JP2003088976A5 - - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating Effects 0.000 description 4
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項２】 加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となるクラック領域を含む改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項３】 加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となる溶融処理領域を含む改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項４】 加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１ns以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となる屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項５】 半導体材料からなるウエハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となる、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を含む改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項６】 前記第２の工程では、前記改質領域に集光点を合わせて、前記第１の工程と同じレーザ光照射を行うこと特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項７】 前記第２の工程において照射されるレーザ光と、前記第１の工程において照射されるレーザ光は、パルスレーザ光であり、同一のレーザ光源により発生させられることを特徴とする請求項６記載のレーザ加工方法。
【請求項１】 加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項２】 加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となるクラック領域を含む改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項３】 加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１μs以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となる溶融処理領域を含む改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項４】 加工対象物の内部に集光点を合わせて、集光点におけるピークパワー密度が１×１０８（W/cm2）以上でかつパルス幅が１ns以下の条件でレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となる屈折率が変化した領域である屈折率変化領域を含む改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項５】 半導体材料からなるウエハ状の加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に、切断の起点となる、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、又は単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域である溶融処理領域を含む改質領域を形成する第１の工程と、
前記第１の工程後、前記加工対象物の非改質領域に対して透過性を有するレーザ光を前記改質領域に照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物が切断される箇所にストレスを生じさせる第２の工程と、
を備えるレーザ加工方法。
【請求項６】 前記第２の工程では、前記改質領域に集光点を合わせて、前記第１の工程と同じレーザ光照射を行うこと特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項７】 前記第２の工程において照射されるレーザ光と、前記第１の工程において照射されるレーザ光は、パルスレーザ光であり、同一のレーザ光源により発生させられることを特徴とする請求項６記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277186A JP4659301B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | レーザ加工方法 |
| TW092105294A TWI296554B (en) | 2001-09-12 | 2003-03-12 | Laser processing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277186A JP4659301B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | レーザ加工方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003088976A JP2003088976A (ja) | 2003-03-25 |
| JP2003088976A5 true JP2003088976A5 (ja) | 2009-02-19 |
| JP4659301B2 JP4659301B2 (ja) | 2011-03-30 |
Family
ID=19101756
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001277186A Expired - Lifetime JP4659301B2 (ja) | 2001-09-12 | 2001-09-12 | レーザ加工方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4659301B2 (ja) |
| TW (1) | TWI296554B (ja) |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102004012402B3 (de) * | 2004-03-13 | 2005-08-25 | Schott Ag | Verfahren zum Freiformschneiden von gewölbten Substraten aus sprödbrüchigem Material |
| DE102004014277A1 (de) * | 2004-03-22 | 2005-10-20 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum laserthermischen Trennen von Flachgläsern |
| JP4631044B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2011-02-16 | 国立大学法人北海道大学 | レーザ加工方法および装置 |
| US7662668B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-02-16 | Denso Corporation | Method for separating a semiconductor substrate into a plurality of chips along with a cutting line on the semiconductor substrate |
| US8943855B2 (en) | 2009-08-28 | 2015-02-03 | Corning Incorporated | Methods for laser cutting articles from ion exchanged glass substrates |
| JP5862088B2 (ja) * | 2011-07-22 | 2016-02-16 | アイシン精機株式会社 | レーザによる割断方法、およびレーザ割断装置 |
| US10357850B2 (en) | 2012-09-24 | 2019-07-23 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for machining a workpiece |
| US9828278B2 (en) | 2012-02-28 | 2017-11-28 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby |
| KR20150045957A (ko) * | 2012-08-21 | 2015-04-29 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 복합 시트의 절단 방법, 유리 시트의 절단 방법, 복합 시트의 절단편 |
| JP6320261B2 (ja) * | 2014-09-26 | 2018-05-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| JP2016129203A (ja) * | 2015-01-09 | 2016-07-14 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
| KR101812209B1 (ko) * | 2016-02-16 | 2017-12-26 | 주식회사 이오테크닉스 | 레이저 마킹 장치 및 레이저 마킹 방법 |
| JP7217585B2 (ja) * | 2017-04-13 | 2023-02-03 | 株式会社ディスコ | 分割方法 |
| JP7210910B2 (ja) * | 2017-08-22 | 2023-01-24 | 日本電気硝子株式会社 | ガラス物品の製造方法及びガラス物品の製造装置 |
| US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
| US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
| US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
| JP7370881B2 (ja) * | 2020-01-24 | 2023-10-30 | 株式会社ディスコ | ウエーハ加工方法、及びウエーハ加工装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2810151B2 (ja) * | 1989-10-07 | 1998-10-15 | ホーヤ株式会社 | レーザマーキング方法 |
| JPH04167985A (ja) * | 1990-10-31 | 1992-06-16 | Nagasaki Pref Gov | ウェハの割断方法 |
| JP3660741B2 (ja) * | 1996-03-22 | 2005-06-15 | 株式会社日立製作所 | 電子回路装置の製造方法 |
| JP3449201B2 (ja) * | 1997-11-28 | 2003-09-22 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体素子の製造方法 |
-
2001
- 2001-09-12 JP JP2001277186A patent/JP4659301B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-03-12 TW TW092105294A patent/TWI296554B/zh not_active IP Right Cessation
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