JP2005109323A - レーザーダイシング装置 - Google Patents

レーザーダイシング装置

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Abstract

【課題】ウェーハ内部の多層改質層形成や、形成された改質層への割断促進加工等の様々な加工に対応できる応用性に富んだレーザーダイシング装置を提供すること。
【解決手段】レーザーダイシング装置10のレーザーヘッド20には、レーザー発振器21から発振されたレーザー光Lを複数の光路に分割する分光手段24と、分割された各光路のレーザー光L1、L2を個々に集光する複数の集光手段23、23とを設け、分割された各光路のレーザー光L1、L2を個々に集光して複数箇所で同時にレーザー光L1、L2を照射できるようにし、様々な加工に対応できるようにした。
【選択図】 図1

Description

本発明は、半導体装置や電子部品等のチップを製造するダイシング装置に関するもので、特にレーザー光を利用したダイシング装置に関する。
従来、表面に半導体装置や電子部品等が形成されたウエーハを個々のチップに分割するには、ダイシングブレードと呼ばれる砥石でウエーハに研削溝を入れてウエーハをカットするダイシング装置が用いられていた。ダイシングブレードは、微細なダイヤモンド砥粒をNiで電着したもので、厚さ30μm程度の極薄のものが用いられる。
このダイシングブレードを30,000〜60,000rpmで高速回転させてウエーハに切込み、ウエーハを完全切断(フルカット)又は不完全切断(ハーフカット或いはセミフルカット)していた。ハーフカットはウエーハに厚さの半分程度切り込む方法で、セミフルカットは10μm程度の肉厚を残して研削溝を形成する方法のことである。
ところで、このダイシングブレードによる研削加工の場合、ウエーハが高脆性材料であるため脆性モード加工となり、ウエーハの表面や裏面にチッピングが生じ、このチッピングが分割されたチップの性能を低下させる要因になっていた。
ダイシング工程におけるこのチッピングの問題を解決する手段として、従来のダイシングブレードによる切断に替えて、ウエーハの内部に集光点を合わせたレーザー光を入射し、ウエーハ内部に多光子吸収による改質領域を形成して個々のチップに分割するレーザ加工方法に関する技術が提案されている(例えば、特許文献1〜6参照。)。
特開2002−192367号公報 特開2002−192368号公報 特開2002−192369号公報 特開2002−192370号公報 特開2002−192371号公報 特開2002−205180号公報
しかし、上記の特許文献1〜6で提案されているレーザー加工装置は、単一のレーザー光を照射する単一照射方式によってウェーハを割断するもので、チッピングの問題は解決されるが、様々な加工に対する応用性に乏しかった。
例えば、厚いウェーハの場合で、ウェーハ内部に改質層を複数層形成する時には、レーザー光を複数回スキャンさせて照射しなければならない。また、ウェーハ内部に形成された改質層に再度集光したレーザー光を照射することによって割断を促進しようとしたときは、改質層形成用のスキャン終了後に割断促進用のスキャンを行うことになる。このためどちらの場合も時間が掛かり過ぎるという問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、ウェーハ内部の多層改質層形成や、形成された改質層への割断促進加工等の様々な加工に対応できる応用性に富んだレーザーダイシング装置を提供することを目的とする。
本発明は前記目的を達成するために、ウエーハの表面からレーザー光を入射して前記ウエーハの内部に改質領域を形成し、前記ウエーハを個々のチップに分割するレーザーダイシング装置において、前記ウエーハに向けてレーザー光を照射するレーザーヘッドが設けられ、該レーザーヘッドは、レーザー発振器と、発振されたレーザー光を複数の光路に分割する分光手段と、分割された各光路のレーザー光を個々に集光する複数の集光手段と、を有していることを特徴とする。
本発明によれば、レーザー発振器から発振されたレーザー光が複数の光路に分割され、分割された各光路のレーザー光が個々に集光されるので、複数箇所で同時にレーザー光を照射することができ、様々な加工に対応できる応用性に富んだレーザーダイシング装置を得ることができる。
また本発明は、前記分割された各光路のレーザー光を、前記ウェーハの表面と直交する軸を中心に回動させる光路回動手段が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、各光路の光軸を一本の軸の回りに回動させることにより、レーザー光の照射ライン間のピッチをウェーハのストリートに合わせて容易に変更することができる。
更に本発明は、前記レーザーヘッドには、前記分割された各光路のレーザー光の光軸上における集光点の位置を個々に調節する集光点位置調節手段が設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、各光路のレーザー光の光軸上における集光点の位置が個々に調節できるので、夫々所望の位置に集光点を設定することができる。
