JP2005057257A - レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び加工生産物 - Google Patents
レーザ加工方法、レーザ加工装置、及び加工生産物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005057257A JP2005057257A JP2004212059A JP2004212059A JP2005057257A JP 2005057257 A JP2005057257 A JP 2005057257A JP 2004212059 A JP2004212059 A JP 2004212059A JP 2004212059 A JP2004212059 A JP 2004212059A JP 2005057257 A JP2005057257 A JP 2005057257A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- laser
- semiconductor substrate
- processing
- cutting line
- laser light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 238000003754 machining Methods 0.000 title abstract 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 130
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 165
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 105
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 88
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 71
- 238000010128 melt processing Methods 0.000 claims description 50
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 24
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 24
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 5
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 43
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 41
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 41
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 21
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
- B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/40—Semiconductor devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
【解決手段】 この課題を解決するためのレーザ加工方法は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子吸収による被処理部13を形成すると共に、加工対象物の内部であって被処理部に対応する所定の位置に微小空洞8を形成する工程を備える。
【選択図】 図9
Description
荒井一尚、「半導体ウェハにおけるレーザダイシング加工」、砥粒加工学会誌、Vol.47、No.5、2003 MAY.229−231
(B)レーザ
光源:半導体レーザ励起Nd:YAGレーザ
波長:1064nm
ビーム径:3.99mm
広がり角2.34mrad
繰り返し周波数:40kHz
パルス幅:200nsec
パルスピッチ:7μm
加工深さ:13μm
パルスエネルギー:20μJ/パルス
(C)集光用レンズ
NA:0.8
(D)加工対象物が載置される載置台の移動速度:280mm/sec
(2)測定モード:マイクロプローブ 顕微鏡(Olympus BH−2型)
Beam Splitte:照射系、R=25%
集光系、R=100%
対物レンズ :×90(長焦点)
(3)光源:Ar+レーザ 457.9nm
(4)偏光:入射光 P、散乱光 S+P
(5)分光器:U−1000(回折格子 Plane Holographic 1800gr/mm)
(6)検出器:CCD Jobin Yvon
このラマン分析を、溶融処理領域13の近傍の測定位置1、微小空洞8の近傍の測定位置2、溶融処理領域13及び微小空洞8の間の測定位置3、溶融処理領域13の上方の測定位置4について行った。
(アモルファスSiの評価)
(結晶性の評価)
(応力の評価)
Claims (32)
- 加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による被処理部を形成すると共に、前記加工対象物の内部であって前記被処理部に対応する所定の位置に微小空洞を形成する工程を備える、レーザ加工方法。
- 前記切断予定ラインを設定する工程を備える、請求項1に記載のレーザ加工方法。
- 加工対象物の切断予定ラインを設定する工程と、
前記加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による被処理部を形成すると共に、前記加工対象物の内部であって前記被処理部に対応する所定の位置に微小空洞を形成する工程と、を備えるレーザ加工方法。 - 前記加工対象物は半導体基板であって、前記被処理部は溶融処理領域である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物は半導体基板であって、前記レーザ光はパルスレーザ光であり、そのパルス幅は500nsec以下である、請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物は半導体基板であって、前記レーザ光はパルスレーザ光であり、そのパルスピッチは1.00〜7.00μmである、請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記微小空洞は前記切断予定ラインに沿って複数形成され、それぞれの微小空洞は相互に離隔している、請求項1〜6のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記微小空洞は前記切断予定ラインに沿って複数形成され、それぞれの微小空洞は相互に離隔している、請求項1〜7のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記加工対象物の主面には機能素子が形成されており、前記微小空洞は前記主面と前記被処理部との間に形成される、請求項1〜8のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記微小空洞は前記被処理部を挟んで、前記レーザ光の入射側とは反対側に形成される、請求項1〜9のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記微小空洞を形成した加工対象物を切断する工程を備える、請求項1〜10のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 半導体基板の切断予定ラインを設定する工程と、
前記半導体基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、前記切断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、前記半導体基板の内部であって前記溶融処理領域に対応する所定の位置に微小空洞を形成する工程と、を備えるレーザ加工方法。 - 半導体基板の切断予定ラインを設定する工程と、
