JP2002151779A - レーザ装置及びシード光の最適化方法 - Google Patents

レーザ装置及びシード光の最適化方法

Info

Publication number
JP2002151779A
JP2002151779A JP2001180418A JP2001180418A JP2002151779A JP 2002151779 A JP2002151779 A JP 2002151779A JP 2001180418 A JP2001180418 A JP 2001180418A JP 2001180418 A JP2001180418 A JP 2001180418A JP 2002151779 A JP2002151779 A JP 2002151779A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
laser
oscillation
harmonic
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2001180418A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihiko Inagaki
淑彦 稲垣
Kazuaki Sajiki
一明 桟敷
Takashi Nire
孝 楡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Komatsu Ltd
Original Assignee
Komatsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Komatsu Ltd filed Critical Komatsu Ltd
Priority to JP2001180418A priority Critical patent/JP2002151779A/ja
Priority to US09/931,035 priority patent/US20020024978A1/en
Publication of JP2002151779A publication Critical patent/JP2002151779A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10084—Frequency control by seeding
    • H01S3/10092—Coherent seed, e.g. injection locking
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08004—Construction or shape of optical resonators or components thereof incorporating a dispersive element, e.g. a prism for wavelength selection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/106—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/108—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling devices placed within the cavity using non-linear optical devices, e.g. exhibiting Brillouin or Raman scattering
    • H01S3/109—Frequency multiplication, e.g. harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/162—Solid materials characterised by an active (lasing) ion transition metal
    • H01S3/1625—Solid materials characterised by an active (lasing) ion transition metal titanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1631—Solid materials characterised by a crystal matrix aluminate
    • H01S3/1636—Al2O3 (Sapphire)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2256—KrF, i.e. krypton fluoride is comprised for lasing around 248 nm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2366—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media comprising a gas as the active medium

Abstract

(57)【要約】 【課題】 注入同期におけるシード光の光強度及びパル
ス幅を最適化することのできるレーザ装置を提供するこ
と。 【解決手段】 メインコントローラ３０は、放電光Ｌｄ
の波形と高調波光Ｌｂの波形とを比較した結果、放電光
Ｌｄのジッタに対する高調波光Ｌｂのパルス幅が適正で
ないと判断した場合は、ガスレーザ装置２０での放電光
Ｌｄのジッタが大きいものと判定して、オシレータ１０
からレーザ発振される基本波光Ｌａのパルス幅を長くす
るために、キャビティ長が伸長されるように、直動ステ
ージ１５を移動制御する。また、メインコントローラ３
０は、高調波光Ｌｂの光強度が所定値より小さい値で異
常であると判断した場合は、オシレータ１０からレーザ
発振されるシード光Ｌａの光強度を強くするために、キ
ャビティ長を短くすべく、直動ステージ１５を移動制御
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パルスレーザ発振
するレーザ装置及び注入同期型のレーザ装置においてパ
ルスレーザ発振されるシード光の最適化方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザ装置には、発振段と増幅段
とから構成される注入同期型のレーザ装置がある。
【０００３】この注入同期型のレーザ装置としては、特
開平１−３０２８８８号公報に記載されたものがある。
【０００４】この公報に記載されたレーザ装置では、ア
レキサンドライトをレーザ媒質とした同期用レーザ発振
系（上記発振段に相当）と、エキシマレーザ発振系（上
記増幅段に相当）とを備え、同期用レーザ発振系におい
ては、エキシマレーザ発振系のレーザ発振時間ｔ１より
も長いレーザ発振時間ｔ２でかつ同一波長のレーザ光
を、エキシマレーザ発振系に対して注入同期する構成と
している。
【０００５】このような従来のレーザ装置では、同期用
レーザ発振系によってレーザ光がレーザ発振されている
レーザ発振時間ｔ２が経過する以前に、エキシマレーザ
発振系によってレーザ発振時間ｔ１（つまりｔ１＜ｔ
２）のレーザ光をレーザ発振させるようにしている。す
なわち、注入同期において、同期用レーザ発振系により
レーザ発振されるレーザ光（つまりシード光）を長パル
ス化することで、放電信号系におけるジッタの影響を少
なくするようにしている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、注入同期型
のレーザ装置においては、増幅段で注入同期が掛かるた
めには、発振段におけるレーザ発振のタイミングと増幅
段における放電のタイミングとが同期していたとして
も、発振段からのレーザ光が所定の光強度に達していな
い場合には、増幅段においては注入同期が掛からず、フ
リーランニング状態となってしまう。
【０００７】しかしながら、上記従来のレーザ装置で
は、同期用レーザ発振系（発振段）におけるレーザ発振
時間ｔ２をエキシマレーザ発振系（増幅段）におけるレ
ーザ発振時間ｔ１よりも長くして、シード光（レーザ
光）を長パルス化することにより、放電信号系における
ジッタの影響を少なくするようにしているものの、この
長パルス化されたシード光の光強度の調整については何
ら記載されておらず示唆もされていない。
【０００８】このように上記従来のレーザ装置では、同
期用レーザ発振系（発振段）からのシード光の光強度に
ついては何ら考慮していないので、そのシード光が上記
所定の光強度に達していない状態で、増幅段に注入され
ることもあり得る。このため、その増幅段においては、
注入同期が掛からず、フリーランニング状態となってし
まう虞がある。
【０００９】従って、このフリーランニング状態となっ
た増幅段からは、所望の光強度を有するレーザ光を得る
ことはできない。
【００１０】そこで、本発明は、レーザ発振されるレー
ザ光の光強度及びパルス幅を最適化することができるレ
ーザ装置を提供することを第１の解決課題とする。
【００１１】また、本発明は、注入同期におけるシード
光の光強度及びパルス幅を最適化することができるレー
ザ装置を提供することを第２の解決課題とする。
【００１２】さらに、本発明は、注入同期におけるシー
ド光の光強度及びパルス幅を最適化することができるシ
ード光の最適化方法を提供することを第３の解決課題と
する。
【００１３】
【課題を解決するための手段、作用および効果】上記第
１の解決課題を達成するため、第１の発明では、光共振
器と、該光共振器中に配置されるレーザ媒質と、該レー
ザ媒質を励起する励起源とを有し、前記励起源によって
励起された前記レーザ媒質からの励起光を前記光共振器
間で共振させてレーザ光をレーザ発振するレーザ装置に
おいて、前記光共振器は、当該共振器長が調整可能に配
置されていると共に、前記レーザ発振されたレーザ光を
検出する検出手段と、前記検出手段により検出された検
出結果に基づいて、前記光共振器の共振器長を調整する
調整手段とを備えたことを特徴とする。
【００１４】この第１の発明について図１及び図３を参
照して説明する。
【００１５】図１に示すように、レーザ装置１において
は、移動可能に配置された直動ステージ１５に載置され
たリアミラーＭ１とフロントミラーＭ２とで光共振器を
構成している。
【００１６】所定のタイミングで励起レーザ１３からレ
ーザ光（ポンピング光）が発振されると、このポンピン
グ光はチタンサファイア１１に照射される。このように
して照射されたポンピング光によりチタンサファイア１
１が励起され、これによりチタンサファイア１１から光
（励起光）が放出される。この励起光が、リアミラーＭ
１とフロントミラーＭ２との間（光共振器間）を往復
し、共振することにより、波長選択素子１２によって選
択された光のみが、フロントミラーＭ２からレーザ光Ｌ
ａとして放出される。
【００１７】フロントミラーＭ２から出射されたレーザ
光の一部はビームスプリッタＢ・Ｓで反射してパワーモ
ニタ１８（上記検出手段）によって検出される。
【００１８】パワーモニタ１８では、この検出した結果
であるレーザ光Ｌａの光強度に対応する検出信号を共振
器長調整コントローラ１９（上記調整手段）へ送出す
る。共振器長調整コントローラ１９では、その検出信号
に基づいて、キャビティ長が伸縮すべく、駆動用モータ
を所定方向に回転させることにより直動ステージ１５を
移動制御する。
【００１９】ここで、リアミラーＭ１の位置を変更した
ときの各々のキャビティ長（光共振器長）において、レ
ーザ発振させたときのフロントミラーＭ２から出射され
るレーザ光の発振波形例を、図３に示す。
【００２０】図３においては、発振波形Ｐ１ 、発振波
形Ｐ２および発振波形Ｐ３の順にキャビティ長が長く設
定された状態でレーザ発振されたレーザ光の発振波形を
示しており、これら各発振波形からは、キャビティ長が
短い場合の発振波形では、キャビティ長が長い場合の発
振波形と比較して、光強度が高く、しかも、パルス幅は
短くなっていることが分かる。
【００２１】すなわち、リアミラーＭ１の位置を変更し
てキャビティ長を変更することで、レーザ光の光強度及
びパルス幅を変更することができる。
【００２２】以上説明したように、第１の発明によれ
ば、共振器長を調整することにより、レーザ発振される
レーザ光の光強度及びパルス幅を最適化することができ
る。
【００２３】また、上記第２の解決課題を達成するた
め、第２の発明に係るレーザ装置では、共振器長が調整
可能に配置される光共振器を有し、該光共振器で共振し
た光をシード光として出力する発振段と、レーザ媒質と
励起源とを有し、前記励起源による前記レーザ媒質の励
起と、前記発振段から出力されるシード光の注入とが同
期した場合に、当該シード光を誘導放出により増幅して
パルス光を出力する増幅段と、前記パルス光を検出する
検出手段とを備え、前記検出手段により検出された検出
結果に基づいて前記光共振器の共振器長を調整するよう
にしたことを特徴とする。
【００２４】この第２の発明について図４を参照して説
明する。
【００２５】発振段としてのオシレータ１０において
は、移動可能に配置された直動ステージ１５に載置され
たリアミラーＭ１とフロントミラーＭ２とで光共振器を
構成している。
【００２６】メインコントローラ３０は、レーザ発振動
作を繰り返し行っている状態で、パルスモニタ２６から
の放電光Ｌｄの波形を示す信号、及びパルスモニタ４６
からの高調波光Ｌｂの波形を示す信号を、異なるレーザ
発振について複数個取得すると共に、パワーモニタ４７
からの高調波光Ｌｂの出力（光強度）を示す信号、及び
パワーモニタ４８からの出力レーザ光Ｌｃの出力（光強
度）を示す信号を、異なるレーザ発振について複数個取
得する。
【００２７】次に、メインコントローラ３０は、図示し
ない記憶部に記憶されているパルス波形に関するデータ
を参照することにより、放電光Ｌｄの波形と高調波光Ｌ
ｂの波形とを比較して、放電光Ｌｄのジッタに対する高
調波光Ｌｂのパルス幅が適正でないと判断した場合に
は、増幅段としてのガスレーザ装置２０での放電光Ｌｄ
のジッタ（時間誤差）が大きいものと判定して、オシレ
ータ１０により発振されるレーザ光（シード光）Ｌａの
パルス幅を長くするために、キャビティ長を伸長すべ
く、駆動用モータを所定方向に回転させることで、直動
ステージ１５を移動制御する。
【００２８】さらに、メインコントローラ３０は、放電
光Ｌｄのジッタに対する高調波光Ｌｂのパルス幅が適正
であると判断した場合には、上記記憶部（図示せず）に
記憶されている光強度に関するデータを参照することに
より、高調波光Ｌｂの光強度は、予め設定された閾値Ｉ
ｔｈ1以上の値であるか否か（光強度は正常であるか否
か）を判断する。
【００２９】そして、メインコントローラ３０は、高調
波光Ｌｂの光強度が上記閾値Ｉｔｈ1より小さい値で異
常であると判断したときは、オシレータ１０から出力さ
れるレーザ光（シード光）つまり基本波光Ｌａの光強度
を強くするために、キャビティ長を短くすべく、駆動用
モータを所定方向に回転させることで、直動ステージ１
５を移動制御する。
【００３０】ここで、キャビティ長と、波長変換部４５
から出力される高調波光Ｌｂの出力（光強度）と、高調
波光Ｌｂのパルス幅との関係は、図６に示すように、キ
ャビティ長と高調波光Ｌｂのパルス幅とは比例関係にあ
り、また、キャビティ長と高調波光Ｌｂの出力（光強
度）とは反比例関係にある。
【００３１】従って、リアミラーＭ１が載置されている
直動ステージ１５を移動制御して、リアミラーＭ１とフ
ロントミラーＭ２との間のキャビティ長を変化させるこ
とで、オシレータ１０からレーザ発振されるシード光
（高調波光に対応）Ｌａの光強度及びパルス幅を調整す
ることができる。
【００３２】以上説明したように、第２の発明によれ
ば、共振器長を調整することにより、注入同期における
シード光の光強度及びパルス幅を最適化することができ
る。
【００３３】さらに、上記第３の解決課題を達成するた
め、第３の発明に係るシード光の最適化方法では、共振
器長が調整可能に配置される光共振器で共振した光をシ
ード光として出力する発振ステップと、レーザ媒質を励
起する励起源による当該レーザ媒質の励起と、前記発振
ステップにより出力されるシード光の注入とが同期した
場合に、当該シード光を誘導放出により増幅してパルス
光を出力する増幅ステップと、前記パルス光を検出する
検出ステップと、前記検出ステップにより検出された検
出結果に基づいて前記光共振器の共振器長を調整する調
整ステップとを含むことを特徴とする。
【００３４】この第３の発明について、図７を参照して
説明する。
【００３５】「検出ステップ」パワーモニタ４７は、反
射ミラー４３に入射した波長変換部４５からの高調波光
Ｌｂのうち、反射ミラー４３を透過した光（漏れ光）の
出力（光強度）を検出すると共に、パワーモニタ４８
は、ビームスプリッタＢ・Ｓで反射したレーザ光の光強
度を検出し、それぞれの検出結果（光強度）をメインコ
ントローラ３０へ出力する。
【００３６】また、パルスモニタ４６は、反射ミラー４
４に入射した高調波光Ｌｂのうち、反射ミラー４４を透
過した光（漏れ光）を検出すると共に、パルスモニタ２
６は、放電電極２２間で発生した放電による発光（放電
光）Ｌｄを検出し、それぞれのこの検出結果（パルスを
示す信号）をメインコントローラ３０へ送出する。
【００３７】一方、コントローラ３０では、上述した各
モニタからの検出結果に基づいてレーザ光の光強度とパ
ルス幅の調整を行う。
【００３８】（１）シード光のパルス幅の調整について 「調整ステップ」メインコントローラ３０は、図示しな
い記憶部に記憶されているパルス波形に関するデータを
参照することにより、放電光Ｌｄの波形と高調波光Ｌｂ
の波形とを比較して（ステップＳ１０２）、放電光Ｌｄ
のジッタに対する高調波光Ｌｂのパルス幅は適正か否か
を判断する（ステップＳ１０３）。
【００３９】ステップＳ１０３において放電光Ｌｄのジ
ッタに対する高調波光Ｌｂのパルス幅が適正でないと判
断したメインコントローラ３０は、ガスレーザ装置２０
での放電光Ｌｄのジッタ（時間誤差）が大きいものと判
定して（ステップＳ１０４）、オシレータ１０により発
振されるレーザ光（シード光）Ｌａのパルス幅を長くす
るために、キャビティ長を伸長すべく、駆動用モータを
所定方向に回転させることで、直動ステージ１５を移動
制御する（ステップＳ１０５）。
【００４０】（２）シード光の光強度の調整について 「調整ステップ」一方、上記ステップＳ１０３において
放電光Ｌｄのジッタに対する高調波光Ｌｂのパルス幅が
適正であると判断したメインコントローラ３０は、上記
記憶部に記憶されている光強度に関するデータを参照す
ることにより、高調波光Ｌｂの光強度は、予め設定され
た閾値Ｉｔｈ1以上の値であるか否か（光強度は正常で
あるか否か）を判断する（ステップＳ１０６）。
【００４１】ここで、高調波光Ｌｂの光強度が上記閾値
Ｉｔｈ1より小さい値で異常であると判断したメインコ
ントローラ３０は、当然、注入同期がかかっていないの
であるから、出力レーザ光Ｌｃの光強度も異常であると
判定して、オシレータ１０から出力されるレーザ光（シ
ード光）つまり基本波光Ｌａの光強度を強くするため
に、キャビティ長を短くすべく、駆動用モータを所定方
向に回転させることで、直動ステージ１５を移動制御す
る（ステップＳ１０７）。
【００４２】以上説明したように、第３の発明によれ
ば、共振器長を調整することにより、注入同期における
シード光の光強度及びパルス幅を最適化することができ
る。
【００４３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して説明する。
【００４４】図１は、本実施形態に係るレーザ装置１の
構成を示す構成図である。
【００４５】レーザ装置１では、発振波長に対して高反
射（全反射）のリアミラーＭ１と、発振波長に対して部
分反射（例えば８０％の反射率）のフロントミラーＭ２
とで光共振器を構成している。
【００４６】フロントミラーＭ２は固定配置されている
ものの、リアミラーＭ１は、共振器長が調整可能つまり
移動可能に配置されている。
【００４７】このような光共振器間に、レーザ媒質とし
てのチタンサファイア（Ｔｉ３＋：Ａｌ２Ｏ３ ）結晶
（以下、チタンサファイアという）１１と、発振波長を
選択する波長選択素子１２とを配置している。
【００４８】波長選択素子１２としては、プリズム又は
グレーティング又はエタロンなどの光学素子がある。
【００４９】レーザ媒質を励起させるための励起源とし
ての励起レーザ１３からは、チタンサファイア１１に対
してレーザ光（ポンピング光）が照射されるようになっ
ている。ここでは、励起レーザ１３としてＮｄ：ＹＬＦ
レーザを用いるようにしている。
【００５０】上記リアミラーＭ１は発振波長を調整する
ためのミラーホルダ１４に保持され、さらに、このミラ
ーホルダ１４はリアミラーＭ１の位置を調整するための
直動ステージ１５に載置されている。直動ステージ１５
は、駆動用モータが所定方向に回転することで、リアミ
ラーＭ１とフロントミラーＭ２との間の光路長つまりキ
ャビティ長が伸縮されるように移動する。
【００５１】波長モニタ１６は、複数の受光チャネルを
有するラインセンサから構成されており、最大強度の光
を検出したチャネル番号を示す情報を発振波長コントロ
ーラ１７へ送出する。
【００５２】上記ラインセンサにおいては、波長に応じ
てラインセンサへの入射位置が異なるので、ラインセン
サの光検出位置（チャネル番号）から光の波長を検出す
ることができる。よってリアミラーＭ１を透過した光
（漏れ光）の波長を知ることができる。
【００５３】発振波長コントローラ１７は、受信した波
長モニタ１６からの検出結果（チャネル番号を示す情
報）に基づいて、所定の発振波長にすべく波長選択素子
１２またはミラーホルダ１４を制御する。
【００５４】パワーモニタ１８は、ビームスプリッタＢ
・Ｓによって反射（分割）されたレーザ光の出力（光強
度）を検出し、この検出結果（検出光強度に応じた検出
信号）を共振器長調整コントローラ１９に送出する。
【００５５】共振器長調整コントローラ１９は、受信し
たパワーモニタ１８からの検出結果（検出光強度に応じ
た検出信号）に基づいて、所定の光強度にすべく直動ス
テージ１５を移動制御する。
【００５６】なお、リアミラーＭ１とフロントミラーＭ
２との間（光共振器間）で光が往復する際に、発振を始
めた光がレーザ媒質を通過する所で、ある程度の光強度
が必要なため、当該光を集光させる目的で、図１には図
示していないが、チタンサファイア１１を挟むようにし
て２つのレンズが設けられている。
【００５７】次に、かかる構成のレーザ装置１の作用に
ついて説明する。
【００５８】所定のタイミングで励起レーザ１３からレ
ーザ光（ポンピング光）が発振されると、このポンピン
グ光はチタンサファイア１１に照射される。
【００５９】このようにして照射されたポンピング光に
よりチタンサファイア１１が励起され、これによりチタ
ンサファイア１１から光（励起光）が放出される。
【００６０】この励起光が、リアミラーＭ１とフロント
ミラーＭ２との間（光共振器間）を往復し、共振するこ
とにより、波長選択素子１２によって選択された光のみ
が、フロントミラーＭ２からレーザ光Ｌａとして放出さ
れる。
【００６１】また、リアミラーＭ１からは、光共振器間
（リアミラーＭ１とフロントミラーＭ２間）で共振する
光（レーザ光）の一部が透過されるので、この透過した
光（漏れ光）を波長モニタ１６によって検出する。
【００６２】波長モニタ１６では検出した波長に応じた
検出信号を発振波長コントローラ１７に送出する。
【００６３】すると、発振波長コントローラ１７は、波
長モニタ１７からの検出信号を基に、所望の波長で発振
されるべく波長選択素子１２またはミラーホルダ１４を
制御駆動する。
【００６４】ところで、フロントミラーＭ２から出射さ
れたレーザ光の一部はビームスプリッタＢ・Ｓで反射し
てパワーモニタ１８によって検出される。
【００６５】パワーモニタ１８では、この検出した結果
であるレーザ光Ｌａの光強度に対応する検出信号を共振
器長調整コントローラ１９へ送出する。共振器長調整コ
ントローラ１９では、その検出信号に基づいて、駆動用
モータを所定方向に回転させることにより直動ステージ
１５を移動制御する。
【００６６】これによって、リアミラーＭ１は、フロン
トミラーＭ２との間の光学距離（つまりキャビティ長）
が伸縮されるべく、現在位置が変更される。
【００６７】なお、通常のレーザ設計においては、キャ
ビティ長も重要なパラメータであり、そのパラメータの
変更により発振条件を満たさなくなることがあるので、
一般的にはキャビティ長を簡単に変更するようなもので
はない。
【００６８】このようなレーザ設計の制約があるにも関
わらず、本実施形態において、上述したようにしてキャ
ビティ長を変更することができる理由について説明す
る。
【００６９】レーザ媒質すなわちチタンサファイア１１
のキャビティ設計の段階において、キャビティ長を変え
るために移動させるリアミラーＭ１の所定の移動範囲内
においては、ビーム径の変化が少なくなるように設計す
る。
【００７０】図２は、単一横モードにおいてビーム中心
のエネルギー強度に対して１／ｅ＾２（ｅは自然対数の
底）となる点の直径（ビームサイズ）の半径（以下、１
／ｅ＾２半径という）と、焦点位置からの相対的距離と
の関係を表した特性を示している。
【００７１】この、図２の特性によれば、極小の１／ｅ
＾２半径のときには光強度が一番高く、また１／ｅ＾２
半径が大きくなるほど、光強度は低くなる。
【００７２】また、この特性によれば、１／ｅ＾２半径
が小さいほどビームサイズが小さく、しかも、相対的距
離が例えば０．４ｍ以上の位置においては、１／ｅ＾２
半径はほぼ一定（ビーム径の変化が少ない）になってい
る。
【００７３】このようにビーム径の変化が少なくなるよ
うな相対的距離の範囲、例えば相対的距離が０．７〜
１．３ｍの間において、リアミラーＭ１の現在位置を変
更（移動）させても、キャビティ長の変化によるキャビ
ティ設計の狂いが少ない。
【００７４】ここで、リアミラーＭ１の位置を変更した
ときの各々のキャビティ長（光共振器長）において、レ
ーザ発振させたときのフロントミラーＭ２から出射され
るレーザ光の発振波形例を、図３に示す。
【００７５】図３においては、発振波形Ｐ１ 、発振波
形Ｐ２および発振波形Ｐ３の順にキャビティ長が長く設
定された状態でレーザ発振されたレーザ光の発振波形を
示している。
【００７６】これら各発振波形からは、キャビティ長が
短い場合の発振波形では、キャビティ長が長い場合の発
振波形と比較して、光強度が高く、しかも、パルス幅は
短くなっていることが分かる。
【００７７】すなわち、リアミラーＭ１の位置を変更し
てオシレータ１０における光共振器のキャビティ長を変
更することで、レーザ光の光強度及びパルス幅を変更す
ることができる。
【００７８】なお、本発明においては、上述してきた実
施形態に限定されることなく、後述する（Ａ）から
（Ｆ）のように実施する（応用例とする）ことができ
る。
【００７９】（Ａ）すなわち、上記実施形態では、リア
ミラーＭ１の位置を変更するようにしているが、これに
限定されることなく、以下のようにしても良い。
【００８０】（１）リアミラーＭ１を固定として、共振
器長調整コントローラ１９によって、調整可能（移動可
能）なフロントミラーＭ２の位置を変更することによ
り、キャビティ長を変更するようにしても良い。このと
き、フロントミラーＭ２は、図２に示す特性において、
相対的位置が「−」の値となる範囲の位置に配置されて
いるので、上記同様に、ビーム径の変化が少なくなるよ
うな相対的距離の範囲内において、フロントミラーＭ２
の位置を変更する必要がある。
【００８１】勿論、リアミラーＭ１及びフロントミラー
Ｍ２の位置を共に変更してキャビティ長を変更するよう
にしても良い。
【００８２】（Ｂ）また、上記実施形態では、光共振器
長（キャビティ長）を調整する方法として、リアミラー
Ｍ１が載置された直動ステージ１５を移動させることで
キャビティ長を調整するようにしているが、これに限定
されることなく、次のようにしても良い。
【００８３】（２）すなわち、リアミラーＭ１をリニア
ガイドに載置し、手動によりこのリニアガイドを移動し
て、キャビティ長を変更（調整）するようにしても良
い。この場合は、構造上、手作業によるキャビティ長の
調整になる。
【００８４】（３）また、リアミラーＭ１とフロントミ
ラーＭ２とで光共振器が構成されるように、その光路上
つまり光軸上の異なる複数の位置に、ミラーを取る付け
ることが可能であって、共振するレーザ光を遮光しない
取付部を設けておく。そして、必要に応じて複数の取付
部のうちの特定の取付部に、リアミラーＭ１を取り付け
る。この場合は、構造上、手作業によるキャビティ長の
調整になる。
【００８５】（４）さらに、リアミラーＭ１とフロント
ミラーＭ２との間に、折り返しのための全反射ミラーを
挿入するようにしても良い。この場合は、構造上、手作
業によるキャビティ長の調整になる。
【００８６】（Ｃ）また、上記実施形態では、チタンサ
ファイア１１を挟むようにして設けられる図示しない２
つのレンズを用いて、図２に示したような、集光する点
が１つのみ存在する特性としているが、これに限定され
ることなく、以下のようにしても良い。
【００８７】（５）すなわち、集光する点が、２つある
いは３つなど複数存在するようにしたものでも良い。こ
の場合も、パルス幅及び光強度を調整するときには、ビ
ーム径の変化が少なくなるような相対的距離を含む区間
内において、リアミラーＭ１又はフロントミラーＭ２の
位置を変更する必要がある。
【００８８】（Ｄ）また、上記実施形態では、レーザ媒
質として、チタンサファイアを用いるようにしている
が、これに限定されることなく、以下のようにしても良
い。
【００８９】すなわち、Ｔｉ３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ４ 、
アレキサンドライト（Ｃｒ３＋：ＢｅＡｌ２Ｏ３）、ク
ロムライサフ（Ｃｒ：ＬｉＳａＦ）、ネオジムガラスな
どを用いるようにしても良い。
【００９０】（Ｅ）また、上記実施形態では、励起レー
ザとして、Ｎｄ：ＹＬＦレーザを用いるようにしている
が、これに限定されることなく、以下のようにしても良
い。
【００９１】すなわち、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、レーザダ
イオード（ＬＤ）、紫外光ランプなどを用いるようにし
ても良い。
【００９２】（Ｆ）さらに、上記実施形態では、オシレ
ータ１０として、励起レーザであるＮｄ：ＹＬＦレーザ
とレーザ媒質であるチタンサファイアの組合せを用いる
ようにしているが、これに限定されることなく、以下の
ようにしても良い。
【００９３】すなわち、色素レーザ（液体レーザ）、パ
ラメトリック発振式レーザ、ファイバーレーザ、ラマン
変換式レーザなどを用いるようにしても良い。
【００９４】以上説明したように、本実施形態によれ
ば、フロントミラーＭ２から出力されたレーザ光Ｌａの
光強度を基に、リアミラーＭ１の位置を変更してキャビ
ティ長（光共振器長）を変更（伸縮）することで、レー
ザ発振されるレーザ光Ｌａの光強度及びパルス幅を変更
することができる。
【００９５】［第２の実施の形態］図４は、第２の実施
形態に係るレーザ装置５０の構成を示す構成図である。
【００９６】このレーザ装置５０は、注入同期型のレー
ザ装置であり、発振段としてのオシレータ１０と、増幅
段としてのガスレーザ装置２０と、メインコントローラ
３０と、４つの反射ミラー４１〜４４と、波長変換部４
５と、パルスモニタ４６と、２つのパワーモニタ４７、
４８と、ビームスプリッタＢ・Ｓとから構成されてい
る。
【００９７】図４に示すオシレータ１０は、図１に示し
た第１の実施形態に係るレーザ装置１の構成において、
ビームスプリッタＢ・Ｓ、パワーモニタ１８及び共振器
長調整コントローラ１９を削除した構成になっている。
同図４において、図１に示した構成要素と同様の機能を
果たす部分には同一の符号を付している。
【００９８】オシレータ１０からレーザ発振されたレー
ザ光（つまりシード光）Ｌａは、反射ミラー４１、４２
で反射されて波長変換部４５に入射され、ここで高調波
光Ｌｂに波長変換された後、更に反射ミラー４３及び反
射ミラー４４を介してガスレーザ装置２０に入射され
る。
【００９９】波長変換部４５は、図５に示すように、非
線形光学素子としての、リチウム・トリボレート（Ｌｉ
Ｂ３Ｏ５＝ＬＢＯ）４５Ａと、β−バリウム・ボレート
（β−ＢａＢ２Ｏ４＝ＢＢＯ）４５Ｂと、セシウムリチ
ウムボーレート（ＣｓＬｉＢ６Ｏ１０＝ＣＬＢＯ）４５
Ｃと、４ω用ミラー４５Ｄと、コリメートレンズ系４５
Ｅと、ここでは図示しないＬＢＯ４５Ａ及びＢＢＯ４５
Ｂ及びＣＬＢＯ４５Ｃの光入射側に配置される集光レン
ズとから構成されている。
【０１００】この波長変換部４５は、レーザ光（シード
光）Ｌａを、増幅段としてのガスレーザ装置２０におい
て励起されるレーザ媒質の種類つまりレーザ発振される
レーザ光の波長に適合すべく高調波のレーザ光Ｌｂに波
長変換するものである。
【０１０１】ＬＢＯ４５Ａは、オシレータ１０からのレ
ーザ光Ｌａを基に第２高調波光（２ω）を生成し、この
生成された第２高調波光及び残存する基本波光を出力す
る。
【０１０２】ＢＢＯ４５Ｂは、基本波光と第２高調波光
との和周波混合により第３高調波光（３ω）を生成し、
この生成した第３高調波光、残存する基本波光及び第２
高調波光を出力する。
【０１０３】ＣＬＢＯ４５Ｃは、基本波光と第３高調波
光との和周波混合により第４高調波光（４ω）を生成
し、この生成した第４高調波光、残存する基本波光及び
第２及び第３高調波光を出力する。
【０１０４】４ω用ミラー４５Ｄは、基本波光、第２及
び第３高調波光を透過し、第４高調波光（４ω）のみを
反射させる。
【０１０５】コリメートレンズ系４５Ｅは、４ω用ミラ
ー４５Ｄで反射した第４高調波光を平行光に整形する。
【０１０６】また、図示しない集光レンズは、ＬＢＯ４
５Ａ及びＢＢＯ４５Ｂ及びＣＬＢＯ４５Ｃの光学素子内
部にレーザ光を集光させることで、これらの光学素子に
よる高調波光の生成を容易にさせている。
【０１０７】なお、基本波光から第３高調波光を得るに
は、ＬＢＯ４５Ａ及びＢＢＯ４５Ｂの非線形光学素子が
あれば達成することができるが、４ω用ミラー４５Ｄを
第３高調波光（３ω）のみを反射させる３ω用ミラーに
変更する必要がある。
【０１０８】すなわち、波長変換部４５は、一部の光学
素子を変更するだけで、レーザの種類に応じて波長変換
することができるようになっている。例えば、クリプト
ンフッ素（ＫｒＦ）エキシマレーザの場合には、波長が
７４５ｎｍのレーザ光（基本波光）Ｌａを、波長が２４
８ｎｍの第３高調波光であるレーザ光Ｌｂに波長変換す
るようになっている。
【０１０９】また、アルゴンフッ素（ＡｒＦ）エキシマ
レーザの場合には、波長が７７２ｎｍのレーザ光（基本
波光）Ｌａを、波長を１９３ｎｍの第４高調波光である
レーザ光Ｌｂに変換するようになっている。
【０１１０】さて、再度、図４を参照して説明すると、
増幅段としてのガスレーザ装置２０は、レーザ媒質ガス
が充填されるレーザチャンバ２１と、レーザチャンバ２
１内に、対向して配置される例えば１対の放電電極２２
と、レーザ導入口２３ａを有する凹面全反射ミラー（リ
アミラー）２３と、凸面全反射ミラー２４と、励起源と
してのガスレーザ電源２５と、放電による発光Ｌｄを検
出し、この検出結果をコントローラ３０へ出力するパル
スモニタ２６とから構成されている。
【０１１１】このガスレーザ装置２０は、ここでは、ク
リプトンフッ素（ＫｒＦ）エキシマレーザをレーザ発振
するようになっている。
【０１１２】ガスレーザ装置２０では、凹面全反射ミラ
ー２３と凸面全反射ミラー２４とで光共振器が構成され
ている。
【０１１３】パルスモニタ４６は、反射ミラー４４に入
射する高調波光であるレーザ光Ｌｂのうち、反射ミラー
４４を透過する光（漏れ光）を検出し、この検出結果を
メインコントローラ３０へ出力する。
【０１１４】パワーモニタ４７は、反射ミラー４３に入
射する高調波光であるレーザ光Ｌｂのうち、反射ミラー
４３を透過する光（漏れ光）の出力（光強度）を検出
し、この検出結果をメインコントローラ３０へ出力す
る。
【０１１５】パワーモニタ４８は、ガスレーザ装置２０
から出射されたレーザ光Ｌｃのうち、ビームスプリッタ
Ｂ・Ｓで反射したレーザ光の出力（光強度）を検出し、
この検出結果をメインコントローラ３０へ出力する。
【０１１６】メインコントローラ３０は、オシレータ１
０及びガスレーザ装置２０を制御するものであり、例え
ば、パルスモニタ２６からの検出結果に基づいて、励起
レーザ１３とガスレーザ電源２５へトリガ信号を送出す
ると共に、上記各モニタ２６、４６、４７、４８からの
検出結果に基づいて、レーザ光（シード光）Ｌａのパル
ス幅及び光強度を制御する。
【０１１７】なお、メインコントローラ３０は、図４に
は図示されていないが、上述した各モニタからの検出結
果、後述するディレイを示すデータなど、注入同期の制
御に必要となる計測されたデータを記憶する記憶部（例
えばＲＡＭ）と、そのデータを用いてデータ処理するた
めのワークエリア（例えばＲＡＭ）と、後述する処理手
順を示すプログラムを格納する記憶部（例えばＲＯＭ）
とを有している。
【０１１８】次に、オシレータ１０のリアミラーＭ１と
フロントミラーＭ２との間の光路長つまりキャビティ長
を変化させたときの、当該キャビティ長と、波長変換部
４５から出力される高調波光（レーザ光）の出力（光強
度）と、高調波光のパルス幅との関係を図６に示す。
【０１１９】図６においては、クリプトンフッ素（Ｋｒ
Ｆ）エキシマレーザの場合についての特性例を示したも
のであり、波長７４５ｎｍの基本波光が波長変換された
波長２４８ｎｍの第３高調波光についての特性例を示し
ている。
【０１２０】キャビティ長と第３高調波光のパルス幅と
の関係を示す特性５１によれば、キャビティ長とレーザ
発振される第３高調波光のパルス幅とは比例関係にあ
る。また、キャビティ長と第３高調波光の出力（光強
度）との関係を示す特性５２によれば、キャビティ長と
レーザ発振されるパルスレーザ（たとえば第３高調波
光）の出力（光強度）とは反比例関係にある。
【０１２１】すなわち、これらの特性５１、５２から
は、キャビティ長を変更することにより、第３高調波光
つまりシード光Ｌａの光強度及びパルス幅が変更される
ことが分かる。
【０１２２】次に、レーザ装置５０によるレーザ発振動
作について、図４を参照して説明する。
【０１２３】ここでは、ガスレーザ装置２０は、クリプ
トンフッ素（ＫｒＦ）エキシマレーザ装置であるものと
する。
【０１２４】最初に、メインコントローラ３０は、オシ
レータ１０のレーザ発振のタイミングとガスレーザ装置
２０の放電のタイミングとが合うように、励起レーザ１
３およびエキシマ電源２５へトリガ信号を送出する。
【０１２５】オシレータ１０においては、励起レーザ１
３がトリガ信号に従ってレーザ光（ポンピング光）を発
振すると、このポンピング光はチタンサファイア１１に
照射される。
【０１２６】このようにして照射されたポンピング光に
よりチタンサファイア１１が励起され、これによりチタ
ンサファイア１１から光（励起光）が放出される。
【０１２７】この励起光が、リアミラーＭ１とフロント
ミラーＭ２との間（光共振器間）を往復して共振するこ
とにより、波長選択素子１２によって選択された光のみ
が、フロントミラーＭ２からレーザ光（シード光）Ｌａ
として放出される。
【０１２８】また、リアミラーＭ１からは、光共振器間
（リアミラーＭ１とフロントミラーＭ２間）で共振する
光（レーザ光）の一部が透過されるので、この透過した
光（漏れ光）を波長モニタ１６によって検出（モニタ）
する。
【０１２９】波長モニタ１６では検出した波長に応じた
検出信号を発振波長コントローラ１７に送出する。
【０１３０】すると、発振波長コントローラ１７は、波
長モニタ１６からの検出信号を基に、所望の波長のレー
ザ光がレーザ発振されるべく、波長選択素子１２または
ミラーホルダ１４を制御する。
【０１３１】一方、 フロントミラーＭ２から出射され
たレーザ光Ｌａは、反射ミラー４１、４２を介して波長
変換部４５に入射される。
【０１３２】波長変換部４５は、入射されたレーザ光Ｌ
ａつまり基本波光を所定の高調波光（この例では第３高
調波光）Ｌｂに波長変換して出力する。この高調波光Ｌ
ｂは、反射ミラー４３、４４を介してガスレーザ装置２
０に入射（注入）される。
【０１３３】ガスレーザ装置２０に注入された高調波光
Ｌｂは、凹面ミラー２３のレーザ導入口２３ａを介して
レーザチャンバ２１内に入射される。
【０１３４】ガスレーザ装置２０においては、ガスレー
ザ電源２５は、メインコントローラ３０から送出された
トリガ信号を受信した後、高調波光Ｌｂの導入タイミン
グに合わせて、所定の期間が経過した後、放電電極２２
に高電圧パルスを送る。これにより、高電圧パルスが印
加された放電電極２２間に均一な放電が行われる。
【０１３５】そして、上記高調波光Ｌｂが注入されてい
る間に、放電電極２２による放電によりレーザ媒質を励
起すると、注入同期により、当該注入された高調波光Ｌ
ｂは、凸面ミラー２４と凹面ミラー２３との間（光共振
器）を往復して共振することにより増幅されて、レーザ
光Ｌｃとして出力される。
【０１３６】ところで、パワーモニタ４７は、反射ミラ
ー４３に入射した波長変換部４５からの高調波光Ｌｂの
うち、反射ミラー４３を透過した光（漏れ光）の出力
（光強度）を検出し、この検出結果（光強度を示す信
号）をメインコントローラ３０へ送出する。
【０１３７】また、パルスモニタ４６は、反射ミラー４
４に入射した高調波光Ｌｂのうち、反射ミラー４４を透
過した光（漏れ光）を検出し、この検出結果（パルス波
形を示す信号）をメインコントローラ３０へ送出する。
【０１３８】また、パルスモニタ２６は、放電電極２２
間で発生した放電による発光（放電光）Ｌｄを検出し、
この検出結果（パルス波形を示す信号）をメインコント
ローラ３０へ送出する。
【０１３９】さらに、パワーモニタ４８は、ビームスプ
リッタＢ・Ｓで反射した出力レーザ光Ｌｃの出力（光強
度）を検出し、この検出結果をメインコントローラ３０
へ出力する。
【０１４０】上述した各モニタからの検出結果を取得し
たメインコントローラ３０では、これらの検出結果に基
づいてレーザ光の光強度とパルス幅の調整を行う。
【０１４１】次に、メインコントローラ３０によるレー
ザ光の光強度とパルス幅の調整処理について、その調整
処理手順を示す図７を参照して説明する。
【０１４２】メインコントローラ３０は、レーザ発振動
作を繰り返し行っている状態で、パルスモニタ２６から
の放電光Ｌｄの波形を示す信号、及びパルスモニタ４６
からの高調波光Ｌｂの波形を示す信号を、異なるレーザ
発振について複数個取得すると共に、パワーモニタ４７
からの高調波光Ｌｂの出力（光強度）を示す信号、及び
パワーモニタ４８からの出力レーザ光Ｌｃの出力（光強
度）を示す信号を、異なるレーザ発振について複数個取
得する（ステップＳ１０１）。
【０１４３】これら各モニタからの各信号データは、メ
インコントローラ３０の図示しない記憶部に記憶され
る。
【０１４４】メインコントローラ３０は、上記記憶部に
記憶されたパルス波形に関するデータを参照することに
より、放電光Ｌｄの波形と高調波光Ｌｂの波形とを比較
して（ステップＳ１０２）、放電光Ｌｄのジッタに対す
る高調波光Ｌｂのパルス幅は適正か否かを判断する（ス
テップＳ１０３）。
【０１４５】なお、高調波光Ｌｂの注入期間中に、放電
光Ｌｄの全幅のうち、該放電光Ｌｄの先頭部が予め設定
される割合だけ入っていれば、放電光Ｌｄのジッタに対
する高調波光Ｌｂのパルス幅は適正であると判断される
ようになっている。
【０１４６】ステップＳ１０３において放電光Ｌｄのジ
ッタに対する高調波光Ｌｂのパルス幅が適正でないと判
断したメインコントローラ３０は、ガスレーザ装置２０
での放電光Ｌｄのジッタ（時間誤差）が大きいものと判
定して（ステップＳ１０４）、オシレータ１０により発
振されるレーザ光（シード光）Ｌａのパルス幅を長くす
るために、キャビティ長を伸長すべく、駆動用モータを
所定方向に回転させることで、直動ステージ１５を移動
制御する（ステップＳ１０５）。
【０１４７】その後、メインコントローラ３０は、次回
のパルスレーザ発振時のレーザ光（シード光）の光強度
及びパルス幅を調整すべく、上記ステップＳ１０１に戻
る。
【０１４８】以上までが、キャビティ長の調整による、
発振段からレーザ発振されるレーザ光（シード光）Ｌａ
のパルス幅の調整処理ということになる。
【０１４９】次に、キャビティ長の調整による、発振段
からレーザ発振されるレーザ光（シード光）Ｌａの光強
度の調整処理を説明する。
【０１５０】すなわち、上記ステップＳ１０３において
放電光Ｌｄのジッタに対する高調波光Ｌｂのパルス幅が
適正であると判断したメインコントローラ３０は、上記
記憶部に記憶されている光強度に関するデータを参照す
ることにより、高調波光Ｌｂの光強度は、予め設定され
た閾値Ｉｔｈ1以上の値であるか否か（光強度は正常で
あるか否か）を判断する（ステップＳ１０６）。
【０１５１】ここで、高調波光Ｌｂの光強度が上記閾値
Ｉｔｈ1より小さい値で異常であると判断したメインコ
ントローラ３０は、当然、注入同期がかかっていないの
であるから、出力レーザ光Ｌｃの光強度も異常であると
判定して、オシレータ１０から出力されるレーザ光（シ
ード光）つまり基本波光Ｌａの光強度を強くするため
に、キャビティ長を短くすべく、駆動用モータを所定方
向に回転させることで、直動ステージ１５を移動制御す
る（ステップＳ１０７）。
【０１５２】その後、メインコントローラ３０は、次回
のパルスレーザ発振時のレーザ光（シード光）の光強度
及びパルス幅を調整すべく、上記ステップＳ１０１に戻
る。
【０１５３】上記ステップＳ１０６において高調波光Ｌ
ｂの光強度が正常であると判断したメインコントローラ
３０は、出力レーザ光Ｌｃの光強度は、予め設定された
閾値Ｉｔｈ2以上の値であるか否か（光強度は正常であ
るか否か）を判断する（ステップＳ１０８）。
【０１５４】ステップＳ１０８において、光強度が閾値
Ｉｔｈ2よりも小さい値で異常であると判断された場合
には、上記ステップＳ１０３において放電光Ｌｄのジッ
タに対する高調波光Ｌｂのパルス幅が適正である旨の判
断が誤っていたことになる。
【０１５５】例えば、高調波光Ｌｂの注入期間中に、放
電光Ｌｄにおける予め設定される割合の放電光が含まれ
ている場合も、放電光Ｌｄのジッタに対する高調波光Ｌ
ｂのパルス幅は適正であると判断されるようになってい
るものの、何らかの原因で上記ステップＳ１０３におけ
る判断処理が誤っていたことになる。
【０１５６】そこで、ステップＳ１０８において、光強
度が閾値Ｉｔｈ2よりも小さい値で異常であると判断さ
れた場合には、再度、放電光Ｌｄのジッタに対する高調
波光Ｌｂのパルス幅は適正であるかを判定するために、
上記ステップＳ１０１に戻る。
【０１５７】一方、ステップＳ１０８において、光強度
が閾値Ｉｔｈ2以上の値で正常であると判断した場合
は、オシレータ１０において、パルス幅及び光強度が最
適化されたレーザ光（シード光）Ｌａが出力されたと認
識して（ステップＳ１０９）、この処理を終了する。
【０１５８】このときは、当然に、所望の光強度（上記
閾値Ｉｔｈ2以上の値）を有する出力レーザ光Ｌｃが得
られるということは言うまでもない。
【０１５９】なお、ここで、上記ステップＳ１０６での
閾値Ｉｔｈ1と上記ステップＳ１０８での閾値Ｉｔｈ2と
は異なった値であり、閾値Ｉｔｈ1はガスレーザ装置２
０において注入同期がかかる程度のシード光の光強度を
示す値に設定されており、一方、閾値Ｉｔｈ2は出力レ
ーザ光Ｌｃを用いて所定の処理（例えばレーザ加工処
理）を実施するのに必要な光強度を示す値に設定されて
いる。
【０１６０】上述したようにしてレーザ光（シード光）
Ｌａの光強度とパルス幅を制御するのは、下記の理由か
らである。
【０１６１】すなわち、直動ステージ１５を移動制御
（つまりリアミラーＭ１の位置を変更）し、リアミラー
Ｍ１とフロントミラーＭ２間の光共振器間隔（つまりキ
ャビティー長）を伸縮させると、チタンサファイア１１
から放出される光の往復する距離が変化する。これによ
って、レーザ利得の取り出しに要する時間が変化するこ
とになり、よってパルス幅が変わる。しかし、レーザ利
得の絶対量は変化しないため、図６に示したように、シ
ード光（第３高調波光に対応）のパルス幅を長くすれ
ば、その分、そのシード光の光強度は低下する。
【０１６２】一方、増幅段としてのガスレーザ装置２０
における放電光Ｌｄのジッタが大きい程、オシレータ１
０によってパルスレーザ発振されるレーザ光（シード
光）Lａのパルス幅を長くする必要がある。また、ガス
レーザ装置２０において注入同期がかかるためには、あ
る程度の光強度（上記閾値Ｉｔｈ2以上の値）が必要で
ある。
【０１６３】このようなことからパルス幅と光強度を制
御して最適化されたレーザ光（シード光）Ｌａを得る必
要があるので、本実施形態では、図７に示したような処
理手順を実行することにより、最適化されたレーザ光
（シード光）Ｌａを得るようにしている。
【０１６４】さらに、レーザチャンバ２１における放電
条件（放電電圧、チャンバ内圧力など）により、放電光
Ｌｄのジッタは変化することがあるので、図７に示した
処理手順を必要に応じて実施しても良い。
【０１６５】ところで、ガスレーザ電源２５に送出する
トリガ信号から放電電極２２による放電までの時間遅れ
（ディレイ）は、レーザ装置５０の長期間の繰り返し稼
働（レーザ発振動作）と共に徐々に変化する。そのディ
レイの変化に伴って変化する放電タイミングを一定にす
るため、放電光Ｌｄを検知して放電タイミングを制御す
る必要がある。
【０１６６】なお、ディレイは、レーザ媒質ガスの劣
化、放電電極２２の劣化、あるいはガスレーザ装置２０
内の雰囲気の温度変化、特に光路（光軸）近傍の雰囲気
の温度変化などに起因して変化する。
【０１６７】次に、このディレイに応じて放電タイミン
グを補正する補正処理について、その処理手順を示す図
８を参照して説明する。
【０１６８】メインコントローラ３０は、１パルスのレ
ーザ動作に関して基準となる時間に対する指定時間ｔａ
を経過した後、励起レーザ１３へトリガ信号を送出する
と共に（ステップＳ２０１）、１パルスのレーザ動作に
関して基準となる時間に対する指定時間ｔｂを経過した
後、増幅段としてのガスレーザ装置２０のガスレーザ電
源２５へトリガ信号を送出する（ステップＳ２０２）。
【０１６９】すると、オシレータ１０では、上述したよ
うに、上記トリガ信号に基づいてシード光（基本波光）
Ｌａを出力する。この基本波光Ｌａは、波長変換部４５
によって高調波光Ｌｂに波長変換された後、ガスレーザ
装置２０へ入射（注入）される。
【０１７０】一方、ガスレーザ装置２０では、上述した
ように、高調波光Ｌｂが注入されている期間中に、上記
トリガ信号に基づいて放電電極２２による放電によりレ
ーザ媒質を励起して、注入同期によりレーザ光Ｌｃを出
力する放電電極２２による放電が行われるとき、パルス
モニタ２６では、この放電による発光（放電光）Ｌｄを
検出し（ステップＳ２０３）、この検出結果をメインコ
ントローラ３０へ送出する。
【０１７１】メインコントローラ３０は、パルスモニタ
２６からの検出結果に基づいてディレイを演算する（ス
テップＳ２０４）。
【０１７２】すなわち、ガスレーザ電源２５へ送出した
トリガ信号の例えば立ち上がり時点から、パルスモニタ
２６からの検出結果つまり発光パルスの所定の時点まで
の時間（つまりディレイ）を演算する。
【０１７３】さらに、メインコントローラ３０は、ステ
ップＳ２０１〜Ｓ２０４までが所定回数ｎだけ実施され
たか否かを判断し（ステップＳ２０５）、実施されてい
ない場合には、ステップＳ２０１へ戻り、一方、実施さ
れている場合は、ステップＳ２０４で演算されたｎ回分
のディレイの平均値を求める。
【０１７４】この平均されたディレイを示すデータ（以
下、ディレイデータという）は、ステップＳ２０５を処
理する毎に、メインコントローラ３０に設けられている
図示しない記憶部に記憶される。ここでは、前回の処理
時のディレイデータと今回の処理時のディレイデータと
が上記記憶部に記憶されるようになっている。なお、デ
ィレイの変化情報を履歴情報として残すため、前回以前
のディレイデータも記憶するようにしても良い。
【０１７５】そして、メインコントローラ３０は、上記
記憶部に記憶されている前回のディレイデータと今回の
ディレイデータに基づいて、ディレイのドリフトが有る
か否かを判定し（ステップＳ２０６）、ドリフトが有る
と判定した場合は、前回のディレイと今回のディレイと
の差つまりドリフト量を求め、この求めたドリフト量分
だけ元に戻すように、指定時間の設定を変更する（ステ
ップＳ２０７）。
【０１７６】この指定時間の設定の変更は、次回のトリ
ガ信号の送出時に、ガスレーザ電源２５又は励起レーザ
１３へのトリガ信号の送出タイミング（指定時間ｔａま
たは指定時間ｔｂ）を、今回送出したトリガ信号の送出
タイミングとは異なるようにすることで行う。
【０１７７】ガスレーザ装置２０において、例えば光路
（光軸）近傍の雰囲気温度の変化に起因してディレイが
短くなる場合がある。そこで、放電タイミングを一定に
するためには、例えば、ガスレーザ電源２５へ送出する
トリガ信号の送出タイミングを遅くすれば良い。例え
ば、雰囲気温度が変化したことに起因して、前回のディ
レイＴ１と今回のディレイＴ２（Ｔ１＞Ｔ２）との差
（ドリフト量）が時間Ｔの場合は、ガスレーザ電源２５
への次回のトリガ信号の送出タイミング（指定時間ｔ
ｂ）を前記時間Ｔ分だけ遅らせる。
【０１７８】以上の処理をレーザ発振動作中に実施し続
けることで、ディレイに応じて放電タイミングが補正さ
れたことになり、安定した出力レーザ光Ｌｃを得ること
ができる。
【０１７９】なお、上述した第２の実施形態では、増幅
段としてのガスレーザ装置２０でのガスレーザの種類と
して、クリプトンフッ素（ＫｒＦ）エキシマレーザ（波
長２４８ｎｍ）を用いるようにしているが、これに限定
されることなく、ＸｅＣｌエキシマレーザ（波長３０８
ｎｍ）、ＸｅＦエキシマレーザ（波長３５３ｎｍ）、ア
ルゴンフッ素（ＡｒＦ）エキシマレーザ（波長１９３ｎ
ｍ）などのエキシマレーザやフッ素（Ｆ２）レーザ（波
長１５７ｎｍ）を用いるようにしても良い。
【０１８０】この場合、波長変換部４５によって、発振
段からレーザ発振される基本波光を、増幅段での発振波
長に適合するように波長変換する必要がある。
【０１８１】例えば、増幅段にフッ素（Ｆ２）レーザを
用いる場合には、波長変換部４５においては、図５に示
す構成において、ＣＬＢＯ４５Ｃの後段に、非線形光学
素子としてのＣＬＢＯを１個追加し、また、４ω用ミラ
ー４５Ｄを第５高調波光（５ω）のみを反射させる５ω
用ミラーに変更する必要がある。
【０１８２】この新たなＣＬＢＯは、ＣＬＢＯ４５Ｃか
ら出力された光を基に、基本波光と第４高調波光との和
周波混合により第５高調波光（５ω）を生成し、この生
成した第５高調波光、残存する基本波光及び第２乃至第
４高調波光を出力する。また、５ω用ミラーは、新たな
ＣＬＢＯから出力された光のうち、第５高調波光（５
ω）のみを反射させる。これによって、フッ素（Ｆ２）
レーザの場合は、波長が７８５ｎｍのレーザ光Ｌａ（基
本波光）を第５高調波光であるレーザ光Ｌｂに波長変換
することができる。
【０１８３】また、上述した第２の実施形態では、波長
変換部４５において、非線形光学素子としてのＬＢＯお
よびＢＢＯに代替して、ＣＬＢＯ、ＫＴＰ（ＫＴｉＯＰ
Ｏ４）などの非線形光学素子を用いるようにしても良
い。
【０１８４】さらに、第２の実施形態においても、上記
第１の実施形態において説明した（Ａ）から（Ｆ）の応
用例を実施することができる。なお、応用例（Ａ）の
（１）の場合においては、共振器長調整コントローラ１
９に代替してメインコントローラ３０が、駆動用モータ
を所定の方向に回転させることで、直動ステージを移動
制御することになる。
【０１８５】以上説明したように第２の実施形態によれ
ば、Ｆ２レーザや、エキシマレーザ（ＫｒＦ、ＡｒＦな
ど）のレーザ機種におけるあるひとつのレーザ機種につ
いて、その装置毎に固有なジッタ（発振時の時間誤
差）、飽和強度（注入同期に必要な発振段のレーザ強
度）に合うように、上述した図７に示した処理手順に従
ってオシレータ１０のキャビティ長を伸縮することで、
パルス幅および光強度を制御して最適化されたシード光
Ｌａを得ることができる。
【０１８６】このことは、増幅段としてのガスレーザ装
置２０において、たとえば電極２２、ガスレーザ電源２
５などが異なっているものの、発振波長が同じ（つま
り、レーザ媒質ガスが同じ）で有れば、発振段としての
オシレータ１０の設計の変更なしで、所望のレーザ特性
を得ることが可能となることを意味する。
【０１８７】すなわち、電極２２のサイズ、電極間隔、
形状などが異なっていたり、あるいはガスレーザ電源２
５の充電方式、パルス圧縮方式、スイッチング方式など
が異なることにより、ガスレーザ装置２０におけるレー
ザ特性（ジッタも含む）が異なってくる。しかし、本実
施形態では、レーザ媒質ガスが同じ（つまり発振波長が
同じ）で有れば、発振段としてのオシレータ１０の設計
の変更なしで、所望のレーザ特性を得ることが可能とな
