JP5613809B2 - レーザ切断方法およびレーザ加工装置 - Google Patents
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Description
[1]パルス幅が100〜1000フェムト秒のレーザパルスを集光レンズを通してサファイアに集光照射しながら、前記サファイアの切断予定ラインを前記レーザパルスビームで走査して、前記切断予定ラインに沿って前記サファイアに複数の応力ひずみ領域を形成するステップと、前記複数の応力ひずみ領域が形成されたサファイアに機械的応力を加えて、前記サファイアを前記切断予定ラインに沿って切断するステップと、を有するレーザ切断方法であって、前記応力ひずみ領域を形成するステップにおいて、前記レーザパルスを前記サファイアの表面近傍に集光照射するとともに、前記サファイアの表面における前記レーザパルスのレーザ強度を0.5〜500PW/cm 2 の範囲内として、前記サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸長した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する、レーザ切断方法。
[2]前記集光レンズとサファイアとの距離は、前記集光レンズの作動距離±500μmの範囲である、[1]に記載のレーザ切断方法。
[3]パルス幅が100〜1000フェムト秒のレーザパルスを発生するレーザ光源と、前記レーザパルスを集光する集光レンズと、サファイアが載置されるステージと、前記集光レンズと前記ステージとの相対的位置を変化させて、前記レーザパルスの集光位置を調整する位置制御手段と、前記レーザ光源のレーザ強度を調整するレーザ強度制御手段と、を有し、前記位置制御手段とレーザ強度制御手段とにより、前記レーザパルスを前記サファイアの表面近傍に集光照射するとともに、前記サファイアの表面における前記レーザパルスのレーザ強度を0.5〜500PW/cm 2 の範囲内として、前記サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸張した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する、レーザ加工装置。
[4]前記位置制御手段は、前記集光レンズとサファイアとの距離を、前記集光レンズの作動距離±500μmの範囲内に調整する、[3]に記載のレーザ加工装置。
本発明のレーザ加工方法は、レーザパルスを集光レンズにより加工対象物の表面近傍に集光照射するステップを有し、所定のパルス幅のレーザパルスを所定の強度で加工対象物の表面近傍に照射することを特徴とする。後述するように、加工対象物に照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿って加工対象物内を光軸方向に伝播し、加工対象物内に応力ひずみ領域を形成する。
WD−500μm≦L≦WD+500μm
本発明のレーザ加工方法では、加工対象物に照射されたレーザパルスは、セルフチャネリング効果により形成される一過性の光導波路に沿って加工対象物内を光軸方向に伝播し、加工対象物内に応力ひずみ領域を形成する。以下、図3を参照して、本発明のレーザ加工方法において応力ひずみ領域が形成されるメカニズムについて説明する。
ここで、本発明のレーザ加工方法のメカニズムの骨子となる「ポンデラモーティブ力」について簡単に説明する。
以上のように、本発明のレーザ加工方法は、レーザ強度が非常に高いレーザパルス(0.5PW/cm2以上)を加工対象物の表面近傍に集光照射することで、セルフチャネリング効果により加工対象物内に形成される一過性の光導波路に沿ってレーザパルスを伝播させ、アスペクト比の高い応力ひずみ領域を高精度に形成することができる。したがって、本発明のレーザ加工方法を用いて加工対象物を切断すれば、加工対象物を切断予定ラインに沿って高精度かつ容易に切断することができる。
本発明のレーザ加工方法は、これに限定されるわけではないが、図6に示されるレーザ加工装置を用いて実施することができる。
100−1 レーザパルスの前半部分
100−2 レーザパルスの中間部分
100−3 レーザパルスの後半部分
102 偏光方向
110 加工対象物
120 切断予定ライン
130 応力ひずみ領域
140 ミラー
150 集光レンズ
200 励起電子
210 ポンデラモーティブ力
220 追い出された励起電子
230 電子密度が高い領域
240 電子密度が低い領域
250 加工対象物に形成された穴
260 アブレーション
300 レーザ加工装置
310 レーザ光源
320 テレスコープ光学系
330 偏光調整光学系
340 ダイクロイックミラー
350 ステージ
360 観察用光学系
370 自動照準システム
380 ハーフミラー
390 XYZステージコントローラ
400 コンピュータ
410 モニタ
Claims (4)
- パルス幅が100〜1000フェムト秒のレーザパルスを集光レンズを通してサファイアに集光照射しながら、前記サファイアの切断予定ラインを前記レーザパルスビームで走査して、前記切断予定ラインに沿って前記サファイアに複数の応力ひずみ領域を形成するステップと、
前記複数の応力ひずみ領域が形成されたサファイアに機械的応力を加えて、前記サファイアを前記切断予定ラインに沿って切断するステップと、を有するレーザ切断方法であって、
前記応力ひずみ領域を形成するステップにおいて、前記レーザパルスを前記サファイアの表面近傍に集光照射するとともに、前記サファイアの表面における前記レーザパルスのレーザ強度を0.5〜500PW/cm2の範囲内として、前記サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸長した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する、
レーザ切断方法。 - 前記集光レンズとサファイアとの距離は、前記集光レンズの作動距離±500μmの範囲である、請求項1に記載のレーザ切断方法。
- パルス幅が100〜1000フェムト秒のレーザパルスを発生するレーザ光源と、
前記レーザパルスを集光する集光レンズと、
サファイアが載置されるステージと、
前記集光レンズと前記ステージとの相対的位置を変化させて、前記レーザパルスの集光位置を調整する位置制御手段と、
前記レーザ光源のレーザ強度を調整するレーザ強度制御手段と、
を有し、
前記位置制御手段とレーザ強度制御手段とにより、前記レーザパルスを前記サファイアの表面近傍に集光照射するとともに、前記サファイアの表面における前記レーザパルスのレーザ強度を0.5〜500PW/cm 2 の範囲内として、前記サファイアの表面を起点として内部に向かう、光軸方向に伸張した形状の応力ひずみ領域を、セルフチャネリング効果により形成する、
レーザ加工装置。 - 前記位置制御手段は、前記集光レンズとサファイアとの距離を、前記集光レンズの作動距離±500μmの範囲内に調整する、請求項3に記載のレーザ加工装置。
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