また本発明は、前記集光点位置調節手段は、前記複数の集光手段を夫々の光軸上で微小移動させる駆動手段であることを特徴とする。また、前記駆動手段は、少なくとも1個の圧電素子を含むことを特徴とする。
本発明によれば、簡単な構造で各レーザー光の集光点位置を調整することができる。
以上説明したように本発明のレーザーダイシング装置は、レーザー発振器から発振されたレーザー光が複数の光路に分割され、分割された各光路のレーザー光が個々に集光されるので、複数箇所で同時にレーザー光を照射することができ、様々な加工に対応できる応用性に富んだレーザーダイシング装置を得ることができる。
以下添付図面に従って本発明に係るレーザーダイシング装置の好ましい実施の形態について詳説する。尚、各図において同一部材には同一の番号または記号を付している。
図1は、本発明に係るレーザーダイシング装置の概略構成図である。ダイシング装置10では、ウェーハは図5に示すように、一方の面に粘着材を有するダイシングシートSに貼付され、このダイシングシートSを介してフレームFと一体化された状態で搬入され、ダイシング装置10内を搬送される。
レーザーダイシング装置10は、図1に示すように、ウェーハ移動部11、レーザーヘッド20、図示しない制御部等から構成されている。
ウェーハ移動部11は、レーザーダイシング装置10の本体ベース16に設けられたXYテーブル12、XYテーブル12に載置されたZθテーブル15、Zθテーブル15に取り付けられダイシングシートSを介してフレームFにマウントされたウェーハWを吸着保持する吸着ステージ13、同じくZθテーブル15に取り付けられフレームFを吸着保持するフレームチャック14等からなっている。
このウェーハ移動部11によって、ウェーハWがダイシングシートSを介してフレームFにマウントされた状態で図のXYZθ方向に精密に移動される。
レーザーヘッド20は、レーザー光Lを発振するレーザー発振器21、レーザー光LをL1とL2に分光するハーフミラー24(分光手段)、分光された一方のレーザー光L2の光路を90°方向変換するミラー25、レーザー光L1、L2を個々に集光する集光レンズ(集光手段)23、23、集光レンズ23、23、を夫々の光軸上で微小移動させる駆動手段(集光点位置調節手段)26、26等で構成されている。
このレーザーヘッド20は、レーザーダイシング装置10の本体ベース16に設けられたホルダー17に図示しない軸受を介して回転自在に支持され、モータからなる光路回動手段30によってウェーハWの表面に直行する軸線を中心に回転されるようになっている。
レーザーヘッド20を回転させると、レーザー光L1、L2の夫々の照射点がウェーハW上で回動するので、回転角度を制御することによってウェーハW上における夫々の照射点の図のY方向距離を所望の値に設定することができる。但し、設定可能なY方向距離は、レーザー光L1、L2の元々の光軸間距離以内である。
レーザーヘッド20では、レーザー発振器21から発振されたレーザー光Lはハーフミラー24によってレーザー光L1とL2とに分割され、レーザー光L1は集光レンズ23を経由してウエーハWの内部に集光される。またレーザー光L2は、ミラー25、集光レンズ23を経由してウエーハWの内部に集光される。
レーザー光L1の集光点P1、及びレーザー光L2の集光点P2の光軸上の位置は、夫々の駆動手段26によって集光レンズ23を光軸上で微小移動させることにより独立して調整される。
レーザー発振器21から発振されるレーザー光Lは、例えば、集光点P1、P2におけるピークパワー密度が1×108 ( W/c m2 )以上でかつパルス幅が1μs以下の条件で、ダイシングシートに対して透過性を有するレーザー光が用いられる。
ダイシングシートに対して透過性を有するレーザー光を用いるのは、例えば、ダイシングシートが貼付されたウェーハWの裏面側からレーザー光を照射する場合等の変形例にも対応できるからである。
ダイシング装置10はこの他に、図示しないウエーハカセットエレベータ、ウエーハ搬送手段、操作板、及び表示灯等から構成されている。
ウエーハカセットエレベータは、ウエーハが格納されたカセットを上下移動して搬送位置に位置決めする。搬送手段はカセットと吸着ステージ13との間でウエーハを搬送する。
操作板には、ダイシング装置10の各部を操作するスイッチ類や表示装置が取付けられている。表示灯は、ダイシング装置10の加工中、加工終了、非常停止等の稼動状況を表示する。
図2は、集光レンズ23をその光軸上で微小移動する駆動手段26の細部を説明する概念図である。駆動手段26は、集光レンズ23を保持するレンズフレーム26A、レンズフレーム26Aの上面に取り付けられレンズフレーム26Aを光軸方向に微小移動させる圧電素子26B等からなっている。
