WO2006035870A1

WO2006035870A1 - レーザ加工方法及びレーザ加工装置

Info

Publication number: WO2006035870A1
Application number: PCT/JP2005/017943
Authority: WO
Inventors: Hirokazu Kato; Satoru Higano
Original assignee: Mitsubishi Materials Corporation
Priority date: 2004-09-29
Filing date: 2005-09-29
Publication date: 2006-04-06
Also published as: TW200626276A; TWI389759B; US20070215581A1; JP2006123004A

Description

明細書

レーザ加工方法及びレーザ加工装置

技術分野

[0001] 本発明は、半導体材料やセラミックス材料等に対し、溝切り加工や切断加工等に好適なレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。

背景技術

[0002] 近年、榭脂基板、金属板、セラミックス板、半導体ゥエーハ等の溝切り加工 (スクライビング加工)や切断加工等には、高精度な加工が可能な紫外線レーザ等を用いたレ一ザ加工技術が採用されている。

このレーザカ卩ェ技術において、溝切り加工等の加工能力を高めるためには、従来、同一個所にどれだけ多くのレーザビームのパルスを打ち込むかが重要とされていると共に、紫外線レーザビームの平均出力、フノレエンス、ピークパワー等を高めることが有効であるとするデータが示されてヽる。

[0003] 例えば、特許文献 1には、インクジェットヘッドの製造にぉ、て、 PZTセラミックス上に形成された金属膜除去のため、同一個所に複数回、ピークパワーの高いレーザを照射する技術が提案されている。この技術では、金属膜を蒸発気化させる際に、ピークパワーが高ぐ短パルス幅でエネルギー照射を行うことが好まし、とされて、る。

[0004] 特許文献 1：特開 2003— 266709号公報（段落番号 0028)

発明の開示

発明が解決しょうとする課題

[0005] 上記従来の技術には、以下の課題が残されている。

上記従来のレーザ加工技術では、例えばシリコン基板等の半導体材料やアルミナ基板等のセラミックス材料に対して溝切り加工や切断加工を行う際に、加工能力を高めるためには平均出力やピークパワーを高める等の対応を行っている力榭脂材料等の有機物や金属を加工する場合等に比べて加工能力を大きく向上させることが難しかった。

[0006] 本発明は、前述の課題に鑑みてなされたもので、半導体材料やセラミックス材料に対する溝切り加工や切断加工において、より高い加工能力の向上を図ることができるレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とする。

課題を解決するための手段

[0007] 本発明者らは、半導体材料やセラミックス材料に対するレーザ加工による溝切り加ェゃ切断加工について鋭意研究を進めた結果、平均出力の大小よりもパルス幅に加工能力が大きく依存することを見出した。

本発明は、前記課題を解決するために上記知見に基づいて以下の構成を採用した。すなわち、本発明のレーザ加工方法は、無機物の被加工物に紫外線レーザビームをパルス照射して溝切り加工又は切断加工を行うレーザカ卩ェ方法であって、溝切り加工又は切断加工の加工深さが深いほど又は紫外線レーザビームの走査速度が速 V、ほど、紫外線レーザビームのノルス幅を長く設定することを特徴とする。

[0008] また、本発明のレーザ加工装置は、無機物の被カ卩ェ物に紫外線レーザビームをパルス照射して溝切り加工又は切断加工を行うレーザ加工装置であって、紫外線レーザビームを出力するレーザ光源部と、紫外線レーザビームを集光して被加工物に照射する光学系と、紫外線レーザビームを相対的に移動させて被加工物への照射位置を移動させる移動機構と、レーザ光源部、光学系及び移動機構のそれぞれを制御する制御部と、を備え、制御部が、溝切り加工又は切断加工の加工深さが深いほど又は紫外線レーザビームの走査速度が速、ほど、紫外線レーザビームのパルス幅を長く設定することを特徴とする。

すなわち、これらのレーザカ卩ェ方法及びレーザカ卩ェ装置では、加工深さが深いほど又は走査速度が速いほど、紫外線レーザビームのパルス幅を長く設定することにより、平均出力を高める場合に比べて飛躍的に加工能力を高めることができる。

