JP4607537B2 - レーザ加工方法 - Google Patents
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Description
・加工対象物:サファイア/GaN(サファイア側からレーザ照射)
・レーザ:波長355nmのNd:YAGレーザ、パルス幅10ナノ秒
・レーザ出力:6.3μJ(1パルス当たり、対物レンズ通過後の試料位置において測定)
・レーザパルス発振繰り返し周波数:130kHz
・対物レンズ:開口数(NA)=0.28
・ビーム走査回数:1回
・試料ステージ駆動速度:10mm/s
・照射集光位置:サファイア基板から6μm上方
・加工対象物:サファイア/GaN(サファイア側からレーザ照射)
・レーザ:波長355nmのNd:YAGレーザ、パルス幅10ナノ秒
・レーザ出力:4μJ(1パルス当たり、対物レンズ通過後の試料位置において測定)
・レーザパルス発振繰り返し周波数:130kHz
・対物レンズ:開口数(NA)=0.28
・ビーム走査回数:2回
・試料ステージ駆動速度:9mm/s
・照射集光位置:サファイア基板から20μm上方の焦点で1回目の走査、次に8μm上方の焦点で2回目の走査
・加工対象物:サファイア/GaN(サファイア側からレーザ照射)
・レーザ:波長355nmのNd:YAGレーザ、パルス幅10ナノ秒
・レーザ出力:6.3μJ(1パルス当たり、対物レンズ通過後の試料位置において測定)
・レーザパルス発振繰り返し周波数:130kHz
・対物レンズ:開口数(NA)=0.28
・ビーム走査回数:2回
・試料ステージ駆動速度:10mm/s
・照射集光位置:サファイア基板から10μm上方の焦点で1回目の走査、次に4μm上方の焦点で2回目の走査
3、109 対物レンズ
5、11 損傷
7 加工対象物表面
100 レーザ加工装置
101 レーザ光源
103 テレスコープ光学系
105 偏光板
107 ダイクロイックミラー
109 対物レンズ
111 保護用窓プレート
113 ステージ
115 計測用光源
117 ビーム整形器
119 ハーフミラー
121 光検出器
123 コントローラ
125 照明用光源
127 CCDカメラ
129 コンピュータ
131 モニタ
L パルスレーザ光
P 集光位置(焦点位置)
Claims (4)
- 光学系を介して、プラズマを発生させないエネルギ強度で、かつパルス幅がナノ秒域のパルスレーザ光をサファイア基板の表面上方に集光照射し、前記サファイア基板に対して広がったダイバージェンス角で入射する前記パルスレーザ光と前記サファイア基板との相互作用により、前記サファイア基板の表面にV字形の損傷を形成するステップを含むレーザ加工方法であって、
前記サファイア基板の表面と前記パルスレーザ光の集光位置との距離dは、4μm≦d≦20μmの範囲内である、レーザ加工方法。 - 前記パルスレーザ光の照射走査は、1回または2回行う、請求項1記載のレーザ加工方法。
- 前記パルスレーザ光の照射走査を2回行う場合、2回目の照射走査における前記パルスレーザ光の集光位置は、1回目の照射走査における前記パルスレーザ光の集光位置よりも前記サファイア基板の表面に近づくように変更される、請求項2記載のレーザ加工方法。
- 前記光学系内のレンズの開口数NAは、0.1≦NA≦0.8の範囲内にある、請求項1記載のレーザ加工方法。
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