CN111095493B - 薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置 - Google Patents

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Abstract

薄型化板状部件的制造方法的特征在于，具有向板状部件(WF)照射激光(LB)的激光照射工序和将板状部件(WF)沿着分割面(DP)分割而至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件的分割工序，在向板状部件(WF)照射激光的工序中，在板状部件(WF)的内部沿着分割面(DP)形成多个改性部，所述第一薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小，所述第二薄型化板状部件的厚度比板状部件(WF)的厚度小。

Description

薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置
技术领域
本发明涉及薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置。
背景技术
以往，作为用于进行板状部件的薄型化的方法，已知一种对板状部件进行研磨的方法(例如，参照专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：(日本)特开2004-66376号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
然而，在专利文献1所述的现有的方法中，需要使用纯水对作为板状部件的半导体晶片进行冷却和清洗等。纯水的使用是薄型化板状部件的制造成本升高的主要原因之一。并且，利用专利文献1所述的研磨进行的薄型化方法，需要花费时间进行薄型化。并且，利用专利文献1所述的研磨进行的薄型化方法因为使砥石与板状部件接触并施加物理压力，因而存在板状部件破裂的隐患和留下研磨痕迹的可能性。并且，在利用专利文献1所述的研磨进行的薄型化方法中，希望提高薄型化板状部件的厚度精度。
本发明的目的在于提供一种薄型化板状部件的制造方法以及薄型化板状部件的制造装置，无需使用纯水，能够缩短薄型化的时间、抑制板状部件的破裂并且使厚度精度提高。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法具有：激光照射工序，其向板状部件照射激光；分割工序，其将所述板状部件沿着分割面分割，至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件；在向所述板状部件照射激光的工序中，在所述板状部件的内部沿着所述分割面形成多个改性部，所述第一薄型化板状部件的厚度比所述板状部件的厚度小，所述第二薄型化板状部件的厚度比所述板状部件的厚度小。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选在所述激光照射工序中，使所述激光的照射点的位置从所述板状部件的外周部侧向所述板状部件的中心部侧移动，并且在所述板状部件以恒定的间隔形成多个所述改性部。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选在所述激光照射工序中，使所述激光的照射点的位置移动，并且在所述板状部件形成多个所述改性部，所述板状部件的外周部侧的所述照射点彼此的间隔与所述板状部件的中心部侧的所述照射点彼此的间隔不同。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述板状部件的外周部侧的所述照射点彼此的间隔比所述板状部件的中心部侧的所述照射点彼此的间隔小。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述照射点彼此的间隔随着从所述板状部件的外周部侧向所述板状部件的中心部侧而增大。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述板状部件具有所述板状部件的外周部侧的第一区域、所述板状部件的中心部侧的第二区域和所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，相对于所述第一区域，以第一间隔向多个部位照射所述激光，相对于所述第三区域，以第三间隔向多个部位照射所述激光，相对于所述第二区域，以第二间隔向多个部位照射所述激光，所述第一间隔比所述第三间隔小，所述第三间隔比所述第二间隔小。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选通过使照射所述激光的激光照射器和所述板状部件的至少任一部件移动，使所述激光照射工序中的所述激光的照射点的位置移动。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选通过使所述激光照射器和所述板状部件的至少任一部件旋转，使所述激光照射工序中的所述激光的照射点的位置移动。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选从所述激光照射器同时照射多束所述激光。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述板状部件的厚度为3mm以下。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述第一薄型化板状部件的厚度和所述第二薄型化板状部件的厚度的至少任一厚度为500μm以下。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选使所述激光沿着所述分割面以1μm以上且350μm以下的间隔进行照射。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选多个所述改性部相互重叠。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，多个所述改性部可以相互分离。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述板状部件具有第一表面和与所述第一表面相反一侧的第二表面，使所述激光从所述第一表面和所述第二表面的至少任一表面侧进行照射。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选在所述第一表面和所述第二表面的至少任一表面层叠有保护片。
并且，在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述板状部件具有第一表面和与所述第一表面相反一侧的第二表面，所述板状部件由所述第一表面和所述第二表面的至少任一表面侧吸附保持。在吸附保持所述板状部件的情况下，优选在被吸附保持的所述板状部件的面层叠有保护片，所述板状部件经由所述保护片被吸附保持。优选在激光照射工序和分割工序的至少任一工序中吸附保持所述板状部件。优选所述板状部件被吸附台吸附保持。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选从层叠有所述保护片的所述板状部件的表面侧照射所述激光，在所述板状部件的内部形成多个所述改性部。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述分割工序是通过使所述板状部件在所述板状部件的厚度方向上分离，以形成有多个所述改性部的所述分割面为交界分割为所述第一薄型化板状部件和所述第二薄型化板状部件的工序。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述板状部件的表面具有电路。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述第一薄型化板状部件具有因所述分割工序中所述板状部件的分割而出现的第一露出面，所述第二薄型化板状部件具有因所述分割工序中所述板状部件的分割而出现的第二露出面，具有对所述第一露出面和所述第二露出面的至少任一露出面进行研磨的研磨工序。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选进一步具备在所述第一薄型化板状部件和所述第二薄型化板状部件的至少任一表面形成电路的电路形成工序。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述板状部件的材质从由硅、氮化硅、氮化镓、碳化硅、蓝宝石、砷化镓以及玻璃组成的组中选择。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造方法中，优选所述板状部件为晶片。
本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造装置的特征在于，具备：改性部形成单元，其在板状部件的内部形成多个改性部；分割单元，其将改性后的所述板状部件至少分割为第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件；所述改性部形成单元具有臂部、照射激光的激光照射器和支承所述臂部使其能够旋转的驱动部，所述激光照射器能够滑动移动地支承于所述臂部。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造装置中，优选所述改性部形成单元具有多个所述激光照射器。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造装置中，优选所述激光照射器能够同时照射多束激光。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造装置中，优选所述激光照射器能够扩大或缩小多束所述激光彼此的照射间隔。
在本发明的一个形态的薄型化板状部件的制造装置中，优选进一步具有支承所述板状部件使其能够旋转的保持单元。
根据本发明的一个形态，能够提供一种薄型化板状部件的制造方法，无需使用纯水，能够缩短薄型化的时间、抑制板状部件破裂并且使厚度精度提高。
附图说明
图1是本发明一个实施方式的薄型化晶片的制造装置的俯视图。
图2是第一粘贴单元的侧视图。
图3是第二粘贴单元的侧视图。
图4是表示晶片内部的分割面的晶片的纵剖示意图。
图5是形成了多个改性部后的晶片的纵剖示意图。
图6是形成了多个改性部后的晶片的横剖示意图。
图7A是分割单元的动作说明图。
图7B是分割单元的动作说明图。
图7C是分割单元的动作说明图。
图8是在第二实施方式中形成了多个改性部后的晶片的纵剖示意图。
图9是在第二实施方式中形成了多个改性部后的晶片的横剖示意图。