[0009] また、本発明のレーザ加工方法は、紫外線レーザビームのパルス幅を 15nsec以上とすることを特徴とする。

また、本発明のレーザ加工装置は、制御部が、紫外線レーザビームのノルス幅を 1 5nsec以上に設定することを特徴とする。

[0010] すなわち、紫外線レーザビームのパルス幅が 15nsec未満であると、十分な加工能力の向上を得ることができないが、本発明のレーザカ卩ェ方法及びレーザカ卩ェ装置では、紫外線レーザビームのパルス幅を少なくとも 15nsec以上に設定することにより、同じ平均出力でも十分な加工能力の向上を図ることができる。

[0011] さらに、本発明のレーザ加工方法は、紫外線レーザビームのピークパワー密度を、 0. 8GWZcm²以下とすることを特徴とする。

さらに、本発明のレーザ加工装置は、制御部が、紫外線レーザビームのピークパヮ一密度を 0. 8GWZcm²以下に設定することを特徴とする。

すなわち、本発明のレーザ加工方法及びレーザ加工装置では、紫外線レーザビームのピークパワー密度を 0. 8GWZcm²以下に設定することにより、著しい切削能の低下を防ぐことができる。

[0012] また、本発明のレーザ加工方法は、紫外線レーザビームが、非線形光学結晶の波長変換素子内に基本波レーザビームを入射させて波長変換した高調波レーザビームであることを特徴とする。

また、本発明のレーザ加工装置は、紫外線レーザビームが、非線形光学結晶の波長変換素子内に基本波レーザビームを入射させて波長変換した高調波レーザビームであることを特徴とする。

すなわち、これらのレーザ加工方法及びレーザ加工装置では、波長変換素子による高調波レーザビームを用いるので、小型の装置で高エネルギーの短波長レーザを安定して照射することができる。

[0013] また、本発明のレーザ加工方法は、紫外線レーザビームが、固体レーザで発生させたものであり、その波長が、 400nm以下であることを特徴とする。

また、本発明のレーザ加工装置は、紫外線レーザビームが、固体レーザで発生させたものであり、その波長が、 400nm以下であることを特徴とする。

[0014] また、本発明のレーザ加工方法は、非線形光学結晶に、少なくとも Li B Oを使用

2 4 7 していることを特徴とする。

また、本発明のレーザ加工装置は、非線形光学結晶に、少なくとも Li B Oを使用

2 4 7 していることを特徴とする。

発明の効果

[0015] 本発明によれば、以下の効果を奏する。すなわち、本発明に係るレーザ加工方法及びレーザ加工装置によれば、半導体材料やセラミックス材料に対する溝切り加工や切断加工にぉ、て、加工深さが深、ほど又は走査速度が速いほど、紫外線レーザビームのノルス幅を長く設定することにより、平均出力を高める場合に比べて飛躍的に加工能力を高めることができる。したがつて、これらの材料でも、高いカ卩ェ能力により、深い加工を効率的に行うことができると共に、レーザビームの走査速度を高めることが可能になって、加工生産性を大幅に向上させることができる。

図面の簡単な説明

[0016] [図 1]本発明に係る一実施形態のレーザ加工方法で用いるレーザ加工装置を示す概略的な構成図である。

[図 2]本発明に係る実施例において、パルス幅及び平均出力を変えた場合の走査速度に対する溝深さを示すグラフである。

[図 3]本発明に係る実施例において、総 Dose量とパルス幅とに対する一定溝深さを加工可能な走査速度を示すグラフである。

[図 4]本発明に係る実施例にお！、て、総 Dose量とカ卩工溝の溝深さとの関係にっ、て、走査速度 10mmZs (a)、 50mmZs (b)、 lOOmmZs (c)のそれぞれの場合で調ベた結果を示すグラフである。

[図 5]本発明に係る実施例において、パルス幅と溝深さとの関係について、走査速度 10mm/s (a)、 50mm/s (b)、 100mm/s (c)のそれぞれの場合で調べた結果を示すグラフである。

[図 6]本発明に係る実施例において、パルス幅と切削能との関係について、走査速度 10mm/s (a)、 50mm/s (b)、 100mm/s (c)のそれぞれの場合で調べた結果を示すグラフである。

[図 7]本発明に係る実施例において、ピークパワー密度と切削能との関係について、走査速度 10mmZs (a)、 50mmZs (b)、 lOOmmZs (c)のそれぞれの場合で調べた結果を示すグラフである。

