JPH09260310A

JPH09260310A - 電子回路装置の製造方法

Info

Publication number: JPH09260310A
Application number: JP8065841A
Authority: JP
Inventors: Takeoki Miyauchi; 建興宮内; Mikio Hongo; 幹雄本郷; Katsuro Mizukoshi; 克郎水越; Atsukimi Takada; 敦仁高田; Mitsuko Imatake; 美津子今武; Takashi Matsumoto; 隆松本; Shinichi Wai; 伸一和井
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1996-03-22
Filing date: 1996-03-22
Publication date: 1997-10-03
Anticipated expiration: 2016-03-22
Also published as: JP3660741B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本課題は、回路パターンが形成されたウエハの
割断線に沿ってレーザ光を照射して割断する際に、終端
においてはねが生じるのを防止するように割断して電子
回路装置を製造するようにした電子回路装置の製造方法
を提供することにある。【解決手段】本発明は、終端においてはねが発生しない
ように回路パターンが形成されたウエハにおけるスクラ
イブ領域に対して予め熱応力集中が誘起されるようにし
ておいてこのスクライブ領域に沿ってレーザ光を走査照
射して割断して電子回路装置を製造することを特徴とす
る電子回路装置の製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス等
の電子回路装置を製造するために電子回路パターンを形
成したシリコンウエハ等の基板を割断して半導体デバイ
ス等の電子回路装置を製造するための電子回路装置の製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】例えば、レーザによる割断技術は、局所
的に加熱することによって生じる熱応力を利用して亀裂
を進展させて切断するもので、無発塵で、ドロス・クラ
ックがなく、かつ切り代がないという利点がある。従来
のレーザによる割断方法としては、特開平４−３７４９
２号公報（第１の従来技術）、特開平４−１６７９８５
号公報（第２の従来技術）、特開平６−３９５７２号公
報（第３の従来技術）が知られている。この第１の従来
技術には、半導体材料等の脆性材料にパルス発振のレー
ザ光を照射して熱応力によって微小亀裂を発生させ、こ
の微小亀裂を連続発振のレーザ光を照射して所定方向に
誘導して脆性材料を割断する方法が記載されている。ま
た第２の従来技術には、割断予定線に沿って熱膨張係
数、じん性、熱容量若しくはレーザビームの吸収係数の
うち少なくとも一つの物性が異なる材質で層を形成し、
その上をレーザ光で走査して割断する方法が記載されて
いる。また第３の従来技術には、回転ミラーを用いてレ
ーザ光を多数回走査させて割断する方法が記載されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記何れの従来技術に
おいても、割断の終端において熱応力が逃げてしまいこ
とによって発生するはねを無くそうとすることについて
考慮されていない。またダイザーによる切断において
は、ウエハのスクライブ領域が無くなってしまうが、レ
ーザ光照射による割断においては割断によって残ってし
まうという課題を有していた。

【０００４】本発明の目的は、回路パターンが形成され
たウエハ等の割断線に沿ってレーザ光を照射して割断す
る際に、終端においてはねが生じるのを防止するように
割断して電子回路装置を製造するようにした電子回路装
置の製造方法を提供することにある。また本発明の他の
目的は、回路パターンが形成されたウエハ等においてス
クライブ領域を除去するように割断して電子回路装置を
製造するようにした電子回路装置の製造方法を提供する
ことにある。また本発明の他の目的は、所望のチップを
レーザ光照射による割断によって取り除き、新たなチッ
プと交換可能にして、全てのチップにおける電子回路が
正常に動作する基板スケールの電子回路装置を製造する
ことができるようにした電子回路装置の製造方法を提供
することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明は、回路パターン
が形成されたウエハにおけるスクライブ領域に対して予
め残留応力を付与するか、微小溝を形成するか、溶融再
凝固さっせるか等の加工を施して熱応力集中が誘起され
るようにしておいてる母子ょうこのスクライブ領域に沿
ってレーザ光を走査照射して終端においてはねが発生し
ないように割断して電子回路装置を製造することを特徴
とする電子回路装置の製造方法である。また本発明は、
回路パターンが形成されたウエハにおけるスクライブ領
域に対して残留応力を付与して熱応力集中が誘起される
ようにしながらこのスクライブ領域に沿ってレーザ光を
走査照射して終端においてはねが発生しないように割断
して電子回路装置を製造することを特徴とする電子回路
装置の製造方法である。また本発明は、回路パターンが
形成されたウエハにおけるスクライブ領域の幅に沿って
平行な二つの線に対して予め残留応力を付与するか、微
小溝を形成するか、溶融再凝固さっせるか等の加工を施
して熱応力集中が誘起されるようにしておいてこのスク
ライブ領域に沿ってレーザ光を走査照射してスクライブ
領域の幅の両端においてスクライブ領域を取り除けるよ
うに割断して電子回路装置を製造することを特徴とする
電子回路装置の製造方法である。また本発明は、割断さ
れる材料のレーザ光に対する反射率を測定し、この測定
された反射率に応じて実効レーザ入力（割断部へ照射入
力される実効レーザ光）を制御して割断を行うことを特
徴とする電子回路装置の製造方法である。なお、この発
明は、ウエハの割断に限るものではなく、セラミック基
板の割断にも適用することが可能である。

【０００６】また本発明は、複数のチップで構成された
電子回路装置において、所望のチップをレーザ光の照射
による割断して切り抜き、新たなチップと交換すること
を特徴とする電子回路装置の製造方法である。また本発
明は、複数のチップで構成された電子回路装置におい
て、所望のチップをレーザ光の照射によって割断して切
り抜き、新たなチップと交換して実装することを特徴と
する電子回路装置の製造方法である。また本発明は、前
記電子回路装置の製造方法において、前記新たなチップ
の実装を、レーザ光照射による融着によって行うことを
特徴とする。

【０００７】

【発明の実施の形態】本発明に係る実施の形態につい
て、図面を用いて説明する。まず、本発明に係る応力を
付与した状態でレーザ光を照射して終端においてはねが
発生しないように割断する方法について説明する。図１
（ａ）には、回路パターンが形成されたシリコンウエハ
を示す。１は回路パターンが形成されたシリコンウエハ
である。２は各チップを示す。３はＴＥＧパターン等が
形成された１５０μｍ程度の幅を有するスクライブ領域
を示す。ところで、ウエハの切断においては、ダイサー
による切断と同様に、スクライブ領域を取り除くことが
必要である。またウエハの切断においては、ダイサーに
よる切断と同様にスクライブ領域に沿って縦横十文字に
切断することが必要である。ところが例えば最初に縦方
向についてスクライブ領域にレーザ光を照射して局部的
に加熱することによって生じる熱応力を利用して亀裂を
進展させていって帯状に割断し、次に横方向については
既に縦方向については割断されている関係で、矢印５で
示す方向にレーザ光を走査した場合始端と終端が繰り返
されることになり、特に終端においては熱応力が逃げて
しまう関係で図１（ｂ）に示すようなはね４が生じるこ
とになる。もし、このはね４が生じてしまうのであれ
ば、ダイサー切断と同様なチップが得られなく、実用化
は不可能となる。

