CN113826045A - 用于在本体上提供耐磨材料的方法、以及复合体 - Google Patents

用于在本体上提供耐磨材料的方法、以及复合体 Download PDF

Info

Publication number
CN113826045A
CN113826045A CN202080032508.3A CN202080032508A CN113826045A CN 113826045 A CN113826045 A CN 113826045A CN 202080032508 A CN202080032508 A CN 202080032508A CN 113826045 A CN113826045 A CN 113826045A
Authority
CN
China
Prior art keywords
resistant material
wear
wear resistant
burls
braze
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202080032508.3A
Other languages
English (en)
Inventor
A·尼基帕罗夫
A·F·J·德格鲁特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ASML Holding NV
ASML Netherlands BV
Original Assignee
ASML Holding NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ASML Holding NV filed Critical ASML Holding NV
Publication of CN113826045A publication Critical patent/CN113826045A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/6875—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of individual support members, e.g. support posts or protrusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Ceramic Products (AREA)

Abstract

披露了一种用于在本体上提供耐磨材料的方法。也披露了一种可以通过所述方法获得的复合体。所述复合体可以是用于光刻设备中的衬底保持器或掩模版夹具。所述方法包括：提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体；提供具有大于20GPa的硬度的耐磨材料；和将所述耐磨材料钎焊或激光焊接至所述本体。

