JP2019021808A - ウエーハの加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】分割されたデバイスを容易に剥離することができるウエーハの加工方法を提供すること。【解決手段】表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、相互間に働く密着力によってウエーハを保護部材に貼着する貼着ステップ（ＳＰ１）と、保護部材側を保持テーブルに保持した状態で、分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射してウエーハ内部に改質層を形成するレーザ光線照射ステップ（ＳＰ３）と、保護部材を拡張してチップへと分割しながらチップ間の間隔を広げる分割ステップ（ＳＰ４）とを備える。【選択図】図４

Description

本発明は、ウエーハの加工方法に関する。

半導体デバイスまたは電子部品の製造工程において、ウエーハに対して透過性または吸収性を有する波長のレーザ光線を照射する加工方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許第３４０８８０５号公報

ブレード加工においては、切削水のような液体を使用するため、加工時にウエーハがズレないように、粘着剤が塗布されたダイシングテープによってウエーハを保持する。ダイシングテープは粘着力が高いので、加工後に分割されたデバイスを吸着保持でピックアップできないことがある。デバイスをダイシングテープから取り外しやすくするために、加工後に分割されたデバイスをピックアップする前に、紫外線を照射してダイシングテープの粘着力を低下する工程が実施される。

ところが、ダイシングテープに紫外線を照射しても粘着力を完全に除去するものではないため、デバイスがダイシングテープから取り外しにくいことがある。このため、ダイシングテープの下側から棒状部材などでデバイスを突き上げながら、ダイシングテープからデバイスを取り外すことがある。

レーザ加工においても、加工時にウエーハがズレないように、ダイシングテープによってウエーハを保持することが知られている。しかしながら、レーザ加工においては、切削水を使用しないため、保護部材がウエーハを保持する保持力は、ブレード加工に比べて大きくなくてもよい。

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、分割されたデバイスを容易に剥離することができるウエーハの加工方法を提供することを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウエーハの加工方法は、表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、相互間に働く密着力によってウエーハを保護部材に貼着する貼着ステップと、該保護部材側を保持テーブルに保持した状態で、該分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射してウエーハ内部に改質層を形成するレーザ光線照射ステップと、該保護部材を拡張してチップへと分割しながらチップ間の間隔を広げる分割ステップと、を備えることを特徴とする。

本発明のウエーハの加工方法は、表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、相互間に働く密着力によってウエーハを保護部材に貼着する貼着ステップと、該保護部材側を保持テーブルに保持した状態で、該分割予定ラインに沿ってウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザ光線を照射してアブレーション加工によりウエーハを分割するレーザ光線照射ステップと、を備えることを特徴とする。

上記ウエーハの加工方法において、該密着力は、ファンデルワールス力または静電気結合または減圧吸着のいずれか一つまたは相乗効果によって生じる。

本発明のウエーハの加工方法によれば、分割されたデバイスを容易に剥離することができるという効果を奏する。

図１は、第一実施形態に係るウエーハの加工方法で加工されるウエーハを示す斜視図である。 図２は、第一実施形態に係る枠体形成ステップにおけるレーザ加工装置の動作を示す断面図である。 図３は、第一実施形態に係る分割ステップにおける分割装置の動作を示す断面図である。 図４は、第一実施形態に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。

以下、本発明に係る実施形態につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。

以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の一方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向をＺ軸方向とする。Ｘ軸及びＹ軸を含むＸＹ平面は、水平面と平行である。ＸＹ平面と直交するＺ軸方向は、鉛直方向である。

［第一実施形態］
図１は、第一実施形態に係るウエーハの加工方法で加工されるウエーハを示す斜視図である。図１に示すように、ウエーハ１００は、円形の板状に形成されている。ウエーハ１００は、表面１０１と、表面１０１の逆方向を向く裏面１０２とを有する。ウエーハ１００は、レーザ加工装置２の加工対象である。ウエーハ１００は、円形の板状に形成されている。ウエーハ１００は、互いに交差する複数の図示しない分割予定ラインで区画された各領域にデバイス（チップ）１０４（図３参照）が配置されている。ウエーハ１００は、保護部材１を介して環状フレーム１１０の開口部に支持されている。より詳しくは、ウエーハ１００は、表面１０１に、外周が環状フレーム１１０に固定された保護部材１が密着している。

環状フレーム１１０と保護部材１とは、例えば、保護部材１の外周部と向かい合う環状フレーム１１０に塗布された粘着剤によって粘着されてもよい。または、環状フレーム１１０と保護部材１とは、例えば、環状フレーム１１０と向かい合う保護部材１の外周部に塗布された粘着剤によって粘着されてもよい。