前記半導体基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を照射し、前記切断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、前記半導体基板の内部であって前記溶融処理領域に対応する所定の位置に微小空洞を形成する工程と、を備え、
前記パルスレーザ光のパルス幅は500nsec以下である、レーザ加工方法。 - 半導体基板の切断予定ラインを設定する工程と、
前記半導体基板の内部に集光点を合わせてパルスレーザ光を照射し、前記切断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、前記半導体基板の内部であって前記溶融処理領域に対応する所定の位置に微小空洞を形成する工程と、を備え、
前記パルスレーザ光のパルスピッチは1.00〜7.00μmである、レーザ加工方法。 - 前記微小空洞は前記切断予定ラインに沿って複数形成され、それぞれの微小空洞は相互に離隔している、請求項12〜14のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記半導体基板の主面には機能素子が形成されており、前記微小空洞は前記主面と前記溶融処理領域との間に形成される、請求項12〜15のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記微小空洞は前記溶融処理領域を挟んで、前記レーザ光の入射側とは反対側に形成される、請求項12〜16のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- 前記微小空洞を形成した半導体基板を切断する工程を備える、請求項12〜17のいずれか1項に記載のレーザ加工方法。
- レーザ光源と、加工対象物を戴置する戴置台と、前記レーザ光源と前記戴置台との相対的な位置関係を制御する制御手段と、を備えるレーザ加工装置であって、
前記制御手段は、前記加工対象物の内部に集光点が合うように前記レーザ光源と前記戴置台との間隔を制御すると共に、前記レーザ光源からレーザ光が出射されると、前記レーザ光源及び前記戴置台を前記加工対象物の切断予定ラインに沿って相対的に移動させて、
前記切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に多光子吸収による被処理部を形成すると共に、前記加工対象物の内部であって前記被処理部に対応する所定の位置に微小空洞を形成するレーザ加工装置。 - レーザ光源と、半導体基板を戴置する戴置台と、前記レーザ光源と前記戴置台との相対的な位置関係を制御する制御手段と、を備えるレーザ加工装置であって、
前記制御手段は、前記半導体基板の内部に集光点が合うように前記レーザ光源と前記戴置台との間隔を制御すると共に、前記レーザ光源からレーザ光が出射されると、前記レーザ光源及び前記戴置台を前記半導体基板の切断予定ラインに沿って相対的に移動させて、
前記切断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、前記半導体基板の内部であって前記溶融処理領域に対応する所定の位置に微小空洞を形成するレーザ加工装置。 - レーザ光源と、半導体基板を戴置する戴置台と、前記レーザ光源と前記戴置台との相対的な位置関係を制御する制御手段と、を備えるレーザ加工装置であって、
前記制御手段は、前記半導体基板の内部に集光点が合うように前記レーザ光源と前記戴置台との間隔を制御すると共に、前記レーザ光源からパルスレーザ光が出射されると、前記レーザ光源及び前記戴置台を前記半導体基板の切断予定ラインに沿って相対的に移動させて、
前記切断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、前記半導体基板の内部であって前記溶融処理領域に対応する所定の位置に微小空洞を形成する際に、前記パルスレーザのパルス幅が500nsec以下であるレーザ加工装置。 - レーザ光源と、半導体基板を戴置する戴置台と、前記レーザ光源と前記戴置台との相対的な位置関係を制御する制御手段と、を備えるレーザ加工装置であって、
前記制御手段は、前記半導体基板の内部に集光点が合うように前記レーザ光源と前記戴置台との間隔を制御すると共に、前記レーザ光源からパルスレーザ光が出射されると、前記レーザ光源及び前記戴置台を前記半導体基板の切断予定ラインに沿って相対的に移動させて、
前記切断予定ラインに沿って前記半導体基板の内部に溶融処理領域を形成すると共に、前記半導体基板の内部であって前記溶融処理領域に対応する所定の位置に微小空洞を形成する際に、前記パルスレーザのパルスピッチが1.00〜7.00μmであるレーザ加工装置。 - 前記微小空洞を前記切断予定ラインに沿って複数形成し、それぞれの微小空洞が相互に離隔するように形成する、請求項19〜22のいずれか1項に記載のレーザ加工装置。
- 加工対象物をレーザ加工によって切断して生産される加工生産物であって、
前記切断によって形成された主面に沿った部分に多光子吸収によって改質されている被処理部と、
前記切断によって形成された主面であって前記被処理部に対応する所定の位置に開口部を有する微小空洞と、が形成されている加工生産物。 - 前記加工対象物は半導体基板であって、前記被処理部は溶融処理領域である、請求項24に記載の加工生産物。
- 前記微小空洞は前記切断予定ラインに沿って複数形成され、それぞれの微小空洞は相互に離隔している、請求項24又は25に記載の加工生産物。
- 前記微小空洞相互の間隔が1.00〜7.00μmとなるように形成されている、請求項26に記載の加工生産物。
- 前記被処理部は前記切断予定ラインに沿った第1のゾーンに形成され、前記複数の微小空洞は前記第1のゾーンと所定の間隔を空けた第2のゾーンに形成されている、請求項24〜27のいずれか1項に記載の加工生産物。
- 加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、被処理部が前記加工対象物の切断予定ラインに沿った前記加工対象物の内部に形成されている被処理領域と、微小空洞が前記切断予定ラインに沿った前記加工対象物の内部に形成されている微小空洞領域と、を少なくとも前記切断予定ラインの一部に対応する位置に形成する工程を備える、レーザ加工方法。
- 前記加工対象物は半導体基板であって、前記被処理部は溶融処理領域である、請求項29に記載のレーザ加工方法。
- 加工対象物をレーザ加工によって切断して生産される加工生産物であって、
前記切断によって形成された主面には被処理部が形成された被処理領域と、
前記切断によって形成された主面に開口部を有する微小空洞が形成された微小空洞領域と、が形成されている加工生産物。 - 前記加工対象物は半導体基板であって、前記被処理部は溶融処理領域である、請求項31に記載の加工生産物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004212059A JP4703983B2 (ja) | 2003-07-18 | 2004-07-20 | 切断方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003277039 | 2003-07-18 | ||
JP2003277039 | 2003-07-18 | ||
JP2004212059A JP4703983B2 (ja) | 2003-07-18 | 2004-07-20 | 切断方法 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010167359A Division JP5122611B2 (ja) | 2003-07-18 | 2010-07-26 | 切断方法 |
JP2010167355A Division JP5015294B2 (ja) | 2003-07-18 | 2010-07-26 | 半導体基板及びその切断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005057257A true JP2005057257A (ja) | 2005-03-03 |
JP4703983B2 JP4703983B2 (ja) | 2011-06-15 |
Family
ID=34379985