图10A是对第三实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图10B是对第三实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图10C是对第三实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图11是实施了第三实施方式的激光照射工序后的晶片的纵剖示意图。
图12A是对第四实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图12B是对第四实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图12C是对第四实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图13A是对第五实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图13B是对第五实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图13C是对第五实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图14是对本发明其它实施方式的激光照射工序进行说明的示意图。
图15A是本发明其它实施方式的薄型化晶片的制造装置的动作说明图。
图15B是本发明其它实施方式的薄型化晶片的制造装置的动作说明图。
图15C是本发明其它实施方式的薄型化晶片的制造装置的动作说明图。
图16A是本发明其它实施方式的薄型化晶片的制造装置的动作说明图。
图16B是本发明其它实施方式的薄型化晶片的制造装置的动作说明图。
具体实施方式
[第一实施方式]
以下，基于附图对本发明的一个实施方式进行说明。
需要说明的是，本实施方式中的X轴、Y轴、Z轴处于分别正交的关系，X轴和Y轴为规定平面内的轴，Z轴为与所述规定平面正交的轴。另外，在本实施方式中，在以从平行于Y轴的箭头AR方向观察的情况为基准来表示方向的情况下，“上”为与Z轴平行的图1中前方的方向，“下”为其相反方向，“左”为X轴的箭头方向，“右”为其相反方向，“前”为Y轴的箭头方向，“后”为其相反方向。在第一实施方式之后的第二实施方式等以及实施方式的变形中也是相同的。
薄型化板状部件使用薄型化板状部件的制造装置来制造。
在图1、图2、图3以及图7中表示的是用于制造薄型化板状部件的一个例子即薄型化晶片的薄型化晶片的制造装置10。
薄型化晶片的制造装置10具有第一粘贴单元20、改性部形成单元30、第二粘贴单元40以及分割单元50。
第一粘贴单元20在作为板状部件的半导体晶片(以下存在简称为“晶片”的情况)WF的第一表面WF1粘贴第一粘接片AS1而形成一次加工品WK1。晶片WF具有第一表面WF1和与第一表面WF1相反一侧的第二表面WF2。
改性部形成单元30在晶片WF的内部形成多个改性部RP(参照图5)。多个改性部RP沿着后述分割面DP(参照图4)形成。
第二粘贴单元40在晶片WF的第二表面WF2粘贴第二粘接片AS2而形成二次加工品WK2。
分割单元50沿着分割面DP(参照图4)分割晶片WF，形成作为第一薄型化板状部件的第一薄型化晶片WT1以及作为第二薄型化板状部件的第二薄型化晶片WT2。
以下，作为薄型化板状部件的制造方法的一个例子，对使用薄型化晶片的制造装置10来制造第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2的方法进行说明。
晶片WF只要是由通过激光照射而改性的材质形成的晶片即可，没有特别的限制。优选激光为在隐形切割法中照射的激光。优选晶片WF的材质例如从由硅、氮化硅、氮化镓、碳化硅(SiC)、蓝宝石、砷化镓以及玻璃组成的组中选择。更优选的是晶片WF的材质为硅，进一步优选为单晶硅。并且，优选晶片WF由具有晶体取向的材质形成。
根据本实施方式的晶片的制造方法，能够使厚度较小的板状部件(晶片)而非如晶锭那样的厚度较大的处理目标进一步薄型化。优选晶片WF的厚度为3mm以下。
优选对晶片WF进行分割而形成的第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2的厚度的至少任一厚度为500μm以下，更优选的是300μm以下。优选对晶片WF进行分割而形成的第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2的厚度的至少任一厚度为10μm以上，更优选的是30μm以上。
第一粘贴单元20具有：支承辊21，其支承第一卷材RS1，该第一卷材RS1在第一剥离片RL1的一方的面暂时粘着有第一粘接片AS1；导向辊22，其对第一卷材RS1进行引导；作为剥离部件的剥离板23，其使第一剥离片RL1弯曲并从该第一剥离片RL1剥离第一粘接片AS1；驱动辊24，其被作为驱动设备的转动马达24A驱动，与压紧辊24B一起夹住第一剥离片RL1；回收辊25，其对第一剥离片RL1进行回收；作为按压装置的按压辊26，其将由剥离板23剥离的第一粘接片AS1按压并粘贴在晶片WF的第一表面WF1和作为第一框架部件的第一环形框架RF1；保持台28，其支承在作为驱动设备的线性马达27的滑块27A，利用减压泵或真空喷射器等未图示的减压单元，能够吸附并保持晶片WF和第一环形框架RF1。第一粘贴单元20将第一粘接片AS1粘贴于晶片WF和及第一环形框架RF1而形成一次加工品WK1。
改性部形成单元30具有激光照射器32。激光照射器32支承于作为驱动设备的线性马达31的滑块31A。
第二粘贴单元40从在第二剥离片RL2的一方的面暂时粘着有第二粘接片AS2的第二卷材RS2剥离该第二粘接片AS2，将该第二粘接片AS2粘贴在晶片WF的第二表面WF2和作为第二框架部件的第二环形框架RF2而形成二次加工品WK2。第二粘贴单元40实际上与第一粘贴单元20为相同的结构，可以通过将第一粘贴单元20的标记前方的数字2置换为数字4而进行说明，因而省略其说明。需要说明的是，第二粘贴单元40成为由保持台48对一次加工品WK1和第二环形框架RF2进行吸附保持的结构。
分割单元50具有：下工作台51，其具有保持面51A，该保持面51A能够通过减压泵或真空喷射器等未图示的减压单元经由第一粘接片AS1对晶片WF和第一环形框架RF1进行吸附保持；上工作台53，其右端部支承于作为驱动设备的转动马达52的输出轴52A，并且具有保持面53A，该保持面53A能够通过减压泵或真空喷射器等未图示的减压单元经由第二粘接片AS2对晶片WF和第二环形框架RF2进行吸附保持。分割单元50成为使下工作台51和上工作台53在X-Z平面内的旋转方向上相对移动，使该晶片WF在该晶片WF的厚度方向上分开的结构。
对在以上薄型化晶片的制造装置10中，由晶片WF形成第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2的流程进行说明。
首先，在作业人员如图2和图3所示地相对于各部件配置在初始位置的、由图2、图3、图7A、图7B以及图7C中的实线表示的薄型化晶片的制造装置10放置了第一卷材RS1和第二卷材RS2后，经由未图示的操作面板或个人计算机等输入单元，输入开始自动运行的信号。然后，当作业人员、多关节机器人或带式输送机等未图示的输送单元如图2中的实线所示地将第一环形框架RF1和晶片WF载置在保持台28上时，第一粘贴单元20驱动未图示的减压单元，由保持台28的上表面吸附并保持第一环形框架RF1和晶片WF。
之后，第一粘贴单元20驱动线性马达27，使保持台28向左方移动，当光学传感器或摄像单元等未图示的检测单元检测到第一环形框架RF1和晶片WF已到达规定位置时，驱动转动马达24A，与保持台28的移动速度相匹配地送出第一卷材RS1。由此，第一粘接片AS1被剥离板23从第一剥离片RL1剥离，并且被按压辊26粘贴在第一环形框架RF1和晶片WF的第一表面WF1而形成一次加工品WK1(第一粘贴工序)。当一次加工品WK1到达由图2中的双点划线表示的规定的位置时，第一粘贴单元20停止对线性马达27和未图示的减压单元的驱动。接着，如图3中的实线所示，作业人员或者未图示的输送单元在使第一粘接片AS1处于下方的状态下，将一次加工品WK1载置在保持台48的上表面。之后，当作业人员或者未图示的输送单元以包围一次加工品WK1的方式将第二环形框架RF2载置在保持台48的上表面时，第二粘贴单元40驱动未图示的减压单元，由保持台48的上表面吸附并保持第二环形框架RF2和一次加工品WK1。
接着，改性部形成单元30实施向晶片WF照射激光LB的激光照射工序(参照图3)。
在激光照射工序中，当第二粘贴单元40驱动线性马达47、使保持台48向右方移动时，与该保持台48的移动同步，改性部形成单元30驱动激光照射器32和线性马达31，使该激光照射器32在前后方向上移动。改性部形成单元30只要是照射能够使半导体晶片改性的激光LB的装置即可，没有特别的限制。作为改性部形成单元30，例如也可以使用在隐形切割法中采用的装置。
并且，在激光照射工序中，使激光照射器32一边在前后方向上移动一边向晶片WF照射激光LB。在本实施方式中，从晶片WF的第二表面WF2侧照射激光LB。优选第二表面WF2被研磨，以使得激光LB容易射入晶片WF的内部。
激光照射器32设定激光照射条件，以使得在晶片WF的内部能够形成被改性的部分(称为改性部)。作为激光照射条件，例如能够举出激光输出、激光频率、脉冲宽度、激光照射点的位置和激光波长等，但不限于此。
图4是表示晶片WF内部的分割面DP的晶片WF的纵剖示意图。
图5是沿着晶片WF内部的分割面DP形成了多个改性部RP后的晶片WF的纵剖示意图。
图6是沿着晶片WF内部的分割面DP形成了多个改性部RP后的晶片WF的横剖示意图。
需要说明的是，在图4、图5和图6中，从图的可视性的角度出发，省略了阴影线。
在激光照射工序中，照射激光LB，沿着晶片WF内部的分割面DP形成多个改性部RP。即，存在多个改性部RP的晶片内部的面状区域相当于分割面DP。需要说明的是，分割面DP是分割晶片WF的预先确定的假想面。
以改性部RP为起点，在之后的分割工序中，对晶片WF进行分割。
在晶片WF由具有晶体取向的材质形成的情况下，优选分割面DP与晶体取向一致。只要分割面DP与晶体取向一致，就能够使因晶片WF的分割而出现的第一薄型化晶片WT1的表面和第二薄型化晶片WT2的表面(与分割面DP对应的面)更为平滑。将因分割而出现的第一薄型化晶片WT1的表面作为第一露出面WF3(参照图7C)。将因分割而出现的第二薄型化晶片WT2的表面作为第二露出面WF4(参照图7C)。
在本说明书中，改性部为使晶片的性质和强度发生变化而变得脆弱或软化的部位。在本说明书中，改性部是指包括晶片内部的被激光照射的激光照射点和以该激光照射点为中心部而在该中心部的周边形成的周边部的区域。晶片内部的改性强度在激光照射点最大。周边部的改性强度越远离激光照射点越为降低。
在图5和图6中表示的是剖面为圆形的改性部RP，但本说明书中改性部的形状和大小不限于图5和图6所示的形状。
优选改性部RP遍及整个分割面DP形成。所形成的改性部RP的个数没有特别的限制。例如，可以根据晶片WF的材质和激光的改性强度，设定所形成的改性部RP的个数，从而容易分割为第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2。并且，也可以考虑半导体晶片的生产率而设定所形成的改性部RP的个数。
在本实施方式中，如图5和图6所示，多个改性部RP相互重叠。需要说明的是，在本说明书中，多个改性部相互重叠是指一个改性部与其它的改性部中的至少一个改性部重叠，而不是规定一个改性部与其它的所有改性部重叠的意思。在激光照射工序中，设定激光照射条件，以使得多个改性部RP相互重叠。
在本实施方式中，优选沿着分割面DP以1μm以上且350μm以下的间隔照射激光LB。即，优选以激光LB所照射的点(激光照射点)彼此的间隔D为1μm以上且350μm以下的方式照射激光LB。激光照射点的间隔D为1μm以上，能够提高生产率。激光照射点的间隔为350μm以下，能够抑制在晶片WF的厚度方向上容易产生裂纹这样的问题。激光照射点的间隔D只要在1μm以上且350μm以下的范围内即可，在所有的改性部RP中间隔可以相同，也可以不同。
激光照射点的间隔例如能够通过使保持台48和激光照射器32的至少任一部件的移动速度发生变化来调节为规定的距离。
当在晶片WF的内部形成用于将晶片WF在面方向上进行分割而所需的多个改性部RP时，改性部形成单元30停止对激光照射器32的驱动。在停止了激光照射器32的驱动后，当一次加工品WK1到达图3中由双点划线所示的规定位置时，第二粘贴单元40停止对线性马达47的驱动。接着，第二粘贴单元40驱动线性马达47，使保持台48向左方移动，进行与上述第一粘贴单元20同样的动作，由此，形成图3的附图标记AA的图所示的二次加工品WK2(第二粘贴工序)。当保持台48回到初始位置时，第二粘贴单元40停止对线性马达47的驱动，并停止对未图示的减压单元的驱动。
接着，如图7A所示，当作业人员或者未图示的输送单元在使第一粘接片AS1处于下方的状态下将二次加工品WK2载置在下工作台51的保持面51A上时，分割单元50驱动未图示的减压单元，由保持面51A吸附并保持二次加工品WK2。之后，分割单元50驱动转动马达52，使上工作台53向逆时针旋转方向旋转，如图7B所示，在使上工作台53与二次加工品WK2抵接后，驱动未图示的减压单元，由保持面53A吸附并保持该二次加工品WK2。然后，分割单元50驱动转动马达52，使上工作台53向顺时针旋转方向旋转，如图7C所示，以形成了多个改性部RP的分割面DP为交界对晶片WF进行分隔，由此形成薄型化的第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2(分割工序)。接着，当作业人员或者未图示的输送单元保持第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2时，分割单元50停止对未图示的减压单元的驱动，解除对第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2的吸附保持。之后，当未图示的输送单元将第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2向下一道工序输送时，各单元驱动各自的驱动设备，使各部件回到初始位置，之后，重复进行上述相同的动作。
根据本实施方式，在晶片WF的内部形成多个改性部RP，以形成了该多个改性部RP的分割面DP为交界对该晶片WF进行分割。因此，根据本实施方式，无需使用纯水，与研磨法相比，能够缩短薄型化的时间、抑制晶片WF的破裂并且使厚度精度提高。
并且，根据本实施方式，相互重叠地形成多个改性部RP。因此，沿着分割面存在更多的改性部，容易分割晶片WF。
[第二实施方式]
第二实施方式的薄型化板状部件的制造方法与第一实施方式的不同之处在于形成多个改性部时的改性部彼此的位置关系。对于其它的点，第二实施方式与第一实施方式相同，因此省略或简化说明。
第二实施方式的薄型化板状部件的制造方法也可以使用用于制造薄型化板状部件的一个例子即薄型化晶片的薄型化晶片的制造装置10来实施。
第二实施方式的薄型化板状部件的制造方法在激光照射工序上与第一实施方式的激光照射工序不同。具体而言，在第二实施方式中，与改性部彼此相互重叠的第一实施方式的不同之处在于，改性部RP彼此相互分离。
图8是沿着晶片WF内部的分割面DP形成了多个改性部RP后的晶片WF的纵剖示意图。
图9是沿着晶片WF内部的分割面DP形成了多个改性部RP后的晶片WF的横剖示意图。
需要说明的是，在图8和图9中，从图的可视性的角度出发，省略了阴影线。
在本实施方式中，如图8和图9所示，多个改性部RP相互分离。在激光照射工序中，设定激光照射条件，以使多个改性部RP不会相互重叠。
图8及图9表示了剖面为圆形的改性部RP，但本说明书中的改性部的形状及大小不限于图8及图9所示的形状。
在本实施方式中，优选沿着分割面DP以1μm以上且350μm以下的间隔照射激光LB。即，优选以使激光LB所照射的点(激光照射点)彼此的间隔D1为1μm以上且350μm以下的方式照射激光LB。激光照射点的间隔D1为1μm以上，能够使生产率提高。激光照射点的间隔为350μm以下，能够抑制在晶片WF的厚度方向上容易产生裂纹这样的问题。激光照射点的间隔D1只要在1μm以上且350μm以下的范围内即可，在所有的改性部RP中间隔可以相同，也可以不同。
相邻的改性部RP彼此的间隔(一个改性部的端部与另一个改性部的端部的间隔)只要为能够在面方向上分割晶片WF的间隔即可，没有特别的限制。
激光照射点的间隔例如能够通过使保持台48和激光照射器32的至少任一部件的移动速度发生变化而调节为规定的距离。
根据本实施方式，在晶片WF的内部形成多个改性部RP，并以形成了该多个改性部RP的分割面DP为交界分割该晶片WF。因此，根据本实施方式，不需要使用纯水，与研磨法相比，能够缩短薄型化的时间、抑制晶片WF破裂并且使厚度精度提高。
另外，根据本实施方式，相互不重叠地形成多个改性部RP。因此，能够减少激光照射点的数量，使薄型化板状部件的生产率提高。
[第三实施方式]
第三实施方式的薄型化板状部件的制造方法在形成多个改性部时的激光照射点彼此的间隔在分割面内不同。对于与第一实施方式和第二实施方式的不同之处，说明如下，对于与第一实施方式和第二实施方式的相同之处，省略或简化说明。
在本实施方式的薄型化板状部件的制造方法中，其特征在于，在如下所示的具体的激光照射条件下进行激光照射工序。
即，在本实施方式的制造方法的激光照射工序中，一边使激光的照射点的位置移动一边在板状部件形成多个改性部，板状部件的外周部侧的激光照射点彼此的间隔与板状部件的中心部侧的激光照射点彼此的间隔不同。
在本实施方式的制造方法的激光照射工序中，优选使照射激光的激光照射器和板状部件的至少任一部件移动。即，在本实施方式的制造方法的激光照射工序中，可以采用如下第一方式、第二方式和第三方式的任一方式，其中，第一方式是使板状部件不移动而使激光照射器移动，由此来使激光照射点的位置移动，第二方式是使激光照射器不移动而使板状部件移动，由此来使激光照射点的位置移动，第三方式是通过使板状部件和激光照射器移动，来使激光照射点的位置移动。在后面叙述的本实施方式的更详细的说明中，以采用了本实施方式的第一方式的情况为一个例子举例说明。
在本实施方式的制造方法的激光照射工序中，优选通过使激光照射器和板状部件的至少任一部件旋转，使激光的照射点的位置移动。通过使激光照射器和板状部件的至少任一部件旋转，能够使激光照射速度提高。通过使激光照射器和板状部件的至少任一部件旋转，与呈直线状照射激光的情况相比，能够减少加速和减速的次数。在将激光直线状地向多个部位照射的情况下，在面方向上改变照射位置时，一度使移动速度减速而进行位置变更，与此相对，在使激光照射器和板状部件的至少任一部件旋转的情况下，能够以相同的速度连续向面内照射。
在这里，在本实施方式的制造方法的激光照射工序中，不但使激光照射器和板状部件的至少任一部件旋转，也可以将平行移动的动作进行组合。
在本实施方式的薄型化板状部件的制造方法中，板状部件也没有特别的限制，但优选为半导体晶片。
本实施方式的薄型化板状部件的制造方法也可以使用薄型化晶片的制造装置10来实施。
并且，本实施方式的薄型化板状部件的制造方法也可以使用具有图10所示的改性部形成单元30A的薄型化晶片的制造装置来实施。
在图10A、图10B以及图10C表示的是改性部形成单元30A的示意图。
改性部形成单元30A具有驱动部320、轴部321、臂部322以及激光照射器323。
驱动部320使经由轴部321而支承的臂部322以轴部321为旋转轴进行旋转。
在臂部322的长度方向的一端部侧安装有激光照射器323，在另一端部侧安装有轴部321。
优选激光照射器323能够沿着臂部322的长度方向移动地安装。例如激光照射器323也可以利用具有第一实施方式的线性马达31和滑块31A的驱动设备移动。因此，在本实施方式的改性部形成单元30A中，优选臂部322具有该驱动设备。
激光照射器323只要能够照射可使作为板状部件的半导体晶片改性的激光LB即可，没有特别的限制。激光照射器323例如与在所述实施方式中使用的激光照射器32相同。
接着，对使用了具有改性部形成单元30A的薄型化晶片的制造装置的本实施方式的薄型化板状部件的制造方法进行说明。因为除了激光照射工序之外的其它工序能够与在第一实施方式或者第二实施方式中说明的工序同样地实施，因此省略说明。
图10A表示的是向晶片WF的晶片外周部WFe侧照射激光LB的工序的示意图。在本实施方式中，也沿着晶片WF内部的分割面DP照射激光LB而形成多个改性部RP。
在本实施方式中，如图10A所示，首先，向分割面DP的晶片外周部WFe侧照射激光LB，形成第一个激光照射点LP。
接着，使臂部322每次旋转规定角度，照射激光LB，形成第二个激光照射点。这样，使臂部322一边旋转规定角度一边照射激光，沿着臂部322的旋转方向，以规定间隔形成多个激光照射点LP。
图10B表示的是使臂部322旋转180度而照射激光LB，形成了激光照射点LP的状态的示意图。
继续使臂部322每次旋转规定角度，照射激光LB，并继续进行旋转和激光照射，直至使臂部322旋转的角度为360度。由此，激光照射点LP成为沿着周向以规定间隔排列的状态，改性部也成为沿着周向形成的状态。沿着周向排列的激光照射点LP彼此的间隔优选为1μm以上且350μm以下。
在使臂部322旋转360度后，使激光照射器323沿着臂部322的长度方向向轴部321侧移动规定距离。
图10C表示的是使激光照射器323沿着臂部322的长度方向向轴部321侧移动了规定距离后的状态的示意图。
在使激光照射器323移动了规定距离后，照射激光，形成激光照射点LP。之后，继续使臂部322每次旋转规定角度，照射激光，并继续进行旋转和激光照射，直至使臂部322旋转的角度为360度。在使臂部322旋转了360度后，使激光照射器323沿着臂部322的长度方向、向轴部321侧移动规定距离。
这样，通过将臂部322的旋转和激光照射器323的滑动移动组合，成为沿着晶片WF的周向、同心圆状地排列了多个激光照射点LP的状态。
图11是表示本实施方式的激光照射工序中的激光照射点LP彼此的位置和间隔以及分割面DP上的激光照射点LP的排列密度的纵剖示意图。
在本实施方式的制造方法中，如图11所示，作为晶片外周部WFe侧的激光照射点LP彼此的间隔与中心部WFc侧的激光照射点LP彼此的间隔不同的方式的一个例子，优选晶片外周部WFe侧的激光照射点LP彼此的间隔比中心部WFc侧的激光照射点LP彼此的间隔小。作为其它形态的例子，也可以例举晶片外周部WFe侧的激光照射点LP彼此的间隔比中心部WFc侧的激光照射点LP彼此的间隔大的情况。
即，在本实施方式的制造方法中，设有使沿着晶片WF的分割面DP照射的激光照射点LP彼此的间隔在分割面DP内不均匀的、间隔减小的区域和间隔增大的区域。
通过这样使激光照射点LP彼此的间隔在分割面DP内不同，与在分割面DP内均匀地进行激光照射的情况相比，能够减少激光照射点LP的数量，使制造效率提高。
另外，以能够沿着分割面DP分割晶片WF的方式形成多个改性部即可，因此即使设有使激光照射点LP彼此的间隔缩窄的区域和扩大的区域，也能够兼顾晶片WF的分割性和制造效率。激光照射点LP彼此的间隔优选使激光照射点LP彼此的间隔缩窄的区域和扩大的区域都满足1μm以上且350μm以下的范围。例如优选在使激光照射点LP彼此的间隔缩窄的区域中进行激光照射，以使激光照射点LP彼此的间隔为1μm以上且不足100μm的范围内，在使激光照射点LP彼此的间隔扩大的区域中进行激光照射，以使之为100μm以上且350μm以下的范围内。
另外，在本实施方式的制造方法中，优选激光照射点LP彼此的间隔随着从晶片外周部WFe侧向中心部WFc侧而增大。在该情况下，不限于激光照射点LP彼此的间隔随着从晶片外周部WFe侧向中心部WFc侧而连续减小的方式。
在激光照射点LP彼此的间隔随着从晶片外周部WFe侧向中心部WFc侧而增大的情况下，也包括如下的方式，即，在晶片外周部WFe侧的区域中，以某恒定的间隔照射激光，在比该区域更靠近中心部WFc侧的区域中，以比该间隔大的恒定的间隔照射激光。例如，如图11所示，优选在晶片WF上，设定晶片外周部WFe侧的第一区域AR1、中心部WFc侧的第二区域AR2和第一区域AR1与第二区域AR2之间的第三区域AR3，并相对于第一区域AR1，以第一间隔LD1向多个部位照射激光，相对于第三区域AR3，以第三间隔LD3向多个部位照射激光，相对于第二区域AR2，以第二间隔LD2向多个部位照射所述激光，第一间隔LD1比第三间隔LD3小，第三间隔LD3比第二间隔LD2小。需要说明的是，在这里，虽然以设定三个区域的方式为例进行了例举并说明，但也可以设定两个区域、或设定四个以上的区域。
根据本实施方式，在晶片WF的内部形成多个改性部RP，并以形成了该多个改性部RP的分割面DP为交界分割该晶片WF。因此，不需要使用纯水，与研磨法相比，能够缩短薄型化的时间，抑制晶片WF破裂，并能够使厚度精度提高。
另外，根据本实施方式，能够不使激光照射点LP彼此在分割面DP内以均匀的间隔形成地形成改性部RP而分割晶片WF，因此能够维持晶片WF的分割性，使生产率进一步提高。
[第四实施方式]
在第四实施方式的薄型化板状部件的制造方法中，在形成多个改性部时使用的改性部形成单元与在第三实施方式中说明的改性部形成单元30A不同。对于与第一、第二和第三实施方式的不同之处，说明如下，对于与第一、第二和第三实施方式的相同之处，省略或简化说明。
图12A、图12B以及图12C表示的是在本实施方式中使用的改性部形成单元30B的示意图。
本实施方式的薄型化板状部件的制造方法也可以使用具有图12A、图12B以及图12C所示的改性部形成单元30B的薄型化晶片的制造装置来实施。
改性部形成单元30B具有驱动部320、轴部321、臂部322B、第一激光照射器323A以及第二激光照射器323B。
驱动部320使经由轴部321而支承的臂部322B以轴部321为旋转轴进行旋转。
臂部322B为比第三实施方式的臂部322长的形状。
在臂部322B的长度方向的一端部侧安装有第一激光照射器323A，在另一端部侧安装有第二激光照射器323B，在臂部322B的长度方向的一端部侧与另一端部侧之间的中心部安装有轴部321。
优选第一激光照射器323A和第二激光照射器323B能够以沿着臂部322B的长度方向移动的方式安装。例如也可以使第一激光照射器323A和第二激光照射器323B通过具有第一实施方式的线性马达31和滑块31A的驱动设备移动。因此，在本实施方式的改性部形成单元30B中，优选臂部322B具有该驱动设备。另外，优选第一激光照射器323A能够从臂部322B的一端部侧越过臂部322B的中心部而移动至另一端部侧地安装于臂部322B。另外，优选第二激光照射器323B能够从臂部322B的另一端部侧越过臂部322B的中心部而移动至一端部侧地安装于臂部322B。
第一激光照射器323A和第二激光照射器323B只要能够照射可使作为板状部件的半导体晶片改性的激光LB即可，没有特别的限制。激光照射器323例如也可以与在所述实施方式中使用的激光照射器32相同。
接着，对使用了具有改性部形成单元30B的薄型化晶片的制造装置的本实施方式的薄型化板状部件的制造方法进行说明。除了激光照射工序之外的其它工序能够与在第一实施方式或者第二实施方式中说明的工序同样地实施，因此省略说明。
图12A表示的是向晶片WF的晶片外周部WFe侧照射激光LB的工序的示意图。在本实施方式中，也沿着晶片WF内部的分割面DP照射激光LB，形成多个改性部RP。
在本实施方式中，如图12A所示，向分割面DP的晶片外周部WFe侧照射激光LB。改性部形成单元30B具有两个激光照射器，因此，能够在两个位置同时形成激光照射点LP，并形成改性部。
接着，使臂部322B每次旋转规定角度，照射激光LB，并形成下一个激光照射点LP。这样，使臂部322B旋转规定角度，并且照射激光LB，从而沿着臂部322B的旋转方向，以规定间隔形成多个激光照射点LP。
继续进行旋转和激光照射，直至使臂部322B旋转的角度为180度。由此，激光照射点LP成为沿着周向以规定间隔排列的状态，改性部也成为沿着周向形成的状态。沿着周向形成的改性部彼此的间隔优选为1μm以上且350μm以下。
图12B表示的是使第一激光照射器323A和第二激光照射器323B沿着臂部322B的长度方向、向轴部321侧移动了规定距离的状态的示意图。
具体而言，在使臂部322B一边旋转180度一边照射激光而形成了改性部之后，使第一激光照射器323A和第二激光照射器323B沿着臂部322B的长度方向向臂部322B的中心部移动规定距离。
在使第一激光照射器323A和第二激光照射器323B移动后，进行激光照射，形成激光照射点LP，并形成改性部。之后，继续使臂部322B每次旋转规定角度，照射激光LB，并继续进行旋转和激光照射，直至使臂部322B旋转的角度为180度。在使臂部322B旋转180度后，使第一激光照射器323A和第二激光照射器323B沿着臂部322B的长度方向进一步向臂部322B的中心部移动规定距离。
图12C表示的是重复实施臂部322B的旋转以及第一激光照射器323A和第二激光照射器323B的滑动移动、第一激光照射器323A和第二激光照射器323B移动至晶片WF的中心部WFc侧的状态的示意图。
这样，通过将臂部322B的旋转与第一激光照射器323A和第二激光照射器323B的滑动移动进行组合，成为沿着晶片WF的周向、同心圆状地排列了多个激光照射点LP的状态。并且，通过本实施方式的制造方法，在晶片WF的剖面中，如图12C所示，与晶片WF的晶片外周部WFe侧区域的激光照射点LP彼此的间隔相比，晶片WF的中心部WFc侧的激光照射点LP彼此的间隔更大。
通过使用具有本实施方式的改性部形成单元30B的薄型化晶片的制造装置，也能够如第三实施方式中所说明的图11那样，使激光照射点LP排列而形成改性部。
根据本实施方式，在晶片WF的内部形成多个改性部RP，以形成了该多个改性部RP的分割面DP为交界分割该晶片WF。因此，不需要使用纯水，与研磨法相比，能够缩短薄型化的时间，抑制晶片WF破裂，并能够使厚度精度提高。
并且，根据本实施方式，能够不使激光照射点LP彼此在分割面DP内以均匀的间隔形成地形成改性部RP而分割晶片WF，因此能够维持晶片WF的分割性，并且使生产率进一步提高。
并且，根据本实施方式，使用两个激光照射器来进行激光照射，因此，与第三实施方式相比，能够使生产率提高。
[第五实施方式]
在第五实施方式的薄型化板状部件的制造方法中，在形成多个改性部时所使用的改性部形成单元与在第三实施方式及第四实施方式中说明的改性部形成单元不同。对于与第一、第二、第三和第四实施方式的不同之处，说明如下，对于与第一、第二、第三和第四实施方式的相同之处，省略或简化说明。
图13A、图13B和图13C表示的是在本实施方式中使用的改性部形成单元30C的示意图。
本实施方式的薄型化板状部件的制造方法也可以使用具有如图13A、图13B以及图13C所示的改性部形成单元30C的薄型化晶片的制造装置来实施。
改性部形成单元30C具有驱动部320、轴部321、臂部322C、第一多个激光照射器324以及第二多个激光照射器326。
驱动部320使经由轴部321而支承的臂部322C以轴部321为旋转轴进行旋转。
臂部322C为比第三实施方式的臂部322长的形状。
在臂部322C的长度方向的一端部侧安装有第一多个激光照射器324，在另一端部侧安装有第二多个激光照射器326，在臂部322C的长度方向的一端部侧与另一端部侧之间的中心部安装有轴部321。
优选第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326能够沿着臂部322C的长度方向移动地进行安装。例如，也可以使第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326通过具有第一实施方式的线性马达31和滑块31A的驱动设备来移动。因此，在本实施方式的改性部形成单元30C中，优选臂部322C具有该驱动设备。并且，优选第一多个激光照射器324能够从臂部322C的一端部侧越过臂部322C的中心部移动至另一端部侧地安装于臂部322C。并且，优选第二多个激光照射器326能够从臂部322C的另一端部侧越过臂部322C的中心部移动至一端部侧地安装于臂部322C。
第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326只要能够分别向多个部位照射可使作为板状部件的半导体晶片改性的激光LB即可，没有特别的限制。例如，第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326也可以为分别具有多个激光光源的形态。需要说明的是，虽然在图13A、图13B以及图13C中描述了第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326分别从三个位置照射激光LB的方式，但本发明不限于上述形态。例如，第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326可以为分别可向两个位置同时进行照射的方式，也可以为可向两个位置以上同时进行照射的方式。并且，能够从第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326同时照射的激光的数量可以相互相同，也可以不同。
另外，优选第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326分别具有使所照射的多束激光彼此的间隔扩大或缩小的机构。
接着，对使用了具有改性部形成单元30C的薄型化晶片的制造装置的本实施方式的薄型化板状部件的制造方法进行说明。由于除了激光照射工序之外的其它工序能够与在第一实施方式或者第二实施方式中说明的工序同样地实施，因此省略说明。
图13A表示的是向晶片WF的晶片外周部WFe侧照射激光LB的工序的示意图。在本实施方式中，沿着晶片WF内部的分割面DP照射激光LB而形成多个改性部RP。
在本实施方式中，如图13A所示，向分割面DP的晶片外周部WFe侧照射激光LB。改性部形成单元30C具有两个激光照射器，第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326同时照射多束激光LB，因此能够在多个部位同时形成激光照射点LP而形成改性部。
优选从第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326同时照射激光LB而形成的激光照射点LP彼此的间隔(在晶片WF的径向上排列的激光照射点LP彼此的间隔)分别独立地为1μm以上且350μm以下。
在图13A所示的本实施方式的一个例子中，从第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326分别同时照射三个位置的激光LB，因此，能够相对于晶片WF的分割面DP同时地形成六个位置的激光照射点LP，并同时形成六个改性部。
接着，使臂部322C每次旋转规定角度，照射激光LB，并形成下一个激光照射点。这样，使臂部322C旋转规定角度，并且照射激光LB，从而沿着臂部322C的旋转方向，以规定间隔形成多个激光照射点LP。
继续进行旋转和激光照射，直至臂部322C旋转的角度为180度。由此，激光照射点LP成为沿着周向以规定间隔排列的状态，改性部也成为沿着周向形成的状态。优选沿着周向形成的激光照射点LP彼此的间隔为1μm以上且350μm以下。
图13B表示的是使第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326沿着臂部322C的长度方向向轴部321侧移动了规定距离后的状态的示意图。
具体而言，在一边使臂部322C旋转180度一边照射激光而形成了改性部后，使第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326沿着臂部322C的长度方向向臂部322C的中心部移动规定距离。另外，在本实施方式中，在沿着臂部322C移动时，从第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326照射的多束激光彼此的间隔扩大。由此，也能够扩大激光照射点LP彼此的间隔和改性部彼此的间隔。
在使第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326沿着臂部322C移动进而使所照射的激光彼此的间隔扩大后，进行激光照射，从而形成激光照射点LP，并形成改性部。之后，继续使臂部322C每次旋转规定角度，照射激光LB，并继续进行旋转和激光照射，直至使臂部322C旋转的角度为180度。在使臂部322C旋转180度后，使第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326沿着臂部322C的长度方向进一步向臂部322C的中心部移动规定距离。
图13C表示的是第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326移动至晶片WF的中心部WFc侧的状态的示意图。
具体而言，图13C表示的是比图13B所示的第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326的位置进一步向臂部322C中心部侧滑动移动、从第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326照射的多束激光彼此的间隔也进一步扩大的状态的示意图。
通过使改性部形成单元30C为图13C所示的状态，能够在比图13B所示的激光照射后的晶片WF的区域更靠近内侧的区域扩大激光照射点LP彼此的间隔进行激光照射，且形成的改性部彼此的间隔也能够进一步扩大。
这样，通过将臂部322C的旋转、第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326的滑动移动以及从第一多个激光照射器324和第二多个激光照射器326照射的多束激光彼此的间隔的扩大进行组合，成为沿着晶片WF的周向同心圆状地排列了多个激光照射点LP的状态。
并且，通过本实施方式的制造方法，在晶片WF的剖面中，与图12C相同，与晶片WF的晶片外周部WFe侧区域的激光照射点LP彼此的间隔相比，晶片WF的中心部WFc侧的激光照射点LP彼此的间隔更大。
根据本实施方式，在晶片WF的内部形成多个改性部RP，并以形成了该多个改性部RP的分割面DP为交界分割该晶片WF。因此，不需要使用纯水，与研磨法相比，能够缩短薄型化的时间，抑制晶片WF破裂，并能够使厚度精度提高。
并且，根据本实施方式，不需要使激光照射点LP彼此在分割面DP内以均匀的间隔形成，能够形成改性部RP而分割晶片WF，因此能够维持晶片WF的分割性，并使生产率进一步提高。
并且，根据本实施方式，使用两个能够同时向多个部位照射激光的激光照射器来进行激光照射，因此，与第四实施方式相比，能够使生产率提高。
[实施方式的变形]
如上所述，虽然用于实施本发明的最佳结构、方法等在所述说明中进行了公开，但本发明不限于此。即，本发明主要在指定的实施方式方面特别进行了图示、且进行了说明，但在与本发明的技术思想和目的范围不脱离的情况下，相对于如上所述的实施方式，在形状、材质、数量和其它的详细结构中，本领域的技术人员可以增加各种变形。另外，对上述所公开的形状、材质等进行限定的说明是为了容易理解本发明而进行的例示，并非是对本发明的限定，因此，以取消了上述的形状、材质等的一部分限制或全部限制后的部件的名称进行的说明也包含在本发明内。
本说明书中改性部的形状及大小不限于图5、图6、图8以及图9所示的形状。作为改性部的形状，例如可以例举为球状、椭圆球状、圆柱状、棱柱状、圆锥状和棱锥状等。改性部的大小只要可将板状部件分割为多个薄型化板状部件即可，没有特别的限制。优选改性部为考虑了分割前的板状部件的厚度的大小。这是因为当改性部在板状部件的厚度方向上过大时，可能会在厚度方向上产生裂纹。因此，改性部只要在沿着分割面的面方向上可分割地形成即可。
在所述实施方式中，虽然以将板状部件分割为两个薄型化板状部件的方式为例进行了例举并说明，但作为其它的方式，也可以例举将板状部件分给为三个以上的薄型化板状部件的方式。例如，在分割为三个薄型化板状部件的情况下，在板状部件的内部设定分割面时，只要设定两个分割面(第一分割面及第二分割面)，沿着第一分割面形成多个改性部RP，并沿着第二分割面形成多个改性部RP即可。另外，作为其它的方式，也可以例举利用薄型化板状部件实施激光照射工序及分割工序、从而形成被进一步薄型化的板状部件的方式。
另外，例如第一粘贴单元20和第二粘贴单元40也可以通过在带状的粘接片基材形成闭合环状的切口，送出其内侧为第一粘接片AS1和第二粘接片AS2、且隔着规定的间隔将多个第一粘接片AS1和第二粘接片AS2临时附着在第一剥离片RL1和第二剥离片的卷材。
第一粘贴单元20和第二粘贴单元40在采用了带状的粘接片基材临时附着在第一剥离片RL1和第二剥离片RL2的卷材的情况下，也可以利用切割刀片、激光切割机、热切割机、空气切割机和高压水切割机等切割装置，在粘接片基材形成闭合环状的切口，并在该切口的内侧形成第一粘接片AS1和第二粘接片AS2。
第一粘贴单元20和第二粘贴单元40也可以在分别将带状粘接片基材粘贴在第一环形框架RF1和第二环形框架RF2后，利用上述的切断装置，在粘接片基材形成闭合环状的切口，并在该切口的内侧形成第一粘接片AS1和第二粘接片AS2。
构成第一粘贴单元20和第二粘贴单元40的剥离部件也可以为辊和线状部件。
构成第一粘贴单元20和第二粘贴单元40的按压装置可以采用叶片材料、橡胶、树脂、海绵、吹气部件等按压部件。
保持台28和保持台48也可以利用机械卡盘及卡盘筒等卡盘装置、库仑力、粘接剂、粘合剂、磁力、伯努利吸附、驱动设备等，支承晶片WF、第一环形框架RF1、第二环形框架RF2和一次加工品WK1等。
薄型化晶片的制造装置10也可以不具有第二粘贴单元40。在该情况下，分割单元50只要由保持面53A直接保持晶片WF的第二表面WF2即可。
激光照射工序只要向分割之前的晶片WF照射激光LB来实施即可。例如，也可以向粘贴第一粘接片AS1之前的晶片WF照射激光LB。
相对于晶片WF照射激光LB的方向不限于如所述实施方式那样由晶片WF的第二表面WF2侧照射激光LB的方向。例如，也可以由晶片WF的第一表面WF1侧照射激光LB。另外，例如也可以由晶片WF的第一表面WF1侧及第二表面WF2侧双方照射激光LB。此外，在由晶片WF的第一表面WF1侧及第二表面WF2侧双方照射激光LB的情况下，也可以由第一表面WF1侧及第二表面WF2侧同时照射激光LB。也可以由晶片WF的侧面侧照射激光LB。在由晶片WF的侧面侧照射激光LB的情况下，只要设定激光照射条件以沿着分割面DP形成改性部RP即可。
改性部形成单元30可以相对于粘贴有第一粘接片AS1的晶片WF，由第一粘接片AS1侧照射激光LB，也可以相对于粘贴有第二粘接片AS2的晶片WF，由第一粘接片AS1侧或者第二粘接片侧照射激光LB，也可以由晶片WF的外周面侧照射激光LB，也可以由晶片WF的侧面侧照射激光LB，也可以由第一粘接片AS1侧、第二粘接片AS2侧、外周面侧和侧面侧之内两个或者全部的方向照射激光LB。
改性部形成单元30也可以相对于由保持台28、保持台48、下工作台51或者上工作台53吸附并保持的晶片WF照射激光LB。
改性部形成单元30既可以采用可照射焦点为线状的激光(线状激光)或焦点为面状的激光(面状激光)的激光照射器，也可以采用多个激光照射器，也可以不采用线性马达31。
改性部形成单元30能够任意地确定焦点的位置，形成的第一薄型化晶片WT1与第二薄型化晶片WT2的厚度之比可以为50对50、为1对99、也可以为1000对1，结合期望的薄型化晶片的厚度，能够确定通过激光照射而形成的改性部RP的位置(与晶片WF表面的深度)。
第一、第二、第三和第四实施方式的改性部形成单元也可以为搭载了可同时照射第五实施方式中说明的多束激光的多个激光照射器的方式。
在第一、第二、第三、第四和第五实施方式中，保持晶片WF的保持台48也优选具有可使晶片WF旋转的旋转机构。在保持台48使晶片WF旋转的情况下，例如，即使在第三，第四和第五实施方式的改性部形成单元中使支承激光照射器的臂部不旋转，也能够沿着晶片WF的周向形成激光照射点LP。
因此，作为薄型化晶片的制造装置的一个形态，也可以为保持晶片WF的保持台48具有可使晶片WF旋转的旋转机构、且支承激光照射器的臂部不具有旋转机构的方式。在该方式的情况下，只要由具有旋转机构的保持台48使晶片WF旋转、并且由激光照射器照射激光LB即可。
另外，作为薄型化晶片的制造装置的一个形态，也可以为保持晶片WF的保持台48具有可使晶片WF旋转的旋转机构、且具有用于使支承激光照射器的臂部旋转的旋转机构的方式。在该方式的情况下，只要使至少任一部件的旋转机构驱动，使激光照射器与晶片WF的相对位置发生变化，并且照射激光LB即可。
在第三、第四和第五实施方式中，以激光照射点LP形成为同心圆状的方式为例进行了例举并说明，但本发明不限于上述方式。例如，也可以例举使激光照射点LP从晶片WF的中心部WFc向晶片外周部WFe侧排列为涡旋状地形成激光照射点LP的方式。
在第三、第四和第五实施方式中，虽然以激光照射点LP彼此的间隔在板状部件的外周部侧与板状部件的中心部侧不同的方式为例进行了例举并说明，但本发明不限于上述方式。例如，在激光照射工序中，也可以例举如下的方式，即，使激光的照射点的位置从板状部件的外周部侧向板状部件的中心部侧移动，并且在板状部件以恒定的间隔形成多个改性部。在该方式的情况下，例如，除了使激光照射点LP彼此的间隔为恒定的间隔以外，其它都能够与第三、第四、或者第五实施方式同样地实施。例如，直至图12A及图12B所示工序都与第四实施方式同样地实施，之后，能够通过如图14所示使激光照射点LP彼此的间隔为恒定的间隔进行激光照射来实施。
在使激光照射器旋转而进行激光照射的情况下，薄型化板状部件的制造装置优选具有：在板状部件的内部形成多个改性部的改性部形成单元和将改性后的板状部件至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件的分割单元，所述改性部形成单元具有：臂部、照射激光的激光照射器和支承所述臂部使其能够旋转的驱动部，所述激光照射器能够滑动移动地支承在所述臂部。
该薄型化板状部件的制造装置优选进一步具有在所述实施方式等中说明的第一粘贴单元20和第二粘贴单元40。
在该薄型化板状部件的制造装置中，改性部形成单元优选具有多个激光照射器。在具有多个激光照射器的情况下，优选能够扩大或缩小多束激光彼此的照射间隔。
在该薄型化板状部件的制造装置中，激光照射器优选能够同时照射多束激光。
在该薄型化板状部件的制造装置中，优选进一步具有可旋转地支承板状部件的保持单元。
分割单元50也可以为利用机械卡盘及卡盘筒等卡盘装置、库仑力、粘接剂、粘合剂、磁力、伯努利吸附和驱动设备等保持二次加工品WK2的第一粘接片AS1侧和第二粘接片AS2侧的至少一侧的结构。
分割单元50在分割晶片WF时，可以使下工作台51与上工作台53在上下方向上相对移动，在晶片WF的厚度方向上使该晶片WF分离，也可以在与下工作台51或上工作台53的支承面平行的面方向上线性地相对移动，或者也可以在与支承面平行的面内、于圆周方向上相对旋转，或者使下工作台51和上工作台53的至少一方移动或旋转。
晶片WF也可以具有电路。电路优选在晶片WF的第一表面WF1和第二表面WF2的至少任一表面形成。形成有该电路的表面相当于电路面。该电路面既可以为第一表面WF1，也可以为第二表面WF2。也可以第一表面WF1和第二表面WF2双方都为电路面。在晶片WF具有电路的情况下，优选在形成了该电路的电路面粘合有保护片。通过将保护片层叠在电路面，能够保护电路。作为保护片，只要为能够保护电路的材质即可，没有特别的限制。例如在晶片WF于第一表面WF1具有电路的情况下，因为所述实施方式的第一粘接片AS1层叠在第一表面WF1，因此能够保护电路。
薄型化晶片的制造方法也可以进一步具有电路形成工序，其在第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2的至少任一表面形成电路。这样，在由分割工序之后的工序形成电路的情况下，也可以在被第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2分割而出现的露出面(与分割面DP对应的面，第一露出面WF3及第二露出面WF4)形成电路。另外，在分割工序之后的工序中形成电路的情况下，也可以在与被第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2分割而出现的露出面(与分割面DP对应的面，第一露出面WF3及第二露出面WF4)相反一侧的表面形成电路。
薄型化晶片的制造方法也可以进一步具有对第一露出面WF3及第二露出面WF4的至少任一露出面进行研磨的研磨工序。对第一露出面WF3及第二露出面WF4进行研磨的方法没有特别的限制。需要说明的是，在该研磨工序中，不是对晶片WF进行研磨直至成为具有期望厚度的第一薄型化晶片WT1或者第二薄型化晶片WT2的厚度，而是为了使分割后露出的表面更平滑而进行研磨，因此，实施该研磨工序所需要的时间与用于薄型化型化晶片WF所需要的时间相比，大幅度地缩短。因此，即使薄型化晶片的制造方法具有研磨工序，制造效率也仍然高于只通过研磨来薄型化型化晶片WF的方法。
另外，在研磨工序之后，也可以实施在研磨后的第一露出面WF3及第二露出面WF4的至少任一露出面形成电路的电路形成工序。
另外，在薄型化晶片的制造方法中，晶片WF优选由第一表面WF1和第二表面WF2的至少任一表面侧进行吸附并保持。在吸附并保持晶片WF的情况下，优选在被吸附并保持的晶片WF的表面层叠有保护片，晶片WF经由保护片进行吸附并保持。优选在激光照射工序及分割工序的至少任一工序中吸附并保持有晶片WF。晶片WF优选由吸附台进行吸附并保持。作为吸附台，可以例举多孔台等。
二次加工品WK2也可以不具有第一环形框架RF1、第二环形框架RF2和第二粘接片AS2的任一部件。
第一框架部件和第二框架部件也可以为圆形、椭圆形、三角形以上的多边形的形状及非环状的形状等其它的形状。
薄型化晶片的制造装置10可以具有输送晶片WF、第一环形框架RF1、第二环形框架RF2、一次加工品WK1和二次加工品WK2的驱动设备即多关节机器人和带式输送机等输送单元，也可以具有可收纳多个第一环形框架RF1和第二环形框架RF2的存储装置，使输送单元从该存储装置将第一环形框架RF1和第二环形框架RF2分别向保持台28和保持台48上输送。
薄型化板状部件的制造装置不限于薄型化晶片的制造装置10。
例如，也可以利用图15A、图15B、图15C、图16A以及图16B所示的薄型化晶片的制造装置100，制造薄型化板状部件。
在图15A、图15B、图15C、图16A以及图16B中，作为薄型化板状部件的薄型化晶片的制造装置100具有：第一硬质支承体110，其在支承面111粘贴有第一双面粘接片AT1的第一粘接面AT11；改性部形成单元120，其在第一表面WF1整体粘贴在第一双面粘接片AT1的第二粘接面AT12的作为板状部件的晶片WF内部，沿着与第一表面WF1平行的分割面形成多个改性部；下工作台130，其作为第一保持单元；第一固定装置140，其可拆装自如地固定下工作台130与第一硬质支承体110，以隔着第一硬质支承体110而使下工作台130位于晶片WF的相反一侧；第二硬质支承体150，其在支承面151粘贴有第二双面粘接片AT2的第一粘接面AT21；上工作台160，其作为从第二表面WF2侧保持晶片WF的第二保持单元；第二固定装置170，其将上工作台160与第二硬质支承体150可拆装自如地进行固定，以隔着第二硬质支承体150而使上工作台160位于晶片WF的相反一侧；相对移动装置180，其使下工作台130与上工作台160相对移动，以使分割面为交界，将晶片WF分割为具有第一表面WF1的作为第一薄型化板状部件的第一薄型化晶片WT1以及具有第二表面WF2的作为第二薄型化板状部件的第二薄型化晶片WT2。
分割面及改性部与在所述实施方式中的说明相同。
第一硬质支承体110和第二硬质支承体150优选为板状。第一硬质支承体110和第二硬质支承体150的材料及形状只要考虑机械性强度来适当确定即可。作为第一硬质支承体110和第二硬质支承体150的材料，分别可以独立地例举例如金属材料、非金属无机材料、树脂材料和复合材料等。作为金属材料，可以例举SUS等。作为非金属无机材料，可以例举玻璃和硅晶片等。作为树脂材料，可以例举聚酰亚胺和聚酰胺酰亚胺等。作为复合材料，可以例举玻璃环氧树脂等。作为第一硬质支承体110和第二硬质支承体150的材料，优选为从由SUS、玻璃和硅晶片组成的组中选择的任一材料。
第一硬质支承体110和第二硬质支承体150的厚度只要考虑机械性强度和可操作性等适当进行确定即可，例如分别独立地为100μm以上、50mm以下。
第一硬质支承体110如后面所述，只要在由于上工作台160的旋转而对晶片WF作用有与第一双面粘接片AT1分离方向的力时不变形即可，例如优选弯曲强度为50MPa以上。
另外，第二硬质支承体150的硬度如后面所述，只要在由于上工作台160的旋转而对第二双面粘接片AT2作用有与晶片WF分离方向的力时不变形即可，例如优选弯曲强度为50MPa以上。
改性部形成单元120具有激光照射器121。
第一固定装置140构成为，具有由减压泵或真空喷射器等构成的下侧减压单元141，通过对经由配管142而连接的下工作台130的内部空间进行减压，能够由下工作台130的保持面131吸附并保持第一硬质支承体110。
第二固定装置170构成为，具有结构与下侧减压单元141相同的上侧减压单元171，通过对经由配管172而连接的上工作台160的内部空间进行减压，能够由上工作台160的保持面161吸附并保持第二硬质支承体150。
第一固定装置140和第二固定装置170构成为，具有由减压泵或真空喷射器等构成的下侧减压单元141和上侧减压单元171，通过对经由配管142和配管172而连接的下工作台130和上工作台160的内部空间进行减压，能够由下工作台130和上工作台160的保持面131和保持面161吸附并保持第一硬质支承体110和第二硬质支承体150。
相对移动装置180具有在下工作台130的侧方配置的作为驱动设备的转动马达181。转动马达181的输出轴182与从上工作台160的端部向下方延伸的延伸部162连接。
对在如上所述的薄型化晶片的制造装置100中由晶片WF制造第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2的流程进行说明。
首先，如图15A所示，准备在支承面111粘贴有第一双面粘接片AT1的第一粘接面AT11的第一硬质支承体110，将该图中双点划线所示的晶片WF的第一表面WF1整体粘贴在实线所示的第二粘接面AT12。此时，不会形成气泡地将第一表面WF1粘贴在第二粘接面AT12。需要说明的是，第一粘接面AT11中与第一表面WF1对应的区域整体也优选不会形成气泡地粘贴在第一硬质支承体110。另外，将第一双面粘接片AT1粘贴在第一硬质支承体110和第一表面WF1的方法及顺序等没有特别的限制，例如，也可以在将第一双面粘接片AT1粘贴在晶片WF后，粘贴在第一硬质支承体110。
接着，如图15B所示，作业人员或者多关节机器人或带式输送机等未图示的输送单元使晶片WF和第一硬质支承体110向改性部形成单元120的下方移动，改性部形成单元120驱动激光照射器121，未图示的相对移动机构使激光照射器121和第一硬质支承体110相对地在水平方向上移动。激光照射器121的激光LB与所述实施方式相同地向晶片WF照射。通过激光LB的照射，在晶片WF的内部形成多个改性部RP。当在晶片WF的内部沿着分割面DP形成多个改性部RP时，改性部形成单元120停止对激光照射器121的驱动。
之后，如图16A所示，成为如下的状态，即，下工作台130隔着第一硬质支承体110位于晶片WF的相反一侧，在第二硬质支承体150粘贴有第二双面粘接片AT2的第一粘接面AT21，在晶片WF的第二表面WF2整体粘贴有第二双面粘接片AT2的第二粘接面AT22，上工作台160隔着第二硬质支承体150位于晶片WF的相反一侧。此时，不会形成气泡地将第二表面WF2粘贴在第二粘接面AT22。需要说明的是，优选将第一粘接面AT21的与第二表面WF2对应的区域整体也不会形成气泡地粘贴在第二硬质支承体150。
然后，第一固定装置140和第二固定装置170分别驱动下侧减压单元141和上侧减压单元171，分别使第一硬质支承体110由下工作台130的保持面131吸附并保持，使第二硬质支承体150由上工作台160的保持面161吸附并保持。需要说明的是，使第一硬质支承体110位于下工作台130上、或使第二双面粘接片AT2粘贴在第二硬质支承体150和第二表面WF2、或使第二硬质支承体150位于上工作台160的下方的方法及顺序没有特别的限制，例如，也可以在将第二双面粘接片AT2粘贴在第二硬质支承体150后，再粘贴在第二表面WF2，也可以以相反的粘贴顺序来进行。
之后，如图16B所示，相对移动装置180驱动转动马达181，使上工作台160向顺时针旋转方向旋转，以形成了多个改性部RP的分割面DP为交界分割晶片WF，由此而形成薄型化后的第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2。
此时，因为在晶片WF的第一表面WF1整体粘贴有第一双面粘接片AT1的第二粘接面AT12，在第一硬质支承体110粘接有第一粘接面AT11，因此，在由于上工作台160的旋转而对晶片WF作用有远离第一双面粘接片AT1方向上的力时，仍然能够利用第一硬质支承体110抑制晶片WF整体的弯曲，使上工作台160旋转。因此，能够分割晶片WF而不会使之破裂，并能够适当地制造第一薄型化晶片WT1。
另外，因为在晶片WF的第二表面WF2整体粘贴有第二双面粘接片AT2的第二粘接面AT22，在第二硬质支承体150粘接有第一粘接面AT21，因此，在由于上工作台160的旋转而对第二双面粘接片AT2作用有远离晶片WF的方向上的力时，仍然能利用第二硬质支承体150够抑制晶片WF整体的弯曲，使上工作台160旋转。因此，能够分割晶片WF而不会使之破裂，并能够适当地制造第二薄型化晶片WT2。
此外，因为由第一硬质支承体110和第二硬质支承体150分别支承第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2，因此，通过保持第一硬质支承体110和第二硬质支承体150，使第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2容易输送。
接着，当作业人员或者未图示的输送单元保持第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2时，第一固定装置140和第二固定装置170分别停止对下侧减压单元141和上侧减压单元171的驱动，分别解除支承有第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2的第一硬质支承体110和第二硬质支承体150的吸附并保持。
在本实施方式中，作为第一固定装置140和第二固定装置170，因为应用了吸附并保持且固定第一硬质支承体110和第二硬质支承体150的结构，因此，例如不需要如由粘合剂进行固定的情况那样，在解除了吸附及保持后，除去在下工作台130的保持面131和上工作台160的保持面161分别附着的粘合组分，能够抑制作业性的降低。
之后，当未图示的输送单元将第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2向下一道工序输送时，各单元驱动各自的驱动设备，使各部件恢复为初始位置，之后重复进行上述相同的动作。
根据如上所述的薄型化晶片的制造装置100，能够适当地制造第一薄型化晶片WT1和第二薄型化晶片WT2。
作为利用了薄型化晶片的制造装置100的薄型化板状部件的制造方法的变形例，例如也可以在应用第一硬质支承体110时，不应用第二硬质支承体150，使晶片WF直接或经由第二双面粘接片AT2而由上工作台160的保持面161吸附并保持。
也可以在应用第二硬质支承体150时，不应用第一硬质支承体110，使晶片WF直接或经由第一双面粘接片AT1而由下工作台130的保持面131吸附并保持，在该情况下，第二硬质支承体150、第二双面粘接片AT2分别相当于本发明的第一硬质支承体、第一双面粘接片。
除此以外，在所述实施方式及实施方式的变形中，也可以应用如下方面。
第一粘接片AS1、第二粘接片AS2和板状部件的材质、种类、形状等没有特别的限制。例如，第一粘接片AS1和第二粘接片AS2可以为圆形、椭圆形、三角形及四边形等多边形和其它的形状，也可以为压敏粘接性和热敏粘接性等粘接方式，在采用了热敏粘接性的第一粘接片AS1和第二粘接片AS2的情况下，只要通过设有对该第一粘接片AS1和第二粘接片AS2进行加热的适当的线圈加热器及热管的加热侧等的加热装置这样的适当的方法来进行粘接即可。另外，上述第一粘接片AS1和第二粘接片AS2例如可以为只有粘接剂层的单层粘接片、在基材片与粘接剂层之间具有中间层的粘接片、在基材片的上表面具有覆盖层等三层以上的粘接片、进而可将基材片从粘接剂层剥离的所谓双面粘接片，双面粘接片可以为单层或者多层的具有中间层的粘接片、及不具有中间层的单层或者多层粘接片。另外，作为板状部件，例如可以为食品、树脂容器、半导体晶片(硅半导体晶片及化合物半导体晶片等)、电路基板、信息存储基板(光盘等)、玻璃板、钢板、陶器、木板和树脂板等和任意方式的部件及物品等都可以作为目标。需要说明的是，可以将第一粘接片AS1和第二粘接片AS2置换为功能性的、指定用途的称谓，例如可以将信息记载用标签、装饰用标签、保护片、切割带、芯片粘结膜、芯片焊接带和存储层形成树脂片等任意形状的任意的片、膜、带等粘贴在所述的任意板状部件上。
本发明的装置和工序只要能够实现针对上述装置和工序说明的动作、功能或者工序即可，没有任何限制，并且完全不限于所述实施方式所示的简单的一个实施方式的结构及工序。例如，第一粘贴工序只要能够在板状部件的一个表面粘贴第一粘接片，根据申请当初的技术常识，只要在其技术范围内，则没有任何限制(省略针对其它的装置和工序的说明)。
另外，所述实施方式的驱动设备在能够采用转动马达、直驱马达、线性马达、单轴机器人、多关节机器人等电动设备、气缸、液压缸、无杆缸和旋转缸等促动器等的基础上，也可以将上述装置直接或者间接地组合(存在与实施方式中例示的部件重复的装置)。
附图标记说明
10 薄型化晶片的制造装置(薄型化板状部件的制造装置)；
100 薄型化晶片的制造装置(薄型化板状部件的制造装置)；
30A 改性部形成单元；
320 驱动部；
322 臂部；
323 激光照射器；
DP 分割面；
LB 激光；
RP 改性部；
WF 晶片(板状部件)；
WF1 第一表面；
WF2 第二表面；
WT1 第一薄型化晶片(第一薄型化板状部件)；
WT2 第二薄型化晶片(第二薄型化板状部件)。

Claims (25)

1.一种薄型化板状部件的制造方法，所述板状部件为晶片，其特征在于，具有：
激光照射工序，其向板状部件照射激光；
分割工序，其将所述板状部件沿着分割面分割，至少形成第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件；
在向所述板状部件照射激光的工序中，不仅使照射所述激光的激光照射器和所述板状部件双方旋转，也组合平行移动的动作而使所述激光照射器和所述板状部件双方移动，通过使所述板状部件和所述激光照射器的位置移动而使激光照射点的位置移动，通过使对所述激光照射器进行支承的臂部旋转，一边使所述激光照射器和所述板状部件的相对位置发生变化一边照射所述激光，在所述板状部件的内部沿着所述分割面形成多个改性部，
所述第一薄型化板状部件的厚度比所述板状部件的厚度小，
所述第二薄型化板状部件的厚度比所述板状部件的厚度小。
2.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
在所述激光照射工序中，使所述激光的照射点的位置从所述板状部件的外周部侧向所述板状部件的中心部侧移动，并且在所述板状部件以恒定的间隔形成多个所述改性部。
3.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
在所述激光照射工序中，使所述激光的照射点的位置移动，并且在所述板状部件形成多个所述改性部，
所述板状部件的外周部侧的所述照射点彼此的间隔与所述板状部件的中心部侧的所述照射点彼此的间隔不同。
4.如权利要求3所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述板状部件的外周部侧的所述照射点彼此的间隔比所述板状部件的中心部侧的所述照射点彼此的间隔小。
5.如权利要求3所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述照射点彼此的间隔随着从所述板状部件的外周部侧向所述板状部件的中心部侧而增大。
6.如权利要求4所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述板状部件具有所述板状部件的外周部侧的第一区域、所述板状部件的中心部侧的第二区域和所述第一区域与所述第二区域之间的第三区域，
相对于所述第一区域，以第一间隔向多个部位照射所述激光，
相对于所述第三区域，以第三间隔向多个部位照射所述激光，
相对于所述第二区域，以第二间隔向多个部位照射所述激光，
所述第一间隔比所述第三间隔小，
所述第三间隔比所述第二间隔小。
7.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
从所述激光照射器同时照射多束所述激光。
8.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述板状部件的厚度为3mm以下。
9.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述第一薄型化板状部件的厚度和所述第二薄型化板状部件的厚度的至少任一厚度为500μm以下。
10.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
使所述激光沿着所述分割面以1μm以上且350μm以下的间隔进行照射。
11.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
多个所述改性部相互重叠。
12.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
多个所述改性部相互分离。
13.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述板状部件具有第一表面和与所述第一表面相反一侧的第二表面，
使所述激光从所述第一表面和所述第二表面的至少任一表面侧进行照射。
14.如权利要求13所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
在所述第一表面和所述第二表面的至少任一表面层叠有保护片。
15.如权利要求14所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
从层叠有所述保护片的所述板状部件的表面侧照射所述激光，在所述板状部件的内部形成多个所述改性部。
16.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
在所述激光照射工序中，从所述板状部件的侧面侧照射所述激光。
17.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述分割工序是通过使所述板状部件在所述板状部件的厚度方向上分离，以形成有多个所述改性部的所述分割面为交界分割为所述第一薄型化板状部件和所述第二薄型化板状部件的工序。
18.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述板状部件的表面具有电路。
19.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述第一薄型化板状部件具有因所述分割工序中所述板状部件的分割而出现的第一露出面，
所述第二薄型化板状部件具有因所述分割工序中所述板状部件的分割而出现的第二露出面，
具有对所述第一露出面和所述第二露出面的至少任一露出面进行研磨的研磨工序。
20.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
进一步具备在所述第一薄型化板状部件和所述第二薄型化板状部件的至少任一表面形成电路的电路形成工序。
21.如权利要求1所述的薄型化板状部件的制造方法，其中，
所述板状部件的材质从由硅、氮化硅、氮化镓、碳化硅、蓝宝石、砷化镓以及玻璃组成的组中选择。
22.一种薄型化板状部件的制造装置，所述板状部件为晶片，其特征在于，具有：
改性部形成单元，其在板状部件的内部形成多个改性部；
分割单元，其将改性后的所述板状部件至少分割为第一薄型化板状部件和第二薄型化板状部件；
保持单元，其支承所述板状部件使其能够旋转；
所述改性部形成单元具有臂部、照射激光的激光照射器和支承所述臂部使其能够旋转的驱动部，
所述激光照射器能够滑动移动地支承于所述臂部，
所述保持单元具备能够使所述板状部件旋转的旋转机构，并且具备能够使对激光照射器进行支承的臂部旋转的旋转机构。
23.如权利要求22所述的薄型化板状部件的制造装置，其中，
所述改性部形成单元具有多个所述激光照射器。
24.如权利要求22所述的薄型化板状部件的制造装置，其中，
所述激光照射器能够同时照射多束激光。
25.如权利要求24所述的薄型化板状部件的制造装置，其中，
所述激光照射器能够扩大或缩小多束所述激光彼此的照射间隔。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7246919B2 (ja) * 2018-12-21 2023-03-28 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、半導体部材製造方法及びレーザ加工装置
CN113518686B (zh) * 2019-03-28 2023-05-26 东京毅力科创株式会社 处理装置和处理方法
KR20210153091A (ko) * 2019-04-19 2021-12-16 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 처리 장치 및 처리 방법
TW202116468A (zh) * 2019-07-18 2021-05-01 日商東京威力科創股份有限公司 處理裝置及處理方法
JP2021168347A (ja) * 2020-04-10 2021-10-21 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP7376701B2 (ja) * 2020-04-30 2023-11-08 リンテック株式会社 シート剥離方法およびシート剥離装置、並びに、分割方法および分割装置

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008129596A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Palo Alto Research Center Inc 走査経路及び合焦状態が安定な光走査機構並びにそれを用いたレーザアブレーション装置及び光起電デバイス製造システム
JP2013141701A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Panasonic Corp 基板製造方法、および改質層形成装置
CN105140183A (zh) * 2014-06-05 2015-12-09 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2016043401A (ja) * 2014-08-26 2016-04-04 信越ポリマー株式会社 基板加工方法及び基板
CN105862135A (zh) * 2015-02-09 2016-08-17 株式会社迪思科 晶片的生成方法
JP2016201575A (ja) * 2016-08-30 2016-12-01 国立大学法人埼玉大学 単結晶基板製造方法
JP2016225536A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017022283A (ja) * 2015-07-13 2017-01-26 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP2017024039A (ja) * 2015-07-21 2017-02-02 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP2017092314A (ja) * 2015-11-12 2017-05-25 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
CN107107260A (zh) * 2014-11-27 2017-08-29 西尔特克特拉有限责任公司 借助于材料转化的固体分开

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60257983A (ja) * 1984-06-04 1985-12-19 Mitsubishi Electric Corp レ−ザビ−ム溶接装置
JPH10216981A (ja) * 1997-02-03 1998-08-18 Amada Co Ltd 光軸移動型レーザー加工装置
JP2004066376A (ja) 2002-08-05 2004-03-04 Nippei Toyama Corp 半導体ウエーハ研削盤のクーラント噴射装置およびその方法
JP2005109323A (ja) * 2003-10-01 2005-04-21 Tokyo Seimitsu Co Ltd レーザーダイシング装置
JP4861609B2 (ja) 2004-05-28 2012-01-25 株式会社レナテック 有機物質の除去方法および除去装置
JP2010153590A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Hamamatsu Photonics Kk 切断用加工方法
JP6154121B2 (ja) 2012-12-06 2017-06-28 リンテック株式会社 割断装置及び割断方法
JP2016015447A (ja) * 2014-07-03 2016-01-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 ウエハの製造方法および装置
JP2017130638A (ja) 2016-01-22 2017-07-27 リンテック株式会社 加工装置および加工方法
TW201727814A (zh) * 2016-01-25 2017-08-01 Lintec Corp 板狀構件之分割裝置及板狀構件之分割方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008129596A (ja) * 2006-11-21 2008-06-05 Palo Alto Research Center Inc 走査経路及び合焦状態が安定な光走査機構並びにそれを用いたレーザアブレーション装置及び光起電デバイス製造システム
JP2013141701A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Panasonic Corp 基板製造方法、および改質層形成装置
CN105140183A (zh) * 2014-06-05 2015-12-09 株式会社迪思科 晶片的加工方法
JP2016043401A (ja) * 2014-08-26 2016-04-04 信越ポリマー株式会社 基板加工方法及び基板
CN107107260A (zh) * 2014-11-27 2017-08-29 西尔特克特拉有限责任公司 借助于材料转化的固体分开
CN105862135A (zh) * 2015-02-09 2016-08-17 株式会社迪思科 晶片的生成方法
JP2016225536A (ja) * 2015-06-02 2016-12-28 株式会社ディスコ ウエーハの生成方法
JP2017022283A (ja) * 2015-07-13 2017-01-26 株式会社ディスコ 多結晶ＳｉＣウエーハの生成方法
JP2017024039A (ja) * 2015-07-21 2017-02-02 株式会社ディスコ ウエーハの薄化方法
JP2017092314A (ja) * 2015-11-12 2017-05-25 株式会社ディスコ ＳｉＣ基板の分離方法
JP2016201575A (ja) * 2016-08-30 2016-12-01 国立大学法人埼玉大学 単結晶基板製造方法

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