Description

用于在本体上提供耐磨材料的方法、以及复合体
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年4月30日递交的欧洲申请19171823.8的优先权，所述欧洲申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本发明涉及一种用于在诸如未完成的或未抛光的(unfinished)衬底保持器或未完成的或未抛光的掩模版夹具之类的本体上提供耐磨材料的方法。本发明也关于一种包括耐磨材料的复合体，诸如衬底保持器或掩模版夹具。
背景技术
光刻设备是被构造成将期望的图案施加至衬底上的机器。光刻设备可用于例如集成电路(IC)制造中。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(常常也称为“设计布局”或“设计”)投影至被设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。
当将图案从所述图案形成装置转印时，所述衬底被夹持至所述光刻设备中的衬底保持器上。所述衬底保持器通常具有用以支撑所述衬底的多个突节。相比于所述衬底的总面积，与所述衬底接触的突节的总面积较小。因此，污染物粒子随机地位于所述衬底的表面上或所述衬底保持器被截留于突节与所述衬底之间的机会较小。此外，在制造所述衬底保持器时，相比于可以将大的表面准确地制成平坦的，可以将所述突节的顶部更准确地制成共平面的。
当首先将衬底装载至所述衬底保持器上以准备曝光时，所述衬底由所谓的e销钉即顶针(e-pin)支撑，所述e销钉将所述衬底保持在三个位置处。当所述衬底由e销钉保持时，其自身重量将导致所述衬底变形，例如当从上方观察时变成凸面。为了将所述衬底装载至所述衬底保持器上，使e销钉缩回从而使得所述衬底由所述衬底保持器的突节支撑。当所述衬底被降低至所述衬底保持器的突节上时，所述衬底将在一些地点接触，例如在边缘附近、在其它地点之前，例如在中心附近。突节与所述衬底的下表面之间的任何摩擦可以防止所述衬底完全地松弛成平坦的不受应力状态。这可能导致在所述衬底的曝光期间的聚焦和重叠误差。
所述衬底保持器通常由陶瓷材料制成，诸如碳化硅(SiC)或SiSiC(在硅基质中具有SiC颗粒的材料)。使用常规制造方法，可以易于将这种陶瓷材料机加工成期望的形状。当从所述衬底保持器装载和卸载衬底时，所述陶瓷材料可能快速地磨损。所述陶瓷材料的相当高的摩擦系数也可以防止所述衬底当被装载至所述衬底保持器上时松弛成平坦的不受应力状态。
已提议在所述衬底保持器的所述突节上设置类金刚石碳(DLC)层，例如DLC a-C:H、a-C或ta-C。这种层耐磨损且减少了所述衬底保持器与所述衬底之间的摩擦力。因为DLC的沉积在低于300℃的温度的情况下是可能的，所以DLC可以被直接地沉积至所述衬底保持器的所述突节上。超过300℃的温度会使所述衬底保持器有损坏风险。
本发明人已认识到，这样的DLC涂覆的衬底保持器的性能不满足预期。沉积于所述衬底保持器上的DLC的磨损速度比所期望快约10倍，从而需要比期望的操作周期更早得多地重新研磨和重新调节所述衬底保持器。
发明内容
因而需要例如在本体上提供与DLC涂覆本体相比具有改善的耐磨性质的耐磨材料。所述耐磨材料与DLC涂覆本体相比也可以具有其它所期望的性质，诸如例如改善的耐腐蚀性。
根据本发明的一方面，提供一种用于在本体上提供耐磨材料的方法，包括以下步骤：提提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体；提供具有大于20GPa的硬度的耐磨材料；和将所述耐磨材料钎焊或激光焊接至所述本体。
根据本发明的另一方面，提供一种复合体，包括：由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体、具有大于20GPa的硬度的耐磨材料，连接所述本体与所述耐磨材料的中间钎焊层或相互扩散层。
附图说明
现在将参考随附示意性附图而仅作为示例来描述本发明的实施例，在所述附图中，对应附图标记指示对应部件，并且在所述附图中：
图1示意性地描绘光刻设备；
图2以平面图描绘衬底保持器，其是根据实施例的复合体的示例；
图3A描绘用于根据实施例的在本体上提供耐磨材料的方法；
图3B描绘用于根据另一个实施例的在本体上提供耐磨材料的方法；
图4A至图4D示意性地描绘用于在本体上提供耐磨材料的方法的实施例；图4D描绘根据实施例的复合体；
图5A至图5C示意性地描绘用于提供耐磨材料的方法的另一个实施例；图5C描绘根据另一个实施例的复合体；
图6A至图6D示意性地描绘用于提供耐磨材料的方法步骤。
具体实施方式
在本文件中，术语“辐射”和“束”用以涵盖所有类型的电磁辐射，包括紫外辐射(例如，具有365nm、248nm、193nm、157nm或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如，具有约13nm的波长)。
本文中所使用的术语“掩模版”、“掩模”或“图案形成装置”可以被广义地解释为是指可以用以向图案化截面赋予入射辐射束的通用图案形成装置，所述图案化截面对应于待在衬底的目标部分中产生的图案。在这样的内容背景下也可以使用术语“光阀”。除经典掩模(透射或反射；二元、相移、混合式等等)以外，其它这样的图案形成装置的示例包括可编程反射镜阵列和可编程LCD阵列。
图1示意性地描绘实施例的光刻设备LA。所述光刻设备LA包括：
-可选地，照射系统(照射器)IL，所述照射系统被配置成调节辐射束B(例如UV辐射或DUV辐射)；
-图案形成装置支撑结构(例如掩模台)T，所述图案形成装置支撑结构通常包括掩模版夹具，所述掩模版夹具结构被构造成支撑图案形成装置(例如掩模)MA且连接至被配置成根据某些参数来准确定位所述图案形成装置MA的第一定位器PM；
-支撑台(例如用以支撑一个或更多个传感器的传感器台)或衬底台或晶片台WT，所述支撑台被构造成保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的生产衬底)W，连接至被配置成根据某些参数来准确定位例如衬底W的台的表面的第二定位器PW；以及
-投影系统(例如折射型投影透镜系统)PS，所述投影系统被配置成将由图案形成装置MA赋予至辐射束B的图案投影至衬底W的目标部分C(例如包括管芯的部分、一个或更多个管芯)上。
在操作中，照射器IL例如经由束传递系统BD从辐射源SO接收辐射束。照射系统IL可以包括用于引导、成形和/或控制辐射的各种类型的光学部件，诸如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型和/或其它类型的光学部件，或其任何组合。照射器IL可以用来调节辐射束B，以在图案形成装置MA的平面处在其截面中具有期望的空间和角强度分布。
本文中所使用的术语“投影系统”PS应被广义地解释为涵盖适于所使用的曝光辐射或适于诸如浸没液体的使用或真空的使用之类的其它因素的各种类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、变形型、磁性型、电磁型和静电型光学系统，或其任何组合。可以认为本文中对术语“投影透镜”的任何使用可以与更上位的术语“投影系统”同义。
光刻设备LA可以属于具有两个或更多个支撑台的类型，例如两个或更多个支撑台，或一个或更多个支撑台与一个或更多个清洁台、传感器台或测量台的组合。例如，光刻设备LA是包括位于投影系统PS的曝光侧处的两个或更多个台的多平台设备，每个台包括和/或保持一个或更多个物体。在示例中，一个或更多个台可以保持辐射敏感衬底。在示例中，一个或更多个台可以保持用以测量来自投影系统的辐射的传感器。在示例中，多平台设备包括被配置成保持辐射敏感衬底的第一台(即支撑台)和没有被配置成保持辐射敏感衬底的第二台(下文中总体上称为(并且不限于)测量台、传感器台和/或清洁台)。第二台可以包括和/或可以保持除辐射敏感衬底以外的一个或更多个物件。这种一个或更多个物体可以包括选自以下中的一个或更多个物体：用以测量来自投影系统的辐射的传感器、一个或更多个对准标记，和/或清洁装置(用以清洁(例如)液体约束结构)。
在操作中，辐射束B入射到图案形成装置(例如掩模)MA上所存在的图案(设计布局)上，所述图案形成装置保持在所述图案形成装置支撑结构(例如掩模台)T上，并且所述辐射束B通过图案形成装置MA图案化。在已横穿图案形成装置MA的情况下，辐射束B穿过投影系统PS，所述投影系统PS将束聚焦至衬底W的目标部分C上。借助于第二定位器PW和位置传感器PMS(例如干涉测量装置、线性编码器、2D编码器或电容式传感器)，可以准确移动衬底台WT，例如以便使不同的目标部分C在聚焦且对准位置处定位在辐射束B的路径中。类似地，第一定位器PM和另一位置传感器(图1中未明确地描绘的)可以用以相对于辐射束B的路径准确地定位图案形成装置MA。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。虽然所图示的衬底对准标记P1、P2占据专用的目标部分C，但其可以位于目标部分C之间的空间中(这些标记被称为划线对准标记)。