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004212059A Active JP4703983B2 (ja) | 2003-07-18 | 2004-07-20 | 切断方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4703983B2 (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006051866A1 (ja) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及び半導体チップ |
WO2006051861A1 (ja) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
JP2007165850A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Denso Corp | ウェハおよびウェハの分断方法 |
JP2008006652A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Aisin Seiki Co Ltd | 硬脆材料板体の分割加工方法 |
WO2008035679A1 (fr) | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser |
WO2008035610A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procédé de traitement au laser |
JP2008098465A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 半導体発光素子の分離方法 |
JP2010081884A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sony Corp | サンプリング装置及びサンプリング方法 |
US7737001B2 (en) | 2005-06-01 | 2010-06-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor manufacturing method |
WO2010116917A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
JP2011223041A (ja) * | 2011-08-05 | 2011-11-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子の分離方法 |
JP2013126682A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-27 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
KR20140033100A (ko) | 2011-07-01 | 2014-03-17 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 접착 필름 및 다이싱 다이 본딩 필름 및 그것을 이용한 반도체 가공방법 |
JP2016201575A (ja) * | 2016-08-30 | 2016-12-01 | 国立大学法人埼玉大学 | 単結晶基板製造方法 |
JP2016213502A (ja) * | 2016-08-30 | 2016-12-15 | 国立大学法人埼玉大学 | 単結晶基板製造方法 |
JP2017152564A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びダイシング方法 |
JP2019021808A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN112820796A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 苏州索雷特自动化科技有限公司 | 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池片 |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10562130B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-02-18 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US10576585B1 (en) | 2018-12-29 | 2020-03-03 | Cree, Inc. | Laser-assisted method for parting crystalline material |
US11024501B2 (en) | 2018-12-29 | 2021-06-01 | Cree, Inc. | Carrier-assisted method for parting crystalline material along laser damage region |
US10611052B1 (en) | 2019-05-17 | 2020-04-07 | Cree, Inc. | Silicon carbide wafers with relaxed positive bow and related methods |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002192367A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-07-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2002205180A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-07-23 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2003154517A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Seiko Epson Corp | 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法 |
JP2005028438A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ光線を利用する加工装置 |
-
2004
- 2004-07-20 JP JP2004212059A patent/JP4703983B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002192367A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-07-10 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2002205180A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-07-23 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2003154517A (ja) * | 2001-11-21 | 2003-05-27 | Seiko Epson Corp | 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法 |
JP2005028438A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Disco Abrasive Syst Ltd | レーザ光線を利用する加工装置 |
Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006051861A1 (ja) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法 |
US8143141B2 (en) | 2004-11-12 | 2012-03-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser beam machining method and semiconductor chip |
