JP2002192369A - レーザ加工方法及びレーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工方法及びレーザ加工装置Info
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 加工対象物の表面にクラックや溶融が生じる
ことなく、かつ効率的に加工対象物を切断することがで
きるレーザ加工方法を提供すること。 【解決手段】 多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工
対象物１の内部に集光点を合わせて、パルスレーザ光L
を切断予定ライン５に照射することにより、加工対象物
１の内部に改質領域を形成している。パルスレーザ光L
は直線偏光であり、その向きは切断予定ライン５と沿う
ように調節されている。改質領域を起点として切断予定
ライン５に沿って加工対象物１を割ることにより、比較
的小さな力で加工対象物１を切断することができる。レ
ーザ光Lの照射において、加工対象物１の表面３ではパ
ルスレーザ光Lがほとんど吸収されないので、改質領域
形成が原因で表面３が溶融することはない。改質領域は
切断予定ライン５に沿った方向の寸法を相対的に大きく
できるので、少ないショット数で切断予定ライン５に沿
った改質領域を形成できる。
ことなく、かつ効率的に加工対象物を切断することがで
きるレーザ加工方法を提供すること。 【解決手段】 多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工
対象物１の内部に集光点を合わせて、パルスレーザ光L
を切断予定ライン５に照射することにより、加工対象物
１の内部に改質領域を形成している。パルスレーザ光L
は直線偏光であり、その向きは切断予定ライン５と沿う
ように調節されている。改質領域を起点として切断予定
ライン５に沿って加工対象物１を割ることにより、比較
的小さな力で加工対象物１を切断することができる。レ
ーザ光Lの照射において、加工対象物１の表面３ではパ
ルスレーザ光Lがほとんど吸収されないので、改質領域
形成が原因で表面３が溶融することはない。改質領域は
切断予定ライン５に沿った方向の寸法を相対的に大きく
できるので、少ないショット数で切断予定ライン５に沿
った改質領域を形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体材料基板、
圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断に使用
されるレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。
圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断に使用
されるレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ応用の一つに切断があり、レーザ
による一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウ
ェハやガラス基板のような加工対象物の切断する箇所
に、加工対象物が吸収する波長のレーザ光を照射し、レ
ーザ光の吸収により切断する箇所において加工対象物の
表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物
を切断する。しかし、この方法では加工対象物の表面の
うち切断する箇所となる領域周辺も溶融される。よっ
て、加工対象物が半導体ウェハの場合、半導体ウェハの
表面に形成された半導体素子のうち、上記領域周辺に位
置する半導体素子が溶融する恐れがある。
による一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウ
ェハやガラス基板のような加工対象物の切断する箇所
に、加工対象物が吸収する波長のレーザ光を照射し、レ
ーザ光の吸収により切断する箇所において加工対象物の
表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物
を切断する。しかし、この方法では加工対象物の表面の
うち切断する箇所となる領域周辺も溶融される。よっ
て、加工対象物が半導体ウェハの場合、半導体ウェハの
表面に形成された半導体素子のうち、上記領域周辺に位
置する半導体素子が溶融する恐れがある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】加工対象物の表面の溶
融を防止する方法として、例えば、特開２０００-２１
９５２８号公報や特開２０００-１５４６７号公報に開
示されたレーザによる切断方法がある。これらの公報の
切断方法では、加工対象物の切断する箇所をレーザ光に
より加熱し、そして加工対象物を冷却することにより、
加工対象物の切断する箇所に熱衝撃を生じさせて加工対
象物を切断する。
融を防止する方法として、例えば、特開２０００-２１
９５２８号公報や特開２０００-１５４６７号公報に開
示されたレーザによる切断方法がある。これらの公報の
切断方法では、加工対象物の切断する箇所をレーザ光に
より加熱し、そして加工対象物を冷却することにより、
加工対象物の切断する箇所に熱衝撃を生じさせて加工対
象物を切断する。
【０００４】しかし、これらの公報の切断方法では、加
工対象物に生じる熱衝撃が大きいと、加工対象物の表面
に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射してい
ない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生するこ
とがある。よって、これらの切断方法では精密切断をす
ることができない。特に、加工対象物が半導体ウェハ、
液晶表示装置が形成されたガラス基板、電極パターンが
形成されたガラス基板の場合、この不必要な割れにより
半導体チップ、液晶表示装置、電極パターンが損傷する
ことがある。また、これらの切断方法では平均入力エネ
ルギーが大きいので、半導体チップ等に与える熱的ダメ
ージも大きい。
工対象物に生じる熱衝撃が大きいと、加工対象物の表面
に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射してい
ない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生するこ
とがある。よって、これらの切断方法では精密切断をす
ることができない。特に、加工対象物が半導体ウェハ、
液晶表示装置が形成されたガラス基板、電極パターンが
形成されたガラス基板の場合、この不必要な割れにより
半導体チップ、液晶表示装置、電極パターンが損傷する
ことがある。また、これらの切断方法では平均入力エネ
ルギーが大きいので、半導体チップ等に与える熱的ダメ
ージも大きい。
【０００５】本発明の目的は、加工対象物の表面に不必
要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しな
いレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することで
ある。
要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しな
いレーザ加工装置及びレーザ加工方法を提供することで
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザ加工
方法は、１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集
光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏
光を表す楕円の長軸が加工対象物の切断予定ラインと沿
うように、加工対象物にレーザ光を照射することによ
り、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子
吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴
とする。
方法は、１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集
光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏
光を表す楕円の長軸が加工対象物の切断予定ラインと沿
うように、加工対象物にレーザ光を照射することによ
り、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子
吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴
とする。
【０００７】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加
工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射しか
つ多光子吸収という現象を利用することにより、加工対
象物の内部に改質領域を形成している。加工対象物の切
断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較
的小さな力で割って切断することができる。本発明に係
るレーザ加工方法によれば、改質領域を起点として切断
予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより、加
工対象物を切断することができる。よって、比較的小さ
な力で加工対象物を切断することができるので、加工対
象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを
発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。
工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射しか
つ多光子吸収という現象を利用することにより、加工対
象物の内部に改質領域を形成している。加工対象物の切
断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較
的小さな力で割って切断することができる。本発明に係
るレーザ加工方法によれば、改質領域を起点として切断
予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより、加
工対象物を切断することができる。よって、比較的小さ
な力で加工対象物を切断することができるので、加工対
象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを
発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。
【０００８】また、本発明に係るレーザ加工方法によれ
ば、加工対象物の内部に局所的に多光子吸収を発生させ
て改質領域を形成している。よって、加工対象物の表面
ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物
の表面が溶融することはない。なお、集光点とはレーザ
光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは加工
対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮
想の線でもよい。
ば、加工対象物の内部に局所的に多光子吸収を発生させ
て改質領域を形成している。よって、加工対象物の表面
ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物
の表面が溶融することはない。なお、集光点とはレーザ
光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは加工
対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮
想の線でもよい。
【０００９】また、本発明に係るレーザ加工方法によれ
ば、レーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が加工対象物
の切断予定ラインと沿うように、加工対象物にレーザ光
を照射することにより改質領域を形成している。本発明
者によれば、楕円偏光をしたレーザ光を用いると、楕円
偏光を表す楕円の長軸方向（つまり、偏光の偏りが強い
方向）に改質領域の形成が促進されることが分かった。
よって、楕円偏光を表す楕円の長軸方向が加工対象物の
切断予定ラインと沿うように、レーザ光を加工対象物に
照射して改質領域を形成すると、切断予定ラインに沿っ
た改質領域を効率的に形成することが可能となる。
ば、レーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が加工対象物
の切断予定ラインと沿うように、加工対象物にレーザ光
を照射することにより改質領域を形成している。本発明
者によれば、楕円偏光をしたレーザ光を用いると、楕円
偏光を表す楕円の長軸方向（つまり、偏光の偏りが強い
方向）に改質領域の形成が促進されることが分かった。
よって、楕円偏光を表す楕円の長軸方向が加工対象物の
切断予定ラインと沿うように、レーザ光を加工対象物に
照射して改質領域を形成すると、切断予定ラインに沿っ
た改質領域を効率的に形成することが可能となる。
【００１０】また、本発明に係るレーザ加工方法によれ
ば、切断予定ラインに沿った方向以外において改質領域
の形成が抑制されるので、加工対象物を切断予定ライン
に沿って精密に切断することが可能となる。
ば、切断予定ラインに沿った方向以外において改質領域
の形成が抑制されるので、加工対象物を切断予定ライン
に沿って精密に切断することが可能となる。
【００１１】ここで、楕円率とは楕円の短軸の長さの半
分／長軸の長さの半分である。レーザ光の楕円率が小さ
いほど、改質領域は、切断予定ラインに沿う方向の形成
が促進されかつそれ以外の方向の形成が抑制される。楕
円率は加工対象物の厚さや材質等を考慮して定めること
ができる。直線偏光は楕円率が零の楕円偏光である。
分／長軸の長さの半分である。レーザ光の楕円率が小さ
いほど、改質領域は、切断予定ラインに沿う方向の形成
が促進されかつそれ以外の方向の形成が抑制される。楕
円率は加工対象物の厚さや材質等を考慮して定めること
ができる。直線偏光は楕円率が零の楕円偏光である。
【００１２】本発明に係るレーザ加工方法は、１以外の
楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物
の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点
におけるピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上で
かつパルス幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射する
ことにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部
にクラック領域を含む改質領域を形成する工程を備える
ことを特徴とする。
楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物
の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点
におけるピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上で
かつパルス幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射する
ことにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部
にクラック領域を含む改質領域を形成する工程を備える
ことを特徴とする。
【００１３】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加
工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピ
ークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス
幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射している。この
ため、加工対象物の内部では多光子吸収による光学的損
傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対
象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象
物の内部にクラック領域が形成される。このクラック領
域は上記改質領域の一例であるので、本発明に係るレー
ザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予
定ラインから外れた不必要な割れを発生させることな
く、レーザ加工が可能となる。このレーザ加工方法の加
工対象物としては、例えば、ガラスを含む部材がある。
なお、ピークパワー密度とは、パルスレーザ光の集光点
の電界強度を意味する。
工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピ
ークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス
幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射している。この
ため、加工対象物の内部では多光子吸収による光学的損
傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対
象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象
物の内部にクラック領域が形成される。このクラック領
域は上記改質領域の一例であるので、本発明に係るレー
ザ加工方法によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予
定ラインから外れた不必要な割れを発生させることな
く、レーザ加工が可能となる。このレーザ加工方法の加
工対象物としては、例えば、ガラスを含む部材がある。
なお、ピークパワー密度とは、パルスレーザ光の集光点
の電界強度を意味する。
【００１４】また、レーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように加工対象
物にレーザ光を照射しているので、上記本発明に係るレ
ーザ加工方法と同様に、改質領域を効率的に形成でき、
また、切断予定ラインに沿って加工対象物を精密に切断
することができる。
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように加工対象
物にレーザ光を照射しているので、上記本発明に係るレ
ーザ加工方法と同様に、改質領域を効率的に形成でき、
また、切断予定ラインに沿って加工対象物を精密に切断
することができる。
【００１５】本発明に係るレーザ加工方法は、１以外の
楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物
の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点
におけるピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上で
かつパルス幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射する
ことにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部
に溶融処理領域を含む改質領域を形成する工程を備える
ことを特徴とする。
楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物
の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点
におけるピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上で
かつパルス幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射する
ことにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部
に溶融処理領域を含む改質領域を形成する工程を備える
ことを特徴とする。
【００１６】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加
工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピ
ークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス
幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射している。よっ
て、加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加
熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理
領域が形成される。この溶融処理領域は上記改質領域の
一例であるので、本発明に係るレーザ加工方法によれ
ば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れ
た不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工が可
能となる。このレーザ加工方法の加工対象物としては、
例えば、半導体材料を含む部材がある。
工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピ
ークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス
幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射している。よっ
て、加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加
熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理
領域が形成される。この溶融処理領域は上記改質領域の
一例であるので、本発明に係るレーザ加工方法によれ
ば、加工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れ
た不必要な割れを発生させることなく、レーザ加工が可
能となる。このレーザ加工方法の加工対象物としては、
例えば、半導体材料を含む部材がある。
【００１７】また、レーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように加工対象
物にレーザ光を照射しているので、上記本発明に係るレ
ーザ加工方法と同様に、改質領域を効率的に形成でき、
また、切断予定ラインに沿って加工対象物を精密に切断
することができる。
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように加工対象
物にレーザ光を照射しているので、上記本発明に係るレ
ーザ加工方法と同様に、改質領域を効率的に形成でき、
また、切断予定ラインに沿って加工対象物を精密に切断
することができる。
【００１８】本発明に係るレーザ加工方法は、１以外の
楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物
の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点
におけるピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上で
かつパルス幅が１ns以下の条件でレーザ光を照射するこ
とにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に
屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質
領域を形成する工程を備えることを特徴とする。
楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物
の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点
におけるピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上で
かつパルス幅が１ns以下の条件でレーザ光を照射するこ
とにより、切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に
屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質
領域を形成する工程を備えることを特徴とする。
【００１９】本発明に係るレーザ加工方法によれば、加
工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピ
ークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス
幅が１ns以下の条件でレーザ光を照射している。本発明
のようにパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工
対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネル
ギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部に
はイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構
造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。この
屈折率変化領域は上記改質領域の一例であるので、本発
明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に
溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生さ
せることなく、レーザ加工が可能となる。このレーザ加
工方法の加工対象物としては、例えば、ガラスを含む部
材である。
工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピ
ークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス
幅が１ns以下の条件でレーザ光を照射している。本発明
のようにパルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工
対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネル
ギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部に
はイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構
造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。この
屈折率変化領域は上記改質領域の一例であるので、本発
明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の表面に
溶融や切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生さ
せることなく、レーザ加工が可能となる。このレーザ加
工方法の加工対象物としては、例えば、ガラスを含む部
材である。
【００２０】また、レーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように加工対象
物にレーザ光を照射しているので、上記本発明に係るレ
ーザ加工方法と同様に、改質領域を効率的に形成でき、
また、切断予定ラインに沿って加工対象物を精密に切断
することができる。
軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように加工対象
物にレーザ光を照射しているので、上記本発明に係るレ
ーザ加工方法と同様に、改質領域を効率的に形成でき、
また、切断予定ラインに沿って加工対象物を精密に切断
することができる。
【００２１】上記本発明に係るレーザ加工方法に適用で
きる態様は以下の通りである。
きる態様は以下の通りである。
【００２２】楕円率零の楕円偏光を有するレーザ光を用
いることができる。楕円率零の場合、直線偏光となる。
直線偏光によれば、改質領域の切断予定ラインに沿う方
向の寸法を最大限にしつつかつそれ以外の方向の寸法を
最小限にすることが可能となる。また、楕円偏光の楕円
率を１／４波長板の方位角変化により調節することがで
きる。１／４波長板を用いれば、方位角を変化させるだ
けで楕円率を調節することができる。
いることができる。楕円率零の場合、直線偏光となる。
直線偏光によれば、改質領域の切断予定ラインに沿う方
向の寸法を最大限にしつつかつそれ以外の方向の寸法を
最小限にすることが可能となる。また、楕円偏光の楕円
率を１／４波長板の方位角変化により調節することがで
きる。１／４波長板を用いれば、方位角を変化させるだ
けで楕円率を調節することができる。
【００２３】改質領域を形成する工程後、１／２波長板
によりレーザ光の偏光を略９０°だけ回転させて、加工
対象物にレーザ光を照射することができる。また、改質
領域を形成する工程後、加工対象物の厚さ方向を軸とし
て、加工対象物を略９０°だけ回転させて、加工対象物
にレーザ光を照射することができる。これらにより、加
工対象物の表面に沿った方向に延びかつ改質領域と交差
した他の改質領域を加工対象物の内部に形成することが
できる。従って、例えば、X軸方向及びY軸方向の切断予
定ラインに沿った改質領域を効率的に形成することがで
きる。
によりレーザ光の偏光を略９０°だけ回転させて、加工
対象物にレーザ光を照射することができる。また、改質
領域を形成する工程後、加工対象物の厚さ方向を軸とし
て、加工対象物を略９０°だけ回転させて、加工対象物
にレーザ光を照射することができる。これらにより、加
工対象物の表面に沿った方向に延びかつ改質領域と交差
した他の改質領域を加工対象物の内部に形成することが
できる。従って、例えば、X軸方向及びY軸方向の切断予
定ラインに沿った改質領域を効率的に形成することがで
きる。
【００２４】本発明に係るレーザ加工方法は、１以外の
楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物
の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインに沿うようして、加工
対象物にレーザ光を照射することにより、切断予定ライ
ンに沿って加工対象物を切断する工程を備えることを特
徴とする。
楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物
の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長
軸が加工対象物の切断予定ラインに沿うようして、加工
対象物にレーザ光を照射することにより、切断予定ライ
ンに沿って加工対象物を切断する工程を備えることを特
徴とする。
【００２５】本発明に係るレーザ加工方法によれば、レ
ーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が加工対象物の切断
予定ラインと沿うように、加工対象物の内部に集光点を
合わせて加工対象物にレーザ光を照射している。よっ
て、加工対象物を切断予定ラインに沿って効率的に切断
することが可能となる。本発明に係るレーザ加工方法
は、加工対象物にレーザ光を吸収させ、加工対象物を加
熱溶融させることにより、加工対象物を切断してもよ
い。また、本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物
にレーザ光を照射することにより多光子吸収を発生さ
せ、これにより加工対象物の内部に改質領域を形成し、
改質領域を起点として加工対象物を切断してもよい。
ーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が加工対象物の切断
予定ラインと沿うように、加工対象物の内部に集光点を
合わせて加工対象物にレーザ光を照射している。よっ
て、加工対象物を切断予定ラインに沿って効率的に切断
することが可能となる。本発明に係るレーザ加工方法
は、加工対象物にレーザ光を吸収させ、加工対象物を加
熱溶融させることにより、加工対象物を切断してもよ
い。また、本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物
にレーザ光を照射することにより多光子吸収を発生さ
せ、これにより加工対象物の内部に改質領域を形成し、
改質領域を起点として加工対象物を切断してもよい。
【００２６】本発明に係るレーザ加工装置は、パルス幅
が１μs以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源
と、レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を１以外
の楕円率の楕円偏光に調節する楕円率調節手段と、楕円
率調節手段により調節されたパルスレーザ光の楕円偏光
を表す楕円の長軸が加工対象物の切断予定ラインと沿う
ように調節する長軸調節手段と、長軸調節手段により調
節されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が
１×１０8（W/cm2）以上になるようにパルスレーザ光を
集光する集光手段と、集光手段により集光されたパルス
レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段
と、切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を
相対的に移動させる移動手段と、を備えることを特徴と
する。
が１μs以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源
と、レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を１以外
の楕円率の楕円偏光に調節する楕円率調節手段と、楕円
率調節手段により調節されたパルスレーザ光の楕円偏光
を表す楕円の長軸が加工対象物の切断予定ラインと沿う
ように調節する長軸調節手段と、長軸調節手段により調
節されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が
１×１０8（W/cm2）以上になるようにパルスレーザ光を
集光する集光手段と、集光手段により集光されたパルス
レーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段
と、切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を
相対的に移動させる移動手段と、を備えることを特徴と
する。
【００２７】本発明に係るレーザ加工装置によれば、上
記本発明に係るレーザ加工方法と同様の理由により、加
工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必
要な割れを発生させることなく、レーザ切断加工が可能
となる。また、レーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が
加工対象物の切断予定ラインと沿うように加工対象物に
レーザ光を照射しているので、上記本発明に係るレーザ
加工方法と同様に、改質領域を効率的に形成でき、ま
た、切断予定ラインに沿って加工対象物を精密に切断す
ることができる。
記本発明に係るレーザ加工方法と同様の理由により、加
工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必
要な割れを発生させることなく、レーザ切断加工が可能
となる。また、レーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が
加工対象物の切断予定ラインと沿うように加工対象物に
レーザ光を照射しているので、上記本発明に係るレーザ
加工方法と同様に、改質領域を効率的に形成でき、ま
た、切断予定ラインに沿って加工対象物を精密に切断す
ることができる。
【００２８】上記本発明に係るレーザ加工装置に適用で
きる態様は以下の通りである。
きる態様は以下の通りである。
【００２９】楕円率調節手段により調節されたパルスレ
ーザ光の偏光を略９０°だけ回転調節する９０°回転調
節手段を備えるようにすることができる。また、加工対
象物の厚さ方向を軸として加工対象物が載置される載置
台を略９０°だけ回転させる回転手段を備えるようにす
ることができる。これらにより、パルスレーザ光の楕円
偏光を表す楕円の長軸を、加工対象物の表面に沿った方
向に延びかつ切断予定ラインと交差する方向に延びる他
の切断予定ラインと沿うようにすることができる。従っ
て、例えば、X軸方向及びY軸方向の切断予定ラインに沿
った改質領域を効率的に形成することができる。
ーザ光の偏光を略９０°だけ回転調節する９０°回転調
節手段を備えるようにすることができる。また、加工対
象物の厚さ方向を軸として加工対象物が載置される載置
台を略９０°だけ回転させる回転手段を備えるようにす
ることができる。これらにより、パルスレーザ光の楕円
偏光を表す楕円の長軸を、加工対象物の表面に沿った方
向に延びかつ切断予定ラインと交差する方向に延びる他
の切断予定ラインと沿うようにすることができる。従っ
て、例えば、X軸方向及びY軸方向の切断予定ラインに沿
った改質領域を効率的に形成することができる。
【００３０】本発明に係るレーザ加工装置は、パルス幅
が１μs以下であってかつ直線偏光を有するパルスレー
ザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射され
たパルスレーザ光の直線偏光の向きが加工対象物の切断
予定ラインと沿うように調節する直線偏光調節手段と、
直線偏光調節手段により調節されたパルスレーザ光の集
光点のピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上にな
るようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、集光手
段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象
物の内部に合わせる手段と、切断予定ラインに沿ってパ
ルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段
と、を備えることを特徴とする。
が１μs以下であってかつ直線偏光を有するパルスレー
ザ光を出射するレーザ光源と、レーザ光源から出射され
たパルスレーザ光の直線偏光の向きが加工対象物の切断
予定ラインと沿うように調節する直線偏光調節手段と、
直線偏光調節手段により調節されたパルスレーザ光の集
光点のピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上にな
るようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、集光手
段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象
物の内部に合わせる手段と、切断予定ラインに沿ってパ
ルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段
と、を備えることを特徴とする。
【００３１】本発明に係るレーザ加工装置によれば、上
記本発明に係るレーザ加工方法と同様の理由により、加
工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必
要な割れを発生させることなく、レーザ切断加工が可能
となる。また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、
上記本発明に係るレーザ加工方法と同様に、改質領域を
効率的に形成でき、また、切断予定ラインに沿って加工
対象物を精密に切断することができる。
記本発明に係るレーザ加工方法と同様の理由により、加
工対象物の表面に溶融や切断予定ラインから外れた不必
要な割れを発生させることなく、レーザ切断加工が可能
となる。また、本発明に係るレーザ加工装置によれば、
上記本発明に係るレーザ加工方法と同様に、改質領域を
効率的に形成でき、また、切断予定ラインに沿って加工
対象物を精密に切断することができる。
【００３２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施形態に
ついて図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ
加工方法及びレーザ加工装置は、多光子吸収により改質
領域を形成している。多光子吸収はレーザ光の強度を非
常に大きくした場合に発生する現象である。まず、多光
子吸収について簡単に説明する。
ついて図面を用いて説明する。本実施形態に係るレーザ
加工方法及びレーザ加工装置は、多光子吸収により改質
領域を形成している。多光子吸収はレーザ光の強度を非
常に大きくした場合に発生する現象である。まず、多光
子吸収について簡単に説明する。
【００３３】材料の吸収のバンドギャップEGよりも光子
のエネルギーhνが小さいと光学的に透明となる。よっ
て、材料に吸収が生じる条件はhν＞EGである。しか
し、光学的に透明でも、レーザ光の強度を非常に大きく
するとnhν＞EGの条件（n＝２，３，４，・・・であ
る）で材料に吸収が生じる。この現象を多光子吸収とい
う。パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光
点のピークパワー密度（W/cm2）で決まり、例えばピー
クパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上の条件で多光子
吸収が生じる。ピークパワー密度は、（集光点における
レーザ光の１パルス当たりのエネルギー）÷（レーザ光
のビームスポット断面積×パルス幅）により求められ
る。また、連続波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の
集光点の電界強度（W/cm2）で決まる。
のエネルギーhνが小さいと光学的に透明となる。よっ
て、材料に吸収が生じる条件はhν＞EGである。しか
し、光学的に透明でも、レーザ光の強度を非常に大きく
するとnhν＞EGの条件（n＝２，３，４，・・・であ
る）で材料に吸収が生じる。この現象を多光子吸収とい
う。パルス波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の集光
点のピークパワー密度（W/cm2）で決まり、例えばピー
クパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上の条件で多光子
吸収が生じる。ピークパワー密度は、（集光点における
レーザ光の１パルス当たりのエネルギー）÷（レーザ光
のビームスポット断面積×パルス幅）により求められ
る。また、連続波の場合、レーザ光の強度はレーザ光の
集光点の電界強度（W/cm2）で決まる。
【００３４】このような多光子吸収を利用する本実施形
態に係るレーザ加工の原理について図１〜図６を用いて
説明する。図１はレーザ加工中の加工対象物１の平面図
であり、図２は図１に示す加工対象物１のII−II線に沿
った断面図であり、図３はレーザ加工後の加工対象物１
の平面図であり、図４は図３に示す加工対象物１のIV−
IV線に沿った断面図であり、図５は図３に示す加工対象
物１のV−V線に沿った断面図であり、図６は切断された
加工対象物１の平面図である。
態に係るレーザ加工の原理について図１〜図６を用いて
説明する。図１はレーザ加工中の加工対象物１の平面図
であり、図２は図１に示す加工対象物１のII−II線に沿
った断面図であり、図３はレーザ加工後の加工対象物１
の平面図であり、図４は図３に示す加工対象物１のIV−
IV線に沿った断面図であり、図５は図３に示す加工対象
物１のV−V線に沿った断面図であり、図６は切断された
加工対象物１の平面図である。
【００３５】図１及び図２に示すように、加工対象物１
の表面３には切断予定ライン５がある。切断予定ライン
５は直線状に延びた仮想線である。本実施形態に係るレ
ーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の
内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを加工対象物１に照
射して改質領域７を形成する。なお、集光点とはレーザ
光Lが集光した箇所のことである。
の表面３には切断予定ライン５がある。切断予定ライン
５は直線状に延びた仮想線である。本実施形態に係るレ
ーザ加工は、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の
内部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを加工対象物１に照
射して改質領域７を形成する。なお、集光点とはレーザ
光Lが集光した箇所のことである。
【００３６】レーザ光Lを切断予定ライン５に沿って
（すなわち矢印A方向に沿って）相対的に移動させるこ
とにより、集光点Pを切断予定ライン５に沿って移動さ
せる。これにより、図３〜図５に示すように改質領域７
が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部にのみ
形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は、加工
対象物１がレーザ光Lを吸収することにより加工対象物
１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。加工
対象物１にレーザ光Lを透過させ加工対象物１の内部に
多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よ
って、加工対象物１の表面３ではレーザ光Lがほとんど
吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融するこ
とはない。
（すなわち矢印A方向に沿って）相対的に移動させるこ
とにより、集光点Pを切断予定ライン５に沿って移動さ
せる。これにより、図３〜図５に示すように改質領域７
が切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部にのみ
形成される。本実施形態に係るレーザ加工方法は、加工
対象物１がレーザ光Lを吸収することにより加工対象物
１を発熱させて改質領域７を形成するのではない。加工
対象物１にレーザ光Lを透過させ加工対象物１の内部に
多光子吸収を発生させて改質領域７を形成している。よ
って、加工対象物１の表面３ではレーザ光Lがほとんど
吸収されないので、加工対象物１の表面３が溶融するこ
とはない。
【００３７】加工対象物１の切断において、切断する箇
所に起点があると加工対象物１はその起点から割れるの
で、図６に示すように比較的小さな力で加工対象物１を
切断することができる。よって、加工対象物１の表面３
に不必要な割れを発生させることなく加工対象物１の切
断が可能となる。
所に起点があると加工対象物１はその起点から割れるの
で、図６に示すように比較的小さな力で加工対象物１を
切断することができる。よって、加工対象物１の表面３
に不必要な割れを発生させることなく加工対象物１の切
断が可能となる。
【００３８】なお、改質領域を起点とした加工対象物の
切断は、次の二通りが考えられる。一つは、改質領域形
成後、加工対象物に人為的な力が印加されることによ
り、改質領域を起点として加工対象物が割れ、加工対象
物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物
の厚みが大きい場合の切断である。人為的な力が印加さ
れるとは、例えば、加工対象物の切断予定ラインに沿っ
て加工対象物に曲げ応力やせん断応力を加えたり、加工
対象物に温度差を与えることにより熱応力を発生させた
りすることである。他の一つは、改質領域を形成するこ
とにより、改質領域を起点として加工対象物の断面方向
（厚さ方向）に向かって自然に割れ、結果的に加工対象
物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物
の厚みが小さい場合、改質領域が１つでも可能であり、
加工対象物の厚みが大きい場合、厚さ方向に複数の改質
領域を形成することで可能となる。なお、この自然に割
れる場合も、切断する箇所において、改質領域が形成さ
れていない部分上の表面まで割れが先走ることがなく、
改質部を形成した部分上の表面のみを割断することがで
きるので、割断を制御よくすることができる。近年、シ
リコンウェハ等の半導体ウェハの厚みは薄くなる傾向に
あるので、このような制御性のよい割断方法は大変有効
である。
切断は、次の二通りが考えられる。一つは、改質領域形
成後、加工対象物に人為的な力が印加されることによ
り、改質領域を起点として加工対象物が割れ、加工対象
物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物
の厚みが大きい場合の切断である。人為的な力が印加さ
れるとは、例えば、加工対象物の切断予定ラインに沿っ
て加工対象物に曲げ応力やせん断応力を加えたり、加工
対象物に温度差を与えることにより熱応力を発生させた
りすることである。他の一つは、改質領域を形成するこ
とにより、改質領域を起点として加工対象物の断面方向
（厚さ方向）に向かって自然に割れ、結果的に加工対象
物が切断される場合である。これは、例えば加工対象物
の厚みが小さい場合、改質領域が１つでも可能であり、
加工対象物の厚みが大きい場合、厚さ方向に複数の改質
領域を形成することで可能となる。なお、この自然に割
れる場合も、切断する箇所において、改質領域が形成さ
れていない部分上の表面まで割れが先走ることがなく、
改質部を形成した部分上の表面のみを割断することがで
きるので、割断を制御よくすることができる。近年、シ
リコンウェハ等の半導体ウェハの厚みは薄くなる傾向に
あるので、このような制御性のよい割断方法は大変有効
である。
【００３９】さて、本実施形態において多光子吸収によ
り形成される改質領域として、次の（１）〜（３）があ
る。
り形成される改質領域として、次の（１）〜（３）があ
る。
【００４０】（１）改質領域が一つ又は複数のクラック
を含むクラック領域の場合 レーザ光を加工対象物（例えばガラスやLiTaO3からなる
圧電材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における
電界強度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス幅が１
μs以下の条件で照射する。このパルス幅の大きさは、
多光子吸収を生じさせつつ加工対象物表面に余計なダメ
ージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域
を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内
部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生す
る。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみ
が誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領
域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば１
×１０12（W/cm2）である。パルス幅は例えば１ns〜２
００nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領
域の形成は、例えば、第４５回レーザ熱加工研究会論文
集（１９９８年．１２月）の第２３頁〜第２８頁の「固
体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」
に記載されている。
を含むクラック領域の場合 レーザ光を加工対象物（例えばガラスやLiTaO3からなる
圧電材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における
電界強度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス幅が１
μs以下の条件で照射する。このパルス幅の大きさは、
多光子吸収を生じさせつつ加工対象物表面に余計なダメ
ージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域
を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内
部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生す
る。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみ
が誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領
域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば１
×１０12（W/cm2）である。パルス幅は例えば１ns〜２
００nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領
域の形成は、例えば、第４５回レーザ熱加工研究会論文
集（１９９８年．１２月）の第２３頁〜第２８頁の「固
体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」
に記載されている。
【００４１】本発明者は、電界強度とクラックの大きさ
との関係を実験により求めた。実験条件は次ぎの通りで
ある。
との関係を実験により求めた。実験条件は次ぎの通りで
ある。
【００４２】（A）加工対象物：パイレックス（登録商
