JP2008078236A - レーザ加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 42
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 50
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 49
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 49
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 6
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 101100008049 Caenorhabditis elegans cut-5 gene Proteins 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 3
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
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- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
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- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/354—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by melting
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/352—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
- B23K26/359—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
- B23K26/382—Removing material by boring or cutting by boring
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
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- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
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- B23K26/57—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece the laser beam entering a face of the workpiece from which it is transmitted through the workpiece material to work on a different workpiece face, e.g. for effecting removal, fusion splicing, modifying or reforming
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- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
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Abstract
【解決手段】 切断予定ライン5に沿って、切断の起点となる6列の溶融処理領域131,132をシリコンウェハ11の内部に形成するが、加工対象物1の裏面21に最も近い溶融処理領域131を形成する際に、切断予定ライン5に沿って弱化領域18を裏面21に形成する。このように、溶融処理領域131,132がシリコンウェハ11の内部に形成されるため、溶融処理領域131,132からパーティクルが発生するのを防止することができる。しかも、所定の深さを有する弱化領域18が切断予定ライン5に沿って加工対象物1の裏面21に形成されるため、比較的小さな外力で、切断予定ライン5に沿って加工対象物1を切断することが可能となる。
【選択図】 図18
Description
加工対象物(例えばガラスやLiTaO3からなる圧電材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。このパルス幅の大きさは、多光子吸収を生じさせつつ加工対象物の表面に余計なダメージを与えずに、加工対象物の内部にのみクラック領域を形成できる条件である。これにより、加工対象物の内部には多光子吸収による光学的損傷という現象が発生する。この光学的損傷により加工対象物の内部に熱ひずみが誘起され、これにより加工対象物の内部にクラック領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。なお、多光子吸収によるクラック領域の形成は、例えば、第45回レーザ熱加工研究会論文集(1998年.12月)の第23頁〜第28頁の「固体レーザー高調波によるガラス基板の内部マーキング」に記載されている。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:出力<1mJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばシリコンのような半導体材料)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1μs以下の条件でレーザ光を照射する。これにより加工対象物の内部は多光子吸収によって局所的に加熱される。この加熱により加工対象物の内部に溶融処理領域が形成される。溶融処理領域とは一旦溶融後再固化した領域や、まさに溶融状態の領域や、溶融状態から再固化する状態の領域であり、相変化した領域や結晶構造が変化した領域ということもできる。また、溶融処理領域とは単結晶構造、非晶質構造、多結晶構造において、ある構造が別の構造に変化した領域ということもできる。つまり、例えば、単結晶構造から非晶質構造に変化した領域、単結晶構造から多結晶構造に変化した領域、単結晶構造から非晶質構造及び多結晶構造を含む構造に変化した領域を意味する。加工対象物がシリコン単結晶構造の場合、溶融処理領域は例えば非晶質シリコン構造である。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns〜200nsが好ましい。
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
レーザ光スポット断面積:3.14×10−8cm2
発振形態:Qスイッチパルス
繰り返し周波数:100kHz
パルス幅:30ns
出力:20μJ/パルス
レーザ光品質:TEM00
偏光特性:直線偏光
(C)集光用レンズ
倍率:50倍
N.A.:0.55
レーザ光波長に対する透過率:60パーセント
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:100mm/秒
加工対象物(例えばガラス)の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が1×108(W/cm2)以上で且つパルス幅が1ns以下の条件でレーザ光を照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を加工対象物の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、加工対象物の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば1×1012(W/cm2)である。パルス幅は例えば1ns以下が好ましく、1ps以下がさらに好ましい。多光子吸収による屈折率変化領域の形成は、例えば、第42回レーザ熱加工研究会論文集(1997年.11月)の第105頁〜第111頁の「フェムト秒レーザー照射によるガラス内部への光誘起構造形成」に記載されている。
Claims (6)
- 半導体基板を備える板状の加工対象物の一方の面をレーザ光入射面として前記加工対象物にレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、前記加工対象物の厚さ方向に並ぶように、切断の起点となる複数列の改質領域を前記半導体基板の内部に形成するレーザ加工方法であって、
複数列の前記改質領域のうち前記加工対象物の他方の面に最も近い改質領域を形成すると同時に、前記切断予定ラインに沿って、所定の深さを有する弱化領域を前記他方の面に形成する工程と、
複数列の前記改質領域のうち前記他方の面に最も近い前記改質領域以外の改質領域を形成する工程と、を含むことを特徴とするレーザ加工方法。 - 前記他方の面は、前記加工対象物が備える金属膜の面であることを特徴とする請求項1記載のレーザ加工方法。
- 前記他方の面に最も近い前記改質領域と前記弱化領域とは、互いに離間するように形成されることを特徴とする請求項1又は2記載のレーザ加工方法。
- 前記弱化領域は、前記切断予定ラインに沿って点線状に形成されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 複数列の前記改質領域及び前記弱化領域を切断の起点として、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物を切断する工程を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
- 複数列の前記改質領域は溶融処理領域を含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006253311A JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | レーザ加工方法 |
EP07807235.2A EP2070632B1 (en) | 2006-09-19 | 2007-09-13 | Laser processing method |
KR1020087029205A KR101455408B1 (ko) | 2006-09-19 | 2007-09-13 | 레이저 가공방법 |
PCT/JP2007/067828 WO2008035610A1 (fr) | 2006-09-19 | 2007-09-13 | Procédé de traitement au laser |
US12/441,677 US8278592B2 (en) | 2006-09-19 | 2007-09-13 | Laser processing method |
CN2007800344801A CN101516565B (zh) | 2006-09-19 | 2007-09-13 | 激光加工方法 |
CN201110399149.8A CN102513695B (zh) | 2006-09-19 | 2007-09-13 | 激光加工方法 |
TW096134546A TWI414387B (zh) | 2006-09-19 | 2007-09-14 | Laser processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006253311A JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | レーザ加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008078236A true JP2008078236A (ja) | 2008-04-03 |
JP4954653B2 JP4954653B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=39200437
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006253311A Active JP4954653B2 (ja) | 2006-09-19 | 2006-09-19 | レーザ加工方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8278592B2 (ja) |
EP (1) | EP2070632B1 (ja) |
JP (1) | JP4954653B2 (ja) |
KR (1) | KR101455408B1 (ja) |
CN (2) | CN101516565B (ja) |
TW (1) | TWI414387B (ja) |
WO (1) | WO2008035610A1 (ja) |
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---|---|---|---|---|
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USD884659S1 (en) | 2017-09-27 | 2020-05-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light-receiving device |
USD884660S1 (en) | 2017-09-27 | 2020-05-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Light-receiving device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101516565B (zh) | 2012-02-08 |
EP2070632A4 (en) | 2015-03-18 |
CN102513695B (zh) | 2014-12-10 |
JP4954653B2 (ja) | 2012-06-20 |
TWI414387B (zh) | 2013-11-11 |
US20100012632A1 (en) | 2010-01-21 |
TW200819236A (en) | 2008-05-01 |
WO2008035610A1 (fr) | 2008-03-27 |
KR20090064510A (ko) | 2009-06-19 |
KR101455408B1 (ko) | 2014-10-28 |
CN102513695A (zh) | 2012-06-27 |
EP2070632B1 (en) | 2016-06-01 |
EP2070632A1 (en) | 2009-06-17 |
US8278592B2 (en) | 2012-10-02 |
CN101516565A (zh) | 2009-08-26 |
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