衬底台WT包括衬底保持器60。图2描绘根据实施例的用于所述光刻设备LA的衬底保持器60。衬底保持器60用于支撑所述衬底W。所述衬底保持器60包括主体21。所述主体21具有主体表面22。设置从所述主体表面22突出的多个突节20。每个突节20的远端表面与所述衬底W相接合。所述突节20的远端表面是共平面的，即，所述突节20的远端表面大体上遵照或符合支撑平面SP且支撑所述衬底W。所述主体21可以由陶瓷(例如SiC或SiSiC)形成。所述突节20可以由与主体21相同的材料形成，或可以由不同材料形成。
突节20可以具有在从10μm至500μm的范围内(例如约150μm)的高度。突节20的远端表面的直径可以在从100μm至300μm的范围内，例如约200μm。突节20的间距可以在从约0.5mm至3mm的范围内，例如约1.5mm。突节20的间距是介于两个相邻突节20的中心之间的距离。所有突节20的远端表面的总面积可以在所述衬底保持器60的总面积的从1％至3％的范围内。突节20可以呈截头圆锥的形状，其中突节侧表面稍微倾斜。替代地，所述突节侧表面可以是竖直的或甚至悬垂的。突节20在平面中可以是圆形的。替代地，根据需要，突节20也可以被形成为呈其它形状。
多个通孔89可以被形成在所述主体21中。通孔89允许e销钉(e-pin)突出通过所述衬底保持器60以接收所述衬底W。通孔89也可以允许抽空介于所述衬底W与所述衬底保持器60之间的空间。如果也没有抽空所述衬底W上方的空间，则抽空介于所述衬底W与所述衬底保持器60之间的空间可以提供夹持力。所述夹持力将所述衬底W保持在适当的位置。如果也抽空所述衬底W上方的空间，正如在使用EUV辐射的光刻设备中将会存在的情况，则可以将电极设置在所述衬底保持器60上以形成静电夹具。
可以设置例如用以控制介于所述衬底保持器60与所述衬底W之间的气流和/或热导率(即导热性)的其它结构。衬底保持器60可以设置有电子部件。电子部件可以包括加热器和传感器。加热器和传感器可以用以控制所述衬底保持器60和衬底W的温度。
为了减少突节20的磨损和摩擦，已提议将DLC层沉积于所述衬底保持器60的突节20的至少远端表面上。然而，发明人已发现这种DLC层比预期更快地磨损。这可以归因于在DLC中存在sp2杂化碳。通常，DLC具有在从10:1至1:1的范围内的sp2:sp3碳比率，并且可以包括截留氢气以形成所谓的H-DLC或a-C:H。虽然ta-C仅包括碳且因此没有被氢化，但其也包含呈较低浓度的sp2碳。sp2杂化碳的行为类似于石墨，并且因此在机械性能方面较弱且导电，并且可能经受接触磨损、摩擦带电引发的磨损和氧化。这导致DLC降解比预期更快，尤其是在诸如浸没光刻设备之类的潮湿环境中。
因而需要向所述衬底保持器60提供比DLC更好地耐受磨损的耐磨材料。发明人已发现，这种耐磨材料应具有大于20GPa的硬度，如由Vickers硬度测试确定。大于20GPa的硬度确保所述耐磨材料适合用于本体上，本体诸如所述衬底保持器60或所述光刻设备LA的其它支撑结构(例如，一种由除所述衬底台WT之外的支撑台所包括的支撑结构、一种衬底夹具、一种用于保持所述图案形成装置MA的掩模版保持器或掩模版夹具)。所述耐磨材料优选地是结晶或至少纳米结晶材料，诸如金刚石、立方氮化硼(c-BN)、立方氮化硅(Si3N4)、立方氮化碳(C3N4)、AlMgB14、Al2O3、WB4、VyBx、TayBx、ZryBx、NbyBx、c-BC2N、其它C-B-N三元化合物或其任何组合。替代地，例如，所述耐磨材料可以是包含等于或多于50％sp3碳的非晶DLC。这种sp3碳含量引起所述DLC中的内部机械应力，从而确保非晶DLC具有高于30GPa的硬度。这些材料由于它们的非常低磨损和摩擦性能而尤其适合于用作所述光刻设备LA中的所述耐磨材料。使用增强型气相淀积(CVD、PVD、脉冲激光淀积)在生长衬底上生长这些材料要求所述生长衬底将处于从500℃至1200℃的高温。这种高温可能导致耐磨材料待施加至的所述衬底保持器60或其它本体损坏。所述耐磨材料在所述衬底保持器60上的直接淀积因而使所述衬底保持器60有损坏风险。
发明人已识别出在由陶瓷、玻璃或玻璃陶瓷所制成的本体上提供所述耐磨材料的新方法。这种本体的一个示例是未完工的衬底保持器60'。然而，本发明不限于在未完工的衬底保持器60'上施加所述耐磨材料，由此产生用于所述光刻设备LA中的所述衬底保持器60。本发明扩展至将所述耐磨材料施加至由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的任何其它本体。使用常规制造方法，可以容易地机加工由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体，并且因而所述本体尤其适用于形成用于诸如所述光刻设备LA中所使用的那些部件之类的部件的基底材料。
在图3A中来描绘用于在所述本体上提供耐磨材料的方法200的实施例。所述方法200包括提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体(S210)。例如，所述本体可以由SiC或SiSiC制成。所述方法200还包括提供具有大于20GPa的硬度的所述耐磨材料(S220)。所述耐磨材料的示例是金刚石和c-BN，以及上文所提及的其它耐磨材料。步骤S220可以包括在生长衬底上生长材料层(S221)和将材料层的多个部分转移至载体膜(S222)，如图6A至图6D中示意性地描绘的。
所述方法200还包括在所述耐磨材料与所述本体之间提供适于将所述耐磨材料钎焊至所述本体的钎焊成型材料(S230)。这可以包括利用所述钎焊成型材料来涂覆所述耐磨材料和/或所述本体(S231)以及将所述耐磨材料和所述本体按压在一起(S232)，如图4A以及图4B中以及图5A和图5B中示意性地描绘的。所述方法200还包括通过加热所述钎焊成型材料来将所述耐磨材料钎焊至所述本体(S240)。这在图4B和图5B中示意性地进行描绘。在所述方法200的最终步骤S250中，可以移除所述载体膜。由所述方法200所获得的复合体在图4D和图5C中示意性地进行描绘。
图3B描绘用于在所述本体上提供所述耐磨材料的方法201的替代实施例。所述方法201包括提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体(S210)和提供具有大于20GPa的硬度的所述耐磨材料(S220)，如关于图3A的所述方法200已经所论述的。然而，与图3A的方法200相比，在图3B的方法201中，不在所述耐磨材料与所述本体之间提供钎焊成型材料。作为代替，使所述耐磨材料30与所述本体呈直接实体接触。所述方法201包括将所述耐磨材料激光焊接(或激光引发的焊接)至所述本体(S260)。这包括使所述耐磨材料与所述本体直接实体接触(S261)且使用ps或fs脉冲激光来曝光介于所述耐磨材料与所述本体之间的界面。所述耐磨材料和所述载体膜可以是对ps或fs激光透明的，并且所述本体可以是对ps或fs激光不透明的。介于所述耐磨材料与所述本体之间的所述界面因而可以由ps或fs脉冲激光穿过所述耐磨材料和所述载体膜而曝光。
所述方法200和201可以用以将所述耐磨材料施加至所述本体，而不依赖于直接地在所述本体上生长所述耐磨材料(这要求高温)，并且因此降低了损坏所述本体的风险。作为代替，所述耐磨材料可以在最优条件下且在高温情况下在不同于所述本体的生长衬底上生长，从而允许获得高品质耐磨材料。所述耐磨材料的后续钎焊或激光焊接至所述本体确保了所述本体与所述耐磨材料之间的强固连接。这种钎焊可能需要低温使得直接在所述本体上生长所述耐磨材料，或可以仅需要所述钎焊成型材料和周围区域的局部加热，因而与整个本体被加热至高温以在所述本体上生长所述耐磨材料的情形相比，降低了所述本体损坏的风险。类似地，激光焊接仅需要对介于耐磨层与所述本体之间的界面进行极度局部加热，因而也降低了损坏风险。
图4A至图4D示出用于在所述本体上提供具有大于20GPa的硬度的耐磨材料30的方法200的一个实施例。在这种实施例中，所述本体是未完工的衬底保持器60'。未完工的衬底保持器60'包括主体21，所述主体21具有主体表面22和从所述主体表面22突出的多个未完工的突节20'。
如图4A所示，可以用层的形式提供所述耐磨材料30，并且因而所述耐磨材料30可以是耐磨层。这使支撑结构(诸如所述衬底保持器60)中的所述耐磨材料30的使用简单，这是因为所述耐磨层尤其适于限定用于支撑一种物体的支撑平面SP，在所述耐磨层沉积于所述支撑结构上之后不需要过度研磨。所述耐磨材料30优选具有在从0.1μm至500μm的范围内的厚度。
可以在多个分离部分30'中提供所述耐磨材料30。当时以平面图进行观察时，需要使分离部分30'具有小于2mm或优选小于500μm的直径d1或平均侧向尺寸。
在多个分离部分30'中提供所述耐磨材料30会允许在未完工的衬底保持器60'的未完工的突节20'的远端表面上提供所述耐磨材料30(如在图4A至图4D中)。在这样的情况下，所述耐磨材料30优选地具有从0.1μm至10μm的厚度t1(在垂直于所述主体表面22的方向上)。由所述耐磨材料30所形成的且尤其由所述耐磨材料30的所述分离部分30'所形成的图案优选在几何形状方面与由多个未完工的突节20'所形成的图案类似或相同。替代地，由所述耐磨材料30(的分离部分30')所形成的图案可以在几何形状方面与由所述多个未完工的突节20'的子集(例如每两个(即每隔一个)或每三个(每隔两个)未完工的突节20')所形成的图案类似或相同。这允许在两个或更多个阶段中将所述耐磨材料30施加至所述多个未完工的突节20'，使得例如在第一阶段向所述未完工的突节20'的第一半提供所述耐磨材料30且在第二阶段向所述未完工的突节20'的第二半提供所述耐磨材料30。所述分离部分30'中的每个的直径d1可以等于或小于所述未完工的突节20'的直径，并且例如在从50μm至300μm的范围内，例如约200μm。两个相邻的分离部分30'的中心之间的距离可以等于所述未完工的突节20'的间距，并且例如为约0.5mm至3mm，例如约1.5mm。所述分离部分30'的形状可以在几何形状方面类似于所述未完工的突节20'的所述远端表面的形状，并且例如在平面图中是圆形的。视需要，所述分离部分30'也可以被形成为呈其它形状。
如图4A所示，提供所述耐磨材料30优选地包括了在载体膜74上提供所述耐磨材料30。这允许在所述本体上简单和准确放置所述耐磨材料。当在多个分离部分30'中提供所述耐磨材料时，所述载体膜74也用以限定所述分离部分30'关于彼此和关于所述分离部分30'待施加至的所述本体的相对位置。所述载体膜74优选为大体上平坦的。所述载体膜74可以例如对用于钎焊的钎焊激光或用于激光焊接的ps或fs脉冲激光是透明的。优选地，所述载体膜74与所述耐磨材料30相比是刚性的且与所述本体相比是挠性的/柔性的。提供与所述耐磨材料30相比为刚性的载体膜74会确保当在所述本体上放置所述耐磨材料30时可以在所述耐磨材料30的多个分离部分30'中的每个分离部分30'与所述本体之间实现良好的接触。可选地，可以在所述耐磨材料30与所述载体膜74之间设置粘合层(图中未示出)以使所述载体膜74上的所述耐磨材料30或所述耐磨材料30的所述分离部分30'稳定。所述粘合层的粘合性质可以例如通过加热所述粘合层而是可逆的，以允许在需要时(例如在钎焊的步骤S240之后)将所述载体膜74从所述耐磨材料30拆卸。所述粘合层可以是透明的，以允许激光传递通过所述粘合层。
图4A和图4B示意性地描绘在所述耐磨材料30与所述本体(它是未完工的衬底保持器60')之间提供所述钎焊成型材料80的步骤S220。所述钎焊成型材料80适于将所述耐磨材料30钎焊至所述未完工的衬底保持器60'，即，所述钎焊成型材料80在加热时与所述耐磨材料30和所述未完工的衬底保持器60'发生化学反应，以便形成将所述耐磨材料30与所述未完工的衬底保持器60'相连接的中间钎焊层81、82。例如，当所述未完工的衬底保持器60'由SiC或SiSiC制成时，所述钎焊成型材料80可以与所述未完工的衬底保持器60'的SiC或SiSiC形成碳化物或硅化物。当所述耐磨材料30由金刚石制成时，所述钎焊成型材料80也可以与所述金刚石形成碳化物。
所述钎焊成型材料80可以选自由Ti、Zr、Mo、Cr、Nb、V、Ta、Ni、Fe、Co、Al、Ag、Au、C、Si、B及其组合组成的钎焊成型材料80的组。合适的钎焊成型材料80的选择将取决于特定耐磨材料以及取决于构成所述本体的特定玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷。例如，当所述本体由SiC或SiSiC制成且所述耐磨材料是金刚石时，所述钎焊成型材料80优选地选自由Ti、Zr、Mo、Cr、Nb、V、Ta、C、Si和B及其组合组成的钎焊成型材料80的组。例如，钎焊成型材料80可以是Ag-Cu-Ti。当所述本体由SiC或SiSiC制成且所述耐磨材料是c-BN时，所述钎焊成型材料80优选地选自由Mo、Ni、Fe、Co、Al、Si、Ti和Zr及其组合组成的钎焊成型材料80的组。
如图4A所示，提供所述钎焊成型材料80的步骤S230可以包括利用所述钎焊成型材料80来涂覆所述未完工的衬底保持器60'，并且尤其涂覆所述耐磨材料待被提供至的所述本体的至少一部分(诸如所述未完工的突节20'的远端表面)的步骤S231。替代地或另外，可以利用所述钎焊成型材料80来涂覆至少所述耐磨材料30的待与所述本体连接的所述表面。在实施例中，所述载体膜74的设有耐磨材料30的侧部也被涂覆有所述钎焊成型材料80，从而避免了对遮蔽的需要且使钎焊成型材料80的提供较简单。所述钎焊成型材料80的厚度优选地小于所述耐磨材料30的厚度t1、更优选小于所述耐磨材料30的厚度t1的一半。这确保了在钎焊之后，最优地保留了所述耐磨材料30的背离所述未完工的衬底保持器60'的表面的所需化学和结构性质。
如图4B所示，提供所述钎焊成型材料80的步骤S230还可以包括将所述本体(即所述衬底保持器60)和所述耐磨材料30(或所述耐磨材料30的所述分离部分30')按压在一起，使得所述钎焊成型材料80位于所述本体与所述耐磨材料30之间的步骤S232。当将所述钎焊成型材料80涂覆于所述未完工的衬底保持器60'上(如图4A中示出)时，将所述耐磨材料30按压至所述钎焊成型材料80中。替代地，当将所述钎焊成型材料80涂覆于所述耐磨材料30上时，将所述未完工的衬底保持器60'(并且尤其所述未完工的衬底保持器60'的所述多个未完工的突节20')按压至所述钎焊成型材料80中。将所述未完工的衬底保持器60'和所述耐磨材料30按压在一起以确保通过所述未完工的衬底保持器60'以及所述耐磨材料30的所述分离部分30'与所述钎焊成型材料80接触而适当润湿。
图4B也示意性地示出通过加热所述钎焊成型材料80以将所述耐磨材料30钎焊至所述本体的步骤S240。可以将所述钎焊成型材料80加热例如至在从500℃至1500℃的范围中的温度。替代地，例如当使用10至100ns激光照射加热而同时提供相对较冷本体时，可以将所述钎焊成型材料80加热至较高温度。当加热所述钎焊成型材料80时，所述钎焊成型材料80可以与所述本体和/或所述耐磨材料30以化学方式结合和/或扩散至所述本体和/或所述耐磨材料30中，因而形成中间钎焊层81、82。如图4c所示，所述中间钎焊层81、82可以包括第一部分81和第二部分82或由所述第一部分81和所述第二部分82组成，所述第一部分81由扩散至所述耐磨材料30中的所述钎焊成型材料80形成，并且所述第二部分82由扩散至所述未完工的衬底保持器60'或其它本体中的所述钎焊成型材料80形成。
用以将所述耐磨材料30与所述本体相连接的所述钎焊成型材料80的部分优选地被局部加热，即仅加热所述钎焊成型材料80的这些部分和与钎焊成型材料80的这些部分相邻的所述耐磨材料30和所述本体的区。所述未完工的衬底保持器60'可以不被完全加热，因而降低了所述未完工的衬底保持器60'损坏的风险。
优选地，所述钎焊成型材料80由钎焊激光器94加热，因而激光钎焊了位于所述耐磨材料与所述本体之间的所述钎焊成型材料80的部分。这种情形在图4B中示出。钎焊激光器94可以穿过所述载体膜72和所述耐磨材料30照射和加热所述钎焊成型材料80(例如当所述耐磨材料30透明的，诸如为金刚石层时)。替代地或另外，所述钎焊激光器94可以穿过所述本体(图中未示出)照射和加热所述钎焊成型材料80。所述钎焊激光器94可以用一个或更多个激光脉冲照射所述钎焊成型材料80的部分。所述钎焊激光器94的波长可以被选择为使得所述钎焊激光器94的功率的不到50％、优选地不到5％在所述耐磨材料30中被吸收(当所述激光束透射穿过所述耐磨材料时)或在所述本体中被吸收(当所述激光束透射穿过所述本体时)。这确保了由所述钎焊成型材料吸收所述钎焊激光器94的大多数功率。通常，每个激光脉冲可以具有从1ns至100ns的持续时间和在从0.05J/cm2至5J/cm2的范围内的通量。替代地，每个激光脉冲可以具有少于1ns的持续时间，具有在从0.01J/cm2至1J/cm2的范围内的减小的通量。使用所述钎焊激光器94允许快速加热所述钎焊成型材料80的受照射的部分，从而降低对被照射的部分周围的区域的加热影响且因而降低未完工的衬底保持器60'损坏的风险。
例如当所述耐磨材料是c-BN(其在超过1500℃的温度情况下是不稳定的)时，所述钎焊激光器94也可以用以加热所述耐磨材料。因为所述耐磨材料与所述钎焊成型材料80呈实体接触，所以这经由热传导来加热所述钎焊成型材料，因而将所述耐磨材料钎焊至所述本体。
除所述钎焊激光器94之外的加热器件也可以用以局部加热所述钎焊成型材料80。例如，可以通过使所述钎焊成型材料80与加热器件直接地接触(例如通过对所述载体膜72加热且对所述耐磨材料30的所述分离部分30'接触加热)经由热传导来局部加热所述钎焊成型材料80。替代地，对于可以在低于300℃的温度的情况下与所述未完工的衬底保持器60'和所述耐磨材料30发生化学反应和/或扩散至所述未完工的衬底保持器60'和所述耐磨材料30中的所述钎焊成型材料80，可以加热整个未完工的衬底保持器60'。这是因为所述未完工的衬底保持器60'可以耐受这样的低温。
在钎焊步骤S240之后，可以使所述载体膜72与所述耐磨材料30分离。如果所述载体膜72设有可选的粘合层，则这种粘合层可以被加热以促成所述耐磨材料30与所述载体膜72的分离。可以移除过量的钎焊成型材料80，诸如在所述未完工的衬底保持器60'的没有设有所述耐磨材料30的部分上所提供的所述钎焊成型材料80。在钎焊之后，所述耐磨材料30的背离所述未完工的衬底保持器60'的表面限定了用于对待支撑的物体(诸如所述衬底W)的平面表面进行支撑的支撑平面SP。可选地，可以在钎焊之后研磨和平坦化所述耐磨材料30以确保由所述耐磨材料30所限定的所述支撑平面SP满足在所述光刻设备LA中使用所需的规格。
图4D示出由图4A至图4D中所描绘的方法200所获得的最终复合体。所述最终复合体是所述衬底保持器60。所述未完工的突节20'与所述中间钎焊层81、82和所述耐磨材料30结合来构成所述衬底保持器60的突节20。
图5A至图5C示出用于在所述本体上提供所述耐磨材料的所述方法200的另一个实施例。这种实施例与图4A至图4D的实施例的不同之处在于：在所述未完工的衬底保持器60'的预制造的未完工的突节20'上没有设置所述耐磨材料30。作为代替，所述耐磨材料30形成从衬底保持器坯料或模板的所述主体21的所述主体表面22突出的多个突节20。
在图5A至图5C的实施例中，由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体是所述衬底保持器坯料。所述衬底保持器坯料可以由SiC或SiSiC制成。所述衬底保持器坯料包括具有所述主体表面22的所述主体21。所述主体表面21是大体上平面的。所述衬底保持器坯料不包括所述多个突节20。
在图5A至图5C的实施例中，提供所述耐磨材料的步骤S220是如关于图4A至图4D所描述的。在多个分离区30'上提供所述耐磨材料30会允许所述耐磨材料30在所述衬底保持器坯料上形成多个突节20，由此形成所述衬底保持器60。当使用所述耐磨材料30以形成所述多个突节20时，所述耐磨材料30具有的厚度t1(在垂直于所述主体表面22的方向上)等于所需的突节20的高度h1，优选地从10μm至500μm。所述分离区30'的直径d1可以在从50μm至300μm的范围内，例如约200μm。介于两个相邻的分离区30'的中心之间的距离可以是约为0.5mm至3mm，例如约1.5mm。所述分离区30'的形状在平面图中可以是圆形，以便形成圆形突节20。根据需要，所述分离区30'也可以被形成为呈其它形状。
在图5A至图5C的实施例中，所述钎焊成型材料80是如关于图4A至图4D所描述的。所述衬底保持器坯料的整个主体表面22、或至少所述主体表面22的待被施加所述耐磨材料30的部分被涂覆有所述钎焊成型材料80。替代地或另外，所述耐磨材料30的待连接至所述衬底保持器坯料的表面可以被涂覆有所述钎焊成型材料80。所述钎焊成型材料80接着被(局部地)加热以便例如以关于图4A至图4D已经所描述的方式形成将所述耐磨材料30与所述衬底保持器坯料相连接的中间钎焊层81、82。可移除所述载体膜74和过量的钎焊成型材料80，并且可选地可研磨和平坦化所述钎焊成型材料30，以便形成图5C中所描绘的所述复合体。
图5C示出由图5A至图5C中所描绘的所述方法200所获得的所述最终复合体。所述最终复合体是所述衬底保持器60。所述中间钎焊层的第一部分81和所述耐磨材料30构成所述衬底保持器60的突节20。
图4和图5示意性地描绘用于在所述本体上提供所述耐磨材料的图3A的所述方法200的步骤。图3B的方法201可以如关于图4和图5所描述的方式来执行，除了在所述耐磨材料30与所述本体之间不提供所述钎焊成型材料80。代替所述钎焊成型激光94，可以使用ps或fs脉冲激光以将所述耐磨材料30或所述耐磨材料30的每个分离部分30'激光焊接至所述本体。优选地，所述耐磨材料30是透明的(对ps或fs脉冲激光)且所述本体是不透明的(对ps或fs脉冲激光)，并且ps或fs脉冲激光经过所述耐磨材料30来曝光介于所述本体与所述耐磨材料30之间的界面。所述ps或fs脉冲激光可以发射具有少于100ps、优选地少于10ps的持续时间的激光脉冲。每个激光脉冲可以在其焦点处具有多于0.01J/cm2、优选地0.1J/cm2至1J/cm2的通量。ps或fs脉冲激光可以被聚焦于介于所述耐磨材料30的每个分离区30'与所述本体之间的所述界面的至少一部分上，从而实现在此界面处极度局部加热至超过1000K的温度。这种极度局部加热导致所述耐磨材料30扩散至所述本体的玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷材料中，和/或反之亦然。这产生将所述耐磨材料30连接至所述本体的相互扩散层，并且导致介于所述耐磨材料30与所述本体之间的强结合。
所述方法200可以用以获得根据本发明的实施例的所述复合体。图4D和图5C示意性地描绘这种所述复合体的两个实施例。在图4D和图5C的实施例中，所述复合体是用于所述光刻设备LA中的所述衬底保持器60。替代地，所述复合体可以是任何其它支撑结构，诸如用于所述光刻设备LA中的掩模版夹具或掩模版保持器、用于所述光刻设备LA中的衬底夹具或任何其它支撑台。所述复合体也可以是用于在除所述光刻设备LA之外的应用中，例如在量测设备或其它衬底处理器件中的支撑结构。所述复合体也可以不是出于支撑物体的目的，而是出于受益于将高度耐磨材料施加至玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷本体的任何其它应用的目的。
所述复合体包括由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体，诸如所述未完工的衬底保持器60'(如在图4D中)、所述衬底保持器坯料(如在图5C中)、掩模版夹具坯料、或任何其它支撑结构坯料。所述复合体也包括例如呈耐磨层的形式且具有大于20GPa的硬度的所述耐磨材料30。所述复合体还包括中间钎焊层81、82。所述中间钎焊层81、82通过钎焊而连接所述本体和所述耐磨材料。所述中间钎焊层81、82可以包括扩散至所述本体中且扩散至所述耐磨材料中的所述钎焊成型材料80。当在透射电子显微镜(TEM)、拉曼光谱仪中使用聚焦离子束(FIB)系统、或经由使用光学显微镜进行的视觉检查来检查所述复合体时，可以易于检测到所述中间钎焊层81、82。
所述复合体因此可以在所述光刻设备LA中或在其它应用中用作衬底保持器60或其它支撑结构。如果所述复合体的所述中间钎焊层81、82例如在所述衬底W、掩模MA或其它物体从所述复合体的预定数目次装载/卸载循环之后疲乏，则可以修复所述中间钎焊层81、82。这可以通过加热所述中间钎焊层81、82来实现。这种加热可以使用所述钎焊激光器94使用与原始钎焊步骤相比类似或较低的照射来完成。
方法201可以用以获得根据本发明的替代实施例的复合体。这种所述复合体可以如上文所描述的，除了提供相互扩散层来代替所述中间钎焊层81、82。所述相互扩散层是通过将所述耐磨材料30激光焊接至所述本体而形成。所述相互扩散层包括从所述本体的玻璃、陶瓷、或玻璃陶瓷材料至所述耐磨材料的(元素)成分的梯度。可以用与所述中间钎焊层81、82相同的方式检测和/或修复所述相互扩散层。
图6A至图6D示意性地描绘提供所述耐磨材料的步骤S220的优选实施例。步骤S220优选地包括在生长衬底72上生长具有大于20GPa的硬度的材料层31，诸如金刚石、c-BN、C3N4、Si3N4、AlMgB14、AlMgB14、Al2O3、WB4、VyBx、TayBx、ZryBx、NbyBx、c-BC2N、其它C-B-N三元化合物的层、或其任何组合(S221)。所述生长衬底可以例如由单晶或多晶SiC、Si或蓝宝石制成。材料层31可以在最优条件下例如在从500℃至1200℃的生长衬底温度的情况下使用增强型气相淀积而生长。最优生长条件将取决于待生长的材料。也可以使用用以生长或产生结晶、硬膜的其它方法，诸如高压、高温烧结/热压，来提供材料层31。所述材料层31的至少一部分可以接着从所述生长衬底72转移至所述载体膜74(S222)，由此在所述载体膜74上形成所述耐磨材料30。所述材料层31的转移至所述载体膜74的部分对应于所述耐磨材料30的待施加至所述本体的分离部分30'。材料层31的被转移的部分的图案因而等于待施加至所述本体的所述耐磨材料30的图案。
如图6A和6B中示出，激光引发的分层可以用以将所述材料层31的所述部分转移至所述载体膜。分层激光器92可以例如使用飞秒(fs)脉冲式激光束来照射所述材料层31的待转移的部分。所述分层激光器92可以发射具有小于500fs、优选小于100fs的持续时间的激光脉冲。这些激光脉冲的通量可以大于0.1J/cm2，优选大于1J/cm2。这在所述生长衬底72与所述材料层31之间的界面处的照射区中引起剥蚀，使得所述材料层31的部分被分层并且朝向所述载体膜74或所述载体膜74上的可选的粘合层发送。可选的粘合层具有降低所述分层部分从所述载体膜74反弹而不是黏附至所述载体膜74的风险的额外益处。
所述分层激光器92可以穿过所述载体膜74照射所述材料层31的部分(如图6A中示出)，以供所述材料层31的所述部分至所述载体膜74的所谓的“后向转移”。替代地，所述分层激光器92可以穿过所述生长衬底72照射所述材料层31(例如：c-BN)的部分(如图6B中示出)，以供所述材料层31的所述部分至所述载体膜74的所谓的“前向转移”。应优选在低压中或在真空情况下执行所述转移步骤。在所述转移步骤期间，所述载体膜74与所述材料层31之间的距离H优选地小于1mm、更优选地小于100μm，以确保所述分离部分30'在所述载体膜74上的准确定位。
可选地，在激光引发的分层之前，所述生长衬底72上的材料层可以被预图案化以辅助所述材料层31的所述部分至所述载体膜74的转移。这是在图6C和图6D中示意性地描绘的。这种预图案化尤其用于转移所述材料31的相对较厚层的部分，诸如具有多于10μm的厚度的材料层31。例如，如图6c所示，可以在激光引发的分层之前蚀刻所述材料层31的在待转移的部分周围的部分，或所述材料层31的没有被转移的整个部分。这种确保了分层过程较精确且导致损坏的转移部分较少。替代地，如图6d所示，可以在第一步骤中使用激光引发的分层以分层和移除所述材料层31的在待转移的部分周围的部分。可以接着在第二步骤中使用激光引发的分层来分层待转移的所述部分且将所述部分转移至所述载体膜74。
本发明不限于使用图6A至图6D的所述激光引发的分层过程来在载体膜74上提供所述耐磨材料。代替生长所述材料层31且接着将这种材料层31的部分转移至所述载体膜74以产生所述耐磨材料，可以例如在所述生长衬底72上的增强型气相淀积期间使用掩模来在多个分离部分30'中生长所述耐磨材料。也可以直接地在所述载体膜74上生长所述耐磨材料，或将所述耐磨材料从所述生长衬底72直接地转移至所述本体。
虽然在本文中可以具体地参考所述光刻设备LA在IC制造中的使用，但应理解，本文中所描述的光刻设备LA可以具有其它应用，诸如，制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等等。本领域技术人员应了解，在这些替代应用的内容背景下，可以认为本文中对术语“晶片”或“管芯”的任何使用分别与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。可以在曝光之前或之后在(例如)涂覆显影系统(通常将抗蚀剂层施加至衬底且显影曝光后的抗蚀剂的工具)、量测工具和/或检查工具中处理本文中提及的衬底。在适用情况下，可以将本文中的公开内容应用于这些和其它衬底处理工具。此外，可以将衬底处理多于一次，例如，以便产生多层IC，使得本文中所使用的术语衬底也可以指已经包含一个或更多个处理后的层的衬底。
尽管上面已经描述了本发明的特定实施例，但是应当理解，本发明可以不同于所描述的方式来实践。以上描述预期是说明性的，而不是限制性的。因而，本领域技术人员将明白，可以在不背离下文所阐明的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。
本发明可以根据以下编号的方面进一步显而易见。
1.一种用于在本体上提供耐磨材料的方法，包括以下步骤：
提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体；提供具有大于20GPa的硬度的耐磨材料；和将所述耐磨材料钎焊或激光焊接至所述本体。
2.根据方面1所述的方法，其中所述方法用于制造包括多个突节的支撑结构，所述多个突节限定用于支撑物体的支撑平面，并且其中在钎焊或激光焊接之后，所述耐磨材料的背离所述本体的表面限定所述突节的远端表面。
3.根据方面1或2所述的方法，包括：在所述耐磨材料与所述本体之间提供适于将所述耐磨材料钎焊至所述本体的钎焊成型材料；和通过加热所述钎焊成型材料，将所述耐磨材料钎焊至所述本体。
4.根据方面3所述的方法，其中所述钎焊成型材料选自由Ti、Zr、Mo、Cr、Nb、V、Ta、Ni、Fe、Co、Al、Ag、Au、C、Si、B或其任何组合组成的钎焊成型材料的组。
5.根据方面3或4所述的方法，其中提供钎焊成型材料的步骤包括利用所述钎焊成型材料至少涂覆所述本体的待被提供所述耐磨材料的部分和/或利用所述钎焊成型材料涂覆所述耐磨材料的待被连接至所述本体的表面，以及将所述本体和所述耐磨材料按压在一起，使得所述钎焊成型材料位于所述本体与所述耐磨材料之间。
6.根据方面3至5中任一项所述的方法，其中将所述耐磨材料钎焊至所述本体的步骤包括局部加热所述钎焊成型材料。
7.根据方面6所述的方法，其中使用钎焊激光器以局部加热所述钎焊成型材料和/或所述耐磨材料的与所述钎焊成型材料相邻的至少一部分。
8.根据方面7所述的方法，其中所述钎焊激光经过所述耐磨材料或经过所述本体来照射所述钎焊成型材料。
9.根据方面3至8中任一项所述的方法，其中涂覆于所述本体的所述部分上和/或所述耐磨材料上的所述钎焊成型材料的厚度小于所述耐磨材料的厚度。
10.根据方面1或2所述的方法，包括使所述耐磨材料与所述本体呈实体接触，和使用ps或fs脉冲激光来曝光介于所述耐磨材料与所述本体之间的界面，来将所述耐磨材料激光焊接至所述本体。
11.根据方面10所述的方法，其中所述耐磨材料是透明的且所述本体是不透明的，并且其中介于所述耐磨材料与所述本体之间的所述界面经过所述耐磨材料而被曝光。
12.根据任一前述方面所述的方法，其中所述本体由SiC或SiSiC制成。
13.根据任一前述方面所述的方法，其中所述本体包括主体，所述主体具有主体表面和从所述主体表面突出的多个未完工的突节，每个未完工的突节具有远端表面，并且其中，所述耐磨材料被设置在所述多个未完工的突节中的每个突节的所述远端表面上以便形成包括多个突节的支撑结构，所述多个突节的所述远端表面限定用于对物体的平面表面进行支撑的支撑平面。
14.根据方面13所述的方法，其中所述耐磨材料具有从0.1μm至10μm的厚度。
15.根据方面1至12中任一项所述的方法，其中所述本体包括具有主体表面的主体，并且其中在钎焊或激光焊接之后，所述耐磨材料形成从所述主体表面突出的多个突节，所述多个突节限定用于对物体的平面表面进行支撑的支撑平面。
16.根据方面15所述的方法，其中所述耐磨材料具有从10μm至500μm的厚度。
17.根据任一前述方面所述的方法，其中所述耐磨材料是金刚石、c-BN、Si3N3、C3N4、AlMgB14、Al2O3、WB4、VyBx、TayBx、ZryBx、NbyBx、c-BC2N、其它C-B-N三元化合物中的一个，或其任何组合。
18.根据任一前述方面所述的方法，其中在多个分离部分中提供所述耐磨材料。
19.根据任一前述方面的方法，其中提供所述耐磨材料的步骤包括在载体膜上提供所述耐磨材料。
20.根据方面19所述的方法，还包括在所述钎焊步骤之后使所述载体膜与所述耐磨材料分离的步骤。
21.根据方面19或20所述的方法，其中提供所述耐磨材料的步骤包括在生长衬底上生长具有大于20GPa的硬度的材料层；和将所述材料层的部分从所述生长衬底转移至所述载体膜，由此在所述载体膜上形成所述耐磨材料。
22.根据方面21所述的方法，其中激光引发的分层用以将所述材料层的所述部分转移至所述载体膜。
23.根据方面22所述的方法，其中在激光引发的分层之前，对所述生长衬底上的所述材料层进行预图案化以辅助转移所述材料层的部分。
24.一种复合体，所述复合体能够通过根据任一前述方面所述的方法获得。
25.一种复合体，包括由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体、具有大于20GPa的硬度的耐磨材料，和连接所述本体与所述耐磨材料的中间钎焊层或相互扩散层。
26.根据方面24或25所述的所述复合体，其中所述复合体是包括多个突节的支撑结构，所述多个突节限定用于支撑物体的支撑平面，并且其中所述耐磨材料的背离所述本体的表面限定所述突节的远端表面。
27.根据方面24至26中任一项所述的所述复合体，其中所述支撑结构是用于光刻设备中的衬底保持器。
28.根据方面27所述的所述复合体，其中所述本体是未完工的衬底保持器，所述未完工的衬底保持器包括具有主体表面的主体和从所述主体表面突出的多个未完工的突节，每个未完工的突节具有远端表面，并且其中所述耐磨材料被设置在所述多个未完工的突节中的每个突节的所述远端表面上，因而限定用于支撑衬底的支撑平面。
29.根据方面27所述的所述复合体，其中所述本体是包括具有主体表面的主体的衬底保持器坯料，并且其中所述耐磨材料形成从所述主体表面突出的多个突节，所述多个突节限定用于支撑衬底的支撑平面。
30.根据方面24至26中任一项所述的所述复合体，其中所述支撑结构是用于光刻设备中的掩模版夹具，所述耐磨材料限定用于支撑图案形成装置的支撑平面。
31.根据方面24至30中任一项所述的所述复合体，包括所述中间钎焊层，其中所述中间钎焊层包括被扩散至所述本体中且被扩散至所述耐磨材料中的钎焊成型材料。
32.根据方面25至32中任一项所述的所述复合体，包括所述相互扩散层，其中所述相互扩散层包括从所述本体的所述玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷至所述耐磨材料的成分的梯度。
33.一种光刻设备，包括根据方面24至32中任一项所述的所述复合体。