US7939430B2 (en) | 2004-11-12 | 2011-05-10 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
WO2006051866A1 (ja) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Hamamatsu Photonics K.K. | レーザ加工方法及び半導体チップ |
US7902636B2 (en) | 2004-11-12 | 2011-03-08 | Hamamatsu Photonics K.K. | Semiconductor chip including a substrate and multilayer part |
US7737001B2 (en) | 2005-06-01 | 2010-06-15 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor manufacturing method |
JP2007165850A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Denso Corp | ウェハおよびウェハの分断方法 |
JP2008006652A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Aisin Seiki Co Ltd | 硬脆材料板体の分割加工方法 |
JP2008078236A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
WO2008035610A1 (fr) * | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Procédé de traitement au laser |
WO2008035679A1 (fr) | 2006-09-19 | 2008-03-27 | Hamamatsu Photonics K. K. | Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser |
US8188404B2 (en) | 2006-09-19 | 2012-05-29 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method and laser processing apparatus |
CN102513695A (zh) * | 2006-09-19 | 2012-06-27 | 浜松光子学株式会社 | 激光加工方法 |
US8278592B2 (en) | 2006-09-19 | 2012-10-02 | Hamamatsu Photonics K.K. | Laser processing method |
JP2008098465A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Aisin Seiki Co Ltd | 半導体発光素子の分離方法 |
JP2010081884A (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-15 | Sony Corp | サンプリング装置及びサンプリング方法 |
WO2010116917A1 (ja) * | 2009-04-07 | 2010-10-14 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ加工装置及びレーザ加工方法 |
US9035216B2 (en) | 2009-04-07 | 2015-05-19 | Hamamatsu Photonics K.K. | Method and device for controlling interior fractures by controlling the laser pulse width |
KR20140033100A (ko) | 2011-07-01 | 2014-03-17 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 접착 필름 및 다이싱 다이 본딩 필름 및 그것을 이용한 반도체 가공방법 |
JP2011223041A (ja) * | 2011-08-05 | 2011-11-04 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子の分離方法 |
JP2013126682A (ja) * | 2011-11-18 | 2013-06-27 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザ加工方法 |
JP2017152564A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 株式会社東京精密 | ダイシング装置及びダイシング方法 |
JP2016201575A (ja) * | 2016-08-30 | 2016-12-01 | 国立大学法人埼玉大学 | 単結晶基板製造方法 |
JP2016213502A (ja) * | 2016-08-30 | 2016-12-15 | 国立大学法人埼玉大学 | 単結晶基板製造方法 |
JP2019021808A (ja) * | 2017-07-19 | 2019-02-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN112820796A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-18 | 苏州索雷特自动化科技有限公司 | 一种太阳能电池制备方法及太阳能电池片 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4703983B2 (ja) | 2011-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5122611B2 (ja) | 切断方法 | |
JP4703983B2 (ja) | 切断方法 | |
JP3762409B2 (ja) | 基板の分割方法 | |
JP4606741B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP4322881B2 (ja) | レーザ加工方法及びレーザ加工装置 | |
JP4409840B2 (ja) | 加工対象物切断方法 | |
JP4167094B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2003088982A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2004268103A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2003088979A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2003088980A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2003088978A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2003088981A (ja) | レーザ加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070713 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100525 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100726 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110209 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110221 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110309 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4703983 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |