JP2012204820A - レーザシステムおよびレーザ生成方法 - Google Patents

レーザシステムおよびレーザ生成方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012204820A
JP2012204820A JP2011071168A JP2011071168A JP2012204820A JP 2012204820 A JP2012204820 A JP 2012204820A JP 2011071168 A JP2011071168 A JP 2011071168A JP 2011071168 A JP2011071168 A JP 2011071168A JP 2012204820 A JP2012204820 A JP 2012204820A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
timing
laser
discharge
controller
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011071168A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5844536B2 (ja
Inventor
Masaya Yoshino
雅也 吉野
Takashi Onose
貴士 小野瀬
Osamu Wakabayashi
理 若林
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gigaphoton Inc
Original Assignee
Gigaphoton Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gigaphoton Inc filed Critical Gigaphoton Inc
Priority to JP2011071168A priority Critical patent/JP5844536B2/ja
Priority to US13/427,568 priority patent/US8861558B2/en
Publication of JP2012204820A publication Critical patent/JP2012204820A/ja
Priority to US14/298,563 priority patent/US9184555B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5844536B2 publication Critical patent/JP5844536B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0085—Modulating the output, i.e. the laser beam is modulated outside the laser cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/10007—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers
    • H01S3/10023—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating in optical amplifiers by functional association of additional optical elements, e.g. filters, gratings, reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1305—Feedback control systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • H01S3/134—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation in gas lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/22—Gases
    • H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
    • H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
    • H01S3/2251—ArF, i.e. argon fluoride is comprised for lasing around 193 nm
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • H01S3/2333—Double-pass amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0092—Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1631—Solid materials characterised by a crystal matrix aluminate
    • H01S3/1636—Al2O3 (Sapphire)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2316—Cascaded amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA
    • H01S3/2325—Multi-pass amplifiers, e.g. regenerative amplifiers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2366—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media comprising a gas as the active medium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

【課題】安定したレーザ光を得る。
【解決手段】レーザシステムは、パルスレーザ光を出力するマスタオシレータと、前記マスタオシレータから出力されたパルスレーザ光を増幅する増幅装置と、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光のタイミングを検出する第１のタイミング検出器と、前記増幅装置の放電タイミングを検出する第２のタイミング検出器と、前記第１のタイミング検出器と前記第２のタイミング検出器との検出結果に基づいて、前記パルスレーザ光が前記増幅装置の放電空間内を通過する際に該増幅装置が放電するように、前記マスタオシレータが前記パルスレーザ光を出力するタイミングおよび前記増幅装置が放電するタイミングのうち少なくとも一方を制御するコントローラと、を備えてもよい。
【選択図】図２

Description

本開示は、レーザシステムおよびレーザ生成方法に関する。
半導体リソグラフィプロセスに使用される典型的な紫外線光源エキシマレーザは、波長がおよそ２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザと波長がおよそ１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザである。
そうしたＡｒＦエキシマレーザの殆どは発振段レーザと増幅段を含む２ステージレーザシステムとして市場に供給されている。２ステージのＡｒＦエキシマレーザシステムの発振段レーザと増幅段の共通する主要な構成を説明する。発振段レーザは第１チャンバを有し、増幅段は第２チャンバを有する。それらの第１、第２チャンバ内にレーザガス（Ｆ２、Ａｒ、Ｎｅ、Ｘｅの混合ガス）が封入されている。発振段レーザと増幅段はまた、前記レーザガスを励起するために電気エネルギーを供給する電源を有する。発振段レーザと増幅段とはそれぞれ電源を有することができるが、１台の電源を共有することもできる。前記第１チャンバ内には、それぞれが前記電源に接続された第１アノードと第１カソードとを含む第１放電電極が設置され、前記第２チャンバ内にも同様にそれぞれが前記電源に接続された第２アノードと第２カソードとを含む第２放電電極が設置されている。
発振段レーザ特有の構成は、例えば狭帯域モジュールである。狭帯域モジュールは典型的にはひとつのグレーティングと少なくともひとつのプリズムビームエキスパンダとを含む。半透過ミラーと前記グレーティングとが光共振器を構成し、これらの半透過ミラーとグレーティングとの間に発振段レーザの前記第１チャンバが設置されている。
前記第１放電電極の第１アノードと第１カソードとの間に放電が発生されると前記レーザガスが励起されて、その励起エネルギーを放出する際に光が発生する。その光が前記狭帯域モジュールによって波長選択されたレーザ光となって発振段レーザから出力される。
増幅段が共振器構造を含むレーザである場合の２ステージレーザシステムをＭＯＰＯと言い、増幅段が共振器構造を含まずレーザではない場合の２ステージレーザシステムをＭＯＰＡと言う。前記発振段レーザからのレーザ光が前記増幅段の第２チャンバ内に存在するときに、前記第２放電電極の第２アノードと第２カソードとの間に放電を発生させる制御が行なわれる。これにより前記第２チャンバ内のレーザガスが励起されて、前記レーザ光が増幅されて増幅段から出力される。
米国特許出願公開第２００９−６７４６８号明細書
概要
本開示の一態様によるレーザシステムは、パルスレーザ光を出力するマスタオシレータと、前記マスタオシレータから出力されたパルスレーザ光を増幅する増幅装置と、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光のタイミングを検出する第１のタイミング検出器と、前記増幅装置の放電タイミングを検出する第２のタイミング検出器と、前記第１のタイミング検出器と前記第２のタイミング検出器との検出結果に基づいて、前記パルスレーザ光が前記増幅装置の放電空間内を通過する際に該増幅装置が放電するように、前記マスタオシレータが前記パルスレーザ光を出力するタイミングおよび前記増幅装置が放電するタイミングのうち少なくとも一方を制御するコントローラと、を備えてもよい。
本開示の他の態様によるレーザ生成方法は、パルスレーザ光を出力するマスタオシレータ、前記マスタオシレータから出力されたパルスレーザ光を増幅する増幅装置と、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光のタイミングを検出する第１のタイミング検出器と、前記増幅装置の放電タイミングを検出する第２のタイミング検出器と、を備える装置のレーザ生成方法であって、前記第１のタイミング検出器と前記第２のタイミング検出器との検出結果に基づいて、前記パルスレーザ光が前記増幅装置の放電空間内を通過する際に該増幅装置が放電するように、前記マスタオシレータが前記パルスレーザ光を出力するタイミングおよび前記増幅装置が放電するタイミングのうち少なくとも一方を制御してもよい。
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
図１は、本開示の実施の形態１による波長変換素子を有する固体レーザ装置およびそれを用いた２ステージレーザ装置の一例の概略構成を示す。 図２は、本開示の実施の形態２によるレーザシステムの概略構成を示す。 図３は、実施の形態２における発振タイミングの検出位置の例を示す。 図４は、実施の形態２における放電用の電力を供給するタイミングを計測する構成例を示す。 図５に示すセンサの具体例を示す。 図６に示すセンサの他の具体例を示す。 図７は、実施の形態２において放電空間に実際に放電が発生したことを光センサを用いて検出する場合を示す。 図８は、本開示の実施の形態２によるレーザシステムの概略動作を示すフローチャートである。 図９は、実施の形態２における図８のステップＳ１０１に示すパラメータ初期設定ルーチンの概略動作を示すフローチャートである。 図１０は、実施の形態２において図８のステップＳ１０３によってコントローラが開始する動作を示すフローチャートである。 図１１は、実施の形態２において図８のステップＳ１０４によってレーザコントローラが開始する動作を示すフローチャートである。 図１２は、実施の形態２における図８のステップＳ１０８の詳細を示すフローチャートである。 図１３は、本開示の実施の形態３によるレーザシステムの概略構成を示す。 図１４は、本実施の形態３による光シャッタの一例を示す。 図１５は、本実施の形態２におけるポッケルスセルに印加する高電圧パルスの一例を示す。 図１６は、本実施の形態２におけるロングパルスマスタオシレータから出力されるパルスレーザ光の一例を示す。 図１７は、本実施の形態２における光シャッタを通過したパルスレーザ光の一例を示す。 図１８は、実施の形態３における図８のステップＳ１０１に示すパラメータ初期設定ルーチンの概略動作を示すフローチャートである。 図１９は、実施の形態３において図８のステップＳ１０３によってコントローラが開始する動作を示すフローチャートである。 図２０は、実施の形態３において図８のステップＳ１０４によってレーザコントローラが開始する動作を示すフローチャートである。 図２１は、実施の形態３における図８のステップＳ１０８の詳細を示すフローチャートである。 図２２は、実施の形態１〜３にかかるＴｉ：サファイアレーザの一例を示す。 図２３は、実施の形態１〜３にかかる増幅器の一例を示す。 図２４は、実施の形態１〜３にかかるファブリーペロー型の増幅器の概略構成を示す。
実施の形態
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示の一例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。なお、以下の説明では、下記目次の流れに沿って説明する。
目次
１．概要
２．用語の説明
３．マスタオシレータと増幅装置とを備えたレーザシステム（実施の形態１）
３．１ 構成
３．２ 動作
４．マスタオシレータと増幅装置との同期をフィードバック制御するレーザシステム（実施の形態２）
４．１ 構成
４．２ 動作
４．３ 作用
４．４ 発振タイミング計測用のセンサ配置例
４．５ 放電タイミング計測用のセンサ例
４．５．１ レーザ電源内部のセンサによって放電タイミングを計測する例
４．５．１．１ センサの第１構成例
４．５．１．２ センサの第２構成例
４．５．２ 光センサによって放電タイミングを計測する例
４．６ フローチャート
５．光シャッタを含むマスタオシレータと増幅装置との同期をフィードバック制御するレーザシステム（実施の形態３）
５．１ 構成
５．１．１ 光シャッタ
５．２ 動作
５．３ 作用
５．４ フローチャート
６．補足説明
６．１ Ｔｉ：サファイアレーザ
６．２ 増幅器（ＰＡ）
６．３ 光共振器を含む増幅器（ＰＯ）
１．概要
以下で例示する実施の形態では、マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光と、レーザガスを含む増幅装置の動作（放電）タイミングとを同期させてもよい。
２．用語の説明
ＫＢＢＦ結晶とは、化学式ＫＢｅ２ＢＯ３Ｆ２で表される非線形光学結晶であり、波長変換素子である。バースト発振とは、所定の期間に、所定の繰返し周波数で、パルスレーザ光を出力することである。光路とは、レーザ光が伝搬する経路のことである。
３．マスタオシレータと増幅装置とを備えたレーザシステム（実施の形態１）
３．１ 構成
図１に本開示の実施の形態１による２ステージレーザ装置の一例の概略構成を示す。
２ステージレーザ装置（以下、レーザシステムという）１は、マスタオシレータ２と、増幅装置３とを含んでもよい。マスタオシレータ２は、たとえば波長変換素子を有してもよい。増幅装置３は、たとえば放電励起式ＡｒＦエキシマ増幅器であってよい。前記マスタオシレータ２と前記増幅装置３との間には、低コヒーレンス化光学システム４が設置されてもよい。低コヒーレンス化光学システム４としては、光学パルスストレッチャーやランダム位相板等のシステムを使用してよい。
次に、マスタオシレータ２について説明する。マスタオシレータ２は、ポンピングレーザ５と、Ｔｉ：サファイアレーザ６と、増幅器７と、ビームスプリッタ８１と、高反射ミラー８２と、ＬＢＯ結晶９と、ＫＢＢＦ結晶１０と、高反射ミラー１１とを含んでもよい。
ポンピングレーザ５は、たとえば半導体レーザ励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波光を発振するレーザであってもよい。Ｔｉ：サファイアレーザ６は、Ｔｉ：サファイア結晶と光共振器を含んでもよい。増幅器７は、Ｔｉ：サファイア結晶を含む増幅器であってよい。
次いで、増幅装置３について説明する。増幅装置３は、チャンバ２０と、一対の放電電極（アノード２１およびカソード２２）と、出力結合ミラー１４と、高反射ミラー１５、１６、および１７とを含んでもよい。チャンバ２０内には、レーザガスが封入されていてもよい。このレーザガスは、Ａｒ、Ｎｅ、Ｆ２、およびＸｅの混合ガスでもよい。アノード２１およびカソード２２は、チャンバ２０内に設置されてもよい。アノード２１およびカソード２２は、図１の紙面に沿った方向に間隔を開けて配置してもよい。アノード２１およびカソード２２は、図１の紙面に対して垂直方向に配列していてもよい。アノード２１およびカソード２２の間は、放電空間２３であってよい。チャンバ２０には、パルスレーザ光３２を透過するウィンドウ１８および１９が取り付けてあってもよい。また、図示を省略した電源がチャンバ２０の外に設置されていてもよい。
前記出力結合ミラー１４と高反射ミラー１５、１６、および１７とは、リング光共振器を構成していてもよい。出力結合ミラー１４は、一部の光を透過し、一部の光を反射する素子であってもよい。
３．２ 動作
マスタオシレータ２は、波長がおよそ１９３ｎｍのパルスレーザ光３１を出力してもよい。低コヒーレンス化光学システム４は、前記パルスレーザ光３１のコヒーレンシーを低下させてもよい。増幅装置３は、コヒーレンシーの低下したパルスレーザ光３２を増幅してパルスレーザ光３３として出力してもよい。パルスレーザ光３３は、例えば図示していない半導体露光機へ送られて、露光処理に使用されてもよい。
ポンピングレーザ５からは、波長がおよそ５３２ｎｍの励起光（ポンピング光ともいう）５１が出力されてもよい。励起光５１の一部は、ビームスプリッタ８１を透過してもよい。励起光５１の他の一部はビームスプリッタ８１で反射してもよい。ビームスプリッタ８１を透過した励起光５１は、Ｔｉ：サファイアレーザ６を励起してもよい。励起されたレーザ６からは、波長がおよそ７７３．６ｎｍのパルスレーザ光が出力されてもよい。ここで、Ｔｉ：サファイアレーザ６は、図示しない波長選択素子を備える光共振器を含んでもよい。このＴｉ：サファイアレーザ６からは、波長選択素子によって狭帯域化されたスペクトル幅のパルスレーザ光が出力されてもよい。
ポンピングレーザ５から出力された励起光５１のうち、ビームスプリッタ８１で反射した励起光５１は、さらに高反射ミラー８２で反射されてもよい。この反射した励起光５１は、Ｔｉ：サファイアの増幅器７に入射し、これが備えるＴｉ：サファイア結晶を励起してもよい。増幅器７はその励起エネルギーによってＴｉ：サファイアレーザ６から出力されたパルスレーザ光を増幅してもよい。この結果、増幅器７からは、波長がおよそ７７３．６ｎｍのパルスレーザ光が出力されてもよい。
Ｔｉ：サファイアの増幅器７から出力されたパルスレーザ光は、波長変換素子であるＬＢＯ結晶９を透過することで、波長がおよそ３８６．８ｎｍ（前記７７３．６ｎｍの１／２）のパルスレーザ光へ変換されてもよい。波長変換後のパルスレーザ光は、波長変換素子であるＫＢＢＦ結晶１０を透過することで、波長がおよそ１９３．４ｎｍ（前記３８６．８ｎｍの１／２）のパルスレーザ光３１へさらに変換されてもよい。
ＫＢＢＦ結晶１０を透過後のパルスレーザ光３１は、高反射ミラー１１によって進行方向を変えられて、低コヒーレンス化光学システム４に入射してもよい。パルスレーザ光３１のコヒーレンスは、低コヒーレンス化光学システム４を透過することによって低下してもよい。そのコヒーレンスが低下したパルスレーザ光３２は増幅装置３に入射してもよい。
チャンバ２０内のアノード２とカソード２２に電気的に接続された電源は、アノード２１およびカソード２２間に電位差を加えてもよい。これにより、増幅装置３の放電空間２３にパルスレーザ光３２が通過するタイミングで、アノード２１およびカソード２２間で放電が発生してもよい。
低コヒーレンス化光学システム４を出射したパルスレーザ光３２の一部は、出力結合ミラー１４を透過して、高反射ミラー１５を反射してもよい。このパルスレーザ光３２は、ウィンドウ１８を透過して、前記アノード２１と前記カソード２２との間の放電空間２３へ進行してもよい。パルスレーザ光３２が前記放電空間２３内に存在するときに前記放電空間２３に放電を生じさせる制御が行われることによって、そのパルスレーザ光３２が増幅されてもよい。増幅されたパルスレーザ光３２は、ウィンドウ１９を介してチャンバ２０から出射してもよい。出射したパルスレーザ光３２は、高反射ミラー１６および１７を高反射して、再びウィンドウ１９を介して、チャンバ２０内の放電空間２３へ進行してもよい。そして、このパルスレーザ光３２は、今度はウィンドウ１８を介してチャンバ２０から出射してもよい。出射したパルスレーザ光３２は、出力結合ミラー１４に入射してもよい。このパルスレーザ光３２の一部は、出力結合ミラー１４を透過して、パルスレーザ光３３として増幅装置３から出射してもよい。パルスレーザ光３２の他の一部は、出力結合ミラー１４で反射することで、フィードバック光として、再びリング光共振器中に戻されてもよい。
本説明では、増幅装置３がリング光共振器を含む場合を例示したが、この例に限定されるものではない。たとえば、増幅装置３は、増幅器に光共振器が配置されたファブリーペロー型共振器を含んでもよい。
４．マスタオシレータと増幅装置との同期をフィードバック制御するレーザシステム（実施の形態２）
つぎに、実施の形態２によるレーザシステム１Ａを、図面を参照して詳細に説明する。
４．１ 構成
図２は、実施の形態２によるレーザシステム１Ａの概略構成を示す。図２に示すように、レーザシステム１Ａは、マスタオシレータ２Ａと、高反射ミラー１１と、低コヒーレンス化光学システム４と、増幅装置３Ａと、レーザコントローラ２２０Ａとを備えてもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、レーザシステム１Ａの全体動作を制御してもよい。
マスタオシレータ２Ａは、固体レーザ装置２００と、コントローラ２１０とを含んでもよい。固体レーザ装置２００は、図１に示すマスタオシレータ２と同様に、ポンピングレーザ５、Ｔｉ：サファイアレーザ６（シードレーザ）、増幅器７、ＬＢＯ結晶９およびＫＢＢＦ結晶１０を含む波長変換装置８、ビームスプリッタ８１、および高反射ミラー８２を備えてもよい。
コントローラ２１０は、パルスレーザ光３１を出力するタイミングを制御する同期制御装置であってもよい。そのようなコントローラ２１０は、内部トリガ発振器２１１を含んでもよい。内部トリガ発振器２１１は、たとえば所定繰返し周波数で内部トリガを発振してもよい。コントローラ２１０は、この内部トリガをポンピングレーザ発振信号Ｓ１１としてポンピングレーザ５へ送信してもよい。
また、コントローラ２１０は、たとえば上位コントローラであるレーザコントローラ２２０Ａなどから、略所定繰返し周波数でトリガ信号Ｓ１を受信してもよい。コントローラ２１０は、レーザコントローラ２２０Ａから受信したトリガ信号Ｓ１をポンピングレーザ発振信号Ｓ１１としてポンピングレーザ５に送信してもよい。これにより、ポンピングレーザ５が、略所定繰返し周波数で励起光５１を継続的に出力し得る。
マスタオシレータ２Ａは、発振遅延回路３１１を備えてもよい。発振遅延回路３１１は、コントローラ２１０からポンピングレーザ５へ出力されたポンピングレーザ発振信号Ｓ１１を、増幅装置３Ａとのタイミング調整のために、所定遅延時間（発振遅延時間Ｄｄｐ）分遅延させてもよい。
また、マスタオシレータ２Ａは、ビームスプリッタ４２０と、光センサ４１０とを備えてもよい。ビームスプリッタ４２０は、固体レーザ装置２００中を伝播するパルスレーザ光Ｌ１の光路上に配置されてもよい。光センサ４１０は、ビームスプリッタ４２０で分岐されたパルスレーザ光Ｌ１を検出してもよい。光センサ４１０によるパルスレーザ光Ｌ１の検出結果は、コントローラ２１０を介してレーザコントローラ２２０Ａに入力されてもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、入力された検出結果に基づいて、パルスレーザ光Ｌ１の発振タイミングＴｍｏを特定してもよい。
増幅装置３Ａは、図１に示す増幅装置３と同様の構成に加え、レーザ電源２４と、スイッチ遅延回路３５０とをさらに含んでもよい。レーザ電源２４は、チャンバ２０内のアノード２１とカソード２２とに電気的に接続されてもよい。遅延回路３５０は、レーザコントローラ２２０Ａからレーザ電源２４内のスイッチ２５へ出力されたスイッチ信号Ｓ５を、所定遅延時間（スイッチ遅延時間Ｄｐｐ）分遅延させてもよい。
また、増幅装置３Ａは、放電空間２３に放電を発生させるタイミング、または、放電空間２３に放電が発生したタイミングである放電タイミングＴｐｏを検出するセンサ４３０を備えてもよい。
４．２ 動作
つづいて、レーザシステム１Ａの概略動作を説明する。レーザコントローラ２２０Ａは、露光装置６００における露光コントローラ６０１からパルスレーザ光３３のバースト出力を要求されてもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、バースト出力が要求されると、マスタオシレータ２Ａのコントローラ２１０にバースト要求信号Ｓ２を出力してもよい。また、レーザコントローラ２２０Ａは、コントローラ２１０に、略所定繰返し周波数でトリガ信号Ｓ１を出力してもよい。コントローラ２１０は、トリガ信号Ｓ１または内部トリガ発振器２１１が生成した内部トリガを、ポンピングレーザ発振信号Ｓ１１として、ポンピングレーザ５に出力してもよい。ポンピングレーザ発振信号Ｓ１１は、発振遅延回路３１１を介することで、トリガ信号Ｓ１の入力に対して所定遅延時間（発振遅延時間Ｄｄｐ）分遅れて、ポンピングレーザ５に入力してもよい。ポンピングレーザ５は、ポンピングレーザ発振信号Ｓ１１が入力されると、励起光５１を出力してもよい。これにより、固体レーザ装置２００内でパルスレーザ光Ｌ１が生成されてもよい。
固体レーザ装置２００内で生成されたパルスレーザ光Ｌ１は、固体レーザ装置２００内の光路を伝播してもよい。光センサ４１０は、パルスレーザ光Ｌ１が光路上の所定の位置を通過するタイミングを検出してもよい。このタイミング検出結果は、光センサ４１０からコントローラ２１０を介してレーザコントローラ２２０Ａへ出力されてもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、入力された検出結果に基づいて、パルスレーザ光Ｌ１の発振タイミングＴｍｏを特定してもよい。
レーザコントローラ２２０Ａは、増幅装置３のレーザ電源２４に、略所定繰返し周波数でスイッチ信号Ｓ５を出力してもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、継続的にスイッチ信号Ｓ５を出力してもよいし、露光コントローラ６０１からバースト出力が要求されている期間のみスイッチ信号Ｓ５を出力してもよい。スイッチ信号Ｓ５は、スイッチ遅延回路３５０を介することで、トリガ信号Ｓ１の入力に対して所定遅延時間（スイッチ遅延時間Ｄｐｐ）分遅れて、レーザ電源２４のスイッチ２５に入力してもよい。スイッチ信号Ｓ５によってスイッチ２５がオンされると、レーザ電源２４は、アノード２１およびカソード２２間に放電用の電位差を与えてもよい。これにより、アノード２１およびカソード２２間の放電空間２３で放電が生じ得る。
放電空間２３に放電を発生させるタイミングは、マスタオシレータ２Ａから低コヒーレンス化光学システム４を経由して増幅装置３に入射したパルスレーザ光３２がチャンバ２０内を通過するタイミングに合わせられるとよい（同期）。その同期を達成するための発振遅延時間Ｄｄｐおよびスイッチ遅延時間Ｄｐｐは、たとえば経験、実験またはシミュレーションなどで予め求めておいてもよい。また、発振遅延時間Ｄｄｐおよびスイッチ遅延時間Ｄｐｐの少なくとも一方は、パルスレーザ光Ｌ１のタイミングと放電のタイミングとの差に基づいてフィードバック制御されてもよい。パルスレーザ光Ｌ１のタイミングは、たとえばポンピングレーザ５の発振タイミングＴｍｏであってもよい。この発振タイミングＴｍｏには、パルスレーザ光Ｌ１の所定位置通過タイミングを用いてもよい。また、放電のタイミングは、放電空間２３に放電が発生した放電タイミングＴｐｏであってもよい。この放電タイミングＴｐｏには、アノード２１およびカソード２２間に放電用の電力を供給したタイミングを用いてもよい。
４．３ 作用
実施の形態２では、レーザコントローラ２２０Ａは、パルスレーザ光Ｌ１のタイミング（たとえば発振タイミングＴｍｏ）と放電のタイミング（たとえば放電タイミングＴｐｏ）との差を検出してもよい。また、その差に応じて、レーザコントローラ２２０Ａは、ポンピングレーザ５の発振タイミングＴｍｏと増幅装置３Ａの放電タイミングＴｐｏとをフィードバック制御してもよい。それにより、パルスレーザ光３２が増幅装置３Ａ内の放電空間２３を通過するタイミングに合わせて、放電空間２３に放電を発生させることができる。その結果、発振タイミングＴｍｏや放電タイミングＴｐｏのドリフトの影響を低減でき、より安定してパルスレーザ光３２を増幅できる。
４．４ 発振タイミング計測用のセンサ配置例
ここで、発振タイミングＴｍｏの検出位置の例を、図３を用いて説明する。図３中のビームスプリッタ４２１、４２２および４２４と光センサ４１１、４１２および４１４とに示すように、発振タイミングＴｍｏの検出位置は、Ｔｉ：サファイアレーザ６、増幅器７および波長変換装置８のうちの少なくとも１つの出力段であってよい。また、発振タイミングＴｍｏの検出位置は、図３のビームスプリッタ４２３および光センサ４１３に示すように、波長変換装置８内のＬＢＯ結晶９とＫＢＢＦ結晶１０との間であってもよい。
４．５ 放電タイミング計測用のセンサ例
つづいて、放電タイミングＴｐｏを検出するセンサの例を、以下に説明する。
４．５．１ レーザ電源内部のセンサによって放電タイミングを計測する例
まず、アノード２１とカソード２２との間に放電用電圧を印加するタイミングを放電タイミングＴｐｏとして検出する場合を例に挙げる。図４は、放電用電圧を印加するタイミングを計測する構成例を示す。図４に示す増幅装置３Ａのように、放電用電圧を印加するタイミングを放電タイミングＴｐｏとして検出する場合、センサ４３０は、レーザ電源２４の内部に配置されてもよい。
４．５．１．１ センサの第１構成例
センサ４３０を、より具体的に説明する。図５は、センサ４３０に磁気スイッチ動作センサ４３１を用いた場合の例を示す。図５に示すように、磁気スイッチ動作センサ４３１は、アノード２１およびカソード２２間に放電発生用の電圧を印加する磁気パルス圧縮回路２６における可飽和リアクトルＡＬ１に対して設けられてもよい。可飽和リアクトルＡＬ１は、いわゆる磁気スイッチである。磁気スイッチ動作センサ４３１は、この可飽和リアクトルＡＬ１の飽和時点を検出してもよい。磁気スイッチ動作センサ４３１は、検出した飽和時点をレーザコントローラ２２０Ａへ出力してもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、入力された飽和時点を、放電タイミングＴｐｏとして特定してもよい。
４．５．１．２ センサの第２構成例
センサ４３０の他の構成例を説明する。図６は、センサ４３０に電流センサ４３２を用いた場合の例を示す。図６に示すように、電流センサ４３２は、磁気パルス圧縮回路２６とアノード２１との間に直列に接続されてもよい。電流センサ４３２は、アノード２１に流れる電流の電流値を計測してもよい。電流センサ４３２は、検出した電流値をレーザコントローラ２２０Ａへ出力してもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、入力された電流値に基づいて、アノード２１に電流が流れたタイミングを、放電タイミングＴｐｏとして特定してもよい。
４．５．２ 光センサによって放電タイミングを計測する例
つぎに、センサ４３０に光センサ４３３を用いた場合を例に挙げる。図７は、放電空間２３に実際に放電が発生したことを光センサ４３３を用いて検出する場合を示す。図７に示す増幅装置３Ｂでは、放電空間２３に発生した放電光を透過させるウィンドウ４３３ｂがチャンバ２０に設けられてもよい。放電空間２３からウィンドウ４３３ｂを介して出射した放電光は、転写レンズ４３３ａによって光センサ４３３の受光面に結像されてもよい。光センサ４３３は、結像された放電光を検出することで、放電空間２３に放電が発生したことを検出してもよい。また、光センサ４３３は、この検出結果をレーザコントローラ２２０Ａに出力してもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、入力された検出結果に基づいて、放電タイミングＴｐｏを特定してもよい。
また、光センサ４３３でチャンバ２０から出射したパルスレーザ光３３を検出することで、放電タイミングＴｐｏを検出してもよい。この場合、図７の破線で示すように、パルスレーザ光３３の光路上にビームスプリッタ４３３ｃが配置されてもよい。ビームスプリッタ４３３ｃで分岐されたパルスレーザ光３３の一部は、光センサ４３３に入射してもよい。光センサ４３３は、入射したパルスレーザ光３３を検出することで、放電空間２３に放電が発生したことを検出してもよい。また、光センサ４３３は、この検出結果をレーザコントローラ２２０Ａに出力してもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、入力された検出結果に基づいて、放電タイミングＴｐｏを特定してもよい。
４．６ フローチャート
つぎに、図２に示すレーザシステム１Ａの動作を、図面を用いて詳細に説明する。図８は、レーザシステム１Ａの概略動作を示すフローチャートである。図９は、図８のステップＳ１０１に示すパラメータ初期設定ルーチンの概略動作を示すフローチャートである。図１０は、図８のステップＳ１０３によってコントローラ２１０が開始する動作を示すフローチャートである。図１１は、図８のステップＳ１０４によってレーザコントローラ２２０Ａが開始する動作を示すフローチャートである。図１２は、図８のステップＳ１０８の詳細を示すフローチャートである。なお、図８、図９、図１１および図１２では、レーザコントローラ２２０Ａの動作を示す。図１０では、コントローラ２１０の動作を示す。
図８に示すように、レーザコントローラ２２０Ａは、起動後、各種パラメータを初期設定するパラメータ初期設定ルーチンを実行してもよい（ステップＳ１０１）。なお、設定する初期パラメータは、予め登録されていてもよいし、露光コントローラ６０１等の外部から入力または要求されてもよい。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、露光コントローラ６０１等からパルスレーザ光３３のバーストを要求するバースト要求信号を受信するまで待機してもよい（ステップＳ１０２；ＮＯ）。バースト要求信号を受信すると（ステップＳ１０２；ＹＥＳ）、レーザコントローラ２２０Ａは、マスタオシレータ２Ａにパルスレーザ光３１のバーストを出力させる制御を実行してもよい（ステップＳ１０３）。これとともに、レーザコントローラ２２０Ａは、増幅装置３Ａに放電させる制御を実行してもよい（ステップＳ１０４）。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、トリガ信号Ｓ１を、所定繰返し周波数となるように、コントローラ２１０へ出力してもよい（ステップＳ１０５）。つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、コントローラ２１０から入力された光センサ４１０による検出結果から、発振タイミングＴｍｏを検出してもよい（ステップＳ１０６）。また、レーザコントローラ２２０Ａは、センサ４３０から入力された検出結果から、放電タイミングＴｐｏを検出してもよい（ステップＳ１０７）。つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、発振タイミングＴｍｏと放電タイミングＴｐｏとの時間差に応じて、スイッチ遅延回路３５０のスイッチ遅延時間Ｄｐｐ（または、発振遅延回路３１１の発振遅延時間Ｄｄｐ）を補正してもよい（ステップＳ１０８）。
その後、レーザコントローラ２２０Ａは、パルスレーザ光３３の出力を停止するか否かを判定してもよい（ステップＳ１０９）。出力を停止する場合（ステップＳ１０９；ＹＥＳ）、レーザコントローラ２２０Ａは、ステップＳ１０３で開始したマスタオシレータ２Ａの制御を終了してもよい（ステップＳ１１０）。また、レーザコントローラ２２０Ａは、ステップＳ１０４で開始した増幅装置３Ａの制御を終了し（ステップＳ１１１）、その後、本動作を終了してもよい。一方、出力を停止しない場合（ステップＳ１０９；ＮＯ）、レーザコントローラ２２０Ａは、ステップＳ１０３へリターンし、以降の動作を実行してもよい。
つぎに、図８のステップＳ１０１に示すパラメータ初期設定ルーチンの概略動作を説明する。図９に示すように、パラメータ初期設定ルーチンでは、レーザコントローラ２２０Ａは、発振遅延回路３１１に設定する発振遅延時間Ｄｄｐを取得してもよい（ステップＳ１２１）。取得される発振遅延時間Ｄｄｐは、予め不図示のメモリ等に保存しておいた初期値であってもよいし、新たにレーザコントローラ２２０Ａによって算出された値であってもよい。つづいて、レーザコントローラ２２０Ａは、取得した発振遅延時間Ｄｄｐを、コントローラ２１０を介して発振遅延回路３１１に設定してもよい（ステップＳ１２２）。尚、レーザコントローラ２２０Ａは、発振遅延時間Ｄｄｐを発振遅延回路３１１に設定する際には、図３に示すようにコントローラ２１０を介して設定してもよい。これにより、発振遅延回路３１１を通過するポンピングレーザ発振信号Ｓ１１のタイミングが、発振遅延時間Ｄｄｐ分遅延されてもよい。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ遅延回路３５０に設定するスイッチ遅延時間Ｄｐｐを取得してもよい（ステップＳ１２３）。取得されるスイッチ遅延時間Ｄｐｐは、予め不図示のメモリ等に保存しておいた初期値であってもよいし、新たにレーザコントローラ２２０Ａによって算出された値であってもよい。つづいて、レーザコントローラ２２０Ａは、取得したスイッチ遅延時間Ｄｐｐをスイッチ遅延回路３５０に設定してもよい（ステップＳ１２４）。これにより、スイッチ遅延回路３５０を通過するスイッチ信号Ｓ５のタイミングが、スイッチ遅延時間Ｄｐｐ分遅延されてもよい。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ２５をオンとする時間、すなわちアノード２１およびカソード２２間に放電用電圧を印加する時間（スイッチオン時間ΔＴｐｐ）を取得してもよい（ステップＳ１２５）。取得されるスイッチオン時間ΔＴｐｐは、予め不図示のメモリ等に保存しておいた初期値であってもよいし、新たにレーザコントローラ２２０Ａによって算出された値であってもよい。その後、レーザコントローラ２２０Ａは、図８に示す動作へリターンしてもよい。
また、図８のステップＳ１０３によってコントローラ２１０が開始する動作を説明する。図１０に示すように、レーザコントローラ２２０Ａの制御の下、コントローラ２１０は、たとえばレーザコントローラ２２０Ａからトリガ信号Ｓ１を受信するまで待機してもよい（ステップＳ１３１；ＮＯ）。
トリガ信号Ｓ１を受信すると（ステップＳ１３１；ＹＥＳ）、コントローラ２１０は、トリガ信号Ｓ１をポンピングレーザ発振信号Ｓ１１としてポンピングレーザ５へ送信してもよい（ステップＳ１３２）。ポンピングレーザ発振信号Ｓ１１は、発振遅延回路３１１を経由してポンピングレーザ５に入力してもよい。なお、ポンピングレーザ５から励起光５１が出力されるタイミングは、Ｔｉ：サファイアレーザ６からパルスレーザ光Ｌ１が出力されるタイミングと直接的に関係してもよい。
つぎに、コントローラ２１０は、光センサ４１０からパルスレーザ光Ｌ１の検出結果が入力されるまで待機してもよい（ステップＳ１３３；ＮＯ）。光センサ４１０から検出結果が入力されると（ステップＳ１３３；ＹＥＳ）、コントローラ２１０は、入力された検出結果をレーザコントローラ２２０Ａへ送信してもよい（ステップＳ１３４）。その後、コントローラ２１０は、動作の終了がレーザコントローラ２２０Ａ等から入力されたか否かを判定してもよい（ステップＳ１３５）。終了が入力されていた場合（ステップＳ１３５；ＹＥＳ）、コントローラ２１０は、本動作を終了してもよい。一方、終了が入力されていなかった場合（ステップＳ１３５；ＮＯ）、コントローラ２１０は、ステップＳ１３１へリターンしてもよい。
また、図８のステップＳ１０４によってレーザコントローラ２２０Ａが開始する動作を説明する。図１１に示すように、レーザコントローラ２２０Ａは、トリガ信号Ｓ１をコントローラ２１０へ出力するまで待機してもよい（ステップＳ１４１；ＮＯ）。トリガ信号Ｓ１を出力すると（ステップＳ１４１；ＹＥＳ）、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ信号Ｓ５のスイッチ２５への送信を開始してもよい（ステップＳ１４２）。スイッチ信号Ｓ５は、スイッチ遅延回路３５０を経由して、スイッチ２５に入力してもよい。スイッチ遅延回路３５０には、パルスレーザ光３２が放電空間２３を通過するタイミングに合わせて、放電空間２３で放電が発生するように、スイッチ遅延時間Ｄｐｐが設定されていてもよい。
その後、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ信号Ｓ５を送信開始してからの経過時間を、たとえば不図示のタイマなどを用いて計測してもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、この計測時間が予め設定しておいたスイッチオン時間ΔＴｐｐ以上となるまで待機してもよい（ステップＳ１４３；ＮＯ）。
スイッチオン時間ΔＴｐｐが経過すると（ステップＳ１４３；ＹＥＳ）、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ信号Ｓ５の送信を終了してもよい（ステップＳ１４４）。これにより、放電空間２３で放電が発生する期間が調整されてもよい。その後、レーザコントローラ２２０Ａは、動作を終了するか否かを判定してもよい（ステップＳ１４５）。終了する場合（ステップＳ１４５；ＹＥＳ）、レーザコントローラ２２０Ａは、本動作を終了してもよい。一方、終了しない場合（ステップＳ１４５；ＮＯ）、レーザコントローラ２２０Ａは、ステップＳ１４１へリターンしてもよい。
また、図８のステップＳ１０８の詳細を説明する。図１２に示すように、レーザコントローラ２２０Ａは、コントローラ２１０から入力された光センサ４１０の検出結果から発振タイミングＴｍｏを特定してもよい（ステップＳ１５１）。また、レーザコントローラ２２０Ａは、センサ４３０から入力された検出結果から放電タイミングＴｐｏを特定してもよい（ステップＳ１５２）。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、発振タイミングＴｍｏに対する放電タイミングＴｐｏの遅延時間Ｄを算出してもよい（ステップＳ１５３）。つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、基準として設定しておいた遅延時間Ｄ０に対する遅延時間Ｄの誤差Δｐｐを算出してもよい（ステップＳ１５４）。つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、算出した誤差Δｐｐを用いてスイッチ遅延時間Ｄｐｐ（または、発振遅延時間Ｄｄｐ）を補正してもよい（ステップＳ１５５）。その後、レーザコントローラ２２０Ａは、図８のステップＳ１０９へ移行してもよい。
５．光シャッタを含むマスタオシレータと増幅装置との同期をフィードバック制御するレーザシステム（実施の形態３）
つぎに、実施の形態３によるレーザシステム１Ｂを、図面を参照して詳細に説明する。
５．１ 構成
図１３は、実施の形態３によるレーザシステム１Ｂの概略構成を示す。図１３に示すように、レーザシステム１Ｂは、図２に示すレーザシステム１Ａと同様の構成を備えてもよい。ただし、レーザシステム１Ｂでは、レーザシステム１Ａのマスタオシレータ２Ａがマスタオシレータ２Ｂに置き換えられている。
マスタオシレータ２Ｂは、マスタオシレータ２Ａと同様の構成に加え、光シャッタ４１と、シャッタ遅延回路３４１とをさらに備えてもよい。また、固体レーザ装置２００におけるポンピングレーザ５とＴｉ：サファイアレーザ６とビームスプリッタ８１とは、ロングパルスマスタオシレータ６０を構成してもよい。
光シャッタ４１の開閉動作を制御するシャッタ動作信号Ｓ４１は、コントローラ２１０からシャッタ遅延回路３４１を介して光シャッタ４１に入力されてもよい。シャッタ遅延回路３４１には、レーザコントローラ２２０Ａからコントローラ２１０を介してシャッタ遅延時間Ｄｏｐが設定されてもよい。シャッタ動作信号Ｓ４１は、シャッタ遅延回路３４１を介することで、シャッタ遅延時間Ｄｏｐ分遅延されて、光シャッタ４１に入力してもよい。
その他の構成は、図２に示すレーザシステム１Ａと同様である。
５．１．１ 光シャッタ
ここで、図１４に、実施の形態３による光シャッタの一例を示す。図１４に示すように、光シャッタ４１は、たとえば２つの偏光子１４１および１４３とポッケルスセル１４２と高圧電源１４４とを含んでもよい。偏光子１４１は、たとえば入射した光のうち、Ｙ方向の偏光成分を透過させ、Ｘ方向の偏光成分を遮断してもよい。一方、偏光子１４３は、たとえば入射した光のうち、Ｘ方向の偏光成分を透過させ、Ｙ方向の偏光成分を遮断してもよい。このように、偏光子１４１と偏光子１４３とでは、透過させる光の偏光成分が異なっていてもよい。たとえば、本例のように、偏光子１４１と偏光子１４３とでは、透過する光の偏光方向が略９０°異なっていてもよい。
光シャッタ動作信号Ｓ４１は、光シャッタ４１の高圧電源１４４に入力されてもよい。高圧電源１４４は、光シャッタ動作信号Ｓ４１が入力されるとポッケルスセル１４２に、電圧Ｓ６１を印加してもよい。電圧Ｓ６１は、光シャッタ動作信号Ｓ４１と実質的に同じパルス幅（時間長）を有してもよい。ポッケルスセル１４２は、たとえば電圧Ｓ６１が印加されている期間、入射した光の偏光方向を変更し得る。本例では、入射光の偏光方向を略９０°変更する電圧値の電圧Ｓ６１が、高圧電源１４４からポッケルスセル１４２に印加されてもよい。
ロングパルスマスタオシレータ６０から光シャッタ４１に入射したパルスレーザ光Ｌ０は、まず、偏光子１４１に入射してもよい。偏光子１４１は、入射したパルスレーザ光Ｌ０のうち、Ｙ方向の直線偏光成分（以下、Ｙ直線偏光パルスレーザ光という）を透過させる。偏光子１４１を透過したＹ直線偏光パルスレーザ光は、ポッケルスセル１４２に入射する。
ポッケルスセル１４２に電圧Ｓ６１が印加されていない場合、ポッケルスセル１４２に入射したＹ直線偏光パルスレーザ光は、Ｙ方向の直線偏光のまま、ポッケルスセル１４２から出力され、偏光子１４３に入射し得る。このため、ポッケルスセル１４２を透過したＹ直線偏光パルスレーザ光は、偏光子１４３によって反射および吸収され得る。この結果、パルスレーザ光Ｌ０が、光シャッタ４１によって遮断され得る。
一方、ポッケルスセル１４２に電圧Ｓ６１が印加されている場合、ポッケルスセル１４２に入射したＹ直線偏光パルスレーザ光の偏光方向は、略９０°変更され得る。この結果、ポッケルスセル１４２からは、Ｘ方向の直線偏光のパルスレーザ光（以下、Ｘ直線偏光パルスレーザ光という）が出力され得る。このＸ直線偏光パルスレーザ光は、偏光子１４３を透過する。この結果、パルスレーザ光Ｌ１が、光シャッタ４１から出力される。
また、たとえばパルスレーザ光Ｌ１として必要なパルス幅（時間長）を２０ｎｓ程度とすると、図１５に示すように、たとえばポッケルスセル１４２には、パルス幅（時間長）が２０ｎｓ程度の電圧Ｓ６１が印加されるとよい。一方で、ロングパルスマスタオシレータ６０からは、上述したように、たとえばパルス幅（時間長）が立ち上がりタイミングのジッタよりも十分に大きいパルスレーザ光が出力されてもよい。たとえば、立ち上がりタイミングのジッタが±１０ｎｓ程度であって、パルスレーザ光Ｌ１として必要なパルス幅（時間長）が２０ｎｓ程度であるとする。この場合、図１６に示すように、ロングパルスマスタオシレータ６０は、たとえば７０ｎｓ程度のパルス幅（時間長）のパルスレーザ光Ｌ０を出力するとよい。これにより、図１７に示すように、光シャッタ４１からは、２０ｎｓ程度のパルス幅を持つパルスレーザ光Ｌ１が、パルスレーザ光Ｌ０の立ち上がりタイミングのジッタに影響されないタイミングで出力されてもよい。なお、一般的なポッケルスセルは、数ｎｓの応答性を有しているため、高速スイッチングが要求されるレーザシステムの光シャッタに適している。
なお、本例は、偏光子１４１を透過したパルスレーザ光Ｌ０と偏光子１４３を透過したパルスレーザ光Ｌ１との偏光方向を略９０°変えた構成である。このため、ポッケルスセル１４２に電圧Ｓ６１を印加した期間、光シャッタ４１が開状態となる。ただし、この例に限定されるものではない。たとえば偏光子１４１を透過したパルスレーザ光Ｌ０と偏光子１４３を透過したパルスレーザ光Ｌ１との偏光方向を同じ方向としてもよい。この場合、ポッケルスセル１４２に電圧を印加しない期間、光シャッタ４１が開状態となる。なお、光シャッタを開状態にするとは、光シャッタがパルスレーザ光を通過可能な状態にすることを意味し、光シャッタを閉状態にするとは、光シャッタがパルスレーザ光を遮断する状態にすることを意味する。
５．２ 動作
つづいて、レーザシステム１Ｂの概略動作を説明する。レーザシステム１Ｂの概略動作は、図２に示すレーザシステム１Ａと同様であってもよい。ただし、レーザシステム１Ｂでは、コントローラ２１０から光シャッタ４１に、光シャッタ動作信号Ｓ４１が入力されてもよい。光シャッタ動作信号Ｓ４１は、シャッタ遅延回路３４１を介して光シャッタ４１に入力されてもよい。これにより、ロングパルスマスタオシレータ６０から出力されたパルスレーザ光Ｌ０の一部を切り出すように、光シャッタ４１が開閉動作してもよい。
その他の動作は、図２に示すレーザシステム１Ａと同様である。
５．３ 作用
以上のような構成および動作とすることで、実施の形態３では、レーザコントローラ２２０Ａは、光シャッタ４１によって切り出されたパルスレーザ光Ｌ１のタイミング（たとえば発振タイミングＴｍｏ）と放電のタイミング（たとえば放電タイミングＴｐｏ）との差を検出してもよい。また、その差に応じて、レーザコントローラ２２０Ａは、光シャッタ４１の開閉タイミングＴｏｐと増幅装置３Ａの放電タイミングＴｐｏとをフィードバック制御してもよい。それにより、パルスレーザ光３２が増幅装置３Ａ内の放電空間２３を通過するタイミングに合わせて、放電空間２３に放電を発生させることができる。その結果、開閉タイミングＴｏｐや放電タイミングＴｐｏのドリフトに影響されずに、より安定してパルスレーザ光３２を増幅できる。
また、実施の形態３では、光シャッタ４１から出力されるパルスレーザ光Ｌ１が、光シャッタ４１に与えた光シャッタ動作信号Ｓ４１によってパルスレーザ光Ｌ０から切り出されたパルス形状を持ってもよい。そのように、パルスレーザ光Ｌ１は、光シャッタ４１に与える光シャッタ動作信号Ｓ４１で制御されてもよい。そのため、パルスレーザ光Ｌ１のジッタは、ポッケルスセル１４２に電圧Ｓ６１を印加する高圧電源１４４の回路ジッタとなると考えられる。そのような回路ジッタは、ロングパルスマスタオシレータ６０から出力されるパルスレーザ光Ｌ０のジッタに対して十分短いと考えられる。そのため、光シャッタ４１を通過したパルスレーザ光Ｌ１のジッタは無視できる程度に小さいと考えられる。
また、マスタオシレータ２Ｂは、光シャッタ４１によってパルス幅を制御できる。そのため、パルス幅を変化させることも容易にできる。
５．４ フローチャート
つぎに、図１３に示すレーザシステム１Ｂの動作を、図面を用いて詳細に説明する。ただし、レーザシステム１Ｂ全体の概略動作は、図８に示す動作と同様であるため、ここではそれを引用する。
図１８は、図８のステップＳ１０１に示すパラメータ初期設定ルーチンの概略動作を説明する。図１８に示すように、実施の形態３におけるパラメータ初期設定ルーチンでは、レーザコントローラ２２０Ａは、発振遅延回路３１１に設定する発振遅延時間Ｄｄｐを取得してもよい（ステップＳ２２１）。取得される発振遅延時間Ｄｄｐは、予め不図示のメモリ等に保存しておいた初期値であってもよいし、新たにレーザコントローラ２２０Ａによって算出された値であってもよい。つづいて、レーザコントローラ２２０Ａは、取得した発振遅延時間Ｄｄｐを、コントローラ２１０を介して発振遅延回路３１１に設定してもよい（ステップＳ２２２）。これにより、発振遅延回路３１１を通過するポンピングレーザ発振信号Ｓ１１のタイミングが、発振遅延時間Ｄｄｐ分遅延されてもよい。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、シャッタ遅延回路３４１に設定するシャッタ遅延時間Ｄｏｐを取得してもよい（ステップＳ２２３）。取得されるシャッタ遅延時間Ｄｏｐは、予め不図示のメモリ等に保存しておいた初期値であってもよいし、新たにレーザコントローラ２２０Ａによって算出された値であってもよい。つづいて、レーザコントローラ２２０Ａは、取得したシャッタ遅延時間Ｄｏｐを、コントローラ２１０を介してシャッタ遅延回路３４１に設定してもよい（ステップＳ２２４）。これにより、シャッタ遅延回路３４１を通過するシャッタ動作信号Ｓ４１のタイミングが、シャッタ遅延時間Ｄｏｐ分遅延されてもよい。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、光シャッタ４１を開状態とする時間、すなわちパルスレーザ光Ｌ１の切り出し時間（光シャッタ開時間ΔＴｏｐ）を取得してもよい（ステップＳ２２５）。取得される光シャッタ開時間ΔＴｏｐは、予め不図示のメモリ等に保存しておいた初期値であってもよいし、新たにレーザコントローラ２２０Ａによって算出された値であってもよい。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ遅延回路３５０に設定するスイッチ遅延時間Ｄｐｐを取得してもよい（ステップＳ２２６）。取得されるスイッチ遅延時間Ｄｐｐは、予め不図示のメモリ等に保存しておいた初期値であってもよいし、新たにレーザコントローラ２２０Ａによって算出された値であってもよい。つづいて、レーザコントローラ２２０Ａは、取得したスイッチ遅延時間Ｄｐｐをスイッチ遅延回路３５０に設定してもよい（ステップＳ２２７）。これにより、スイッチ遅延回路３５０を通過するスイッチ信号Ｓ５のタイミングが、スイッチ遅延時間Ｄｐｐ分遅延されてもよい。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ２５をオンとする時間、すなわちアノード２１およびカソード２２間に放電用電圧を印加する時間（スイッチオン時間ΔＴｐｐ）を取得してもよい（ステップＳ２２８）。取得されるスイッチオン時間ΔＴｐｐは、予め不図示のメモリ等に保存しておいた初期値であってもよいし、新たにレーザコントローラ２２０Ａによって算出された値であってもよい。その後、レーザコントローラ２２０Ａは、図８に示す動作へリターンしてもよい。
また、図８のステップＳ１０３によってコントローラ２１０が開始する動作を説明する。図１９に示すように、レーザコントローラ２２０Ａの制御の下、コントローラ２１０は、たとえばレーザコントローラ２２０Ａからトリガ信号Ｓ１を受信するまで待機してもよい（ステップＳ２３１；ＮＯ）。なお、コントローラ２１０は、レーザコントローラ２２０Ａからトリガ信号Ｓ１が略所定繰返し周波数で入力されない期間、内部トリガ発振器２１１が所定繰返し周波数で発振した内部トリガをポンピングレーザ発振信号Ｓ１１としてポンピングレーザ５へ送信してもよい。
トリガ信号Ｓ１を受信すると（ステップＳ２３１；ＹＥＳ）、コントローラ２１０は、ポンピングレーザ発振信号Ｓ１１をポンピングレーザ５へ送信してもよい（ステップＳ２３２）。これとともに、コントローラ２１０は、光シャッタ動作信号Ｓ４１の光シャッタ４１への送信を開始してもよい（ステップＳ２３３）。ポンピングレーザ発振信号Ｓ１１は、発振遅延回路３１１を経由してポンピングレーザ５に入力してもよい。光シャッタ動作信号Ｓ４１は、シャッタ遅延回路３４１を経由して、光シャッタ４１に入力してもよい。発振遅延回路３１１は、ポンピングレーザ発振信号Ｓ１１を発振遅延時間Ｄｄｐ分遅延させるように設定されていてもよい。シャッタ遅延回路３４１には、パルスレーザ光が通過するタイミングに合わせて光シャッタ４１が開閉動作するように、シャッタ遅延時間Ｄｏｐが設定されていてもよい。これにより、ポンピングレーザ５から励起光５１が出力されるタイミングと、光シャッタ４１が開閉動作するタイミングとが調節されてもよい。なお、ポンピングレーザ５から励起光５１が出力されるタイミングは、ロングパルスマスタオシレータ６０からパルスレーザ光Ｌ０が出力されるタイミングと直接的に関係してもよい。
その後、コントローラ２１０は、光シャッタ動作信号Ｓ４１を送信開始してからの経過時間を、たとえば不図示のタイマなどを用いて計測してもよい。コントローラ２１０は、この計測時間が予め設定しておいた光シャッタ開時間ΔＴｏｐ以上となるまで待機してもよい（ステップＳ２３４；ＮＯ）。
光シャッタ開時間ΔＴｏｐが経過すると（ステップＳ２３４；ＹＥＳ）、コントローラ２１０は、光シャッタ動作信号Ｓ４１の送信を終了してもよい（ステップＳ２３５）。これにより、光シャッタ４１が閉状態となってもよい。なお、上述のように、ロングパルスマスタオシレータ６０を用いることで、光シャッタ４１の開閉動作を用いて、パルスレーザ光Ｌ１の波形を調節することが可能であってもよい。
つぎに、コントローラ２１０は、光センサ４１０からパルスレーザ光Ｌ１の検出結果が入力されるまで待機してもよい（ステップＳ２３６；ＮＯ）。光センサ４１０から検出結果が入力されると（ステップＳ２３６；ＹＥＳ）、コントローラ２１０は、入力された検出結果をレーザコントローラ２２０Ａへ送信してもよい（ステップＳ２３７）。その後、コントローラ２１０は、動作の終了がレーザコントローラ２２０Ａ等から入力されたか否かを判定してもよい（ステップＳ２３８）。終了が入力されていた場合（ステップＳ２３８；ＹＥＳ）、コントローラ２１０は、本動作を終了してもよい。一方、終了が入力されていなかった場合（ステップＳ２３８；ＮＯ）、コントローラ２１０は、ステップＳ２３１へリターンしてもよい。
また、図８のステップＳ１０４によってレーザコントローラ２２０Ａが開始する動作を説明する。図２０に示すように、レーザコントローラ２２０Ａは、略所定繰返し周波数でトリガ信号Ｓ１をコントローラ２１０へ出力するまで待機してもよい（ステップＳ２４１；ＮＯ）。トリガ信号Ｓ１を出力すると（ステップＳ２４１；ＹＥＳ）、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ信号Ｓ５のスイッチ２５への送信を開始してもよい（ステップＳ２４２）。スイッチ信号Ｓ５は、スイッチ遅延回路３５０を経由して、スイッチ２５に入力してもよい。スイッチ遅延回路３５０には、パルスレーザ光３２が放電空間２３を通過するタイミングに合わせて、放電空間２３で放電が発生するように、スイッチ遅延時間Ｄｐｐが設定されていてもよい。
その後、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ信号Ｓ５を送信開始してからの経過時間を、たとえば不図示のタイマなどを用いて計測してもよい。レーザコントローラ２２０Ａは、この計測時間が予め設定しておいたスイッチオン時間ΔＴｐｐ以上となるまで待機してもよい（ステップＳ２４３；ＮＯ）。
スイッチオン時間ΔＴｐｐが経過すると（ステップＳ２４３；ＹＥＳ）、レーザコントローラ２２０Ａは、スイッチ信号Ｓ５の送信を終了してもよい（ステップＳ２４４）。これにより、放電空間２３で放電が発生する期間が調整されてもよい。その後、レーザコントローラ２２０Ａは、動作を終了するか否かを判定してもよい（ステップＳ２４５）。終了する場合（ステップＳ２４５；ＹＥＳ）、レーザコントローラ２２０Ａは、本動作を終了してもよい。一方、終了しない場合（ステップＳ２４５；ＮＯ）、レーザコントローラ２２０Ａは、ステップＳ２４１へリターンしてもよい。
また、図８のステップＳ１０８の詳細を説明する。図２１に示すように、レーザコントローラ２２０Ａは、コントローラ２１０から入力された光センサ４１０の検出結果から開閉タイミングＴｏｐを特定してもよい（ステップＳ２５１）。また、レーザコントローラ２２０Ａは、センサ４３０から入力された検出結果から放電タイミングＴｐｏを特定してもよい（ステップＳ２５２）。
つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、開閉タイミングＴｏｐに対する放電タイミングＴｐｏの遅延時間Ｄを算出してもよい（ステップＳ２５３）。つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、基準として設定しておいた遅延時間Ｄ０に対する遅延時間Ｄの誤差Δｐｐを算出してもよい（ステップＳ２５４）。つぎに、レーザコントローラ２２０Ａは、算出した誤差Δｐｐを用いてスイッチ遅延時間Ｄｐｐ（または、発振遅延時間Ｄｄｐおよびシャッタ遅延時間Ｄｏｐ）を補正してもよい（ステップＳ２５５）。その後、レーザコントローラ２２０Ａは、図８のステップＳ１０９へ移行してもよい。
６．補足説明
つづいて、上述した各実施の形態における各部の補足説明を、以下に記す。
６．１ Ｔｉ：サファイアレーザ
図２２は、上述のＴｉ：サファイアレーザ６の一例を示す。図２２に示すように、Ｔｉ：サファイアレーザ６は、いわゆるリットマン型のレーザであってよい。このＴｉ：サファイアレーザ６は、高反射ミラー６１と、出力結合ミラー６５と、Ｔｉ：サファイア結晶６２と、グレーティング６３と、高反射ミラー６４と、を備える。高反射ミラー６１および出力結合ミラー６５は、光共振器を形成する。Ｔｉ：サファイア結晶６２およびグレーティング６３は、この光共振器内の光路上に配置される。高反射ミラー６４は、グレーティング６３で回折されたレーザ光を反射してグレーティング６３に戻す。高反射ミラー６１および６４は、高反射ミラー６１および出力結合ミラー６５とは別の共振器を形成する。また、出力結合ミラー６５は、パルスレーザ光Ｌ０を出力する光出力端としても機能する。
高反射ミラー６１は、ポンピングレーザ５からの励起光５１を透過し、Ｔｉ：サファイア結晶６２からのパルスレーザ光を反射する。高反射ミラー６１を介して入力された励起５１は、Ｔｉ：サファイア結晶６２に入射する。Ｔｉ：サファイア結晶６２の光入出力端面は、ブリュースタカットされている。これにより、この端面でのレーザ光の反射が抑えられる。励起光５１が入射したＴｉ：サファイア結晶６２は、共振器内を往復する励起光５１からエネルギーを得て発振することで、パルスレーザ光Ｌ０を出射する。Ｔｉ：サファイア結晶６２から出射されたパルスレーザ光Ｌ０は、グレーティング６３によって回折される。ここで、出力結合ミラー６５は、グレーティング６３に対してたとえば０次回折光の出射方向に配置される。また、高反射ミラー６４は、グレーティング６３に対して±ｍ次回折光の出射方向に配置される。この構成では、グレーティング６３に対する高反射ミラー６４の角度を調節することで、Ｔｉ：サファイアレーザ６が出力するパルスレーザ光Ｌ０の波長を選択することができる。この結果、Ｔｉ：サファイアレーザ６が出力するパルスレーザ光Ｌ０のスペクトル線幅を、露光時の色収差が無視できる程度のスペクトル線幅に制御することが可能となる。
６．２ 増幅器（ＰＡ）
図２３は、上述の増幅器７の一例を示す。なお、本例では、光共振器を含まないマルチパス増幅方式のパワー増幅器を例に挙げる。図２３に示すように、増幅器７は、複数の高反射ミラー７２〜７８と、Ｔｉ：サファイア結晶７１と、を備える。この複数の高反射ミラー７２〜７８は、Ｔｉ：サファイアレーザ６から光シャッタ４１を介して入力したパルスレーザ光Ｌ１がＴｉ：サファイア結晶７１を複数回（本例では４回）通過するマルチパスを形成する。Ｔｉ：サファイア結晶７１には、高反射ミラー７２を介して、ポンピングレーザ５からの励起光５１も入射する。Ｔｉ：サファイア結晶７１の光入出力端面は、ブリュースタカットされている。Ｔｉ：サファイア結晶７１は、マルチパスを進行するパルスレーザ光Ｌ１に基づいて、励起光５１からエネルギーを得つつ発振する。これにより、複数回通過する際に、パルスレーザ光Ｌ１がマルチパス増幅される。この結果、増幅器７から増幅されたパルスレーザ光Ｌ１ａが出射する。なお、高反射ミラー７２は、励起光５１を透過し、Ｔｉ：サファイア結晶７１からのレーザ光を反射する。
６．３ 光共振器を含む増幅器（ＰＯ）
また、増幅器７は、内部に光共振器を備えたパワー発振器に置き換えることも可能である。図２４は、ファブリーペロー型の増幅器７Ａの概略構成を示す。図２４に示すように、増幅器７Ａは、高反射ミラー１７２と、出力結合ミラー１７３と、Ｔｉ：サファイア結晶１７４と、高反射ミラー１７１と、を備える。高反射ミラー１７２および出力結合ミラー１７３は、光共振器を形成する。Ｔｉ：サファイア結晶１７４は、この光共振器内の光路上に配置される。高反射ミラー１７１は、Ｔｉ：サファイアレーザ６から光シャッタ４１を介して入射したパルスレーザ光Ｌ１およびポンピングレーザ５から入射した励起光５１を光共振器内に導く。
高反射ミラー１７１は、Ｔｉ：サファイアレーザ６からのパルスレーザ光Ｌ１を光共振器側へ反射するとともに、ポンピングレーザ５からの励起光５１を光共振器側へ透過する。また、光共振器を形成する一方の高反射ミラー１７２は、パルスレーザ光Ｌ１および励起光５１を透過し、Ｔｉ：サファイア結晶１７４からのレーザ光を反射する。Ｔｉ：サファイア結晶１７４の光入出力端面は、ブリュースタカットされている。これにより、この端面でのレーザ光の反射が抑えられる。Ｔｉ：サファイア結晶１７４は、光共振器内を往復するパルスレーザ光Ｌ１に基づいて、励起光５１からエネルギーを得つつ発振することで、増幅されたパルスレーザ光Ｌ１ａを出射する。増幅後のパルスレーザ光Ｌ１ａは、出力結合ミラー１７３を介して出力される。
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書、及び添付の特許請求の範囲に記載される不定冠詞「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
上述の実施形態においては、増幅器７が１つである例を示したが、増幅器７を複数使用してもよい。また、Ｔｉ：サファイアレーザ６と増幅器７は共通のポンピングレーザ５によってポンピングしているが、別々のポンピングレーザを使用してもよい。また、ポンピングレーザ５としてＮｄ：ＹＬＦレーザあるいはＮｄ：ＹＶＯ４レーザの第二高調波光を発振するレーザを使用してもよい。また、Ｔｉ：サファイアレーザ６の代わりにエルビウムドープト光ファイバレーザの第二高調波光を発生するレーザを使用してもよい。このレーザは、半導体レーザによってポンピングしてもよい。また、波長変換装置８は、本開示の構成に限定されるものではなく、波長変換装置８に入射される光を増幅装置３の増幅波長帯域の波長、例えば略１９３ｎｍの波長の光に変換するものであればよい。例えば、波長変換装置８に含まれる波長変換素子としては、ＬＢＯ結晶９の代わりにＣＬＢＯ結晶を使用してもよい。
１、１Ａ、１Ｂ ２ステージレーザ装置（レーザシステム）
２、２Ａ、２Ｂ マスタオシレータ
３、３Ａ、３Ｂ 増幅装置
４ 低コヒーレンス化光学システム
５ ポンピングレーザ
６ Ｔｉ：サファイアレーザ
６０ ロングパルスマスタオシレータ
７ 増幅器
８ 波長変換装置
８１ ビームスプリッタ
１１、８２ 高反射ミラー
９ ＬＢＯ結晶
１０ ＫＢＢＦ結晶
１４ 出力結合ミラー
１５〜１７ 高反射ミラー
１８、１９ ウィンドウ
２０ チャンバ
２１ アノード
２２ カソード
２３ 放電空間
２４ レーザ電源
２５ スイッチ
２６ 磁気パルス圧縮回路
３１ パルスレーザ光（出力パルスレーザ光）
３２、３３ パルスレーザ光
４１ 光シャッタ
１４１、１４３ 偏光子
１４２ ポッケルスセル
１４４ 高圧電源
２００ 固体レーザ装置
２１０ コントローラ（同期制御装置）
２１１ 内部トリガ発振器
２２０ 外部装置
２２０Ａ レーザコントローラ
３１１ 発振遅延回路
３４１ シャッタ遅延回路
３５０ スイッチ遅延回路
４１０、４１１〜４１４ 光センサ
４２０、４２１〜４２４ ビームスプリッタ
４３０ センサ
４３１ 磁気スイッチ動作センサ
４３２ 電流センサ
４３３ 光センサ
４３３ａ 転写レンズ
４３３ｂ ウィンドウ
４３３ｃ ビームスプリッタ
６００ 露光装置
６０１ 露光コントローラ
ＡＬ１ 可飽和リアクトル
Ｌ０ シードパルスレーザ光
Ｌ１ 通過パルスレーザ光
Ｌ１ａ 増幅パルスレーザ光
Ｓ１ トリガ信号
Ｓ１１ ポンピングレーザ発振信号
Ｓ４１ 光シャッタ動作信号
Ｓ５ スイッチ信号
Ｓ６１ 電圧

Claims (12)

  1. パルスレーザ光を出力するマスタオシレータと、
    前記マスタオシレータから出力されたパルスレーザ光を増幅する増幅装置と、
    前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光のタイミングを検出する第１のタイミング検出器と、
    前記増幅装置の放電タイミングを検出する第２のタイミング検出器と、
    前記第１のタイミング検出器と前記第２のタイミング検出器との検出結果に基づいて、前記パルスレーザ光が前記増幅装置の放電空間内を通過する際に該増幅装置が放電するように、前記マスタオシレータが前記パルスレーザ光を出力するタイミングおよび前記増幅装置が放電するタイミングのうち少なくとも一方を制御するコントローラと、
    を備えるレーザシステム。
  2. 前記コントローラは、前記第１のタイミング検出器で検出された前記パルスレーザ光のタイミングと、前記第２のタイミング検出器で検出された前記放電タイミングとの差を算出し、算出した前記差に基づいて、前記マスタオシレータが前記パルスレーザ光を出力するタイミングおよび前記増幅装置が放電するタイミングのうち少なくとも一方を制御する、請求項１記載のレーザシステム。
  3. 前記マスタオシレータは、
    励起光を出力するポンピングレーザと、
    前記励起光によってレーザ発振するシードレーザと、
    前記シードレーザから出力されたパルスレーザ光を前記励起光によって増幅する増幅器と、
    を含み
    前記第１のタイミング検出器は、前記シードレーザから出力された前記パルスレーザ光が所定の位置を通過するタイミングを前記パルスレーザ光のタイミングとして検出し、
    前記コントローラは、前記第１のタイミング検出器と前記第２のタイミング検出器との検出結果に基づいて、前記ポンピングレーザを発振させるタイミングおよび前記増幅装置が放電するタイミングのうち少なくとも一方を制御する、
    請求項１記載のレーザシステム。
  4. 前記マスタオシレータは、
    励起光を出力するポンピングレーザと、
    前記励起光によってレーザ発振するシードレーザと、
    前記シードレーザから出力されたパルスレーザ光を前記励起光によって増幅する増幅器と、
    前記シードレーザと前記増幅器との間の光路上に設置された少なくとも１つの光シャッタと、
    を含み
    前記第１のタイミング検出器は、前記光シャッタを通過した前記パルスレーザ光が所定の位置を通過するタイミングを前記パルスレーザ光のタイミングとして検出し、
    前記コントローラは、前記第１のタイミング検出器と前記第２のタイミング検出器との検出結果に基づいて、前記光シャッタを開状態とするタイミングおよび前記増幅装置が放電するタイミングのうち少なくとも一方を制御する、
    請求項１記載のレーザシステム。
  5. 前記第２のタイミング検出器は、前記増幅装置の放電空間に発生した放電による放電光を前記放電タイミングとして検出する、請求項１記載のレーザシステム。
  6. 前記増幅装置は、磁気スイッチを含み、放電空間に放電を発生させる回路と、を含み、
    前記第２のタイミング検出器は、前記磁気スイッチのオン／オフを前記放電タイミングとして検出する、
    請求項１記載のレーザシステム。
  7. 前記第２のタイミング検出器は、前記増幅装置の放電空間に発生した放電による放電項を前記放電タイミングとして検出する、請求項１記載のレーザシステム。
  8. 前記シードレーザは、前記コントローラが前記光シャッタを開状態とする期間よりも長いパルス幅の前記パルスレーザ光を出力する、請求項４記載のレーザシステム。
  9. 前記光シャッタは、
    電気光学素子と、
    前記電気光学素子の光入力端側に配置される第１の光フィルタと、
    前記電気光学素子の光出力端側に配置される第２の光フィルタと、
    前記電気光学素子に接続され、前記電気光学素子に電圧を印加する電源と、
    を備える、請求項４記載のレーザシステム。
  10. 前記電気光学素子は、ポッケルスセルである、請求項９記載のレーザシステム。
  11. 前記第１および第２の光フィルタは、それぞれ少なくとも１つの偏光子を含む、請求項９記載のレーザシステム。
  12. パルスレーザ光を出力するマスタオシレータ、前記マスタオシレータから出力されたパルスレーザ光を増幅する増幅装置と、前記マスタオシレータから出力されるパルスレーザ光のタイミングを検出する第１のタイミング検出器と、前記増幅装置の放電タイミングを検出する第２のタイミング検出器と、を備える装置のレーザ生成方法であって、
    前記第１のタイミング検出器と前記第２のタイミング検出器との検出結果に基づいて、前記パルスレーザ光が前記増幅装置の放電空間内を通過する際に該増幅装置が放電するように、前記マスタオシレータが前記パルスレーザ光を出力するタイミングおよび前記増幅装置が放電するタイミングのうち少なくとも一方を制御する、
    レーザ生成方法。
JP2011071168A 2011-03-28 2011-03-28 レーザシステムおよびレーザ生成方法 Active JP5844536B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011071168A JP5844536B2 (ja) 2011-03-28 2011-03-28 レーザシステムおよびレーザ生成方法
US13/427,568 US8861558B2 (en) 2011-03-28 2012-03-22 Laser system and laser light generation method
US14/298,563 US9184555B2 (en) 2011-03-28 2014-06-06 Laser system and laser light generation method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011071168A JP5844536B2 (ja) 2011-03-28 2011-03-28 レーザシステムおよびレーザ生成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2012204820A true JP2012204820A (ja) 2012-10-22
JP5844536B2 JP5844536B2 (ja) 2016-01-20

Family

ID=46927221

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011071168A Active JP5844536B2 (ja) 2011-03-28 2011-03-28 レーザシステムおよびレーザ生成方法

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8861558B2 (ja)
JP (1) JP5844536B2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016171195A1 (ja) * 2015-04-23 2016-10-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び計測装置
WO2017175561A1 (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 ギガフォトン株式会社 固体レーザ装置、固体レーザシステム、及び露光装置用レーザ装置
WO2018138819A1 (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 ギガフォトン株式会社 レーザシステム
JP2022532976A (ja) * 2019-04-30 2022-07-21 カンデラ・コーポレイション 色素治療システムおよびその使用方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5844536B2 (ja) * 2011-03-28 2016-01-20 ギガフォトン株式会社 レーザシステムおよびレーザ生成方法
JP6195474B2 (ja) * 2013-05-31 2017-09-13 ギガフォトン株式会社 極端紫外光生成装置及び極端紫外光生成システムにおけるレーザシステムの制御方法
CN104577684B (zh) * 2014-12-30 2018-03-23 中国科学院光电研究院 采用双通结构的双腔准分子激光器
KR101682593B1 (ko) * 2015-05-26 2016-12-05 한국과학기술연구원 단일 펄스 레이저 장치
CN107735914B (zh) * 2015-07-14 2020-06-26 极光先进雷射株式会社 准分子激光装置
CN109314365B (zh) * 2016-07-26 2021-05-11 极光先进雷射株式会社 激光系统
CN109891688B (zh) 2016-12-08 2021-02-12 极光先进雷射株式会社 激光装置以及激光加工系统
US10451890B2 (en) 2017-01-16 2019-10-22 Cymer, Llc Reducing speckle in an excimer light source
CN112703451A (zh) * 2018-09-12 2021-04-23 西默有限公司 用于气体放电台的本体的量测

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145790A (ja) * 1985-12-20 1987-06-29 Toshiba Corp 短波長放射光システム
JPH03215985A (ja) * 1990-01-20 1991-09-20 Mitsubishi Electric Corp レーザ装置
JPH06334276A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Laser Noshuku Gijutsu Kenkyu Kumiai 放電タイミング調整装置
JPH11298083A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Komatsu Ltd 注入同期型狭帯域レーザ
JP2000188439A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Komatsu Ltd パルスレーザの発光タイミング信号制御装置
JP2001156388A (ja) * 1999-09-13 2001-06-08 Nikon Corp 波長安定化制御方法及び光源装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法及びデバイス
JP2002151779A (ja) * 2000-08-28 2002-05-24 Komatsu Ltd レーザ装置及びシード光の最適化方法
JP2004335782A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Komatsu Ltd 注入同期式レーザ装置
JP2005064184A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Komatsu Ltd ２ステージレーザのパルスエネルギー制御装置及び２ステージレーザシステム
US7003005B1 (en) * 2003-04-03 2006-02-21 Ming Lai Simplified laser oscillator-amplifier system
JP2006128157A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用ドライバレーザシステム
JP2008275049A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Ｇｋｎ ドライブライン トルクテクノロジー株式会社 電磁摩擦クラッチ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5689363A (en) 1995-06-12 1997-11-18 The Regents Of The University Of California Long-pulse-width narrow-bandwidth solid state laser
JP2820103B2 (ja) 1996-01-31 1998-11-05 日本電気株式会社 注入同期レーザ装置
JP3731695B2 (ja) 1997-07-25 2006-01-05 ソニー株式会社 レーザ光発生装置
JP3879889B2 (ja) 1998-11-20 2007-02-14 株式会社小松製作所 インジェクションロック型狭帯域化パルスレーザ装置
US6865210B2 (en) * 2001-05-03 2005-03-08 Cymer, Inc. Timing control for two-chamber gas discharge laser system
US6816520B1 (en) 2001-11-30 2004-11-09 Positive Light Solid state system and method for generating ultraviolet light
JP4151476B2 (ja) 2003-05-14 2008-09-17 ソニー株式会社 レーザ光安定化方法、レーザ光発生装置
JP4798687B2 (ja) * 2004-07-09 2011-10-19 株式会社小松製作所 狭帯域化レーザ装置
US7593440B2 (en) 2005-03-29 2009-09-22 Coherent, Inc. MOPA laser apparatus with two master oscillators for generating ultraviolet radiation
DE112005001423B4 (de) 2005-04-08 2015-05-28 Mitsubishi Electric Corp. Lasersystem
US7920616B2 (en) 2005-11-01 2011-04-05 Cymer, Inc. Laser system
US7593437B2 (en) 2006-05-15 2009-09-22 Coherent, Inc. MOPA laser apparatus with two master oscillators for generating ultraviolet radiation
JP5256606B2 (ja) 2006-11-14 2013-08-07 株式会社ニコン レーザ装置、エキシマレーザ装置、光照射装置及び露光装置、並びに光発生方法、エキシマレーザ光発生方法、光照射方法、露光方法及びデバイス製造方法
JP5844536B2 (ja) * 2011-03-28 2016-01-20 ギガフォトン株式会社 レーザシステムおよびレーザ生成方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62145790A (ja) * 1985-12-20 1987-06-29 Toshiba Corp 短波長放射光システム
JPH03215985A (ja) * 1990-01-20 1991-09-20 Mitsubishi Electric Corp レーザ装置
JPH06334276A (ja) * 1993-05-24 1994-12-02 Laser Noshuku Gijutsu Kenkyu Kumiai 放電タイミング調整装置
JPH11298083A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Komatsu Ltd 注入同期型狭帯域レーザ
JP2000188439A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Komatsu Ltd パルスレーザの発光タイミング信号制御装置
JP2001156388A (ja) * 1999-09-13 2001-06-08 Nikon Corp 波長安定化制御方法及び光源装置、露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法及びデバイス
JP2002151779A (ja) * 2000-08-28 2002-05-24 Komatsu Ltd レーザ装置及びシード光の最適化方法
US7003005B1 (en) * 2003-04-03 2006-02-21 Ming Lai Simplified laser oscillator-amplifier system
JP2004335782A (ja) * 2003-05-08 2004-11-25 Komatsu Ltd 注入同期式レーザ装置
JP2005064184A (ja) * 2003-08-11 2005-03-10 Komatsu Ltd ２ステージレーザのパルスエネルギー制御装置及び２ステージレーザシステム
JP2006128157A (ja) * 2004-10-26 2006-05-18 Komatsu Ltd 極端紫外光源装置用ドライバレーザシステム
JP2008275049A (ja) * 2007-04-27 2008-11-13 Ｇｋｎ ドライブライン トルクテクノロジー株式会社 電磁摩擦クラッチ

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2016171195A1 (ja) * 2015-04-23 2018-02-22 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び計測装置
WO2016171195A1 (ja) * 2015-04-23 2016-10-27 ギガフォトン株式会社 レーザ装置、及び計測装置
US10483713B2 (en) 2015-04-23 2019-11-19 Gigaphoton Inc. Laser apparatus and measurement unit
JP2022010094A (ja) * 2016-04-07 2022-01-14 ギガフォトン株式会社 パルスレーザ光の生成方法
WO2017175561A1 (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 ギガフォトン株式会社 固体レーザ装置、固体レーザシステム、及び露光装置用レーザ装置
WO2017175344A1 (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 ギガフォトン株式会社 固体レーザ装置、固体レーザシステム、及び露光装置用レーザ装置
JPWO2017175561A1 (ja) * 2016-04-07 2019-02-14 ギガフォトン株式会社 固体レーザ装置、固体レーザシステム、及び露光装置用レーザ装置
US10374382B2 (en) 2016-04-07 2019-08-06 Gigaphoton Inc. Solid-state laser device, solid-state laser system, and laser device for exposure device
JP7329577B2 (ja) 2016-04-07 2023-08-18 ギガフォトン株式会社 パルスレーザ光の生成方法
US10587089B2 (en) 2016-04-07 2020-03-10 Gigaphoton Inc. Solid-state laser device, solid-state laser system, and laser device for exposure device
WO2018138819A1 (ja) * 2017-01-26 2018-08-02 ギガフォトン株式会社 レーザシステム
US11025026B2 (en) 2017-01-26 2021-06-01 Gigaphoton Inc. Laser system
US11682877B2 (en) 2017-01-26 2023-06-20 Gigaphoton Inc. Laser system
JPWO2018138819A1 (ja) * 2017-01-26 2019-11-14 ギガフォトン株式会社 レーザシステム
JP2022532976A (ja) * 2019-04-30 2022-07-21 カンデラ・コーポレイション 色素治療システムおよびその使用方法
JP7378490B2 (ja) 2019-04-30 2023-11-13 カンデラ・コーポレイション 色素治療システムおよびその使用方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20140341239A1 (en) 2014-11-20
US8861558B2 (en) 2014-10-14
US9184555B2 (en) 2015-11-10
JP5844536B2 (ja) 2016-01-20
US20120250710A1 (en) 2012-10-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5844536B2 (ja) レーザシステムおよびレーザ生成方法
JP5844535B2 (ja) レーザシステムおよびレーザ生成方法
JP2012199425A (ja) マスタオシレータ、レーザシステム、およびレーザ生成方法
US10587089B2 (en) Solid-state laser device, solid-state laser system, and laser device for exposure device
JP5740190B2 (ja) レーザシステムおよびレーザ生成方法
US7095773B2 (en) Injection locking type or MOPA type of laser device
US9054494B2 (en) Pulsed laser oscillator and method for controlling pulsed laser oscillation
JP2013145863A (ja) ２光束干渉装置および２光束干渉露光システム
WO2015140901A1 (ja) レーザシステム
WO2016121281A1 (ja) 固体レーザシステム
JP2015026668A (ja) レーザシステム、極端紫外光生成及びレーザ装置の制御方法
WO2017006418A1 (ja) 増幅器、及びレーザシステム
WO2017064789A1 (ja) 固体レーザシステムおよびエキシマレーザシステム
JP3879889B2 (ja) インジェクションロック型狭帯域化パルスレーザ装置
WO2016103483A1 (ja) チタンサファイヤレーザ装置、及び露光装置用レーザ装置、並びにチタンサファイヤ増幅器
JP2007305777A (ja) 再生増幅器およびレーザ装置
WO2017046860A1 (ja) レーザシステム
JP5923885B2 (ja) パルスレーザ発振器及びパルスレーザ発振制御方法
JP2016066824A (ja) レーザ装置
JP2013021267A (ja) パルスレーザ発振器及びパルスレーザ発振制御方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20140203

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20141128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20141202

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20150202

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20150710

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20150811

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20151005

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151027

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20151119

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5844536

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250