Claims (15)

1.一种用于在本体上提供耐磨材料的方法，包括以下步骤：
提供由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体；
提供具有大于20GPa的硬度的耐磨材料；和
将所述耐磨材料钎焊或激光焊接至所述本体。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法用于制造包括多个突节的支撑结构，所述多个突节限定用于支撑物体的支撑平面，
其中在所述钎焊或激光焊接之后，所述耐磨材料的背离所述本体的表面限定所述突节的远端表面。
3.根据权利要求1或2所述的方法，包括：
在所述耐磨材料与所述本体之间提供适于将所述耐磨材料钎焊至所述本体的钎焊成型材料；和
通过加热所述钎焊成型材料，将所述耐磨材料钎焊至所述本体。
4.根据权利要求3所述的方法，其中提供钎焊成型材料的步骤包括：
利用所述钎焊成型材料至少涂覆所述本体的待被提供所述耐磨材料的部分和/或利用所述钎焊成型材料涂覆所述耐磨材料的待被连接至所述本体的表面，以及
将所述本体和所述耐磨材料按压在一起，使得所述钎焊成型材料位于所述本体与所述耐磨材料之间。
5.根据权利要求3所述的方法，其中涂覆于所述本体的所述部分上和/或所述耐磨材料上的所述钎焊成型材料的厚度小于所述耐磨材料的厚度。
6.根据权利要求1或2所述的方法，包括通过以下操作将所述耐磨材料激光焊接至所述本体：
使所述耐磨材料与所述本体呈实体接触，和
使用ps或fs脉冲激光来曝光介于所述耐磨材料与所述本体之间的界面。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述耐磨材料是透明的且所述本体是不透明的，并且其中介于所述耐磨材料与所述本体之间的所述界面经过所述耐磨材料而被曝光。
8.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述本体包括主体，所述主体具有主体表面和从所述主体表面突出的多个未完工的突节，每个未完工的突节具有远端表面，
并且其中，所述耐磨材料被设置在所述多个未完工的突节中的每个突节的所述远端表面上以便形成包括多个突节的支撑结构，所述多个突节的所述远端表面限定用于对物体的平面表面进行支撑的支撑平面。
9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述本体包括具有主体表面的主体，并且其中在钎焊或激光焊接之后，所述耐磨材料形成从所述主体表面突出的多个突节，所述多个突节限定用于对物体的平面表面进行支撑的支撑平面。
10.根据权利要求1或2所述的方法，其中提供所述耐磨材料的步骤包括在载体膜上提供所述耐磨材料。
11.根据权利要求10所述的方法，其中提供所述耐磨材料的步骤包括：
在生长衬底上生长具有大于20GPa的硬度的材料层；和
将所述材料层的部分从所述生长衬底转移至所述载体膜，由此在所述载体膜上形成所述耐磨材料。
12.一种复合体，所述复合体能够通过根据任一前述权利要求所述的方法获得。
13.一种复合体，包括：
由玻璃、陶瓷或玻璃陶瓷所制成的本体，
具有大于20GPa的硬度的耐磨材料，和
连接所述本体与所述耐磨材料的中间钎焊层或相互扩散层。
14.根据权利要求13所述的所述复合体，其中所述复合体是包括多个突节的支撑结构，所述多个突节限定用于支撑物体的支撑平面，并且
其中所述耐磨材料的背离所述本体的表面限定所述突节的远端表面。
15.一种光刻设备，包括根据权利要求12至14中任一项所述的所述复合体。
CN202080032508.3A 2019-04-30 2020-04-01 用于在本体上提供耐磨材料的方法、以及复合体 Pending CN113826045A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP19171823 2019-04-30
EP19171823.8 2019-04-30
PCT/EP2020/059188 WO2020221539A1 (en) 2019-04-30 2020-04-01 Method for providing a wear-resistant material on a body, and composite body

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN113826045A true CN113826045A (zh) 2021-12-21

Family

ID=66334286

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202080032508.3A Pending CN113826045A (zh) 2019-04-30 2020-04-01 用于在本体上提供耐磨材料的方法、以及复合体

Country Status (6)

Country Link
US (1) US11874607B2 (zh)
EP (1) EP3963402A1 (zh)
JP (1) JP7408683B2 (zh)
CN (1) CN113826045A (zh)
TW (2) TWI782880B (zh)
WO (1) WO2020221539A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4318133A1 (en) 2022-08-05 2024-02-07 ASML Netherlands B.V. System, apparatus and method for selective surface treatment

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01153228A (ja) 1987-12-10 1989-06-15 Asahi Daiyamondo Kogyo Kk 気相合成ダイヤモンド工具の製造法
JPH07138093A (ja) 1993-09-23 1995-05-30 Toyota Central Res & Dev Lab Inc ダイヤモンド膜状体，その製造方法およびダイヤモンド被覆体の製造方法
JP2000311933A (ja) * 1999-04-27 2000-11-07 Canon Inc 基板保持装置、基板搬送システム、露光装置、塗布装置およびデバイス製造方法ならびに基板保持部クリーニング方法
JP3678993B2 (ja) * 2000-10-26 2005-08-03 株式会社ノリタケスーパーアブレーシブ Ｃｍｐ加工用ドレッサ
JP2006156124A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Kyocera Corp セラミック容器ならびに電池または電気二重層キャパシタ
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US20070097346A1 (en) * 2005-10-28 2007-05-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080138504A1 (en) * 2006-12-08 2008-06-12 Coorstek, Inc. Coatings for components of semiconductor wafer fabrication equipment
US7791708B2 (en) * 2006-12-27 2010-09-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties
US8198567B2 (en) 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
NL1036735A1 (nl) 2008-04-10 2009-10-13 Asml Holding Nv Shear-layer chuck for lithographic apparatus.
KR101582785B1 (ko) * 2008-08-12 2016-01-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 정전 척 조립체
JP5989673B2 (ja) 2011-02-01 2016-09-07 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． 基板テーブル、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
TW201503279A (zh) 2013-02-13 2015-01-16 Applied Microengineering Ltd 用於處理基材之方法與托架
EP2857140B1 (en) * 2013-10-02 2019-04-03 Oerlikon Metco (US) Inc. Brazing rod for forming a wear resistant coating and wear resistant coating
US10309012B2 (en) * 2014-07-03 2019-06-04 Tesla, Inc. Wafer carrier for reducing contamination from carbon particles and outgassing
EP3212589A1 (en) 2014-10-31 2017-09-06 Corning Incorporated Laser welded glass packages and methods of making
EP3317726B1 (en) 2015-07-02 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
JP7096031B2 (ja) 2017-06-26 2022-07-05 日本特殊陶業株式会社 基板保持部材

Also Published As

Publication number Publication date
TWI759728B (zh) 2022-04-01
EP3963402A1 (en) 2022-03-09
TW202105595A (zh) 2021-02-01
JP2022530200A (ja) 2022-06-28
JP7408683B2 (ja) 2024-01-05
TW202230602A (zh) 2022-08-01
US20220206396A1 (en) 2022-06-30
WO2020221539A1 (en) 2020-11-05
TWI782880B (zh) 2022-11-01
US11874607B2 (en) 2024-01-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102188576B1 (ko) 기판 홀더 및 기판 홀더의 제조 방법
JP7335336B2 (ja) リソグラフィ装置用基板ホルダ及び基板ホルダの製造方法
TWI621927B (zh) 基板支架、微影設備及製造裝置之方法
TWI358617B (en) Lithographic apparatus and method of manufacturing
TWI734441B (zh) 形成材料之圖案化層之方法及裝置
JP4599334B2 (ja) 物品支持部材を製造する方法
KR102190850B1 (ko) 마스크 블랭크의 제조 방법 및 전사용 마스크의 제조 방법
US20080138631A1 (en) Method to reduce mechanical wear of immersion lithography apparatus
TWI759728B (zh) 用於在本體上提供耐磨材料之方法及複合本體
US7534532B2 (en) Method to correct EUVL mask substrate non-flatness
CN110337612B (zh) 一种包括具有改进的抗剥离性的上层的物体的光刻设备
NL2023028A (en) Method for Providing a Wear-Resistant Material on a Body, and Composite Body
TWI824252B (zh) 使用於微影設備中之基板固持器及製造基板固持器之方法
JP2006140230A (ja) レーザ照射装置及びレーザ照射方法
US20220115260A1 (en) Substrate holder for use in a lithographic apparatus and a device manufacturing method
EP4318133A1 (en) System, apparatus and method for selective surface treatment

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination