JP2006140230A - レーザ照射装置及びレーザ照射方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 アニール結果物の品質低下を防止することができるレーザアニール装置及びレーザアニール方法を提供する。
【解決手段】ガラス板31上にアモルファスシリコン膜32を形成した被処理基板3は、波長532nmの処理用レーザ光Lの一部を吸収し、一部を透過させる性質をもつ。被処理基板3を、御影石からなるプレート本体51の表面に、処理用レーザ光Lの照射によって御影石よりも損傷を受けにくいアルミナからなる層52を形成した真空チャックプレート5上に載置する。真空チャックプレート5上に載置された被処理基板3に、処理用レーザ光Lを入射させ、処理用レーザ光Lが入射した領域のアモルファスシリコンを多結晶化する。
【選択図】 図1
【解決手段】ガラス板31上にアモルファスシリコン膜32を形成した被処理基板3は、波長532nmの処理用レーザ光Lの一部を吸収し、一部を透過させる性質をもつ。被処理基板3を、御影石からなるプレート本体51の表面に、処理用レーザ光Lの照射によって御影石よりも損傷を受けにくいアルミナからなる層52を形成した真空チャックプレート5上に載置する。真空チャックプレート5上に載置された被処理基板3に、処理用レーザ光Lを入射させ、処理用レーザ光Lが入射した領域のアモルファスシリコンを多結晶化する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、被処理基板に処理用レーザ光を照射するレーザ照射装置及びレーザ照射方法に関する。
従来から、ガラス板上にアモルファスシリコン膜を形成した被処理基板に処理用レーザ光を入射させ、処理用レーザ光が入射した領域のアモルファスシリコンを多結晶化するレーザアニール装置が知られている(特許文献1参照)。このレーザアニール装置においては、ステージによって被処理基板が保持される。ステージは、被処理基板が載置されるプレート(定盤)と、プレートを被処理基板に平行な面内方向に移動させるXY移動機構とを備える。XY移動機構が、被処理基板を処理用レーザ光に対して移動させることにより、被処理基板の表面における所望領域を多結晶化することができる。
使用する処理用レーザ光の波長によっては、処理用レーザ光の一部がシリコン膜及びガラス基板を透過してプレート表面まで到達することがある。強度の大きなレーザ光がプレートに入射すると、プレート表面が損傷を受けることが考えられる。そこで、処理用レーザ光の照射によって損傷を受けにくいプレートが望まれる。本発明の目的の一つは、処理用レーザ光の照射によって損傷を受けにくいプレートを用いたレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することにある。
なお、プレートの材料として、例えば硬く耐熱性の高いセラミックスが考えられる。しかし、セラミックスは加工が困難であるとともに高価である。近年の被処理基板の大型化に伴なって、プレートのサイズも大型されつつあるため、セラミックスでプレートを製作することの困難性は高まってゆくと考えられる。また、プレートの価格も高騰してゆくと考えられる。本発明の他の目的は、製作が容易なプレートを用いたレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することにある。本発明のさらに他の目的は、価格の高騰を防止することができるプレートを用いたレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することにある。
また、上記レーザアニール装置においては、プレートに高い平坦度が要求される。例えば処理用レーザ光の入射による熱膨張等に起因してプレートの平坦度が悪化すると、プレートを移動させた場合に、処理用レーザ光の出射源から被処理基板表面までの距離が変動することになり、アニール結果物の品質低下を招くからである。本発明のさらに他の目的は、照射結果物の品質低下を防止することができるレーザ照射装置及びレーザ照射方法を提供することにある。
本発明の一観点によれば、(a)処理用レーザ光の一部を吸収し、一部を透過させる性質をもつ被処理基板を準備する工程と、(b)前記被処理基板を、石材からなるプレート本体の表面に、前記処理用レーザ光の照射によって前記石材よりも損傷を受けにくい耐損傷性材料からなる層を形成したプレート上に載置する工程と、(c)前記プレート上に載置された被処理基板に、前記処理用レーザ光を入射させる工程とを有するレーザ照射方法が提供される。