標）ガラス（厚さ７００μm） （B）レーザ 光源：半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ 波長：１０６４nm レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8cm2 発振形態：Qスイッチパルス 繰り返し周波数：１００kHz パルス幅：３０ns 出力：出力＜１mJ／パルス レーザ光品質：TEM00 偏光特性：直線偏光 （C）集光用レンズ レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント （D）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１０
０mm／秒 なお、レーザ光品質がTEM00とは、集光性が高くレーザ
光の波長程度まで集光可能を意味する。
標）ガラス（厚さ７００μm） （B）レーザ 光源：半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ 波長：１０６４nm レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8cm2 発振形態：Qスイッチパルス 繰り返し周波数：１００kHz パルス幅：３０ns 出力：出力＜１mJ／パルス レーザ光品質：TEM00 偏光特性：直線偏光 （C）集光用レンズ レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント （D）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１０
０mm／秒 なお、レーザ光品質がTEM00とは、集光性が高くレーザ
光の波長程度まで集光可能を意味する。
【００４３】図７は上記実験の結果を示すグラフであ
る。横軸はピークパワー密度であり、レーザ光がパルス
レーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表され
る。縦軸は１パルスのレーザ光により加工対象物の内部
に形成されたクラック部分（クラックスポット）の大き
さを示している。クラックスポットが集まりクラック領
域となる。クラックスポットの大きさは、クラックスポ
ットの形状のうち最大の長さとなる部分の大きさであ
る。グラフ中の黒丸で示すデータは集光用レンズ（C）
の倍率が１００倍、開口数（NA）が０．８０の場合であ
る。一方、グラフ中の白丸で示すデータは集光用レンズ
（C）の倍率が５０倍、開口数（NA）が０．５５の場合
である。ピークパワー密度が１０11（W/cm2）程度から
加工対象物の内部にクラックスポットが発生し、ピーク
パワー密度が大きくなるに従いクラックスポットも大き
くなることが分かる。
る。横軸はピークパワー密度であり、レーザ光がパルス
レーザ光なので電界強度はピークパワー密度で表され
る。縦軸は１パルスのレーザ光により加工対象物の内部
に形成されたクラック部分（クラックスポット）の大き
さを示している。クラックスポットが集まりクラック領
域となる。クラックスポットの大きさは、クラックスポ
ットの形状のうち最大の長さとなる部分の大きさであ
る。グラフ中の黒丸で示すデータは集光用レンズ（C）
の倍率が１００倍、開口数（NA）が０．８０の場合であ
る。一方、グラフ中の白丸で示すデータは集光用レンズ
（C）の倍率が５０倍、開口数（NA）が０．５５の場合
である。ピークパワー密度が１０11（W/cm2）程度から
加工対象物の内部にクラックスポットが発生し、ピーク
パワー密度が大きくなるに従いクラックスポットも大き
くなることが分かる。
【００４４】次に、本実施形態に係るレーザ加工におい
て、クラック領域形成による加工対象物の切断のメカニ
ズムについて図８〜図１１を用いて説明する。図８に示
すように、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内
部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを加工対象物１に照射
して切断予定ラインに沿って内部にクラック領域９を形
成する。クラック領域９は一つ又は複数のクラックを含
む領域である。図９に示すようにクラック領域９を起点
としてクラックがさらに成長し、図１０に示すようにク
ラックが加工対象物１の表面３と裏面２１に到達し、図
１１に示すように加工対象物１が割れることにより加工
対象物１が切断される。加工対象物の表面と裏面に到達
するクラックは自然に成長する場合もあるし、加工対象
物に力が印加されることにより成長する場合もある。
て、クラック領域形成による加工対象物の切断のメカニ
ズムについて図８〜図１１を用いて説明する。図８に示
すように、多光子吸収が生じる条件で加工対象物１の内
部に集光点Pを合わせてレーザ光Lを加工対象物１に照射
して切断予定ラインに沿って内部にクラック領域９を形
成する。クラック領域９は一つ又は複数のクラックを含
む領域である。図９に示すようにクラック領域９を起点
としてクラックがさらに成長し、図１０に示すようにク
ラックが加工対象物１の表面３と裏面２１に到達し、図
１１に示すように加工対象物１が割れることにより加工
対象物１が切断される。加工対象物の表面と裏面に到達
するクラックは自然に成長する場合もあるし、加工対象
物に力が印加されることにより成長する場合もある。
【００４５】（２）改質領域が溶融処理領域の場合 レーザ光を加工対象物（例えばシリコンのような半導体
材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界
強度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs
以下の条件で照射する。これにより加工対象物の内部は
多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱によ
り加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融
処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の
領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なく
ともいずれか一つを意味する。溶融処理領域は相変化し
た領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。
また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結
晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域と
いうこともできる。つまり、例えば、単結晶構造から非
晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に
変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構
造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物が
シリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶
質シリコン構造である。なお、電界強度の上限値として
は、例えば１×１０12（W/cm2）である。パルス幅は例
えば１ns〜２００nsが好ましい。
材料）の内部に集光点を合わせて、集光点における電界
強度が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs
以下の条件で照射する。これにより加工対象物の内部は
多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱によ
り加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融
処理領域とは一旦溶融後再固化した領域、溶融状態中の
領域及び溶融から再固化する状態中の領域のうち少なく
ともいずれか一つを意味する。溶融処理領域は相変化し
た領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。
また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結
晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域と
いうこともできる。つまり、例えば、単結晶構造から非
晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に
変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構
造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物が
シリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶
質シリコン構造である。なお、電界強度の上限値として
は、例えば１×１０12（W/cm2）である。パルス幅は例
えば１ns〜２００nsが好ましい。
【００４６】本発明者は、シリコンウェハの内部で溶融
処理領域が形成されることを実験により確認した。実験
条件は次ぎの通りである。
処理領域が形成されることを実験により確認した。実験
条件は次ぎの通りである。
【００４７】（A）加工対象物：シリコンウェハ（厚さ
３５０μm、外径４インチ） （B）レーザ 光源：半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ 波長：１０６４nm レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8cm2 発振形態：Qスイッチパルス 繰り返し周波数：１００kHz パルス幅：３０ns 出力：２０μJ／パルス レーザ光品質：TEM00 偏光特性：直線偏光 （C）集光用レンズ 倍率：５０倍 NA：０．５５ レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント （D）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１０
０mm／秒 図１２は上記条件でのレーザ加工により切断されたシリ
コンウェハの一部における断面の写真を表した図であ
る。シリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３が形
成されている。なお、上記条件により形成された溶融処
理領域の厚さ方向の大きさは１００μm程度である。
３５０μm、外径４インチ） （B）レーザ 光源：半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ 波長：１０６４nm レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8cm2 発振形態：Qスイッチパルス 繰り返し周波数：１００kHz パルス幅：３０ns 出力：２０μJ／パルス レーザ光品質：TEM00 偏光特性：直線偏光 （C）集光用レンズ 倍率：５０倍 NA：０．５５ レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント （D）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１０
０mm／秒 図１２は上記条件でのレーザ加工により切断されたシリ
コンウェハの一部における断面の写真を表した図であ
る。シリコンウェハ１１の内部に溶融処理領域１３が形
成されている。なお、上記条件により形成された溶融処
理領域の厚さ方向の大きさは１００μm程度である。
【００４８】溶融処理領域１３が多光子吸収により形成
されたことを説明する。図１３は、レーザ光の波長とシ
リコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフであ
る。ただし、シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの
反射成分を除去し、内部のみの透過率を示している。シ
リコン基板の厚みtが５０μm、１００μm、２００μm、
５００μm、１０００μmの各々について上記関係を示し
た。
されたことを説明する。図１３は、レーザ光の波長とシ
リコン基板の内部の透過率との関係を示すグラフであ
る。ただし、シリコン基板の表面側と裏面側それぞれの
反射成分を除去し、内部のみの透過率を示している。シ
リコン基板の厚みtが５０μm、１００μm、２００μm、
５００μm、１０００μmの各々について上記関係を示し
た。
【００４９】例えば、Nd:YAGレーザの波長である１０６
４nmにおいて、シリコン基板の厚みが５００μm以下の
場合、シリコン基板の内部ではレーザ光が８０％以上透
過することが分かる。図１２に示すシリコンウェハ１１
の厚さは３５０μmであるので、多光子吸収による溶融
処理領域はシリコンウェハの中心付近、つまり表面から
１７５μmの部分に形成される。この場合の透過率は、
厚さ２００μmのシリコンウェハを参考にすると、９０
％以上なので、レーザ光がシリコンウェハ１１の内部で
吸収されるのは僅かであり、ほとんどが透過する。この
ことは、シリコンウェハ１１の内部でレーザ光が吸収さ
れて、溶融処理領域がシリコンウェハ１１の内部に形成
（つまりレーザ光による通常の加熱で溶融処理領域が形
成）されたものではなく、溶融処理領域が多光子吸収に
より形成されたことを意味する。多光子吸収による溶融
処理領域の形成は、例えば、溶接学会全国大会講演概要
第６６集（２０００年４月）の第７２頁〜第７３頁の
「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加工特性評価」
に記載されている。
４nmにおいて、シリコン基板の厚みが５００μm以下の
場合、シリコン基板の内部ではレーザ光が８０％以上透
過することが分かる。図１２に示すシリコンウェハ１１
の厚さは３５０μmであるので、多光子吸収による溶融
処理領域はシリコンウェハの中心付近、つまり表面から
１７５μmの部分に形成される。この場合の透過率は、
厚さ２００μmのシリコンウェハを参考にすると、９０
％以上なので、レーザ光がシリコンウェハ１１の内部で
吸収されるのは僅かであり、ほとんどが透過する。この
ことは、シリコンウェハ１１の内部でレーザ光が吸収さ
れて、溶融処理領域がシリコンウェハ１１の内部に形成
（つまりレーザ光による通常の加熱で溶融処理領域が形
成）されたものではなく、溶融処理領域が多光子吸収に
より形成されたことを意味する。多光子吸収による溶融
処理領域の形成は、例えば、溶接学会全国大会講演概要
第６６集（２０００年４月）の第７２頁〜第７３頁の
「ピコ秒パルスレーザによるシリコンの加工特性評価」
に記載されている。
【００５０】なお、シリコンウェハは、溶融処理領域を
起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割
れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することによ
り、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面
に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、加
工対象物に力が印加されることにより成長する場合もあ
る。なお、溶融処理領域からシリコンウェハの表面と裏
面に割れが自然に成長するのは、一旦溶融後再固化した
状態となった領域から割れが成長する場合、溶融状態の
領域から割れが成長する場合及び溶融から再固化する状
態の領域から割れが成長する場合のうち少なくともいず
れか一つである。いずれの場合も切断後の切断面は図１
２に示すように内部にのみ溶融処理領域が形成される。
加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断
時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにく
いので、割断制御が容易となる。
起点として断面方向に向かって割れを発生させ、その割
れがシリコンウェハの表面と裏面に到達することによ
り、結果的に切断される。シリコンウェハの表面と裏面
に到達するこの割れは自然に成長する場合もあるし、加
工対象物に力が印加されることにより成長する場合もあ
る。なお、溶融処理領域からシリコンウェハの表面と裏
面に割れが自然に成長するのは、一旦溶融後再固化した
状態となった領域から割れが成長する場合、溶融状態の
領域から割れが成長する場合及び溶融から再固化する状
態の領域から割れが成長する場合のうち少なくともいず
れか一つである。いずれの場合も切断後の切断面は図１
２に示すように内部にのみ溶融処理領域が形成される。
加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する場合、割断
時、切断予定ラインから外れた不必要な割れが生じにく
いので、割断制御が容易となる。
【００５１】（３）改質領域が屈折率変化領域の場合 レーザ光を加工対象物（例えばガラス）の内部に集光点
を合わせて、集光点における電界強度が１×１０8（W/c
m2）以上でかつパルス幅が１ns以下の条件で照射する。
パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の
内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱
エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン
価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が
誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上
限値としては、例えば１×１０12（W/cm2）である。パ
ルス幅は例えば１ns以下が好ましく、１ps以下がさらに
好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、
例えば、第４２回レーザ熱加工研究会論文集（１９９７
年．１１月）の第１０５頁〜第１１１頁の「フェムト秒
レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に
記載されている。
を合わせて、集光点における電界強度が１×１０8（W/c
m2）以上でかつパルス幅が１ns以下の条件で照射する。
パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の
内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱
エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン
価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が
誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上
限値としては、例えば１×１０12（W/cm2）である。パ
ルス幅は例えば１ns以下が好ましく、１ps以下がさらに
好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、
例えば、第４２回レーザ熱加工研究会論文集（１９９７
年．１１月）の第１０５頁〜第１１１頁の「フェムト秒
レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に
記載されている。
【００５２】以上のように本実施形態によれば改質領域
を多光子吸収により形成している。そして、本実施形態
は、直線偏光をしたレーザ光の直線偏光の向きが加工対
象物の切断予定ラインと沿うようにして、加工対象物に
レーザ光を照射することにより、加工対象物に改質領域
を形成している。これにより、レーザ光がパルスレーザ
光の場合、１パルスのショット（つまり１パルスのレー
ザ照射）で形成された改質スポットにおいて、切断予定
ラインに沿った方向の寸法を相対的に大きくすることが
できる。これを本発明者は実験により確認した。実験条
件は次ぎの通りである。
を多光子吸収により形成している。そして、本実施形態
は、直線偏光をしたレーザ光の直線偏光の向きが加工対
象物の切断予定ラインと沿うようにして、加工対象物に
レーザ光を照射することにより、加工対象物に改質領域
を形成している。これにより、レーザ光がパルスレーザ
光の場合、１パルスのショット（つまり１パルスのレー
ザ照射）で形成された改質スポットにおいて、切断予定
ラインに沿った方向の寸法を相対的に大きくすることが
できる。これを本発明者は実験により確認した。実験条
件は次ぎの通りである。
【００５３】（A）加工対象物：パイレックスガラスウ
ェハ（厚さ７００μm、外径４インチ） （B）レーザ 光源：半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ 波長：１０６４nm レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8cm2 発振形態：Qスイッチパルス 繰り返し周波数：１００kHz パルス幅：３０ns 出力：出力＜１mJ／パルス レーザ光品質：TEM00 偏光特性：直線偏光 （C）集光用レンズ 倍率：５０倍 NA：０．５５ レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント （D）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１０
０mm／秒 加工対象物であるサンプル１,２の各々において、加工
対象物の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を１パ
ルスショットし、加工対象物の内部に多光子吸収による
クラック領域を形成した。サンプル１に直線偏光のパル
スレーザ光を照射し、サンプル２に円偏光のパルスレー
ザ光を照射した。
ェハ（厚さ７００μm、外径４インチ） （B）レーザ 光源：半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ 波長：１０６４nm レーザ光スポット断面積：３．１４×１０-8cm2 発振形態：Qスイッチパルス 繰り返し周波数：１００kHz パルス幅：３０ns 出力：出力＜１mJ／パルス レーザ光品質：TEM00 偏光特性：直線偏光 （C）集光用レンズ 倍率：５０倍 NA：０．５５ レーザ光波長に対する透過率：６０パーセント （D）加工対象物が載置される載置台の移動速度：１０
０mm／秒 加工対象物であるサンプル１,２の各々において、加工
対象物の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を１パ
ルスショットし、加工対象物の内部に多光子吸収による
クラック領域を形成した。サンプル１に直線偏光のパル
スレーザ光を照射し、サンプル２に円偏光のパルスレー
ザ光を照射した。
【００５４】図１４はサンプル１の平面の写真を表した
図であり、図１５はサンプル２の平面の写真を表した図
である。これらの平面はパルスレーザ光の入射面２０９
である。記号LPは直線偏光を模式的に示しており、記号
CPは円偏光を模式的に示している。そして、図１６は図
１４に示すサンプル１のXVI- XVI線に沿った断面を模式
的に表した図である。図１７は図１５に示すサンプル２
のXVII- XVII線に沿った断面を模式的に表した図であ
る。加工対象物であるガラスウェハ２１１の内部にクラ
ックスポット９０が形成されている。
図であり、図１５はサンプル２の平面の写真を表した図
である。これらの平面はパルスレーザ光の入射面２０９
である。記号LPは直線偏光を模式的に示しており、記号
CPは円偏光を模式的に示している。そして、図１６は図
１４に示すサンプル１のXVI- XVI線に沿った断面を模式
的に表した図である。図１７は図１５に示すサンプル２
のXVII- XVII線に沿った断面を模式的に表した図であ
る。加工対象物であるガラスウェハ２１１の内部にクラ
ックスポット９０が形成されている。
【００５５】図１６に示すようにパルスレーザ光が直線
偏光の場合、１パルスのショットで形成されるクラック
スポット９０の寸法は直線偏光の向きに沿った方向にお
いて相対的に大きくなっている。これは、クラックスポ
ット９０の形成がこの方向に促進されていることを示し
ている。一方、図１７に示すようにパルスレーザ光が円
偏光の場合、１パルスのショットで形成されるクラック
スポット９０の寸法は特定の方向に大きくならない。長
さが最大となる方向のクラックスポット９０の寸法は、
サンプル１の方がサンプル２より大きくなっている。
偏光の場合、１パルスのショットで形成されるクラック
スポット９０の寸法は直線偏光の向きに沿った方向にお
いて相対的に大きくなっている。これは、クラックスポ
ット９０の形成がこの方向に促進されていることを示し
ている。一方、図１７に示すようにパルスレーザ光が円
偏光の場合、１パルスのショットで形成されるクラック
スポット９０の寸法は特定の方向に大きくならない。長
さが最大となる方向のクラックスポット９０の寸法は、
サンプル１の方がサンプル２より大きくなっている。
【００５６】この実験結果から切断予定ラインに沿った
クラック領域を効率的に形成することができることを説
明する。図１８及び図１９は、加工対象物の切断予定ラ
インに沿って形成されたクラック領域の平面図である。
１パルスのショットで形成されるクラックスポット９０
を切断予定ライン５に沿って多数形成することにより、
切断予定ライン５に沿ったクラック領域９が形成されて
いる。図１８は、パルスレーザ光の直線偏光の方向が切
断予定ライン５に沿うようにして、パルスレーザ光を照
射して形成されたクラック領域９を示している。クラッ
クスポット９０は、切断予定ライン５の方向に沿っての
形成が促進されることにより、この方向の寸法が比較的
大きくなっている。よって、少ないショット数で切断予
定ライン５に沿ったクラック領域９を形成することがで
きる。一方、図１９は、パルスレーザ光の直線偏光の方
向を切断予定ライン５と直交させてパルスレーザ光を照
射して形成されたクラック領域９を示している。クラッ
クスポット９０の切断予定ライン５の方向の寸法は比較
的小さいので、クラック領域９を形成するのに図１８の
場合に比べてショット数が多くなる。従って、図１８に
示す本実施形態に係るクラック領域の形成方法は、図１
９に示す方法よりも効率的にクラック領域を形成するこ
とができる。
クラック領域を効率的に形成することができることを説
明する。図１８及び図１９は、加工対象物の切断予定ラ
インに沿って形成されたクラック領域の平面図である。
１パルスのショットで形成されるクラックスポット９０
を切断予定ライン５に沿って多数形成することにより、
切断予定ライン５に沿ったクラック領域９が形成されて
いる。図１８は、パルスレーザ光の直線偏光の方向が切
断予定ライン５に沿うようにして、パルスレーザ光を照
射して形成されたクラック領域９を示している。クラッ
クスポット９０は、切断予定ライン５の方向に沿っての
形成が促進されることにより、この方向の寸法が比較的
大きくなっている。よって、少ないショット数で切断予
定ライン５に沿ったクラック領域９を形成することがで
きる。一方、図１９は、パルスレーザ光の直線偏光の方
向を切断予定ライン５と直交させてパルスレーザ光を照
射して形成されたクラック領域９を示している。クラッ
クスポット９０の切断予定ライン５の方向の寸法は比較
的小さいので、クラック領域９を形成するのに図１８の
場合に比べてショット数が多くなる。従って、図１８に
示す本実施形態に係るクラック領域の形成方法は、図１
９に示す方法よりも効率的にクラック領域を形成するこ
とができる。
【００５７】また、図１９に示す方法は、パルスレーザ
光の直線偏光の方向が切断予定ライン５と直交させてパ
ルスレーザ光が照射されているので、ショット時に形成
されるクラックスポット９０は、切断予定ライン５の幅
方向において形成が促進されている。よって、クラック
スポット９０の切断予定ライン５の幅方向への延びが大
きくなりすぎると、加工対象物を切断予定ライン５に沿
って精密に切断することができない。これに対して、図
１８に示す本実施形態に係る方法において、ショット時
に形成されるクラックスポット９０は、切断予定ライン
５に沿った方向以外の方向にあまり延びていないので、
加工対象物の精密な切断が可能となる。
光の直線偏光の方向が切断予定ライン５と直交させてパ
ルスレーザ光が照射されているので、ショット時に形成
されるクラックスポット９０は、切断予定ライン５の幅
方向において形成が促進されている。よって、クラック
スポット９０の切断予定ライン５の幅方向への延びが大
きくなりすぎると、加工対象物を切断予定ライン５に沿
って精密に切断することができない。これに対して、図
１８に示す本実施形態に係る方法において、ショット時
に形成されるクラックスポット９０は、切断予定ライン
５に沿った方向以外の方向にあまり延びていないので、
加工対象物の精密な切断が可能となる。
【００５８】なお、改質領域の寸法のうち所定方向の寸
法が相対的に大きくすることについて、直線偏光の場合
で説明したが、楕円偏光でも同じことが言える。すなわ
ち、図２０に示すように、レーザ光の楕円偏光EPを表す
楕円の長軸b方向にクラックスポット９０の形成が促進
され、この方向に沿った寸法が相対的に大きいクラック
スポット９０を形成できる。よって、１以外の楕円率の
楕円偏光をしたレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が
加工対象物の切断予定ラインと沿うようにしてクラック
領域を形成すると、直線偏光の場合と同様の効果が生じ
る。なお、楕円率とは短軸aの長さの半分／長軸bの長さ
の半分である。楕円率が小さくなるほど、クラックスポ
ット９０は長軸b方向に沿った寸法が大きくなる。直線
偏光は楕円率が零の楕円偏光である。楕円率が１では円
偏光となり、クラック領域の所定方向の寸法を相対的に
大きくできない。よって、本実施形態においては楕円率
１の場合は含まれない。
法が相対的に大きくすることについて、直線偏光の場合
で説明したが、楕円偏光でも同じことが言える。すなわ
ち、図２０に示すように、レーザ光の楕円偏光EPを表す
楕円の長軸b方向にクラックスポット９０の形成が促進
され、この方向に沿った寸法が相対的に大きいクラック
スポット９０を形成できる。よって、１以外の楕円率の
楕円偏光をしたレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が
加工対象物の切断予定ラインと沿うようにしてクラック
領域を形成すると、直線偏光の場合と同様の効果が生じ
る。なお、楕円率とは短軸aの長さの半分／長軸bの長さ
の半分である。楕円率が小さくなるほど、クラックスポ
ット９０は長軸b方向に沿った寸法が大きくなる。直線
偏光は楕円率が零の楕円偏光である。楕円率が１では円
偏光となり、クラック領域の所定方向の寸法を相対的に
大きくできない。よって、本実施形態においては楕円率
１の場合は含まれない。
【００５９】改質領域の寸法のうち所定方向の寸法が相
対的に大きくすることについて、クラック領域の場合で
説明したが、溶融処理領域や屈折率変化領域でも同様の
ことが言える。また、パルスレーザ光について説明した
が、連続波レーザ光についても同様のことが言える。
対的に大きくすることについて、クラック領域の場合で
説明したが、溶融処理領域や屈折率変化領域でも同様の
ことが言える。また、パルスレーザ光について説明した
が、連続波レーザ光についても同様のことが言える。
【００６０】次に、本実施形態の具体例を説明する。
【００６１】［第１例］本実施形態の第１例に係るレー
ザ加工装置について説明する。図２１はこのレーザ加工
装置２００の概略構成図である。レーザ加工装置２００
は、レーザ光Lを発生するレーザ光源１０１と、レーザ
光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１
０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光源
１０１から出射されたレーザ光Lの偏光の楕円率を調節
する楕円率調節部２０１と、楕円率調節部２０１から出
射されたレーザ光Lの偏光を略９０°だけ回転調節する
９０°回転調節部２０３と、を備える。
ザ加工装置について説明する。図２１はこのレーザ加工
装置２００の概略構成図である。レーザ加工装置２００
は、レーザ光Lを発生するレーザ光源１０１と、レーザ
光Lの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１
０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光源
１０１から出射されたレーザ光Lの偏光の楕円率を調節
する楕円率調節部２０１と、楕円率調節部２０１から出
射されたレーザ光Lの偏光を略９０°だけ回転調節する
９０°回転調節部２０３と、を備える。
【００６２】レーザ光源１０１はパルスレーザ光を発生
するNd:YAGレーザである。レーザ光源１０１に用いるこ
とができるレーザとして、この他、Nd:YVO4レーザやNd:
YLFレーザやチタンサファイアレーザがある。クラック
領域や溶融処理領域を形成する場合、Nd:YAGレーザ、N
d:YVO4レーザ、Nd:YLFレーザを用いるのが好適である。
屈折率変化領域を形成する場合、チタンサファイアレー
ザを用いるのが好適である。
するNd:YAGレーザである。レーザ光源１０１に用いるこ
とができるレーザとして、この他、Nd:YVO4レーザやNd:
YLFレーザやチタンサファイアレーザがある。クラック
領域や溶融処理領域を形成する場合、Nd:YAGレーザ、N
d:YVO4レーザ、Nd:YLFレーザを用いるのが好適である。
屈折率変化領域を形成する場合、チタンサファイアレー
ザを用いるのが好適である。
【００６３】楕円率調節部２０１は、図２２に示すよう
な１／４波長板２０７を含む。１／４波長板２０７は方
位角θを変えることにより楕円偏光の楕円率を調節でき
る。すなわち、１／４波長板２０７に例えば直線偏光LP
の入射光が入射すると、透過光は所定の楕円率の楕円偏
光EPとなる。方位角とは楕円の長軸とX軸とのなす角で
ある。上述したように本実施形態において、楕円率は１
以外の数字が適用される。楕円率調節部２０１によりレ
ーザ光Lの偏光を所望の楕円率を有する楕円偏光EPでき
る。加工対象物１の厚さ、材質等を考慮して楕円率は調
節される。
な１／４波長板２０７を含む。１／４波長板２０７は方
位角θを変えることにより楕円偏光の楕円率を調節でき
る。すなわち、１／４波長板２０７に例えば直線偏光LP
の入射光が入射すると、透過光は所定の楕円率の楕円偏
光EPとなる。方位角とは楕円の長軸とX軸とのなす角で
ある。上述したように本実施形態において、楕円率は１
以外の数字が適用される。楕円率調節部２０１によりレ
ーザ光Lの偏光を所望の楕円率を有する楕円偏光EPでき
る。加工対象物１の厚さ、材質等を考慮して楕円率は調
節される。
【００６４】加工対象物１に直線偏光LPのレーザ光Lを
照射する場合、レーザ光源１０１から出射されるレーザ
光Lは直線偏光LPなので、レーザ光Lが直線偏光LPのまま
で１／４波長板を通過するように、楕円率調節部２０１
は１／４波長板２０７の方位角θを調節する。また、レ
ーザ光源１０１からは直線偏光のレーザ光Lが出射され
るので、加工対象物１のレーザ照射に直線偏光LPのレー
ザ光だけを利用する場合、楕円率調節部２０１は不要と
なる。
照射する場合、レーザ光源１０１から出射されるレーザ
光Lは直線偏光LPなので、レーザ光Lが直線偏光LPのまま
で１／４波長板を通過するように、楕円率調節部２０１
は１／４波長板２０７の方位角θを調節する。また、レ
ーザ光源１０１からは直線偏光のレーザ光Lが出射され
るので、加工対象物１のレーザ照射に直線偏光LPのレー
ザ光だけを利用する場合、楕円率調節部２０１は不要と
なる。
【００６５】９０°回転調節部２０３は、図２３に示す
ような１／２波長板２０５を含む。１／２波長板２０５
は直線偏光の入射光に対して直交する偏光をつくる波長
板である。すなわち、１／２波長板２０５に例えば方位
角４５°の直線偏光LP1の入射光が入射すると、透過光
は入射光LP1に対して９０°だけ回転した直線偏光LP2と
なる。９０°回転調節部２０３は、楕円率調節部２０１
から出射されたレーザ光Lの偏光を９０°だけ回転させ
る場合、１／２波長板２０５をレーザ光Lの光軸上に配
置させる動作をする。また、９０°回転調節部２０３
は、楕円率調節部２０１から出射されたレーザ光Lの偏
光を回転させない場合、１／２波長板２０５をレーザ光
Lの光路外（すなわち、レーザ光Lが１／２波長板２０５
を通過しない場所）に配置させる動作をする。
ような１／２波長板２０５を含む。１／２波長板２０５
は直線偏光の入射光に対して直交する偏光をつくる波長
板である。すなわち、１／２波長板２０５に例えば方位
角４５°の直線偏光LP1の入射光が入射すると、透過光
は入射光LP1に対して９０°だけ回転した直線偏光LP2と
なる。９０°回転調節部２０３は、楕円率調節部２０１
から出射されたレーザ光Lの偏光を９０°だけ回転させ
る場合、１／２波長板２０５をレーザ光Lの光軸上に配
置させる動作をする。また、９０°回転調節部２０３
は、楕円率調節部２０１から出射されたレーザ光Lの偏
光を回転させない場合、１／２波長板２０５をレーザ光
Lの光路外（すなわち、レーザ光Lが１／２波長板２０５
を通過しない場所）に配置させる動作をする。
【００６６】レーザ加工装置２００はさらに、９０°回
転調節部２０３で偏光を９０°だけ回転調節され又はさ
れないレーザ光Lが入射しかつレーザ光Lの光軸の向きを
９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１
０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレー
ザ光Lを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ
１０５で集光されたレーザ光Lが照射される加工対象物
１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をX軸方
向に移動させるためのX軸ステージ１０９と、載置台１
０７をX軸方向に直交するY軸方向に移動させるためのY
軸ステージ１１１と、載置台１０７をX軸及びY軸方向に
直交するZ軸方向に移動させるためのZ軸ステージ１１３
と、載置台１０７のＸ-Y平面を加工対象物１の厚さ方向
を軸として回転させるためのθ軸ステージ２１３と、こ
れら四つのステージ１０９,１１１,１１３,２１３の移
動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。
転調節部２０３で偏光を９０°だけ回転調節され又はさ
れないレーザ光Lが入射しかつレーザ光Lの光軸の向きを
９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１
０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレー
ザ光Lを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ
１０５で集光されたレーザ光Lが照射される加工対象物
１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をX軸方
向に移動させるためのX軸ステージ１０９と、載置台１
０７をX軸方向に直交するY軸方向に移動させるためのY
軸ステージ１１１と、載置台１０７をX軸及びY軸方向に
直交するZ軸方向に移動させるためのZ軸ステージ１１３
と、載置台１０７のＸ-Y平面を加工対象物１の厚さ方向
を軸として回転させるためのθ軸ステージ２１３と、こ
れら四つのステージ１０９,１１１,１１３,２１３の移
動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。
【００６７】Z軸方向は加工対象物１の表面３と直交す
る方向なので、加工対象物１に入射するレーザ光Lの焦
点深度の方向となる。よって、Z軸ステージ１１３をZ軸
方向に移動させることにより、加工対象物１の内部にレ
ーザ光Lの集光点Pを合わせることができる。また、この
集光点PのX(Y)軸方向の移動は、加工対象物１をX(Y)軸
ステージ１０９（１１１）によりX(Y)軸方向に移動させ
ることにより行う。X(Y)軸ステージ１０９（１１１）が
移動手段の一例となる。
る方向なので、加工対象物１に入射するレーザ光Lの焦
点深度の方向となる。よって、Z軸ステージ１１３をZ軸
方向に移動させることにより、加工対象物１の内部にレ
ーザ光Lの集光点Pを合わせることができる。また、この
集光点PのX(Y)軸方向の移動は、加工対象物１をX(Y)軸
ステージ１０９（１１１）によりX(Y)軸方向に移動させ
ることにより行う。X(Y)軸ステージ１０９（１１１）が
移動手段の一例となる。
【００６８】第１例では加工対象物１の加工にパルスレ
ーザ光を用いているが、多光子吸収を起こさせることが
できるなら連続波レーザ光でもよい。集光用レンズ１０
５は集光手段の一例である。Z軸ステージ１１３はレー
ザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段の一例
である。集光用レンズ１０５をZ軸方向に移動させるこ
とによっても、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に
合わせることができる。
ーザ光を用いているが、多光子吸収を起こさせることが
できるなら連続波レーザ光でもよい。集光用レンズ１０
５は集光手段の一例である。Z軸ステージ１１３はレー
ザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段の一例
である。集光用レンズ１０５をZ軸方向に移動させるこ
とによっても、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に
合わせることができる。
【００６９】レーザ加工装置２００はさらに、載置台１
０７に載置された加工対象物１を可視光線により照明す
るために可視光線を発生する観察用光源１１７と、ダイ
クロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ
光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９
と、を備える。ビームスプリッタ１１９と集光用レンズ
１０５との間にダイクロイックミラー１０３が配置され
ている。ビームスプリッタ１１９は、可視光線の約半分
を反射し残りの半分を透過する機能を有しかつ可視光線
の光軸の向きを９０°変えるように配置されている。観
察用光源１１７から発生した可視光線はビームスプリッ
タ１１９で約半分が反射され、この反射された可視光線
がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５
を透過し、加工対象物１の切断予定ライン５等を含む表
面３を照明する。
０７に載置された加工対象物１を可視光線により照明す
るために可視光線を発生する観察用光源１１７と、ダイ
クロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ
光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９
と、を備える。ビームスプリッタ１１９と集光用レンズ
１０５との間にダイクロイックミラー１０３が配置され
ている。ビームスプリッタ１１９は、可視光線の約半分
を反射し残りの半分を透過する機能を有しかつ可視光線
の光軸の向きを９０°変えるように配置されている。観
察用光源１１７から発生した可視光線はビームスプリッ
タ１１９で約半分が反射され、この反射された可視光線
がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５
を透過し、加工対象物１の切断予定ライン５等を含む表
面３を照明する。
【００７０】レーザ加工装置２００はさらに、ビームス
プリッタ１１９、ダイクロイックミラー１０３及び集光
用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２
１及び結像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１とし
ては例えばCCD(charge-coupled device)カメラがある。
切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の
反射光は、集光用レンズ１０５、ダイクロイックミラー
１０３、ビームスプリッタ１１９を透過し、結像レンズ
１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像デ
ータとなる。
プリッタ１１９、ダイクロイックミラー１０３及び集光
用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２
１及び結像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１とし
ては例えばCCD(charge-coupled device)カメラがある。
切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の
反射光は、集光用レンズ１０５、ダイクロイックミラー
１０３、ビームスプリッタ１１９を透過し、結像レンズ
１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像デ
ータとなる。
【００７１】レーザ加工装置２００はさらに、撮像素子
１２１から出力された撮像データが入力される撮像デー
タ処理部１２５と、レーザ加工装置２００全体を制御す
る全体制御部１２７と、モニタ１２９と、を備える。撮
像データ処理部１２５は、撮像データを基にして観察用
光源１１７で発生した可視光の焦点が表面３上に合わせ
るための焦点データを演算する。この焦点データを基に
してステージ制御部１１５がZ軸ステージ１１３を移動
制御することにより、可視光の焦点が表面３に合うよう
にする。よって、撮像データ処理部１２５はオートフォ
ーカスユニットとして機能する。また、撮像データ処理
部１２５は、撮像データを基にして表面３の拡大画像等
の画像データを演算する。この画像データは全体制御部
１２７に送られ、全体制御部で各種処理がなされ、モニ
タ１２９に送られる。これにより、モニタ１２９に拡大
画像等が表示される。
１２１から出力された撮像データが入力される撮像デー
タ処理部１２５と、レーザ加工装置２００全体を制御す
る全体制御部１２７と、モニタ１２９と、を備える。撮
像データ処理部１２５は、撮像データを基にして観察用
光源１１７で発生した可視光の焦点が表面３上に合わせ
るための焦点データを演算する。この焦点データを基に
してステージ制御部１１５がZ軸ステージ１１３を移動
制御することにより、可視光の焦点が表面３に合うよう
にする。よって、撮像データ処理部１２５はオートフォ
ーカスユニットとして機能する。また、撮像データ処理
部１２５は、撮像データを基にして表面３の拡大画像等
の画像データを演算する。この画像データは全体制御部
１２７に送られ、全体制御部で各種処理がなされ、モニ
タ１２９に送られる。これにより、モニタ１２９に拡大
画像等が表示される。
【００７２】全体制御部１２７には、ステージ制御部１
１５からのデータ、撮像データ処理部１２５からの画像
データ等が入力し、これらのデータも基にしてレーザ光
源制御部１０２、観察用光源１１７及びステージ制御部
１１５を制御することにより、レーザ加工装置２００全
体を制御する。よって、全体制御部１２７はコンピュー
タユニットとして機能する。
１５からのデータ、撮像データ処理部１２５からの画像
データ等が入力し、これらのデータも基にしてレーザ光
源制御部１０２、観察用光源１１７及びステージ制御部
１１５を制御することにより、レーザ加工装置２００全
体を制御する。よって、全体制御部１２７はコンピュー
タユニットとして機能する。
【００７３】次に、図２１及び図２４を用いて、本実施
形態の第１例に係るレーザ加工方法を説明する。図２４
は、このレーザ加工方法を説明するためのフローチャー
トである。加工対象物１はシリコンウェハである。
形態の第１例に係るレーザ加工方法を説明する。図２４
は、このレーザ加工方法を説明するためのフローチャー
トである。加工対象物１はシリコンウェハである。
【００７４】まず、加工対象物１の光吸収特性を図示し
ない分光光度計等により測定する。この測定結果に基づ
いて、加工対象物１に対して透明な波長又は吸収の少な
い波長のレーザ光Lを発生するレーザ光源１０１を選定
する（S１０１）。次に、加工対象物１の厚さを測定す
る。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にし
て、加工対象物１のZ軸方向の移動量を決定する（S１０
３）。これは、レーザ光Lの集光点Pが加工対象物１の内
部に位置させるために、加工対象物１の表面３に位置す
るレーザ光Lの集光点を基準とした加工対象物１のZ軸方
向の移動量である。この移動量を全体制御部１２７に入
力される。
ない分光光度計等により測定する。この測定結果に基づ
いて、加工対象物１に対して透明な波長又は吸収の少な
い波長のレーザ光Lを発生するレーザ光源１０１を選定
する（S１０１）。次に、加工対象物１の厚さを測定す
る。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にし
て、加工対象物１のZ軸方向の移動量を決定する（S１０
３）。これは、レーザ光Lの集光点Pが加工対象物１の内
部に位置させるために、加工対象物１の表面３に位置す
るレーザ光Lの集光点を基準とした加工対象物１のZ軸方
向の移動量である。この移動量を全体制御部１２７に入
力される。
【００７５】加工対象物１をレーザ加工装置２００の載
置台１０７に載置する。そして、観察用光源１１７から
可視光を発生させて加工対象物１を照明する（S１０
５）。照明された切断予定ライン５を含む加工対象物１
の表面３を撮像素子１２１により撮像する。この撮像デ
ータは撮像データ処理部１２５に送られる。この撮像デ
ータに基づいて撮像データ処理部１２５は観察用光源１
１７の可視光の焦点が表面３に位置するような焦点デー
タを演算する（S１０７）。
置台１０７に載置する。そして、観察用光源１１７から
可視光を発生させて加工対象物１を照明する（S１０
５）。照明された切断予定ライン５を含む加工対象物１
の表面３を撮像素子１２１により撮像する。この撮像デ
ータは撮像データ処理部１２５に送られる。この撮像デ
ータに基づいて撮像データ処理部１２５は観察用光源１
１７の可視光の焦点が表面３に位置するような焦点デー
タを演算する（S１０７）。
【００７６】この焦点データはステージ制御部１１５に
送られる。ステージ制御部１１５は、この焦点データを
基にしてZ軸ステージ１１３をZ軸方向の移動させる（S
１０９）。これにより、観察用光源１１７の可視光の焦
点が表面３に位置する。なお、撮像データ処理部１２５
は撮像データに基づいて、切断予定ライン５を含む加工
対象物１の表面３の拡大画像データを演算する。この拡
大画像データは全体制御部１２７を介してモニタ１２９
に送られ、これによりモニタ１２９に切断予定ライン５
付近の拡大画像が表示される。
送られる。ステージ制御部１１５は、この焦点データを
基にしてZ軸ステージ１１３をZ軸方向の移動させる（S
１０９）。これにより、観察用光源１１７の可視光の焦
点が表面３に位置する。なお、撮像データ処理部１２５
は撮像データに基づいて、切断予定ライン５を含む加工
対象物１の表面３の拡大画像データを演算する。この拡
大画像データは全体制御部１２７を介してモニタ１２９
に送られ、これによりモニタ１２９に切断予定ライン５
付近の拡大画像が表示される。
【００７７】全体制御部１２７には予めステップS１０
３で決定された移動量データが入力されており、この移
動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステー
ジ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ
光Lの集光点Pが加工対象物１の内部となる位置に、Z軸
ステージ１１３により加工対象物１をZ軸方向に移動さ
せる（S１１１）。
３で決定された移動量データが入力されており、この移
動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステー
ジ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ
光Lの集光点Pが加工対象物１の内部となる位置に、Z軸
ステージ１１３により加工対象物１をZ軸方向に移動さ
せる（S１１１）。
【００７８】次に、楕円率調節部２０１により、レーザ
光源１０１から出射される直線偏光LPのレーザ光Lの楕
円率を調節する（S１１３）。楕円率調節部２０１にお
いて１／４波長板の方位角θを変えることにより、所望
の楕円率の楕円偏光EPを有するレーザ光Lを得ることが
できる。
光源１０１から出射される直線偏光LPのレーザ光Lの楕
円率を調節する（S１１３）。楕円率調節部２０１にお
いて１／４波長板の方位角θを変えることにより、所望
の楕円率の楕円偏光EPを有するレーザ光Lを得ることが
できる。
【００７９】まず、加工対象物１をY軸方向に沿って加
工するので、レーザ光Lの楕円偏光EPを表す楕円の長軸
が加工対象物１のY軸方向に延びた切断予定ライン５の
方向と一致するように調節する（S１１５）。これは、
θ軸ステージ２１３を回転させることより達成される。
よって、θ軸ステージ２１３は長軸調節手段や直線偏光
調節手段として機能する。
工するので、レーザ光Lの楕円偏光EPを表す楕円の長軸
が加工対象物１のY軸方向に延びた切断予定ライン５の
方向と一致するように調節する（S１１５）。これは、
θ軸ステージ２１３を回転させることより達成される。
よって、θ軸ステージ２１３は長軸調節手段や直線偏光
調節手段として機能する。
【００８０】Y軸方向に沿って加工対象物１を加工する
ので、９０°回転調節部２０３は、レーザ光Lの偏光を
回転させないような調節をする（S１１７）。つまり、
１／２波長板をレーザ光Lの光路外に配置させる動作を
する。
ので、９０°回転調節部２０３は、レーザ光Lの偏光を
回転させないような調節をする（S１１７）。つまり、
１／２波長板をレーザ光Lの光路外に配置させる動作を
する。
【００８１】レーザ光源１０１からレーザ光Lを発生さ
せて、レーザ光Lを加工対象物１の表面３のY軸方向に延
びた切断予定ライン５に照射する。図２５は加工対象物
１の平面図である。レーザ光Lの楕円偏光EPの楕円を表
す長軸が加工対象物１の一番右の切断予定ライン５に沿
うようにして、加工対象物１にレーザ光Lが照射され
る。レーザ光Lの集光点Pは加工対象物１の内部に位置し
ているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ
形成される。切断予定ライン５に沿うようにY軸ステー
ジ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン
５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。
せて、レーザ光Lを加工対象物１の表面３のY軸方向に延
びた切断予定ライン５に照射する。図２５は加工対象物
１の平面図である。レーザ光Lの楕円偏光EPの楕円を表
す長軸が加工対象物１の一番右の切断予定ライン５に沿
うようにして、加工対象物１にレーザ光Lが照射され
る。レーザ光Lの集光点Pは加工対象物１の内部に位置し
ているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ
形成される。切断予定ライン５に沿うようにY軸ステー
ジ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン
５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。
【００８２】そして、X軸ステージ１０９を移動させて
レーザ光Lを隣の切断予定ライン５に照射し、上記と同
様にして溶融処理領域を隣の切断予定ライン５に沿うよ
うに加工対象物１の内部に形成する。これを繰り返すこ
とにより、右から順に各切断予定ライン５に沿って加工
対象物１の内部に溶融処理領域を形成する（S１１
９）。なお、直線偏光LPのレーザ光Lを加工対象物１に
照射する場合は、図２６に示すようになる。すなわち、
レーザ光Lの直線偏光LPの向きが加工対象物１の切断予
定ライン５に沿うように、レーザ光Lが加工対象物１に
照射される。
レーザ光Lを隣の切断予定ライン５に照射し、上記と同
様にして溶融処理領域を隣の切断予定ライン５に沿うよ
うに加工対象物１の内部に形成する。これを繰り返すこ
とにより、右から順に各切断予定ライン５に沿って加工
対象物１の内部に溶融処理領域を形成する（S１１
９）。なお、直線偏光LPのレーザ光Lを加工対象物１に
照射する場合は、図２６に示すようになる。すなわち、
レーザ光Lの直線偏光LPの向きが加工対象物１の切断予
定ライン５に沿うように、レーザ光Lが加工対象物１に
照射される。
【００８３】次に、９０°回転調節部２０３により、１
／２波長板２０５（図２３）をレーザ光Lの光軸上に配
置させる動作をする。これにより、楕円率調節部２０１
から出射されたレーザ光Lの偏光を９０°だけ回転させ
る調節をする（S１２１）。
／２波長板２０５（図２３）をレーザ光Lの光軸上に配
置させる動作をする。これにより、楕円率調節部２０１
から出射されたレーザ光Lの偏光を９０°だけ回転させ
る調節をする（S１２１）。
【００８４】次に、レーザ光源１０１からレーザ光Lを
発生させて、レーザ光Lを加工対象物１の表面３のX軸方
向に延びた切断予定ライン５に照射する。図２７は加工
対象物１の平面図である。レーザ光Lの楕円偏光EPを表
す楕円の長軸の方向が加工対象物１の一番下のX軸方向
に延びた切断予定ライン５に沿うようにして、加工対象
物１にレーザ光Lが照射される。レーザ光Lの集光点Pは
加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域
は加工対象物１の内部にのみ形成される。切断予定ライ
ン５に沿うようにX軸ステージ１０９を移動させて、溶
融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物
１の内部に形成する。
発生させて、レーザ光Lを加工対象物１の表面３のX軸方
向に延びた切断予定ライン５に照射する。図２７は加工
対象物１の平面図である。レーザ光Lの楕円偏光EPを表
す楕円の長軸の方向が加工対象物１の一番下のX軸方向
に延びた切断予定ライン５に沿うようにして、加工対象
物１にレーザ光Lが照射される。レーザ光Lの集光点Pは
加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域
は加工対象物１の内部にのみ形成される。切断予定ライ
ン５に沿うようにX軸ステージ１０９を移動させて、溶
融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物
１の内部に形成する。
【００８５】そして、Y軸ステージ１１１を移動させ
て、レーザ光Lがすぐ上の切断予定ライン５を照射する
ようにし、上記と同様にして溶融処理領域を切断予定ラ
イン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。こ
れを繰り返すことにより、下から順に各切断予定ライン
に沿って加工対象物１の内部に溶融処理領域を形成する
（S１２３）。なお、直線偏光LPのレーザ光Lを加工対象
物１に照射する場合は、図２８に示すようになる。
て、レーザ光Lがすぐ上の切断予定ライン５を照射する
ようにし、上記と同様にして溶融処理領域を切断予定ラ
イン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。こ
れを繰り返すことにより、下から順に各切断予定ライン
に沿って加工対象物１の内部に溶融処理領域を形成する
（S１２３）。なお、直線偏光LPのレーザ光Lを加工対象
物１に照射する場合は、図２８に示すようになる。
【００８６】そして、加工対象物１を切断予定ライン５
に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する
（S１２５）。これにより、加工対象物１をシリコンチ
ップに分割する。
に沿って曲げることにより、加工対象物１を切断する
（S１２５）。これにより、加工対象物１をシリコンチ
ップに分割する。
【００８７】第１例の効果を説明する。これによれば、
多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部
に集光点Pを合わせて、パルスレーザ光Lを切断予定ライ
ン５に照射している。そして、X軸ステージ１０９やY軸
ステージ１１１を移動させることにより、集光点Pを切
断予定ライン５に沿って移動させている。これにより、
改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率
変化領域）を切断予定ライン５に沿うように加工対象物
１の内部に形成している。加工対象物の切断する箇所に
何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で
割って切断することができる。よって、改質領域を起点
として切断予定ライン５に沿って加工対象物１を割るこ
とにより、比較的小さな力で加工対象物１を切断するこ
とができる。これにより、加工対象物１の表面３に切断
予定ライン５から外れた不必要な割れを発生させること
なく加工対象物１を切断することができる。
多光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部
に集光点Pを合わせて、パルスレーザ光Lを切断予定ライ
ン５に照射している。そして、X軸ステージ１０９やY軸
ステージ１１１を移動させることにより、集光点Pを切
断予定ライン５に沿って移動させている。これにより、
改質領域（例えばクラック領域、溶融処理領域、屈折率
変化領域）を切断予定ライン５に沿うように加工対象物
１の内部に形成している。加工対象物の切断する箇所に
何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で
割って切断することができる。よって、改質領域を起点
として切断予定ライン５に沿って加工対象物１を割るこ
とにより、比較的小さな力で加工対象物１を切断するこ
とができる。これにより、加工対象物１の表面３に切断
予定ライン５から外れた不必要な割れを発生させること
なく加工対象物１を切断することができる。
【００８８】また、第１例によれば、加工対象物１に多
光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部に
集光点Pを合わせて、パルスレーザ光Lを切断予定ライン
５に照射している。よって、パルスレーザ光Lは加工対
象物１を透過し、加工対象物１の表面３ではパルスレー
ザ光Lがほとんど吸収されないので、改質領域形成が原
因で表面３が溶融等のダメージを受けることはない。
光子吸収を起こさせる条件でかつ加工対象物１の内部に
集光点Pを合わせて、パルスレーザ光Lを切断予定ライン
５に照射している。よって、パルスレーザ光Lは加工対
象物１を透過し、加工対象物１の表面３ではパルスレー
ザ光Lがほとんど吸収されないので、改質領域形成が原
因で表面３が溶融等のダメージを受けることはない。
【００８９】以上説明したように第１例によれば、加工
対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要
な割れや溶融が生じることなく、加工対象物１を切断す
ることができる。よって、加工対象物１が例えば半導体
ウェハの場合、半導体チップに切断予定ラインから外れ
た不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップ
を半導体ウェハから切り出すことができる。表面に電極
パターンが形成されている加工対象物や、圧電素子ウェ
ハや液晶等の表示装置が形成されたガラス基板のように
表面に電子デバイスが形成されている加工対象物につい
ても同様である。よって、第１例によれば、加工対象物
を切断することにより作製される製品（例えば半導体チ
ップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留
まりを向上させることができる。
対象物１の表面３に切断予定ライン５から外れた不必要
な割れや溶融が生じることなく、加工対象物１を切断す
ることができる。よって、加工対象物１が例えば半導体
ウェハの場合、半導体チップに切断予定ラインから外れ
た不必要な割れや溶融が生じることなく、半導体チップ
を半導体ウェハから切り出すことができる。表面に電極
パターンが形成されている加工対象物や、圧電素子ウェ
ハや液晶等の表示装置が形成されたガラス基板のように
表面に電子デバイスが形成されている加工対象物につい
ても同様である。よって、第１例によれば、加工対象物
を切断することにより作製される製品（例えば半導体チ
ップ、圧電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留
まりを向上させることができる。
【００９０】また、第１例によれば、加工対象物１の表
面３の切断予定ライン５は溶融しないので、切断予定ラ
イン５の幅（この幅は、例えば半導体ウェハの場合、半
導体チップとなる領域同士の間隔である。）を小さくで
きる。これにより、一枚の加工対象物１から作製される
製品の数が増え、製品の生産性を向上させることができ
る。
面３の切断予定ライン５は溶融しないので、切断予定ラ
イン５の幅（この幅は、例えば半導体ウェハの場合、半
導体チップとなる領域同士の間隔である。）を小さくで
きる。これにより、一枚の加工対象物１から作製される
製品の数が増え、製品の生産性を向上させることができ
る。
【００９１】また、第１例によれば、加工対象物１の切
断加工にレーザ光を用いるので、ダイヤモンドカッタを
用いたダイシングよりも複雑な加工が可能となる。例え
ば、図２９に示すように切断予定ライン５が複雑な形状
であっても、第１例によれば切断加工が可能となる。
断加工にレーザ光を用いるので、ダイヤモンドカッタを
用いたダイシングよりも複雑な加工が可能となる。例え
ば、図２９に示すように切断予定ライン５が複雑な形状
であっても、第１例によれば切断加工が可能となる。
【００９２】また、第１例によれば、図２５及び図２７
に示すように加工対象物１には、パルスレーザ光Lの楕
円偏光EPを表す楕円の長軸の方向が切断予定ライン５に
沿うようにして、パルスレーザ光Lが照射されている。
このためクラックスポットの切断予定ライン５の方向の
寸法は比較的大きくなるので、少ないショット数で切断
予定ライン５に沿ったクラック領域を形成することがで
きる。このように第１例ではクラック領域を効率的に形
成できるので、加工対象物１の加工スピードを向上させ
ることができる。また、ショット時に形成されるクラッ
クスポットは切断予定ライン５に沿った方向以外の方向
にあまり延びないので、加工対象物１を切断予定ライン
５に沿って精密に切断することができる。これらの効果
は後に説明する例でも同様である。
に示すように加工対象物１には、パルスレーザ光Lの楕
円偏光EPを表す楕円の長軸の方向が切断予定ライン５に
沿うようにして、パルスレーザ光Lが照射されている。
このためクラックスポットの切断予定ライン５の方向の
寸法は比較的大きくなるので、少ないショット数で切断
予定ライン５に沿ったクラック領域を形成することがで
きる。このように第１例ではクラック領域を効率的に形
成できるので、加工対象物１の加工スピードを向上させ
ることができる。また、ショット時に形成されるクラッ
クスポットは切断予定ライン５に沿った方向以外の方向
にあまり延びないので、加工対象物１を切断予定ライン
５に沿って精密に切断することができる。これらの効果
は後に説明する例でも同様である。
【００９３】[第２例]次に、本実施形態の第２例につい
て第１例との相違を中心に説明する。図３０はこのレー
ザ加工装置３００の概略構成図である。レーザ加工装置
３００の構成要素のうち、図２１に示す第１例に係るレ
ーザ加工装置２００の構成要素と同一要素については同
一符号を付すことによりその説明を省略する。
て第１例との相違を中心に説明する。図３０はこのレー
ザ加工装置３００の概略構成図である。レーザ加工装置
３００の構成要素のうち、図２１に示す第１例に係るレ
ーザ加工装置２００の構成要素と同一要素については同
一符号を付すことによりその説明を省略する。
【００９４】レーザ加工装置３００には、第１例の９０
°回転調節部２０３が設けられていない。θ軸ステージ
２１３により、載置台１０７のＸ-Y平面が加工対象物１
の厚さ方向を軸として回転させることができる。これに
より、楕円率調節部２０３から出射されたレーザ光Lの
偏光を相対的に９０°だけ回転させる調節をする。
°回転調節部２０３が設けられていない。θ軸ステージ
２１３により、載置台１０７のＸ-Y平面が加工対象物１
の厚さ方向を軸として回転させることができる。これに
より、楕円率調節部２０３から出射されたレーザ光Lの
偏光を相対的に９０°だけ回転させる調節をする。
【００９５】本実施形態の第２例に係るレーザ加工方法
について説明する。第２例においても図２４に示す第１
例に係るレーザ加工方法のステップS１０１からステッ
プS１１５の動作をする。第２例には９０°回転調節部
２０３が設けられていないので、次のステップS１１７
の動作は行われない。
について説明する。第２例においても図２４に示す第１
例に係るレーザ加工方法のステップS１０１からステッ
プS１１５の動作をする。第２例には９０°回転調節部
２０３が設けられていないので、次のステップS１１７
の動作は行われない。
【００９６】ステップS１１５後、ステップS１１９の動
作が行われる。ここまでの動作により、第２例において
も第１例と同様に加工対象物１は図２５に示すように加
工される。その後、ステージ制御部１１５がθ軸ステー
ジ２１３を９０°だけ回転させる制御をする。このθ軸
ステージ２１３の回転により加工対象物１はX-Y平面に
おいて９０°回転する。これにより、図３１に示すよう
に、すでに改質領域形成工程が終了した切断予定ライン
５と交差する切断予定ラインに沿って、楕円偏光EPの長
軸を合わせることができる。
作が行われる。ここまでの動作により、第２例において
も第１例と同様に加工対象物１は図２５に示すように加
工される。その後、ステージ制御部１１５がθ軸ステー
ジ２１３を９０°だけ回転させる制御をする。このθ軸
ステージ２１３の回転により加工対象物１はX-Y平面に
おいて９０°回転する。これにより、図３１に示すよう
に、すでに改質領域形成工程が終了した切断予定ライン
５と交差する切断予定ラインに沿って、楕円偏光EPの長
軸を合わせることができる。
【００９７】そして、ステップS１１９と同様に、レー
ザ光Lを加工対象物１に照射することにより、右から順
に各切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に溶
融処理領域を形成する。最後に、ステップS１２５と同
様にして加工対象物１を切断し、加工対象物１をシリコ
ンチップに分割する。
ザ光Lを加工対象物１に照射することにより、右から順
に各切断予定ライン５に沿って加工対象物１の内部に溶
融処理領域を形成する。最後に、ステップS１２５と同
様にして加工対象物１を切断し、加工対象物１をシリコ
ンチップに分割する。
【００９８】以上説明した本実施形態では、多光子吸収
による改質領域形成について説明した。しかしながら、
本発明は多光子吸収による改質領域を形成せずに、楕円
偏光を表す楕円の長軸方向が加工対象物の切断予定ライ
ンと沿うように、加工対象物の内部に集光点を合わせて
加工対象物にレーザ光を照射することにより加工対象物
を切断してもよい。これによっても加工対象物を切断予
定ラインに沿って効率的に切断することが可能となる。
による改質領域形成について説明した。しかしながら、
本発明は多光子吸収による改質領域を形成せずに、楕円
偏光を表す楕円の長軸方向が加工対象物の切断予定ライ
ンと沿うように、加工対象物の内部に集光点を合わせて
加工対象物にレーザ光を照射することにより加工対象物
を切断してもよい。これによっても加工対象物を切断予
定ラインに沿って効率的に切断することが可能となる。
【００９９】
【発明の効果】本発明に係るレーザ加工方法及びレーザ
加工装置によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定
ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を
切断することができる。よって、加工対象物を切断する
ことにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧
電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生
産性を向上させることができる。また、本発明に係るレ
ーザ加工方法及びレーザ加工装置によれば、効率的に改
質領域を形成できるので加工対象物の加工スピードを向
上させることができ、さらに加工対象物を切断予定ライ
ンに沿って精密に切断することができる。
加工装置によれば、加工対象物の表面に溶融や切断予定
ラインから外れた割れが生じることなく、加工対象物を
切断することができる。よって、加工対象物を切断する
ことにより作製される製品（例えば、半導体チップ、圧
電デバイスチップ、液晶等の表示装置）の歩留まりや生
産性を向上させることができる。また、本発明に係るレ
ーザ加工方法及びレーザ加工装置によれば、効率的に改
質領域を形成できるので加工対象物の加工スピードを向
上させることができ、さらに加工対象物を切断予定ライ
ンに沿って精密に切断することができる。
【図１】本実施形態に係るレーザ加工方法によってレー
ザ加工中の加工対象物の平面図である。
ザ加工中の加工対象物の平面図である。
【図２】図１に示す加工対象物のII−II線に沿った断面
図である。
図である。
【図３】本実施形態に係るレーザ加工方法によるレーザ
加工後の加工対象物の平面図である。
加工後の加工対象物の平面図である。
【図４】図３に示す加工対象物のIV−IV線に沿った断面
図である。
図である。
【図５】図３に示す加工対象物のV−V線に沿った断面図
である。
である。
【図６】本実施形態に係るレーザ加工方法によって切断
された加工対象物の平面図である。
された加工対象物の平面図である。
【図７】本実施形態に係るレーザ加工方法における電界
強度とクラックの大きさとの関係を示すグラフである。
強度とクラックの大きさとの関係を示すグラフである。
【図８】本実施形態に係るレーザ加工方法の第１工程に
おける加工対象物の断面図である。
おける加工対象物の断面図である。
【図９】本実施形態に係るレーザ加工方法の第２工程に
おける加工対象物の断面図である。
おける加工対象物の断面図である。
【図１０】本実施形態に係るレーザ加工方法の第３工程
における加工対象物の断面図である。
における加工対象物の断面図である。
【図１１】本実施形態に係るレーザ加工方法の第４工程
における加工対象物の断面図である。
における加工対象物の断面図である。
【図１２】本実施形態に係るレーザ加工方法により切断
されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表し
た図である。
されたシリコンウェハの一部における断面の写真を表し
た図である。
【図１３】本実施形態に係るレーザ加工方法におけるレ
ーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を
示すグラフである。
ーザ光の波長とシリコン基板の内部の透過率との関係を
示すグラフである。
【図１４】直線偏光のパルスレーザ光を照射することに
より内部にクラック領域が形成されたサンプルの平面の
写真を表した図である。
より内部にクラック領域が形成されたサンプルの平面の
写真を表した図である。
【図１５】円偏光のパルスレーザ光を照射することによ
り内部にクラック領域が形成されたサンプルの平面の写
真を表した図である。
り内部にクラック領域が形成されたサンプルの平面の写
真を表した図である。
【図１６】図１４に示すサンプルのXVI-XVI線に沿った
断面図である。
断面図である。
【図１７】図１５に示すサンプルのXVII-XVII線に沿っ
た断面図である。
た断面図である。
【図１８】本実施形態に係るレーザ加工方法によりクラ
ック領域が形成された加工対象物の切断予定ラインに沿
った部分の平面図である。
ック領域が形成された加工対象物の切断予定ラインに沿
った部分の平面図である。
【図１９】比較となるレーザ加工方法によりクラック領
域が形成された加工対象物の切断予定ラインに沿った部
分の平面図である。
域が形成された加工対象物の切断予定ラインに沿った部
分の平面図である。
【図２０】本実施形態に係る楕円偏光をしたレーザ光と
それにより形成されるクラック領域を示す図である。
それにより形成されるクラック領域を示す図である。
【図２１】本実施形態の第１例に係るレーザ加工装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図２２】本実施形態の第１例に係る楕円率調節部に含
まれる１／４波長板の斜視図である。
まれる１／４波長板の斜視図である。
【図２３】本実施形態の第１例に係る９０°回転調節部
に含まれる１／２波長板の斜視図である。
に含まれる１／２波長板の斜視図である。
【図２４】本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法を
説明するためのフローチャートである。
説明するためのフローチャートである。
【図２５】本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法に
より楕円偏光を有するレーザ光が照射されたシリコンウ
ェハの平面図である。
より楕円偏光を有するレーザ光が照射されたシリコンウ
ェハの平面図である。
【図２６】本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法に
より直線偏光を有するレーザ光が照射されたシリコンウ
ェハの平面図である。
より直線偏光を有するレーザ光が照射されたシリコンウ
ェハの平面図である。
【図２７】図２５に示すシリコンウェハに本実施形態の
第１例に係るレーザ加工方法により楕円偏光を有するレ
ーザ光が照射されたシリコンウェハの平面図である。
第１例に係るレーザ加工方法により楕円偏光を有するレ
ーザ光が照射されたシリコンウェハの平面図である。
【図２８】図２６に示すシリコンウェハに本実施形態の
第１例に係るレーザ加工方法により直線偏光を有するレ
ーザ光が照射されたシリコンウェハの平面図である。
第１例に係るレーザ加工方法により直線偏光を有するレ
ーザ光が照射されたシリコンウェハの平面図である。
【図２９】本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法に
より切断可能なパターンを説明するための加工対象物の
平面図である。
より切断可能なパターンを説明するための加工対象物の
平面図である。
【図３０】本実施形態の第２例に係るレーザ加工装置の
概略構成図である。
概略構成図である。
【図３１】図２５に示すシリコンウェハに本実施形態の
第２例に係るレーザ加工方法により楕円偏光を有するレ
ーザ光が照射されたシリコンウェハの平面図である。
第２例に係るレーザ加工方法により楕円偏光を有するレ
ーザ光が照射されたシリコンウェハの平面図である。
１・・・加工対象物、３・・・表面、５・・・切断予定
ライン、７・・・改質領域、９・・・クラック領域、１
１・・・シリコンウェハ、１３・・・溶融処理領域、７
０・・・改質領域、９０・・・クラック領域、１０１・
・・レーザ光源、１０５・・・集光用レンズ、１０７・
・・載置台、１０９・・・X軸ステージ、１１１・・・Y
軸ステージ、１１３・・・Z軸ステージ、２００・・・
レーザ加工装置、２０１・・・楕円率調節部、２０３・
・・９０°回転調節部、２１３・・・θ軸ステージ、３
００・・・レーザ加工装置、P・・・集光点、LP・・・
直線偏光、EP・・・楕円偏光
ライン、７・・・改質領域、９・・・クラック領域、１
１・・・シリコンウェハ、１３・・・溶融処理領域、７
０・・・改質領域、９０・・・クラック領域、１０１・
・・レーザ光源、１０５・・・集光用レンズ、１０７・
・・載置台、１０９・・・X軸ステージ、１１１・・・Y
軸ステージ、１１３・・・Z軸ステージ、２００・・・
レーザ加工装置、２０１・・・楕円率調節部、２０３・
・・９０°回転調節部、２１３・・・θ軸ステージ、３
００・・・レーザ加工装置、P・・・集光点、LP・・・
直線偏光、EP・・・楕円偏光
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｂ２３Ｋ 101:40 Ｈ０１Ｌ 21/78 Ｂ (72)発明者 内山 直己 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 (72)発明者 和久田 敏光 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内 Ｆターム(参考） 3C069 AA01 BA08 CA05 CA11 EA01 EA02 EA05 4E068 AE00 CA02 CA03 CB10 CD08 DA10 DB13 4G015 FA06 FB01 FC14
Claims (13)
- 【請求項１】 １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ
光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の
楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定
ラインと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射
することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工
対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工
程を備える、レーザ加工方法。 - 【請求項２】 １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ
光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の
楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定
ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度
が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs以下
の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定
ラインに沿って前記加工対象物の内部にクラック領域を
含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方
法。 - 【請求項３】 １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ
光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の
楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定
ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度
が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs以下
の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定
ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を
含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方
法。 - 【請求項４】 １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ
光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の
楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定
ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度
が１×１０8（W/cm2）以上でかつパルス幅が１ns以下の
条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラ
インに沿って前記加工対象物の内部に屈折率が変化した
領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成する工
程を備える、レーザ加工方法。 - 【請求項５】 前記楕円偏光は楕円率が零の直線偏光で
ある、請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ加工方
法。 - 【請求項６】 前記楕円偏光の楕円率を１／４波長板の
方位角変化により調節する、請求項１〜５のいずれかに
記載のレーザ加工方法。 - 【請求項７】 前記改質領域を形成する工程後、１／２
波長板によりレーザ光の偏光を略９０°だけ回転させ
て、前記加工対象物にレーザ光を照射する工程を備え
る、請求項１〜６のいずれかに記載のレーザ加工方法。 - 【請求項８】 前記改質領域を形成する工程後、 前記加工対象物の厚さ方向を軸として、前記加工対象物
を略９０°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光
を照射する工程を備える、請求項１〜６のいずれかに記
載のレーザ加工方法。 - 【請求項９】 １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ
光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の
楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定
ラインに沿うようして、前記加工対象物にレーザ光を照
射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加
工対象物を切断する工程を備える、レーザ加工方法。 - 【請求項１０】 パルス幅が１μs以下のパルスレーザ
光を出射するレーザ光源と、 前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を１以外
の楕円率の楕円偏光に調節する楕円率調節手段と、 前記楕円率調節手段により調節されたパルスレーザ光の
楕円偏光を表す楕円の長軸が加工対象物の切断予定ライ
ンと沿うように調節する長軸調節手段と、 前記長軸調節手段により調節されたパルスレーザ光の集
光点のピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上にな
るようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、 前記集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点
を加工対象物の内部に合わせる手段と、 前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を
相対的に移動させる移動手段と、 を備える、レーザ加工装置。 - 【請求項１１】 前記楕円率調節手段により調節された
パルスレーザ光の偏光を略９０°だけ回転調節する９０
°回転調節手段を備える、請求項１０記載のレーザ加工
装置。 - 【請求項１２】 前記加工対象物の厚さ方向を軸として
前記加工対象物が載置される載置台を略９０°だけ回転
させる回転手段を備える、請求項１０記載のレーザ加工
装置。 - 【請求項１３】 パルス幅が１μs以下であってかつ直
線偏光を有するパルスレーザ光を出射するレーザ光源
と、 前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光の直線偏
光の向きが加工対象物の切断予定ラインと沿うように調
節する直線偏光調節手段と、 前記直線偏光調節手段により調節されたパルスレーザ光
の集光点のピークパワー密度が１×１０8（W/cm2）以上
になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、 前記集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点
を加工対象物の内部に合わせる手段と、 前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を
相対的に移動させる移動手段と、 を備える、レーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001278752A JP3722731B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-09-13 | レーザ加工方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000278306 | 2000-09-13 | ||
| JP2000-278306 | 2000-09-13 | ||
| JP2001278752A JP3722731B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-09-13 | レーザ加工方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002097725A Division JP3867003B2 (ja) | 2000-09-13 | 2002-03-29 | レーザ加工方法 |
| JP2005207559A Division JP4837320B2 (ja) | 2000-09-13 | 2005-07-15 | 加工対象物切断方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002192369A true JP2002192369A (ja) | 2002-07-10 |
| JP2002192369A5 JP2002192369A5 (ja) | 2005-09-02 |
| JP3722731B2 JP3722731B2 (ja) | 2005-11-30 |
Family
ID=26599877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001278752A Expired - Lifetime JP3722731B2 (ja) | 2000-09-13 | 2001-09-13 | レーザ加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3722731B2 (ja) |
Cited By (31)
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