保護部材１は、例えば、厚さ１００μｍ以下、好ましくは、厚さ１０μｍ程度の薄いシート状の部材である。保護部材１は、伸縮性と高い平滑性とを有する。保護部材１は、ウエーハ１００と接触する部分には粘着剤が塗布されていない。保護部材１は、例えば、ポリ塩化ビニリデンまたはポリエチレンを含む合成樹脂材で構成されている。保護部材１は、ウエーハ１００との間で相互間に密着力が作用する。密着力は、保護部材１がウエーハ１００を保持する保持力である。密着力は、ファンデルワールス力または静電気結合または減圧吸着のいずれか一つまたは相乗効果によって生じる。

ファンデルワールス力とは、正負の異なる電気を帯電した保護部材１とウエーハ１００との間に作用する分子間の引力である。

静電気結合は、保護部材１とウエーハ１００とが静電気的に結合することである。

減圧吸着は、保護部材１に引張力が作用した状態でウエーハ１００と密着させる際に、保護部材１とウエーハ１００との間が減圧されることで生じる。

これらの密着力によって密着された保護部材１とウエーハ１００とは、レーザ加工装置２におけるレーザ加工時、及び、レーザ加工装置２から分割装置３への搬送時に、自然に位置ズレしたり剥離したりしない程度に密着している。また、密着された保護部材１とウエーハ１００とは、例えば、従来の保護テープであるダイシングテープでウエーハ１００を保護した場合に比べて、容易に剥離する程度に密着している。より詳しくは、密着された保護部材１とウエーハ１００とは、図示しない吸着保持によるピックアップ装置によってデバイス１０４をピックアップする際に、容易に剥離する程度に密着している。密着された保護部材１とウエーハ１００とは、分割装置３によって保護部材１を拡張する際に位置ズレしたり剥離したりしない程度に密着している。このように、密着された保護部材１とウエーハ１００とは、密着面に沿った方向に作用する外力によっては容易に位置ズレしたり剥離したりしないが、密着面と直交する方向に作用する外力によっては容易に剥離する。

図２は、第一実施形態に係る枠体形成ステップにおけるレーザ加工装置の動作を示す断面図である。図２に示すように、レーザ加工装置２は、ウエーハ１００を保持する保持面２１を有するチャックテーブル（保持テーブル）２２と、フレーム保持装置２３と、レーザ光線照射手段２８とを備えている。また、レーザ加工装置２は、チャックテーブル２２を移動する図示しない移動装置と、チャックテーブル２２の位置を検出する図示しない位置検出装置と、ウエーハ１００の光学像を取得する図示しない撮像装置と、レーザ加工装置２を制御する図示しない制御手段とを備えている。

保持面２１はポーラスセラミックス板の平坦面であり、ＸＹ平面と平行である。保持面２１は、真空ポンプを含む真空吸引源と接続される。保持面２１は、ポーラス孔で負圧を発生させる。

チャックテーブル２２は、保護部材１を介して、ウエーハ１００を保持する。ウエーハ１００は、保護部材１と保持面２１とが対向するように、保護部材１を介してチャックテーブル２２に保持される。言い換えると、ウエーハ１００は、裏面１０２が上方を向くように、保護部材１を介してチャックテーブル２２に保持される。チャックテーブル２２は、ウエーハ１００の裏面１０２とＸＹ平面とが平行となるように、ウエーハ１００を保持する。チャックテーブル２２は、ＸＹ平面内における保持面２１の中心とウエーハ１００の裏面１０２の中心とが一致するように、ウエーハ１００を保持する。

チャックテーブル２２は、ウエーハ１００を着脱可能に保持する。チャックテーブル２２の保持面２１に保護部材１及びウエーハ１００が載せられた状態で真空吸引源が作動することにより、ウエーハ１００は、保護部材１を介して、チャックテーブル２２に吸着保持される。真空吸引源の作動が停止されることにより、ウエーハ１００及び保護部材１は、チャックテーブル２２から解放される。

フレーム保持装置２３は、環状フレーム１１０を保持する。フレーム保持装置２３は、チャックテーブル２２の側面に設けられたアーム部材２４と、アーム部材２４に固定された環状のフレーム保持部材２５と、フレーム保持部材２５の上面２６との間で環状フレーム１１０を挟むクランプ機構２７とを有する。

フレーム保持部材２５の上面２６は、環状フレーム１１０が保持される保持面である。フレーム保持部材２５の上面２６は、チャックテーブル２２の保持面２１よりも下方に配置される。上面２６に載せられた環状フレーム１１０は、クランプ機構２７とフレーム保持部材２５との間に挟まれる。

クランプ機構２７は、フレーム保持部材２５との間で環状フレーム１１０を挟むことによって、環状フレーム１１０をフレーム保持部材２５に固定する。

このように構成されたフレーム保持装置２３に保持された環状フレーム１１０は、チャックテーブル２２の保持面２１よりも下方に配置される。環状フレーム１１０が保持面２１よりも下方に配置されることによって、保護部材１に張力が作用する。

レーザ光線照射手段２８は、チャックテーブル２２に保持されたウエーハ１００にレーザ光線を照射する。レーザ光線照射手段２８は、図示しないパルスレーザ光線発振手段と、パルスレーザ光線発振手段から発振されたパルスレーザ光線を集光する図示しない集光器とを有する。パルスレーザ光線発振手段は、図示しないパルスレーザ光線発振器及び図示しない繰り返し周波数設定手段を含む。

レーザ光線照射手段２８は、ウエーハ１００に対して透過性を有する波長のレーザ光線を射出可能である。レーザ光線照射手段２８は、制御手段に制御される。透過性を有する波長のレーザ光線は、例えば、波長１０６４ｎｍまたは１３４０ｎｍのレーザ光線である。

移動装置は、チャックテーブル２２をＸ軸方向（加工送り方向）に移動させるための動力を発生する図示しない第１アクチュエータと、チャックテーブル２２をＹ軸方向（割り出し送り方向）に移動させるための動力を発生する図示しない第２アクチュエータと、チャックテーブル２２をθＺ方向に回転させるための動力を発生する図示しない第３アクチュエータとを有する。移動装置は、制御手段により制御される。チャックテーブル２２は、移動装置により、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向に移動される。

位置検出装置は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びθＺ方向のチャックテーブル２２の位置を検出する。位置検出装置の検出信号は、制御手段に出力される。

撮像装置は、レーザ加工時のアライメント処理において使用される。撮像装置は、レーザ光線照射手段２８との相対位置が固定されている。撮像装置は、チャックテーブル２２に保持されているウエーハ１００を撮影する。撮像装置は、レーザ光線照射手段２８の隣に配置され、チャックテーブル２２に保持されているウエーハ１００と対向可能である。撮像装置は、ウエーハ１００を赤外光線で照明する照明装置と、赤外光線で照明されたウエーハ１００の光学像を取得する撮像素子とを備える。撮像装置で取得されたウエーハ１００の光学像を示す撮像信号は、制御手段に出力される。

制御手段は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）またはＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）のようなメモリを含む記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有する。演算処理装置は、記憶装置に記憶されているプログラムに従って演算処理を実施して、入出力インターフェース装置を介して、レーザ加工装置２を制御するための制御信号を出力する。

図３は、実施形態に係る分割ステップにおける分割装置の動作を示す断面図である。図３に示すように、分割装置３は、環状フレーム１１０を保持するフレーム保持手段３１と、フレーム保持手段３１に保持された環状フレーム１１０に装着された保護部材１を拡張する拡張手段３２とを備えている。

フレーム保持手段３１は、環状のフレーム保持部材３１１と、フレーム保持部材３１１の外周に配置された複数のクランプ機構３１２とを有する。フレーム保持部材３１１の上面３１１１は、環状フレーム１１０が載置される載置面である。上面３１１１に載置された環状フレーム１１０は、クランプ機構３１２によってフレーム保持部材３１１に固定される。フレーム保持手段３１は、拡張手段３２によって上下方向に移動可能である。

拡張手段３２は、フレーム保持部材３１１の内側に配置される拡張ドラム３２１を有する。拡張ドラム３２１は、環状フレーム１１０の内径よりも小さく、ウエーハ１００の外径より大きい内径及び外径を有する。拡張手段３２は、フレーム保持部材３１１を支持する図示しない支持手段を有する。支持手段は、複数のエアシリンダを有する。エアシリンダのピストンロッドがフレーム保持部材３１１の下面に連結される。複数のエアシリンダを含む支持手段は、フレーム保持部材３１１の上面３１１１が、拡張ドラム３２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム３２１の上端より所定量下方の拡張位置との間を上下方向に移動するように、フレーム保持部材３１１を移動させる。

次に、本実施形態に係るウエーハ１００の加工方法について説明する。図４は、第一実施形態に係るウエーハの加工方法を示すフローチャートである。図４に示すように、ウエーハ１００の加工方法は、ウエーハ１００の表面１０１に保護部材１を貼着する保護部材貼着ステップ（ＳＰ１）と、分割予定ラインに沿ってウエーハ１００に対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射してウエーハ１００の内部に改質層１０３を形成するレーザ光線照射ステップ（ＳＰ３）と、保護部材１を拡張してチップ１０４へと分割しながらチップ１０４間の間隔を広げる分割ステップ（ＳＰ４）とを含む。さらに、本実施形態では、保護部材貼着ステップ（ＳＰ１）を実施した後でレーザ光線照射ステップ（ＳＰ３）を実施する前に、保護部材１を介してレーザ加工装置２のチャックテーブル２２の保持面２１にウエーハ１００を保持する保持ステップ（ＳＰ２）を実施する。ウエーハ１００の加工方法は、保持ステップ（ＳＰ２）を含んでもよい。

まず、保護部材貼着ステップについて説明する。保護部材貼着ステップは、ウエーハ１００の表面１０１に保護部材１を貼着するステップである。ウエーハ１００の表面１０１に形成されたデバイス１０４を保護するための保護部材１をウエーハ１００の表面１０１に貼着する。ウエーハ１００は、表面１０１が保護部材１と対向し、裏面１０２が上方を向くように、保護部材１に貼着される。ウエーハ１００の表面１０１の全域が保護部材１で覆われる。保護部材１は、張力が作用した状態でウエーハ１００の表面１０１に貼着される。貼着された保護部材１により、ウエーハ１００の表面１０１に設けられているデバイス１０４が保護される。保護部材１を、環状の環状フレーム１１０に装着する。

保護部材１とウエーハ１００の表面１０１とは、ファンデルワールス力または静電気結合または減圧吸着のいずれか一つまたは相乗効果によって生じた密着力が作用することで貼着される。

次に、保持ステップについて説明する。保持ステップは、保護部材貼着ステップを実施した後、実施される。保持ステップは、ウエーハ１００を、保護部材１を介してレーザ加工装置２のチャックテーブル２２で保持させるステップである。ウエーハ１００を裏面１０２が上方を向くようにチャックテーブル２２の保持面２１に載置させる。そして、真空吸引源を作動することにより、ウエーハ１００が、保護部材１を介して、チャックテーブル２２の保持面２１に吸着保持される。

保持ステップにおいても、保護部材１とウエーハ１００の表面１０１とは、相互間に作用する密着力によって密着した状態が保たれる。

次に、レーザ光線照射ステップについて説明する。レーザ光線照射ステップは、保持ステップを実施した後、実施される。レーザ光線照射ステップは、ウエーハ１００の裏面１０２から分割予定ラインに沿ってウエーハ１００に対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射し、ウエーハ１００の内部に改質層１０３を形成するステップである。レーザ光線照射ステップでは、図２に示すレーザ加工装置２が使用される。改質層１０３は、レーザ光線の照射によりウエーハ１００の内部において結晶構造等が変化した部分である。

レーザ光線照射ステップにおいては、ウエーハ１００のデバイス領域のすべての分割予定ラインに沿ってレーザ光線が照射され、ウエーハ１００の内部に格子状の改質層１０３が形成される。

まず、保護部材１を介してウエーハ１００がチャックテーブル２２に保持されている状態で、レーザ光線とウエーハ１００とのアライメント処理が実施される。アライメント処理は、レーザ光線照射手段２８から射出されるレーザ光線の照射位置とウエーハ１００の分割予定ラインとの位置合わせを含む。アライメント処理において、制御手段は、位置検出装置でチャックテーブル２２の位置を検出しながら移動装置を制御して、ウエーハ１００においてＸ軸方向に延在する分割予定ラインを撮像装置の撮像位置に配置する。制御手段は、撮像装置を使って、ウエーハ１００の画像データを取得する。制御手段は、ウエーハ１００の画像データを取得して、画像処理を実施して、レーザ光線の照射位置とウエーハ１００の分割予定ラインとのアライメント処理を実施する。同様に、ウエーハ１００においてＹ軸方向に延在する分割予定ラインについてもアライメント処理が実施される。

アライメント処理の終了後、制御手段は、移動装置を制御して、レーザ光線の照射位置に、ウエーハ１００のデバイス領域に設けられている分割予定ラインを配置する。制御手段は、位置検出装置でチャックテーブル２２の位置を検出しながら移動装置を制御して、分割予定ラインの一端部にレーザ光線が照射されるように、レーザ光線の照射位置に対するウエーハ１００の位置を調整する。レーザ光線の照射位置に分割予定ラインの一端部が配置された後、制御手段は、レーザ光線照射手段２８からレーザ光線を射出して、ウエーハ１００にレーザ光線を照射する。制御手段は、ウエーハ１００にレーザ光線を照射しながら移動装置を制御して、チャックテーブル２２に保持されているウエーハ１００を、分割予定ラインの他端部に向かって移動させる。レーザ光線の照射位置に分割予定ラインの他端部が配置された後、制御手段は、レーザ光線照射手段２８からのレーザ光線の射出を停止する。これにより、ウエーハ１００の内部に、分割予定ラインに沿った改質層１０３が形成される。

制御手段は、格子状に形成された分割予定ラインのすべてについてレーザ光線照射手段２８によるレーザ光線の照射を行う。レーザ光線の照射位置は、撮像装置で撮像した分割予定ラインに対応する。これにより、改質層１０３が格子状に形成される。

レーザ光線照射ステップにおいても、保護部材１とウエーハ１００の表面１０１とは、相互間に作用する密着力によって密着した状態が保たれる。

レーザ光線照射ステップの終了後、フレーム保持装置２３による環状フレーム１１０の保持が解除されるとともに、チャックテーブル２２による保護部材１及びウエーハ１００の保持が解除される。環状フレーム１１０に装着されている保護部材１及び保護部材１に貼着されているウエーハ１００とは、レーザ加工装置２から分割装置３に搬送される。

レーザ加工装置２から分割装置３に搬送する際にも、保護部材１とウエーハ１００の表面１０１とは、相互間に作用する密着力によって密着した状態が保たれる。

図３に示すように、保護部材１に貼着されたウエーハ１００が分割装置３に設置される。

次に、分割ステップについて説明する。分割ステップは、ウエーハ１００を複数のデバイス１０４に分割するステップである。分割ステップでは、図３に示す分割装置３が使用される。保護部材１を介してウエーハ１００を支持する環状フレーム１１０が、フレーム保持手段３１のフレーム保持部材３１１の上面３１１１に載置され、クランプ機構３１２によってフレーム保持部材３１１に固定される。このとき、フレーム保持部材３１１は、フレーム保持部材３１１の上面３１１１が拡張ドラム３２１の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられている。

そして、制御手段は、支持手段の複数のエアシリンダを作動して、拡張ドラム３２１の上端より所定量下方の拡張位置となるようにフレーム保持部材３１１を移動させる。これにより、フレーム保持部材３１１の上面３１１１に固定されている環状の環状フレーム１１０に対して、拡張ドラム３２１間の保護部材１が相対的に上昇する。そのため、環状の環状フレーム１１０に装着された保護部材１は、拡張ドラム３２１の上端部に当接して拡張する。その結果、保護部材１に貼着されているウエーハ１００には径方向外側の引張力が付与される。ウエーハ１００は、改質層１０３が形成されて強度が低下している。このため、ウエーハ１００に引張力が付与されると、分割予定ラインに沿って形成された改質層１０３を破断基点として、ウエーハ１００が分割予定ラインに沿って分割される。

分割ステップにおいてウエーハ１００を分割予定ラインに沿って分割する際にも、保護部材１とウエーハ１００の表面１０１とは、相互間に作用する密着力によって密着した状態が保たれる。これにより、保護部材１とウエーハ１００とが密着した状態のままで、保護部材１が拡張する。強度が低下しているウエーハ１００は、保護部材１に付与された引張力によって、分割予定ラインに沿って分割される。

そして、個々に分割されたデバイス１０４は、ピックアップ装置によって一つずつ吸着保持されて、保護部材１からピックアップされる。

分割ステップ後に分割されたデバイス１０４をピックアップする際には、保護部材１からデバイス１０４が容易に剥離する。このように、保護部材１とウエーハ１００とは、密着面と直交する方向に作用する外力によっては容易に剥離する。

以上のように、本実施形態においては、粘着剤が塗布されたダイシングテープを使用せず、相互間に働く密着力によってウエーハ１００と保護部材１とを貼着させる。これにより、本実施形態によれば、分割されたデバイス１０４をピックアップする際に、容易に保護部材１から剥離することができる。また、本実施形態によれば、レーザ光線照射ステップと分割ステップとにおいては、保護部材１とウエーハ１００の表面１０１とは、相互間に作用する密着力によって密着した状態を保つことができる。

従来のように粘着剤が塗布されたダイシングテープを使用した場合、ピックアップする前に、紫外線を照射してダイシングテープの粘着力を低下する工程を実施することが好ましい。しかも、ダイシングテープの粘着力を弱める工程を実施しても粘着力が残存することがある。このような場合には、ダイシングテープの下側から棒状部材などで突き上げながら、ダイシングテープからデバイスを取り外すようにすることがある。これにより、加工工程が複雑化し、加工時間が長くなるおそれがある。

これに対して、本実施形態によれば、ピックアップする前に、紫外線を照射してダイシングテープの粘着力を弱める工程を実施したり、ダイシングテープの下側から棒状部材などで突き上げたりしなくてもよいため、加工工程を簡素化して、加工時間を短縮することができる。

本実施形態によれば、粘着剤が塗布されたダイシングテープを使用せず、単にシート状の保護部材１を使用すればよいので、材料のコストを低減することができる。

［第二実施形態］
第二実施形態について説明する。第二実施形態では、レーザ光線照射ステップの他の態様について説明する。第二実施形態に係るレーザ光線照射ステップでは、ウエーハ１００に対して吸収性を有する波長のレーザ光線を照射してアブレーション加工によりウエーハ１００を分割する。

レーザ光線照射手段２８は、ウエーハ１００に対して吸収性を有する波長のレーザ光線を射出可能である。吸収性を有する波長のレーザ光線は、例えば、波長３５５ｎｍのレーザ光線である。

レーザ光線照射ステップは、ウエーハ１００の裏面１０２から分割予定ラインに沿ってウエーハ１００に対して吸収性を有する波長のレーザ光線を照射してアブレーション加工によりウエーハ１００を分割するステップである。レーザ光線照射ステップは、ウエーハ１００のデバイス領域のすべての分割予定ラインに沿ってレーザ光線が照射され、ウエーハ１００が個々のデバイス１０４に分割される。

本実施形態のレーザ光線照射ステップにおいても、第一実施形態と同様に、保護部材１とウエーハ１００の表面１０１とは、相互間に作用する密着力によって密着した状態が保たれる。

以上のように、本実施形態によれば、ウエーハ１００に対して吸収性を有する波長のレーザ光線を照射してアブレーション加工を実施する場合であっても、分割されたデバイス１０４をピックアップする際に、容易に保護部材１から剥離することができる。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。

例えば、ウエーハ１００の表面１０１に金属層を有する場合、表面１０１の金属層に球種性を有するレーザ光線を照射してアブレーション加工で除去した後、透過性を有するレーザ光線を照射して改質層を形成する加工方法でも本発明を適用することができる。

１ 保護部材
２ レーザ加工装置
３ 分割装置
２１ 保持面
２２ チャックテーブル（保持テーブル）
２３ フレーム保持装置
２４ アーム部材
２５ フレーム保持部材
２７ クランプ機構
２８ レーザ光線照射手段
３１ フレーム保持手段
３２ 拡張手段
１００ ウエーハ
１０１ 表面
１０２ 裏面
１０３ 改質層
１１０ 環状フレーム

Claims (3)

1. 表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
   相互間に働く密着力によってウエーハを保護部材に貼着する貼着ステップと、
   該保護部材側を保持テーブルに保持した状態で、
   該分割予定ラインに沿ってウエーハに対して透過性を有する波長のレーザ光線を照射してウエーハ内部に改質層を形成するレーザ光線照射ステップと、
   該保護部材を拡張してチップへと分割しながらチップ間の間隔を広げる分割ステップと、
   を備えることを特徴とするウエーハの加工方法。
2. 表面に形成された複数の分割予定ラインで区画された各領域にデバイスが形成されたウエーハを該分割予定ラインに沿って分割するウエーハの加工方法であって、
   相互間に働く密着力によってウエーハを保護部材に貼着する貼着ステップと、
   該保護部材側を保持テーブルに保持した状態で、
   該分割予定ラインに沿ってウエーハに対して吸収性を有する波長のレーザ光線を照射してアブレーション加工によりウエーハを分割するレーザ光線照射ステップと、
   を備えることを特徴とするウエーハの加工方法。
3. 該密着力は、
   ファンデルワールス力または静電気結合または減圧吸着のいずれか一つまたは相乗効果によって生じることを特徴とする、
   請求項１または請求項２に記載のウエーハの加工方法。

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