電圧印加によって伸縮する圧電素子26Bは中空の円筒形状で、上端がレーザーヘッド本体20Aに固定され、下端で集光レンズ23を保持するレンズフレーム26Aと接合されている。この圧電素子の伸縮によって集光レンズ23、23が光軸方向に微小送りされて、レーザー光L1及びL2の集光点P1及びP2の光軸方向位置が夫々独立して精密に位置決めされるようになっている。
図3は、レーザーヘッド20内のレーザー光L1とレーザー光L2との位置関係を表わす平面図である。図3(a)は、レーザー光L1とレーザー光L2とを図のX方向の一直線上に配置した状態を示し、図3(b)は、レーザーヘッド20を回転させて、レーザー光L1とレーザー光L2とのY方向距離を所定距離に設定したを状態を表わしている。また、図3(C)は、レーザーヘッド20を更に回転させて、レーザー光L1とレーザー光L2とを図のY方向の一直線上に配置した状態を示している。
このように、レーザーヘッド20を回転させることにより、レーザー光L1とレーザー光L2とのY方向距離を、レーザー光L1とレーザー光L2とが元々有している光軸間距離以内の範囲で、所定の距離に設定することができる。
図4は、ウェーハ内部の集光点近傍に形成される改質領域を説明する概念図である。図4に示すように、ウェーハWが図の白抜き矢印方向に加工送りされると、ウェーハWの内部に入射されたレーザー光L1によって集光点P1に改質領域R1が形成され、またレーザー光L2の集光点P2に改質領域R2が形成されて、ウェーハ内部に上下2層の改質領域が僅かな時間差をもって形成される。
このようにウェーハWは内部に上下2層の改質領域R1、R2が形成されているので、厚さが厚くても改質領域R1、R2を起点として自然に、或いは僅かな外力を加えることによって改質領域R1、R2に沿って割断される。この場合、ウェーハWは表面や裏面にはチッピングが発生せずに容易にチップに分割される。
また、ウエーハWは、図5に示すように、裏面にダイシングシートSが貼られダイシング用のフレームFにマウントされているので、個々のチップに分割されても個々のチップが1個1個バラバラになることがない。
次に、本発明に係るレーザーダイシング装置10の作用について、ウエーハW内部に改質領域R1、R2を2層形成する例で説明する。ダイシングに当たって、最初に吸着ステージ13に載置されたウエーハWは、図示しないCCDカメラで表面の回路パターンやアライメントマークが撮影され、画像処理装置を有するアライメント手段によってアライメントされる。
次に、レーザー発振器21からレーザー光Lが出射される。レーザー光Lはハーフミラー24によってレーザー光L1とレーザー光L2との2つの光路に分光され、レーザー光L1は集光レンズ23等の光学系を経由してウェーハWの上面に照射され、レーザー光L2はミラー25、集光レンズ23等の光学系を経由してウェーハWの上面に照射される。
なお、レーザー光L1とレーザー光L2とは、図6に示すように、X方向の同一直線上に配置されている。
また、照射されるレーザー光L1及びL2の集光点P1及びP2のZ方向位置は、夫々の集光レンズ23を駆動手段26で位置調整することによって、ウェーハ内部の所定位置に夫々独立して正確に設定される。
この状態でXYテーブル12がダイシング方向であるX方向に加工送りされる。これによりウェーハ内部に多光子吸収による2層の改質領域R1、及びR2が同時に1ライン形成される。
1ラインのレーザーダイシングが行われると、XYテーブル12がY方向に1ピッチ割り出し送りされ、次のラインも同様にレーザーダイシングされる。
全てのラインがレーザーダイシングされると、Zθテーブル15が90°回転され、先程のラインと直交するラインも同様にして全てレーザーダイシングされ、ウェーハWは個々のチップに分割されて1枚のウエーハWのレーザーダイシングが完了する。
このように、レーザー光L1及びL2によってウェーハWの内部に2層の改質領域R1、及びR2が同時形成されるため、厚いウェーハWであっても、短時間で安定して割断され、チッピング等のほとんど生じない高品質なダイシングが行われる。
なお、前述のレーザーダイシング装置10の作用についての説明では、ウエーハW内部に改質領域R1、R2を2層形成する例で説明したが、レーザー光L1又はL2のどちらか一方でウェーハWの内部に改質領域を1層形成させ、次いで形成された改質領域に他方のレーザー光を集光して照射することにより、改質領域を起点としてウエーハWをより割断し易くすることもできる。
この場合、レーザー光L1及びL2を図6に示すように、ウェーハWの1本のダイシングライン上に配置し、一方のレーザー光で改質領域を形成した後僅かな遅れで他方のレーザー光を照射し、ダイシングラインS1、S2、…と順次ダイシングすることができる。
また、図7に示すように、レーザー光L1及びL2が、ウェーハWのダイシングライン1ピッチ分離間した位置に位置付けられるように、レーザーヘッド20を回転させて配置し、レーザー光L1でウェーハWの内部に改質領域を形成させ、1ライン遅れでレーザー光L2を照射し、ダイシングラインS1、S2、…と順次ダイシングするようにしてもよい。