る。
【０１８８】したがって、ある固有なジッタおよび飽和
強度を有するレーザ装置５０を設計し、製作した後にお
いては、上述した図７の処理手順に従ったシード光Ｌａ
についてのパルス幅及び光強度の調整により、増幅段と
してのガスレーザ装置に注入されるレーザ光のパルス幅
および光強度を、発振段としてのオシレータのキャビテ
ィ長（光共振器長）を変更することで、調整することが
できる。
【０１８９】因みに、従来技術においては、発振段とし
てのオシレータの設計段階でキャビティ長を決定した
後、パルス発振されるレーザ光のパルス幅を広げたい場
合は、レーザ装置全体の設計をやり直さなければならな
かった。
【０１９０】［第３の実施の形態］図９は、第３の実施
形態に係るレーザ装置６０の構成を示す構成図である。
【０１９１】このレーザ装置６０は、図４に示した第２
の実施形態に係るレーザ装置５０の構成において、パワ
ーモニタ４７を削除した構成になっている。なお、同図
９において、図４に示した構成要素と同様の機能を果た
す部分には同一の符号を付している。
【０１９２】この実施形態では、ディレイに応じた放電
タイミングの補正処理は、上記第２の実施形態の場合と
同様である。
【０１９３】しかし、この実施形態においては、ガスレ
ーザ例えばエキシマレーザの装置毎に固有なジッタ（発
振時の時間誤差）、飽和強度（注入同期に必要なオシレ
ータ段のレーザ強度）に合うように、パルス幅と光強度
を調整する処理は、メインコントローラ３０による自動
制御は行うことができないので、レーザ装置を調整する
者（作業者）によって行うようにしている。
【０１９４】すなわち、この第３の実施形態において、
パルス幅と光強度を調整するための、リアミラーＭ１と
フロントミラーＭ２との間の光路長つまりキャビティ長
を変更する方法としては、下記の３通りの方法がある。
【０１９５】第１の方法としては、直動ステージ１５を
人手により駆動モータのスイッチを操作して、リアミラ
ーＭ１の位置を変更することでキャビティ長を変更す
る。
【０１９６】第２の方法としては、直動ステージ１５の
代わりにリニアガイドを設置し、人手によりリニアガイ
ドを移動して、リアミラーＭ１の位置を変更することで
キャビティ長を変更する。
【０１９７】最後に、第３の方法としては、直動ステー
ジ１５の代わりに光路上の任意の位置にミラーを取り付
けることが可能なミラー取付部を複数設置し、リアミラ
ーＭ１を特定のミラー取付部に取り付けることでキャビ
ティ長を変更する。さらに、ミラー取付部を光路上の任
意の位置に取り付け、取り外しが自由な形態にすること
で、ミラー取付部を複数設置する必要が無くなり、リア
ミラーＭ１をミラー取付部に取り付けた状態で、必要に
応じて自由に位置変更ができる。
【０１９８】また、この第３の実施形態では、パルスモ
ニタ２６、４６による放電光検出の結果、パワーモニタ
４８による出力レーザ光検出の結果を、表示する手段が
必要となる。表示する手段は、表示のための信号を各モ
ニタ２６、４６、４８から直接取得してもよいし、メイ
ンコントローラ３０を介して取得するようにしてもよ
い。
【０１９９】そして、上記作業者は、その表示する手段
に表示された表示内容を参照して、例えば、出力レーザ
光Ｌｃの光強度が所定の値に達していないと認識した場
合には、一旦レーザ装置６０を停止させた後、キャビテ
ィ長を短くすべく、直動ステージ１５を移動させる。
【０２００】さらに、第３の実施形態においても、上記
第１の実施形態において説明した（Ａ）から（Ｆ）の応
用例を実施することができる。なお、応用例（Ａ）の
（１）の場合においては、構造上、人手により直動ステ
ージを移動することになる。
【０２０１】以上説明したように、第３の実施形態によ
れば、キャビティ長の変更は作業者（人手）が行うもの
の、上記第２の実施形態と同様の作用効果を期待するこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係るレーザ装
置１の構成を示す構成図である。
【図２】図２は光共振器中の相対的距離と１／ｅ＾２の
半径との関係を示す図である。
【図３】図３はオシレータのキャビティ長と発振波形と
の関係を説明するための図である。
【図４】図４は本発明の第２の実施形態に係るレーザ装
置５０の構成を示す構成図である。
【図５】図５は図４に示したレーザ装置の波長変換部４
５の構成を示す構成図である。
【図６】図６は第２の実施形態でのオシレータにおける
キャビティ長とレーザ発振されるレーザ光のパルス幅と
そのレーザ光の光強度との関係を示す図である。
【図７】図７はオシレータにおいてレーザ発振されるレ
ーザ光のパルス幅及び光強度を調整するための処理手順
を示すフローチャートである。
【図８】図８はディレイに応じて放電タイミングを補正
するための処理手順を示すフローチャートである。
【図９】図９は本発明の第３の実施形態に係るレーザ装
置の構成を示す構成図である。
【符号の説明】
１、５０、６０ レーザ装置 １０ オシレータ（発振段） １３ 励起レーザ １５ 直動ステージ １８、４７、４８ パワーモニタ １９ 共振器長調整コントローラ ２０ ガスレーザ装置（増幅段） ２１ レーザチャンバ ２２ 放電電極 ２５ ガスレーザ電源 ２６、４６ パルスモニタ ３０ メインコントローラ ４５ 波長変換部 Ｍ１ リアミラー Ｍ２ フロントミラー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 楡 孝 神奈川県平塚市万田1200 株式会社小松製 作所研究所内 Ｆターム(参考） 5F071 AA06 HH02 HH07 HH09 JJ05 5F072 AB20 HH02 JJ05 KK07 KK08 KK12 PP10

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】光共振器と、該光共振器中に配置されるレ
    ーザ媒質と、該レーザ媒質を励起する励起源とを有し、
    前記励起源によって励起された前記レーザ媒質からの励
    起光を前記光共振器間で共振させてレーザ光をレーザ発
    振するレーザ装置において、 前記光共振器は、 当該共振器長が調整可能に配置されていると共に、 前記レーザ発振されたレーザ光を検出する検出手段と、 前記検出手段により検出された検出結果に基づいて、前
    記光共振器の共振器長を調整する調整手段とを備えたこ
    とを特徴とするレーザ装置。
  2. 【請求項２】共振器長が調整可能に配置される光共振器
    を有し、該光共振器で共振した光をシード光として出力
    する発振段と、 レーザ媒質と励起源とを有し、前記励起源による前記レ
    ーザ媒質の励起と、前記発振段から出力されるシード光
    の注入とが同期した場合に、当該シード光を誘導放出に
    より増幅してパルス光を出力する増幅段と、 前記パルス光を検出する検出手段とを備え、 前記検出手段により検出された検出結果に基づいて前記
    光共振器の共振器長を調整するようにしたことを特徴と
    するレーザ装置。
  3. 【請求項３】共振器長が調整可能に配置される光共振器
    で共振した光をシード光として出力する発振ステップ
    と、 レーザ媒質を励起する励起源による当該レーザ媒質の励
    起と、前記発振ステップにより出力されるシード光の注
    入とが同期した場合に、当該シード光を誘導放出により
    増幅してパルス光を出力する増幅ステップと、 前記パルス光を検出する検出ステップと、 前記検出ステップにより検出された検出結果に基づいて
    前記光共振器の共振器長を調整する調整ステップとを含
    むことを特徴とするシード光の最適化方法。
JP2001180418A 2000-08-28 2001-06-14 レーザ装置及びシード光の最適化方法 Withdrawn JP2002151779A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001180418A JP2002151779A (ja) 2000-08-28 2001-06-14 レーザ装置及びシード光の最適化方法
US09/931,035 US20020024978A1 (en) 2000-08-28 2001-08-17 Laser device and seed light optimization method

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000-257520 2000-08-28
JP2000257520 2000-08-28
JP2001180418A JP2002151779A (ja) 2000-08-28 2001-06-14 レーザ装置及びシード光の最適化方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2002151779A true JP2002151779A (ja) 2002-05-24

Family

ID=26598594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2001180418A Withdrawn JP2002151779A (ja) 2000-08-28 2001-06-14 レーザ装置及びシード光の最適化方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20020024978A1 (ja)