符号の説明

[0017] 1…レーザヘッド部（レーザ光源部） 2…被加工物

3…光学系

4…移動機構

5- YAGレーザ

6…第 1の波長変換素子

7…第 2の波長変換素子

11· ··プリズム挿抜機構

12· "プリズム

C…制御部

λ …基本波レーザビーム

λ · '·2倍波レーザビーム（高調波レーザビーム）

2

λ · · ·4倍波レーザビーム（高調波レーザビーム）

4

発明を実施するための最良の形態

[0018] 以下、本発明に係るレーザ加工方法及びレーザ加工装置の一実施形態を、図 1を参照しながら説明する。

[0019] 本実施形態のレーザ加工方法は、 UV (紫外光）レーザ光によりアルミナ基板等の無機物に溝切り加工 (スクライビング力卩ェ)を行う方法であって、以下の本発明のレーザ加工装置を用いて行う。このレーザ加工装置は、図 1に示すように、紫外光 (波長 2 66nm)の 4倍波レーザビーム λ を出力するレーザヘッド部（レーザ光源部） 1と、 4倍

4

波レーザビームえを集光してアルミナ基板等の被加工物 2に照射する光学系 3と、 4

4

倍波レーザビーム λ を相対的に移動させて被加工物 2への照射位置を移動させる

4

と共に 4倍波レーザビームえの移動方向を変更可能な移動機構 4と、レーザヘッド

4

部 1、光学系 3及び移動機構 4のそれぞれを制御する制御部 Cと、を備えている。

[0020] 前記レーザヘッド部 1は、波長 810nmの励起光を出射する半導体レーザ LDと、前記励起光によってボンビングされた波長 1064nmの基本波レーザビーム λ を出射する YAGレーザ 5と、基本波レーザビームえを内部で第 2高調波である波長 532η m (グリーン光）の 2倍波レーザビーム（高調波レーザビーム） λ に変換して出力する

2

第 1の波長変換素子 6と、 2倍波レーザビームえを内部で第 2高調波である波長 266 nm (紫外光)の 4倍波レーザビーム (高調波レーザビーム） λ に変換して出力する第

4

2の波長変換素子 7と、を備えている。

[0021] 前記 YAGレーザ 5は、 Nd:YAG結晶 5aと、該 YAG結晶 5aの両端に配された共振器ミラー 5bと、を備えている。

前記第 1の波長変換素子 6は、 LBO (LiB O )結晶（非線形光学結晶）であり、前

3 5

記第 2の波長変換素子 7は、 LB4 (Li B O：四ホウ酸リチウム単結晶）結晶（非線形

2 4 7

光学結晶）である。

[0022] 前記第 2の波長変換素子 7では、非線形結晶の複屈折性により、入力ビームと発生する高調波ビームとが、結晶中でウォークオフ角を持って分かれ、高調波ビームのビームプロファイル (ビーム断面形状）がー方向に扁平する、いわゆるウォークオフ現象が生じる。なお、上記第 2の波長変換素子 7に用いられる LB4結晶は、化学的安定性ゃ耐レーザ損傷性に優れていると共に、 CZ法等により良質の大型結晶を育成することが可能であり、かつ、加工性にも優れており、長尺化が容易である。

[0023] 前記光学系 3は、 4倍波レーザビーム λ の光路を変更するミラー 8a、 8bと、 4倍波

4

レーザビームえのビーム径を広げるエキスパンダレンズ 9と、ビーム径が広げられた

4

4倍波レーザビームえを被力卩ェ物 2表面上に集光して照射する集光レンズ 10と、移

4

動機構 4により変更された 4倍波レーザビーム λ の移動方向に合わせて前記扁平の

4

方向を一致させるプリズム挿抜機構 11と、を備えている。

[0024] なお、光学系 3を介して被加工物 2上に照射される 4倍波レーザビームえは、その

4 ビームプロファイルがレーザヘッド部 1からの出射直後のものと相似的に一致するようになっている。

前記移動機構 4は、ステッピングモータ等を備え被加工物 2を取り付け可能な ΧΥステージ機構であり、 4倍波レーザビームえの移動方向と前記扁平の方向とがー致す

4

るように設定されている。

[0025] 前記プリズム挿抜機構 11は、前記扁平の方向を変更するプリズム (ダヴプリズム） 1 2を 4倍波レーザビームえの光路上に挿抜可能な機構であり、プリズム 12と該プリズ

4

ム 12を移動させるモータ等の駆動部 13とから構成されて、る。このプリズム挿抜機構 11は、溝切り加工の方向を上記 X方向に直交する Υ方向に変更して行う場合に用いるもので、駆動部 13を駆動してプリズム 12を 4倍波レーザビームえの光路上 (本実

4

施形態では、ミラー 8aとエキスパンダレンズ 9との間）に挿入することで、扁平方向が 9 0° 回転し、被加工物 2上において Y方向に楕円形に扁平した状態で集光される。この状態で、移動機構 4によって、溝切り加工する Y方向に被加工物 2を相対的に移動させることにより、集光された 4倍波レーザビーム λ がその扁平方向（Υ方向）に

4

一致した溝切り加工の方向（Υ方向）に移動して Υ方向においても溝切り加工が行われる。

[0026] 前記制御部 Cは、 ICやメモリ等で構成され、予め設定入力される溝切り加工又は切断加工の加工深さが深いほど又は 4倍波レーザビームえの走査速度が速いほど、 4

4

倍波レーザビーム λ のパルス幅を長くするようにレーザヘッド部 1の制御を行う機能

4

を有する。

さらに、前記制御部 Cは、 4倍波レーザビームえのパルス幅を、 15nsec以上とする

4

と共に 4倍波レーザビームえのピークパワー密度を、 0. 8GWZcm²以下とするよう

4

にレーザヘッド部 1、光学系 3及び移動機構 4のそれぞれを制御する。

[0027] 次に、上記レーザカ卩ェ装置による被力卩ェ物 2の溝切り加工方法 (レーザカ卩ェ方法）を、図 1を参照して以下に説明する。

[0028] まず、レーザヘッド部 1にお、て、半導体レーザ LDからの励起光を YAGレーザ 5 に所定のパルス幅でパルス入射して基本波レーザビームえを発生させ、次に該基本波レーザビーム λ を第 1の波長変換素子 6に入射することで 2倍波レーザビーム λ に変換し、さらに該 2倍波レーザビームえを第 2の波長変換素子 7に入射すること

2 2

で 4倍波レーザビームえに変換して出力させる。この際、第 2の波長変換素子 7では

4

、ウォークオフ現象により発生した第 2高調波ビームのビームプロファイルが一定方向に扁平している。

[0029] レーザヘッド部 1から出射された 4倍波レーザビームえを、エキスパンダレンズ 9及

4

び集光レンズ 10を介して、最終的に被力卩ェ物 2上に集光させて照射する。このとき、 4倍波レーザビームえは、レーザヘッド部 1から出射された際のビームプロファイル

4

の相似形状のまま被加工物 2上に集光される。また、制御部 Cは、光学系 3のエキスパンダレンズ 9及び集光レンズ 10を調整することで、 4倍波レーザビームえのピークパワー密度を、 0. 8GWZcm²以下に設定する。

[0030] 本実施形態では、上記半導体レーザ LDからの励起光を YAGレーザ 5にパルス入射して基本波レーザビームえを発生させる際、加工溝の溝深さ及び移動機構 4による走査速度に応じて、半導体レーザ LDのパルス幅を変えて最終的な照射ビームである 4倍波レーザビームえのパルス幅を調整する。すなわち、制御部 Cは、レーザへ

4

ッド部 1を調整することで、予め入力設定される加工溝の溝深さ及び走査速度に応じて、加工溝の溝深さが長いほど又走査速度が速いほど、 4倍波レーザビームえのパ

4 ルス幅を長く設定する。例えば、励起用の半導体レーザ LDは CW照射のため励起強度を変えることで、ある程度パルス幅を調整することができる。また、共振器長を変えることで、パルス幅を調整することが可能である。

なお、このとき、パルス幅は、十分な加工能力の向上を得るために、 15nsec以上に設定することが好ましい。

[0031] このように本実施形態では、加工深さが深いほど又は走査速度が速いほど、 4倍波レーザビームえのパルス幅を長く設定することにより、平均出力を高める場合に比べ

4

て飛躍的にカ卩ェ能力を高めることができる。なお、 4倍波レーザビームえの

4 平均出力を高めても加工能力の向上が少ないが、それはレーザビーム照射時に被加工物 2 近傍で発生したプラズマによってシールド効果が生じて、る等の理由が考えられる。しかしながら、本実施形態では、 4倍波レーザビーム λ のパルス幅を長くすることで、

4

発生したプラズマによる影響を低減し、加工能力を飛躍的に向上させることができると考えられる。

[0032] 特に、本実施形態では、 4倍波レーザビームえのパルス幅を少なくとも 15nsec以

4

上に設定すると共にピークパワー密度を 0. 8GWZcm²以下に設定することにより、後述する実施例のデータで示すように、著しい切削能の低下を防ぎ、同じ平均出力でも十分な加工能力の向上を図ることができる。

また、本実施形態では、第 1の波長変換素子 6及び第 2の波長変換素子 7による 4 倍波レーザビームえ（波長 266nm)を用いるので、小型の装置で 400nm以下の高

4

エネルギー短波長レーザを安定して照射することができる。

実施例 [0033] 本発明に係るレーザカ卩ェにおいて、実際にアルミナ基板に溝切り加工を施した場合の加工能力につ、て調べた。

この実施例では、表 1に示すように、走査速度を 20、 50、 lOOmmZsと変えることにより溝深さを変えて加工を行った。

加工条件としては、パルス幅、周波数及び平均出力をそれぞれ、 40nsec、 30kHz 及び 1Wとした実施例（1)と、 55nsec、 40kHz及び 1Wとした実施例（2)と、を調べた。なお、従来の加工条件として、パルス幅、周波数及び平均出力をそれぞれ、 lOnse c、 30kHz及び 3Wとした比較例についても調べた。これらの結果を、表 1及ぶ図 2に示す。なお、トレース回数はいずれも 2回に設定している。

[0034] [表 1]

[0035] 表 1及び図 2に示すように、平均出力が 1Wと小さい場合でもパルス幅を 40nsecや 55nse_Cと長くした場合、平均出力を 3倍に設定した 3Wの比較例に対して、走査速度 20mmZsで 1. 5倍以上の加工能力（溝深さ）が得られていることがわかる。

次に、一定の溝深さ (本実施例では 50 μ m)を達成できるレーザビームの走査速度を、総 Dose量（パルスエネルギー Xパルス重なり度）とパルス幅とに対して調べた結果を、図 3に示す。

この図 3からわ力るように、パルス幅が長!、ほど走査速度が早くなつて!/、ることがわかる。すなわち、パルス幅が長いほど、加工時間を短くすることができ、生産コストを下げることが可能になることがわかる。

[0036] 次に、総 Dose量とカ卩工溝の溝深さとの関係、パルス幅と溝深さとの関係、パルス幅と切削能（1パルス当たりにどれだけ掘れたかを示す目安値)との関係及びピークパヮー密度と切削能との関係について、走査速度 10mmZs (a)、 50mm/s (b) , 100 mmZs (c)のそれぞれの場合で調べた結果を、図 4力ら図 7に示す。なお、これらのグラフを得るため、加工条件は、パルス幅だけでなぐ周波数及び平均出力についても種々の値に設定して測定した。なお、トレース回数はいずれも 2回に設定している。

[0037] 図 4及び図 5に示す総 Dose量と溝深さとの関係及びパルス幅と溝深さとの関係から、総 Dose量が大きいほど、またパルス幅が長いほど溝深さが大きくなつていることがわかる。また、図 6に示すパルス幅と切削能の関係から、切削能が高くなるパルス幅の領域が存在することがわかる。さらに、図 7に示すピークパワー密度と切削能との関係から、ピークパワー密度が 0. 8GWZcm²を超えると著しく切削能が低下していることがわかる。

[0038] 上記ノルス幅と溝深さとの関係及びピークパワー密度と切削能との関係から、パルス幅は 15nsec以上であると、十分なカ卩ェ能力の向上が得られ、特に、ピークパワー密度が 0. 8GWZcm²以下であると、良好な切削能により深い加工溝を得ることがわかる。

なお、加工仕上がり (加工溝断面形状、溶融急冷凝固層厚、デブリ等)を考慮すると、パルス幅を長く設定する方が有利である。特に、加工速度を考慮すると、 60nsec 以上の長いパルス幅、 50kHz以上の高繰り返し周波数及び 0. 6W以上の平均出力に設定することが望ましい。

[0039] なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなぐ本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。

[0040] 例えば、上記第 1の波長変換素子 6及び第 2の波長変換素子 7として用いた非線形光学結晶としては、上記 LBOや LB4以外のもの、例えば BBO ( j8— BaB O )、 KT

2 4

P (KTiOPO ) , CLBO (CsLiB O )等を用いても構わない。なお、上述したように

4 6 10

、上記実施形態の LB4結晶のように長尺化がしゃすぐ高い変換効率とウォークオフによるビーム変形との両方が得られる結晶が好ましい。また、ウォークオフに伴う効果は得られな、が、ウォークオフが発生しな、結晶を採用しても構わな、。

また、ホスト結晶として Nd:YAG結晶を用いている力他のホスト結晶、例えば Nd: YLF等を採用しても構わなレ、。

さらに、上記実施形態では、 4倍波レーザビーム； I を用いているが、 5倍波のレー

4

ザビームを採用しても同様の効果を得ることができる。

また、波長 266nmの 4倍波レーザビームえを用いているが、波長 355nm等の波

4

長 400nm以下の紫外線レーザビームであれば同様の効果が得られる。

また、上記実施形態では、溝切り加工に適したプリズム挿抜機構 11を採用してレ、るが、この機構を搭載していない装置に本発明を適用しても構わない。

また、被力卩ェ物 2としてアルミナ基板をカ卩ェした力その他の焼結体セラミックス、シリコン及びその他の半導体基板、サファイア及びその他の酸ィヒ物単結晶基板等の無機物を被加工物としても構わなヽ。

Claims

請求の範囲

[1] 無機物の被加工物に紫外線レーザビームをパルス照射して溝切り加工又は切断加工を行うレーザ加工方法であって、

前記溝切り加工又は前記切断加工の加工深さが深いほど又は前記紫外線レーザビームの走査速度が速 1、ほど、前記紫外線レーザビームのパルス幅を長く設定することを特徴とするレーザ加工方法。

[2] 前記紫外線レーザビームのパルス幅を、 15nsec以上とすることを特徴とする請求項 1に記載のレーザ加工方法。

[3] 前記紫外線レーザビームのピークパワー密度を、 0. 8GWZcm²以下とすることを特徴とする請求項 2に記載のレーザ加工方法。

[4] 前記紫外線レーザビームが、非線形光学結晶の波長変換素子内に基本波レーザビームを入射させて波長変換した高調波レーザビームであることを特徴とする請求項

1から 3のいずれか一項に記載のレーザ加工方法。

[5] 前記紫外線レーザビームが、固体レーザで発生させたものであり、その波長が、 40

Onm以下であることを特徴とする請求項 1から 4のいずれか一項に記載のレーザカロェ方法。

[6] 前記非線形光学結晶に、少なくとも Li B Oを使用していることを特徴とする請求

2 4 7

項 5に記載のレーザ加工方法。

[7] 無機物の被カ卩ェ物に紫外線レーザビームをパルス照射して溝切り加工又は切断加工を行うレーザ加工装置であって、

前記紫外線レーザビームを出力するレーザ光源部と、前記紫外線レーザビームを集光して前記被加工物に照射する光学系と、前記紫外線レーザビームを相対的に移動させて前記被加工物への照射位置を移動させる移動機構と、前記レーザ光源部、前記光学系及び前記移動機構のそれぞれを制御する制御部と、を備え、前記制御部が、前記溝切り加工又は前記切断加工の加工深さが深!、ほど又は前記紫外線レーザビームの走査速度が速、ほど、前記紫外線レーザビームのパルス幅を長く設定することを特徴とするレーザ加工装置。

[8] 前記制御部が、前記紫外線レーザビームのパルス幅を 15nsec以上に設定することを特徴とする請求項 7に記載のレーザ加工装置。

[9] 前記制御部が、前記紫外線レーザビームのピークパワー密度を 0. 8GWZcm²以下に設定することを特徴とする請求項 8に記載のレーザ加工装置。

[10] 前記紫外線レーザビームが、非線形光学結晶の波長変換素子内に基本波レーザビームを入射させて波長変換した高調波レーザビームであることを特徴とする請求項

7から 9の!、ずれか一項に記載のレーザ加工装置。

[11] 前記紫外線レーザビームが、固体レーザで発生させたものであり、その波長が、 40

Onm以下であることを特徴とする請求項 7から 10のいずれか一項に記載のレーザカロェ装置。

[12] 前記非線形光学結晶に、 Li B Oを使用していることを特徴とする請求項 11に記

2 4 7

載のレーザ加工装置。