また、レーザー光L1で1つのダイシングラインに改質領域を形成させ、レーザー光L2で別のダイシングラインに改質領域を形成させ、2本のラインを同時に加工するようにしてもよい。
この場合は、例えば図8に示すように、レーザー光L1をウェーハWの中央部のダイシングラインS12に配置し、レーザー光L2をウェーハWの端部のダイシングラインS1に配置し、レーザー光L1でダイシングラインS12、S13、…を、レーザー光L2でダイシングラインS1、S2、…をと順次2ライン同時加工を行うようにすることができる。
また、図9に示すように、例えばレーザー光L1をダイシングラインS1に、レーザー光L2をダイシングラインS2に互いに隣り合うラインに配置し、ウェーハWのY方向インデックス量をダイシングラインのピッチの2倍に設定して、レーザー光L1でダイシングラインS1、S3、S5…を、レーザー光L2でダイシングラインS2、S4、S6…をと順次2ライン同時加工を行うようにしてもよい。
この場合ウェーハWが円形ウェーハであれば、図8の場合と比べてX方向の加工送りストロークに無駄が生じない。
また、図10に示すように、レーザー光L1とL2とを複数ライン離間したダイシングライン上に配置し、ウェーハWのY方向インデックス送りを1ピッチで複数回送り、次いで複数ピッチで1回送り、また1ピッチで複数回送り、これを繰り返して全ラインダイシングするようにしてもよい。
即ち、図10に示すように、レーザー光L1をダイシングラインS1に、レーザー光L2を3ピッチ離間したダイシングラインS4に配置する。レーザー光L1がダイシングラインS1からS2、S3へと相対的に送られ、レーザー光L2がダイシングラインS4からS5、S6へと相対的に送られる。次にレーザー光L1は4ピッチ離間したダイシングラインS7へ、レーザー光L2は4ピッチ離間したダイシングラインS10へと送られ、このように複数回の1ピッチ送りと1回の複数ピッチ送りとを繰り返す。
この場合もウェーハWが円形ウェーハであれば、図8の場合と比べてX方向の加工送りストロークの無駄が少ない。
なお、前述の実施の形態では、集光レンズ23の駆動手段26に圧電素子26Bを用いたが、本発明はこれに限らず、その他の既知のリニアアクチュエーターを用いることができる。
また、レーザー光Lを2つの光軸に分光する分光手段としてハーフミラー24を用いたが、プリズム等その他の光学部材を用いて複数の光路に分光するようにしてもよい。
本発明に係るレーザーダイシング装置の概略構成図 集光レンズの駆動手段の構成を表わす断面図 2本のレーザー光の種々の配置を表わす平面図 ウェーハ内部に2層の改質領域が形成される状態を表わす概念図 フレームにマウントされたウェーハを表わす斜視図 レーザー光の配置とインデックス送り方法を説明する平面図1 レーザー光の配置とインデックス送り方法を説明する平面図2 レーザー光の配置とインデックス送り方法を説明する平面図3 レーザー光の配置とインデックス送り方法を説明する平面図4 レーザー光の配置とインデックス送り方法を説明する平面図5
符号の説明
10…レーザーダイシング装置、20…レーザーヘッド、21…レーザー発振器、23…集光レンズ(集光手段)、24…ハーフミラー(分光手段)、26…駆動手段(集光点位置調整手段)、26B…圧電素子、30…光路回動手段、F…フレーム、L、L1、L2…レーザー光、P1、P2…集光点、R1、R2…改質領域、S…ダイシングシート、W…ウエーハ

Claims (5)

  1. ウエーハの表面からレーザー光を入射して前記ウエーハの内部に改質領域を形成し、前記ウエーハを個々のチップに分割するレーザーダイシング装置において、
    前記ウエーハに向けてレーザー光を照射するレーザーヘッドが設けられ、
    該レーザーヘッドは、
    レーザー発振器と、
    発振されたレーザー光を複数の光路に分割する分光手段と、
    分割された各光路のレーザー光を個々に集光する複数の集光手段と、を有していることを特徴とするレーザーダイシング装置。
  2. 前記分割された各光路のレーザー光を、前記ウェーハの表面と直交する軸を中心に回動させる光路回動手段が設けられていることを特徴とする、請求項1に記載のレーザーダイシング装置。
  3. 前記レーザーヘッドには、前記分割された各光路のレーザー光の光軸上における集光点の位置を個々に調節する集光点位置調節手段が設けられていることを特徴とする、請求項1又は請求項2に記載のレーザーダイシング装置。
  4. 前記集光点位置調節手段は、前記複数の集光手段を夫々の光軸上で微小移動させる駆動手段であることを特徴とする、請求項3に記載のレーザーダイシング装置。
  5. 前記駆動手段は、少なくとも1個の圧電素子を含むことを特徴とする、請求項4に記載のレーザーダイシング装置。
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Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007061855A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Seiko Epson Corp レーザ照射装置
JP2007061825A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Seiko Epson Corp レーザ照射装置、レーザスクライブ方法
JP2007125582A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Seiko Epson Corp レーザ加工装置
JP2007142000A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2007165850A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ウェハおよびウェハの分断方法
JP2007167875A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Seiko Epson Corp レーザ内部スクライブ方法
WO2008041581A1 (fr) * 2006-10-02 2008-04-10 Hamamatsu Photonics K.K. Dispositif de traitement laser
JP2008264860A (ja) * 2007-04-25 2008-11-06 Laser Job Inc レーザ加工装置及びレーザ加工方法
WO2009014307A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Eo Technics Co., Ltd. Laser processing apparatus and method using beam split
KR100887245B1 (ko) 2006-08-10 2009-03-06 주식회사 이오테크닉스 레이저 빔 분할을 이용한 레이저 가공 장치 및 방법
JP2009517219A (ja) * 2005-11-28 2009-04-30 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 45度ビーム分割配向を使用するセットビーム分割を伴うx&y二次元切削方向加工の装置および方法
WO2009102002A1 (ja) * 2008-02-15 2009-08-20 Cyber Laser Inc. レーザによる透明基板の加工方法および装置
JP2010253506A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法
JP2014213334A (ja) * 2013-04-23 2014-11-17 株式会社豊田中央研究所 クラックの生成方法、レーザによる割断方法およびクラック生成装置
JP2016513016A (ja) * 2013-02-04 2016-05-12 ニューポート コーポレーション 透明及び半透明な基板をレーザ切断する方法及び装置
JP2017069510A (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP2018018907A (ja) * 2016-07-26 2018-02-01 株式会社ディスコ デバイスウエーハの加工方法
CN109014604A (zh) * 2018-07-26 2018-12-18 大族激光科技产业集团股份有限公司 分光切割装置及其载料工作台
JPWO2019044588A1 (ja) * 2017-09-04 2020-10-15 リンテック株式会社 薄型化板状部材の製造方法、及び薄型化板状部材の製造装置
CN112872610A (zh) * 2021-01-28 2021-06-01 常州大学 一种基于激光制作沟槽mosfet的方法与装置
WO2022265046A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

Cited By (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007061825A (ja) * 2005-08-29 2007-03-15 Seiko Epson Corp レーザ照射装置、レーザスクライブ方法
JP4736633B2 (ja) * 2005-08-31 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 レーザ照射装置
JP2007061855A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Seiko Epson Corp レーザ照射装置
JP2007125582A (ja) * 2005-11-04 2007-05-24 Seiko Epson Corp レーザ加工装置
JP2007142000A (ja) * 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
JP2007165850A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ウェハおよびウェハの分断方法
JP2009517219A (ja) * 2005-11-28 2009-04-30 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 45度ビーム分割配向を使用するセットビーム分割を伴うx&y二次元切削方向加工の装置および方法
JP2007167875A (ja) * 2005-12-20 2007-07-05 Seiko Epson Corp レーザ内部スクライブ方法
KR100887245B1 (ko) 2006-08-10 2009-03-06 주식회사 이오테크닉스 레이저 빔 분할을 이용한 레이저 가공 장치 및 방법
JP2008087027A (ja) * 2006-10-02 2008-04-17 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工装置
KR101455412B1 (ko) * 2006-10-02 2014-11-04 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 레이저 가공장치
US8610028B2 (en) 2006-10-02 2013-12-17 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing device
WO2008041581A1 (fr) * 2006-10-02 2008-04-10 Hamamatsu Photonics K.K. Dispositif de traitement laser
JP2008264860A (ja) * 2007-04-25 2008-11-06 Laser Job Inc レーザ加工装置及びレーザ加工方法
US8329560B2 (en) 2007-07-24 2012-12-11 Eo Technics Co., Ltd. Laser processing apparatus and method using beam split
CN101795808B (zh) * 2007-07-24 2013-09-18 Eo技术有限公司 使用光束分割的激光处理设备和方法
WO2009014307A1 (en) * 2007-07-24 2009-01-29 Eo Technics Co., Ltd. Laser processing apparatus and method using beam split
WO2009102002A1 (ja) * 2008-02-15 2009-08-20 Cyber Laser Inc. レーザによる透明基板の加工方法および装置
JP2010253506A (ja) * 2009-04-24 2010-11-11 Hitachi High-Technologies Corp レーザ加工方法、レーザ加工装置及びソーラパネル製造方法
JP2019064916A (ja) * 2013-02-04 2019-04-25 ニューポート コーポレーション 透明及び半透明な基板をレーザ切断する方法及び装置
JP2016513016A (ja) * 2013-02-04 2016-05-12 ニューポート コーポレーション 透明及び半透明な基板をレーザ切断する方法及び装置
JP2014213334A (ja) * 2013-04-23 2014-11-17 株式会社豊田中央研究所 クラックの生成方法、レーザによる割断方法およびクラック生成装置
JP2017069510A (ja) * 2015-10-02 2017-04-06 日亜化学工業株式会社 半導体素子の製造方法
JP2018018907A (ja) * 2016-07-26 2018-02-01 株式会社ディスコ デバイスウエーハの加工方法
JPWO2019044588A1 (ja) * 2017-09-04 2020-10-15 リンテック株式会社 薄型化板状部材の製造方法、及び薄型化板状部材の製造装置
CN109014604A (zh) * 2018-07-26 2018-12-18 大族激光科技产业集团股份有限公司 分光切割装置及其载料工作台
CN112872610A (zh) * 2021-01-28 2021-06-01 常州大学 一种基于激光制作沟槽mosfet的方法与装置
CN112872610B (zh) * 2021-01-28 2022-12-13 常州大学 一种基于激光制作沟槽mosfet的方法与装置
WO2022265046A1 (ja) * 2021-06-18 2022-12-22 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法

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