本発明の他の観点によれば、処理用レーザ光を出射するレーザ出射装置と、前記レーザ出射装置から出射される処理用レーザ光が入射する位置において被処理基板を保持する保持面を画定したプレートであって、石材からなるプレート本体の表面に、前記処理用レーザ光の照射によって前記石材よりも損傷を受けにくい耐損傷性材料からなる層を形成したプレートとを備えたレーザ照射装置が提供される。
プレートの表層部が耐損傷性材料で構成されているため、被処理基板を透過した処理用レーザ光の入射に起因したプレートの損傷を防止することができる。プレート本体を構成する石材は、セラミックス等に比べると加工が容易である。また、石材は、セラミックス等に比べて安価であるため、プレートの大型化に伴なうプレートの価格の高騰を抑えることができる。
図1に、実施例によるレーザアニール装置の概略図を示す。気密構造を有するチャンバ1の壁(上壁)の一部が、窓2によって構成されている。窓2は、波長532nmの処理用レーザ光Lを透過させる材料からなる。チャンバ1の内部における窓2と対向する位置に、被処理基板3が配置されている。被処理基板3は、ガラス板31の表面にアモルファスシリコン膜32を形成したものである。ガラス板31の厚さは例えば0.7mmであり、アモルファスシリコン膜32の厚さは例えば100nm以下、詳細には50nm以上、70nm以下である。被処理基板3のサイズは、平面視において例えば730mm×920mmである。
ステージ4が、被処理基板3を保持している。ステージ4は、表面に被処理基板3を保持する保持面を画定した真空チャックプレート5と、真空チャックプレート5を被処理基板3に平行な面内方向に移動させるXY移動機構6とを有する。真空チャックプレート5は、御影石からなるプレート本体51の表面に、アルミナ(ホワイトアルミナ)からなる層52を形成したものである。真空チャックプレート5には、各々保持面の位置に開口した複数の吸着用孔53が形成されている。真空引装置7が、各々の吸着用孔53の内部空洞を真空引きする。これにより、真空チャックプレート5上に載置された被処理基板3が真空チャックプレート5に吸着される。
図2を参照して、真空チャックプレート5の製造方法を説明する。まず、図2(a)に示すように、御影石を板状に整形した石板10を準備する。石板10の厚さは、例えば50mmである。平面視において石板10のサイズは、例えば1000mm×1000mmである。御影石はセラミックス等に比べると安価であるため、このような大型の石板10を製作する場合であってもその価格の高騰を抑えることができる。また、御影石は、セラミックス等に比べると加工が容易であるという利点がある。
次に、図2(b)に示すように、石板10の表面を荒らす。石板10の表面を荒らす方法としては、例えばサンドブラスト法が用いられる。次に、図2(c)に示すように、石板10の表面にアルミナを溶射し、白色のアルミナの層11を形成するとともに、形成したアルミナの層11の表面を研磨する。具体的には、溶射によって厚さ400μmのアルミナの層11を形成し、その後にその層11を研磨する。研磨の方法としては、例えばラップ法が用いられる。次に、図2(d)に示すように、石板10に吸着用孔12を形成する。以上で、図1の真空チャックプレート5が完成する。
なお、アルミナの層11を形成する前に、石板10に吸着用孔12を形成してもよい。この場合は、吸着用孔12の開口をマスキング部材で塞いだ状態でアルミナの溶射を行い、アルミナを溶射した後にそのマスキング部材を取り外す。なお、図2に示したようにアルミナの層11を形成した後に吸着用孔12を形成する場合には、マスキング作業が不要になるという利点がある。
図1に戻って説明を続ける。レーザ出射装置8が、チャンバ1の外部に配置されている。レーザ出射装置8は、Nd:YAGレーザ発振器81と、ホモジナイザ82とを有する。Nd:YAGレーザ発振器81は、YAG製の母材にNd3+をドープしたレーザ媒質と、レーザ媒質から生じる誘導放出光の波長を変換し、その第2高調波を生成する非線形結晶とを含む。Nd:YAGレーザ発振器81から出射されるレーザ光は第2高調波であり、その波長は532nmである。
ホモジナイザ82は、Nd:YAGレーザ発振器81から出射されたレーザ光を、そのビーム断面内の位置に関して複数本の光線束に分割する分割光学系と、分割光学系によって分割された光線束群のビーム断面をホモジナイズ面上の共通の領域に重ね合せる重ね合わせ光学系とを有する。ホモジナイザ82から出射した上記光線束群(処理用レーザ光)Lが、窓2を透過して被処理基板3の表面に入射する。被処理基板3の表面の位置に上記ホモジナイズ面が画定され、かつそのホモジナイズ面において処理用レーザ光Lが一方向(図1の紙面に垂直な方向)に長い線状の入射領域を有するように、ホモジナイザ82を構成する分割光学系及び重ね合わせ光学系が調整されている。
