JP2002192369A5 - - Google Patents

Claims (18)

1. １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
2. １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部にクラック領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
3. １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１μｓ以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
4. １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、集光点におけるピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上でかつパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
5. 前記楕円偏光は楕円率が零の直線偏光である、請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ加工方法。
6. 前記楕円偏光の楕円率を１／４波長板の方位角変化により調節する、請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
7. 前記改質領域を形成する工程後、
   １／２波長板によりレーザ光の偏光を略９０°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光を照射する工程を備える、請求項１〜６のいずれかに記載のレーザ加工方法。
8. 前記改質領域を形成する工程後、
   前記加工対象物の厚さ方向を軸として、前記加工対象物を略９０°だけ回転させて、前記加工対象物にレーザ光を照射する工程を備える、請求項１〜６のいずれかに記載のレーザ加工方法。
9. １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインに沿うようして、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する工程を備える、レーザ加工方法。
10. １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物において第１の方向に延在する複数の第１の切断予定ラインのそれぞれと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記第１の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による第１の改質領域を形成すると共に、１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物において前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の第２の切断予定ラインのそれぞれと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記第２の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による第２の改質領域を形成し、前記第１及び前記第２の改質領域を切断の起点として前記第１及び前記第２の切断予定ラインに沿って前記加工対象物を複数のチップに分割する、レーザ加工方法。
11. 前記第１の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による前記第１の改質領域を形成した後、前記第２の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による前記第２の改質領域を形成する、請求項１０記載のレーザ加工方法。
12. １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を半導体材料からなる加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物の切断予定ラインと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に溶融処理領域を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
13. １以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を半導体材料からなる加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物において第１の方向に延在する複数の第１の切断予定ラインのそれぞれと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記第１の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に第１の溶融処理領域を形成すると共に、１以外の楕円率の楕円偏光をしたレーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に合わせかつレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が前記加工対象物において前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数の第２の切断予定ラインのそれぞれと沿うように、前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記第２の切断予定ラインのそれぞれに沿って前記加工対象物の内部に第２の溶融処理領域を形成し、前記第１及び前記第２の溶融処理領域を切断の起点として前記第１及び前記第２の切断予定ラインに沿って前記加工対象物を複数のチップに分割する、レーザ加工方法。
14. 前記楕円偏光は楕円率が零の直線偏光である、請求項１２又は１３に記載のレーザ加工方法。
15. パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
    前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を１以外の楕円率の楕円偏光に調節する楕円率調節手段と、
    前記楕円率調節手段により調節されたパルスレーザ光の楕円偏光を表す楕円の長軸が加工対象物の切断予定ラインと沿うように調節する長軸調節手段と、
    前記長軸調節手段により調節されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、
    前記集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段と、
    前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段と、
    を備える、レーザ加工装置。
16. 前記楕円率調節手段により調節されたパルスレーザ光の偏光を略９０°だけ回転調節する９０°回転調節手段を備える、請求項１５記載のレーザ加工装置。
17. 前記加工対象物の厚さ方向を軸として前記加工対象物が載置される載置台を略９０°だけ回転させる回転手段を備える、請求項１５記載のレーザ加工装置。
18. パルス幅が１μｓ以下であってかつ直線偏光を有するパルスレーザ光を出射するレーザ光源と、
    前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光の直線偏光の向きが加工対象物の切断予定ラインと沿うように調節する直線偏光調節手段と、
    前記直線偏光調節手段により調節されたパルスレーザ光の集光点のピークパワー密度が１×１０^８（Ｗ／ｃｍ^２）以上になるようにパルスレーザ光を集光する集光手段と、
    前記集光手段により集光されたパルスレーザ光の集光点を加工対象物の内部に合わせる手段と、
    前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を相対的に移動させる移動手段と、
    を備える、レーザ加工装置。