JP (1) JP2002151779A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008533703A (ja) * 2005-02-28 2008-08-21 サイマー インコーポレイテッド Ｌｐｐのｅｕｖ駆動レーザ
JP2010188396A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法
JP2011014685A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射装置、及びレーザ照射方法
JP2011249399A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Mitsutoyo Corp レーザ光源、及びレーザ光源の調整システム
JP2012204820A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Gigaphoton Inc レーザシステムおよびレーザ生成方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE524828C2 (sv) * 2002-06-06 2004-10-12 Alfa Exx Ab Resonator
US7058097B2 (en) * 2003-09-04 2006-06-06 Peleton Photonic Systems Inc. Wavelength locking for multi-wavelength laser source
DE102004042556B4 (de) * 2004-09-02 2008-05-08 Hitachi Via Mechanics, Ltd., Ebina Laserlichtquelle, Verfahren zum Bearbeiten von Werkstücken mittels gepulster Laserstrahlung
JP2006123004A (ja) * 2004-09-29 2006-05-18 Mitsubishi Materials Corp レーザ加工方法及びレーザ加工装置
EP1850427A1 (de) * 2006-04-29 2007-10-31 Technomedica AG Injektionssynchronisierung eines Gaslasers mit inkohärentem Licht zur Frequenzstabilisierung
CN100403607C (zh) * 2006-07-31 2008-07-16 华东师范大学 内腔产生高次谐波的方法
US7732731B2 (en) * 2006-09-15 2010-06-08 Gsi Group Corporation Method and system for laser processing targets of different types on a workpiece
US8102887B2 (en) * 2009-05-26 2012-01-24 Corning Incorporated Edge bonded optical packages
US8111452B2 (en) * 2010-02-22 2012-02-07 Corning Incorporated Wavelength conversion device with microlens and optical package incorporating the same
CN102801101B (zh) * 2012-07-26 2014-12-10 华为技术有限公司 一种石墨烯发光器、使用所述石墨烯发光器的散热装置以及光传输网络节点
JP5941112B2 (ja) * 2014-09-30 2016-06-29 ファナック株式会社 ビーム品質を向上させるレーザ発振器
CN108448375A (zh) * 2018-04-27 2018-08-24 国科世纪激光技术（天津）有限公司 固定脉宽腔内倍频绿光激光器以及操作方法
CN108471042A (zh) * 2018-04-27 2018-08-31 国科世纪激光技术（天津）有限公司 固定脉宽腔内倍频紫外激光器以及操作方法
CN108521071A (zh) * 2018-04-27 2018-09-11 国科世纪激光技术（天津）有限公司 不同频率固定脉宽固体激光器以及操作方法
WO2022187598A2 (en) * 2021-03-05 2022-09-09 Quantum Photonics Corporation Methods, systems, and apparatuses for producing, generating and utilizing power and energy

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008533703A (ja) * 2005-02-28 2008-08-21 サイマー インコーポレイテッド Ｌｐｐのｅｕｖ駆動レーザ
JP2010188396A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Hitachi High-Technologies Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法
JP2011014685A (ja) * 2009-07-01 2011-01-20 Sumitomo Heavy Ind Ltd レーザ照射装置、及びレーザ照射方法
JP2011249399A (ja) * 2010-05-24 2011-12-08 Mitsutoyo Corp レーザ光源、及びレーザ光源の調整システム
JP2012204820A (ja) * 2011-03-28 2012-10-22 Gigaphoton Inc レーザシステムおよびレーザ生成方法
US9184555B2 (en) 2011-03-28 2015-11-10 Gigaphoton Inc. Laser system and laser light generation method

Also Published As

Publication number Publication date
US20020024978A1 (en) 2002-02-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2002151779A (ja) レーザ装置及びシード光の最適化方法
JP5100990B2 (ja) 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ及びｌｐｐ型極端紫外光源装置
US6721344B2 (en) Injection locking type or MOPA type of laser device
US8537459B2 (en) Method and apparatus for controlling and protecting pulsed high power fiber amplifier systems
US5982789A (en) Pulsed laser with passive stabilization
JP5844536B2 (ja) レーザシステムおよびレーザ生成方法
JP2007523499A (ja) レーザ装置
US8514899B2 (en) Laser system and laser light generation method
US9825421B2 (en) Single pulse laser apparatus
WO2016181488A1 (ja) 受動ｑスイッチレーザ及びその動作最適化方法
JP3879889B2 (ja) インジェクションロック型狭帯域化パルスレーザ装置
JPH09298332A (ja) 波長可変レーザーにおける波長選択可能なレーザー発振装置
JPH11121854A (ja) 光源装置
JP2012038895A (ja) ファイバレーザ光源およびそれを用いた波長変換レーザ光源
KR20030081482A (ko) 고 반복률 유브이 엑시머 레이저
JP2001244530A (ja) 超短パルスレーザー発振装置
JPH11298083A (ja) 注入同期型狭帯域レーザ
JP2541478B2 (ja) 露光装置
EP0904615B1 (en) Pulsed laser with passive stabilization
Ostermeyer et al. 50 Watt average output power with 1.2* DL beam quality from a single rod Nd: YALO laser with phase-conjugating SBS mirror
JPH10200177A (ja) レーザーダイオード励起固体レーザー
JPH0653577A (ja) 波長可変固体レーザ発振装置
KR20020022136A (ko) 1ｐｍ이하의 스펙트럼 선폭을 구비한 분자 불소 레이저
JP5242758B2 (ja) 極端紫外光源装置用ドライバーレーザ及びｌｐｐ型極端紫外光源装置
JP2001339115A (ja) レーザ装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080131

A761 Written withdrawal of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761

Effective date: 20090821