以下、被処理基板3のレーザアニール方法について説明する。まず、被処理基板3を真空チャックプレート5上に載置し、真空引装置7を稼動させる。これにより、被処理基板3が真空チャックプレート5に吸着された状態となる。チャンバ1の内部空間は、不活性ガス、具体的にはN2ガスで満たされた状態とする。この状態で、レーザ出射装置8が、被処理基板3の表面に処理用レーザ光Lを入射させる。すると、処理用レーザ光Lが入射した領域のアモルファスシリコンが溶融する。溶融した領域の固化に伴なって、その領域が多結晶化される。
このとき、処理用レーザ光Lの一部は、シリコン膜32及びガラス板31を透過して真空チャックプレート5の表面まで到達する。被処理基板3は、波長532nmの光に対して、例えば紫外光よりも大きな光透過率を示す。具体的には、処理用レーザ光Lに対する被処理基板3の光透過率は30%程度である。このため、本実施例のように波長532nmの光を処理用レーザ光Lとして用いる場合は、処理用レーザ光Lの入射に起因した真空チャックプレート5の損傷を防止することが重要な課題となる。この点、真空チャックプレート5の表層部は、処理用レーザ光Lの照射によって石材よりも損傷を受けにくいアルミナの層52によって構成されているため、処理用レーザ光Lの入射に起因した真空チャックプレート5の損傷を防止することができる。
XY移動機構6が、被処理基板3を保持した真空チャックプレート5を移動させる。具体的には、XY移動機構6は、処理用レーザ光Lの入射領域の長尺方向と交差する方向(図1の左右方向)に被処理基板3を移動させる。これにより、処理用レーザ光Lの入射領域を被処理基板3の表面上で移動させることができ、被処理基板3表面の所望領域を多結晶化することができる。なお、本実施例のアニール結果物、即ち多結晶化されたシリコン膜が形成されたガラス板は、例えば液晶パネルに用いられる。
本実施例のように、ホモジナイザ82を通して処理用レーザ光Lを被処理基板3の表面に入射させる場合、被処理基板3を移動させても、窓2と対向する位置において、被処理基板3の表面が理想的なホモジナイズ面の位置からずれないことが重要である。被処理基板3の表面がホモジナイズ面の位置からずれると、照射面における処理用レーザ光Lの強度が変化し、アニール結果物の品質低下を招くからである。
具体的には、処理用レーザ光Lの入射領域の短尺方向の幅を3μm〜10μmまで集束させる場合は、被処理基板3の表面の、理想的なホモジナイズ面からのずれの許容量は10μm〜50μm程度となる。被処理基板3の表面の、理想的なホモジナイズ面からのずれ量が許容量を超えないようにするためには、真空チャックプレート5の平坦度が高いことが重要な課題の一つとなる。この点、プレート本体51を構成する石材は熱膨張率が小さいので、アニール処理時に処理用レーザ光の照射に起因して真空チャックプレート5の温度が上昇したとしても、真空チャックプレート5の熱変形に起因した平坦度の低下を防止することができる。この結果、処理用レーザ光Lの入射位置が理想的なホモジナイズ面の位置からずれることに起因したアニール結果物の品質低下を防止することができる。
以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、層52を構成する耐損傷性材料は、アルミナ(ホワイトアルミナ)に限られない。耐損傷性材料として、処理用レーザ光の照射によってプレート本体51を構成する石材よりも損傷を受けにくいもの、例えば石材よりも耐熱性が高いものが好ましく用いられる。具体的には例えば、耐損傷性材料として、融点が1000℃以上のものが好ましく用いられる。また、耐損傷性材料としては、石材よりも硬度の高いものが好ましく用いられる。以下に、耐損傷性材料として使用可能なものを具体的に例示する。
金属酸化物を、損傷性材料として用いることができる。金属酸化物としては、実施例で用いたホワイトアルミナは勿論、アルミナに他の材料を含有させたもの、例えばグレイアルミナやアルミナチタニア等を用いることもできる。また、金属酸化物として、ジルコニア、酸化クロム、あるいはチタニア等を用いることもできる。
また、サーメットを、耐損傷性材料として用いることもできる。サーメットとしては、例えばイットリアニクロムを用いることができる。
また、金属炭化物を、耐損傷性材料として用いることもできる。金属炭化物としては、例えばタングステンカーバイド、クロムカーバイド、あるいはチタニウムカーバイド等を用いることができる。
この他、ニッケル、コバルト、クロム、モリブデン、タンタル、タングステン等の酸化しにくい金属又はこれらの合金を耐損傷性材料として用いてもよい。
なお、プレート本体51に形成する層52が薄すぎると、処理用レーザ光Lがプレート本体51に到達してしまうことが考えられる。一方、層52が厚すぎると、溶射中に層に熱がこもり、層に割れ等が生じてしまうことが考えられる。そこで、層52の厚さは、100μm以上、400μm以下であることが好ましい。
また、プレート本体51を構成する石材は、特に御影石に限られず、他の天然石又は人工石であってもよい。また、実施例では、チャンバ1が気密構造を有することとしたが、チャンバは必ずしも気密構造を有していなくてもよい。大気開放された環境下でアニール処理をする場合に本発明を適用することもできる。また、被処理基板3のアニールに用いる処理用レーザ光Lの波長は特に532nmに限られない。本発明は、400nm以上、900nm以下の波長の光を、ガラス板上にシリコン膜を形成した被処理基板に入射させる場合に特に有効である。
また、照射対象物は、特に被処理基板3に限られない。本発明は、処理用レーザ光に対する光透過率が10%以上、50%以下である照射対象物への処理用レーザ光の照射に有効である。この他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
1…チャンバ、2…窓、3…被処理基板、31…ガラス板、32…アモルファスシリコン膜(アモルファス半導体膜)、4…ステージ、5…真空チャックプレート(プレート)、51…プレート本体、52…アルミナ(耐損傷性材料)の層、53…吸着用孔、6…XY移動機構、7…真空引装置、8…レーザ出射装置、81…Nd:YAGレーザ発振器(固体レーザ発振器)、82…ホモジナイザ、10…石板、11…アルミナ(耐損傷性材料)の層、12…吸着用孔、L…処理用レーザ光。
Claims (10)
- (a)処理用レーザ光の一部を吸収し、一部を透過させる性質をもつ被処理基板を準備する工程と、
(b)前記被処理基板を、石材からなるプレート本体の表面に、前記処理用レーザ光の照射によって前記石材よりも損傷を受けにくい耐損傷性材料からなる層を形成したプレート上に載置する工程と、
(c)前記プレート上に載置された被処理基板に、前記処理用レーザ光を入射させる工程と
を有するレーザ照射方法。 - 前記処理用レーザ光に対する前記被処理基板の光透過率が、10%以上、50%以下である請求項1に記載のレーザ照射方法。
- 前記処理用レーザ光が、固体レーザの第2高調波であり、
前記被処理基板が、ガラス板上にアモルファス半導体膜を形成した構造を有し、
前記工程(c)では、前記処理用レーザ光が入射した領域のアモルファス半導体を結晶化する請求項1又は2に記載のレーザ照射方法。 - 前記耐損傷性材料が、アルミナ、アルミナチタニア、チタニア、又はイットリアニクロムである請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ照射方法。
- 前記プレート本体が、御影石からなる請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ照射方法。
- 処理用レーザ光を出射するレーザ出射装置と、
前記レーザ出射装置から出射される処理用レーザ光が入射する位置において被処理基板を保持する保持面を画定したプレートであって、石材からなるプレート本体の表面に、前記処理用レーザ光の照射によって前記石材よりも損傷を受けにくい耐損傷性材料からなる層を形成したプレートと
を備えたレーザ照射装置。 - 前記レーザ出射装置が固体レーザ発振器を含んで構成され、前記処理用レーザ光が固体レーザの第2高調波である請求項6に記載のレーザ照射装置。
- 前記耐損傷性材料が、アルミナ、アルミナチタニア、チタニア、又はイットリアニクロムである請求項6又は7に記載のレーザ照射装置。
- 前記プレート本体が、御影石からなる請求項6〜8のいずれかに記載のレーザ照射装置。
- 前記プレートに、各々前記保持面の位置に開口した複数の吸着用孔が形成されており、
さらに、前記吸着用孔の内部空洞を真空引きする真空引装置を備えた請求項6〜9のいずれかに記載のレーザ照射装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004326915A JP2006140230A (ja) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | レーザ照射装置及びレーザ照射方法 |
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