載體膜
80:硬焊成型材料
94:硬焊雷射

Claims (15)

  1. 一種用於在一本體(body)上提供一耐磨材料(wear-resistant material)之方法，該方法包含以下步驟：提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之一本體；提供具有多於20GPa之一硬度之一耐磨材料；及將該耐磨材料硬焊(brazing)或雷射焊接(laser welding)至該本體。
  2. 如請求項1之方法，其中該方法係用於製造包含複數個瘤節(burls)之一支撐結構，該複數個瘤節界定用於支撐一物件之一支撐平面，其中在該硬焊或雷射焊接之後，該耐磨材料之背對該本體的表面界定該等瘤節之遠端表面。
  3. 如請求項1或2之方法，其包含：在該耐磨材料與該本體之間提供適合於將該耐磨材料硬焊至該本體之一硬焊成型材料；及藉由加熱該硬焊成型材料將該耐磨材料硬焊至該本體。
  4. 如請求項3之方法，其中提供一硬焊成型材料之該步驟包含：用該硬焊成型材料塗佈該耐磨材料待被提供至之該本體之至少部分及/或用該硬焊成型材料塗佈待連接至該本體的該耐磨材料之表面，及將該本體及該耐磨材料按壓在一起使得該硬焊成型材料位於該本體與該耐磨材料之間。
  5. 如請求項3之方法，其中塗佈於該本體之該等部分上及/或該耐磨材料上之該硬焊成型材料之厚度小於該耐磨材料之厚度。
  6. 如請求項1或2之方法，其包含藉由以下操作將該耐磨材料雷射焊接至該本體：使該耐磨材料與該本體實體接觸，及使用一ps或fs脈衝雷射來曝露該耐磨材料與該本體之間的界面。
  7. 如請求項6之方法，其中該耐磨材料透明且該本體不透明，且其中該耐磨材料與該本體之間的該界面係經由該耐磨材料曝露。
  8. 如請求項1或2之方法，其中該本體包含一主體，該主體具有一主體表面及自該主體表面突出之複數個未加工的瘤節，每一未加工的瘤節具有一遠端表面，且其中該耐磨材料提供於該複數個未加工的瘤節中之每一者的該遠端表面上以便形成包含複數個瘤節之一支撐結構，該複數個瘤節之該等遠端表面界定用於支撐一物件之一平面表面之一支撐平面。
  9. 如請求項1或2之方法，其中該本體包含具有一主體表面之一主體，且其中在硬焊或雷射焊接之後，該耐磨材料形成自該主體表面突出之複數個瘤節，該複數個瘤節界定用於支撐一物件之一平面表面之一支撐平面。
  10. 如請求項1或2之方法，其中提供該耐磨材料之該步驟包含在一載體膜上提供該耐磨材料。
  11. 如請求項10之方法，其中提供該耐磨材料之該步驟包含：在一生長基板上生長具有多於20GPa之一硬度的一材料層；及將該材料層之部分自該生長基板轉移至該載體膜，藉此在該載體膜上形成該耐磨材料。
  12. 一種複合本體，其可藉由如請求項1至11中任一項之方法獲得。
  13. 一種複合本體，其包含：由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷製成之一本體，具有多於20GPa之一硬度之一耐磨材料；及連接該本體及該耐磨材料之一中間硬焊層(intermediate brazing layer)或一相互擴散層(interdiffusion layer)。
  14. 如請求項13之複合本體，其中該複合本體係包含複數個瘤節之一支撐結構，該複數個瘤節界定用於支撐一物件之一支撐平面，且其中該耐磨材料之背對該本體的表面界定該等瘤節之遠端表面。
  15. 一種微影裝置，其包含如請求項12至14中任一項之複合本體。
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