【０００８】そこで、本発明は、レーザ光照射による割
断の前に、図２（ａ）に示すように高精度にスクライブ
領域３の幅の両端線に予備残留応力線（熱応力集中が誘
起されるものであればよい。微小溝、溶融再凝固による
微小変質、力を加えた微小変形等）２１を回路パターン
が形成されたウエハの表面１ａまたは裏面１ｂに付与す
るか、図２（ｂ）に示すように高精度にスクライブ領域
３の幅の一端線に予備残留応力線２２を回路パターンが
形成されたウエハの表面１ａに、他端線に予備残留応力
線２３をウエハの裏面１ｂに付与するか、図２（ｃ）に
示すように高精度にスクライブ領域の幅の両端線に予備
残留応力線（熱応力集中が誘起されるものであればよ
い。微小溝、溶融再凝固による微小変質、力を加えた微
小変形等）２１，２４を回路パターンが形成されたウエ
ハの表面１ａおよび裏面１ｂに付与する。図３は、本発
明に係るレーザ光照射による割断の原理を示す図であ
る。即ち図３には、表面に回路パターンが形成されたシ
リコンウエハ１の表面１ａまたは裏面１ｂのスクライブ
領域３の両端を帯状に割断する状態を示す。表面に回路
パターンが形成されたシリコンウエハ１の表面１ａまた
は裏面１ｂのスクライブ領域３の幅の両端線に予備応力
線２１が付与されたところへＹＡＧレーザまたはＣＯ₂
ガスレーザ３１を集光レンズ３２で０．５〜３ｍｍ程度
に集光させて走査照射して局部的に加熱することによっ
て生じる熱応力を利用して亀裂を進展させていって帯状
に割断する。これによってスクライブ領域３の両端が予
備応力線２１に沿って点線で示すように割断されて除去
することができる。

【０００９】図４は、予備応力線を形成する機構を備え
たレーザ光照射によるシリコンウエハ等の割断装置の概
略構成を示す。即ち、表面に回路パターンが形成された
シリコンウエハ１の裏面は、少なくとも各チップ毎に真
空吸着するように構成された真空吸着テーブル４１に吸
着される。４２はＹＡＧレーザまたはＣＯ₂ガスレーザ
３１のレーザ光源である。レンズ４３および４４は、ビ
ーム経拡大光学系である。４５はハーフミラーである。
４６は可変アパーチヤで構成されたレーザ光３１を整形
する整形光学系である。４７はミラーである。４８は結
像レンズ、４９はＴＶカメラである。レーザ光源４２か
ら出射されたレーザ光（パルスレーザ光であっても良
い。）は、ビーム径拡大光学系４３、４４によりビーム
径が拡大され、ハーフミラー４５で反射されて整形光学
系４６により所望の形状に整形され、集光レンズ３２に
より集光されてスクライブ領域３に走査照射される。Ｔ
Ｖカメラ４９は、スクライブ領域３に照射されたレーザ
光の反射光を、ハーフミラー４５を通してミラー４７で
反射して、結像レンズ４８で結像させて検出して、割断
面（主としてスクライブ領域面）のレーザ反射率を測定
するものである。即ち、図７に示すように、ステップ９
１においてＴＶカメラ４９はＳｉウエハの割断面のレー
ザ反射率を測定し、ステップ９２において制御装置６２
はレーザ光源４２の出力を調整（制御）したり、整形光
学系４６の整形量を駆動手段６３により調整（制御）し
たり、ウエハ１に対する集光レンズ３２の上下位置を駆
動手段６４により調整（制御）したりして、スクライブ
領域に入力されるレーザ照射パワーが実効最適割断入力
となるように制御する。その後ステップ９３においてレ
ーザ照射による付与された予備応力線に沿って割断が行
われる。スクライブ領域３において表面にはＳｉＮ膜や
ＳｉＯ₂膜が存在し、無反射作用やミラー作用を有する
ため、スクライブ領域からのレーザ光３１による反射率
を測定して、スクライブ領域に入力されるレーザ照射パ
ワーが実効最適割断入力となるように制御する必要が有
る。このようにスクライブ領域に入力されるレーザ照射
パワーを実効的に最適割断入力とすることにより、予備
応力線に沿った割断を実行することができる。なお、上
記に説明したように割断される材料のレーザ光に対する
反射率を測定し、この測定した反射率に応じて割断に用
いるレーザ照射パワーを実効最適割断入力となるように
制御して割断する電子回路装置の製造方法は、ウエハの
割断はもとより、セラミック基板の割断にも適用するこ
とができることは明らかである。

【００１０】上記実施の形態では、制御装置６３は、レ
ーザ光源４２の出力を調整（制御）するように構成した
が、光透過率可変光学系をレーザ径拡大光学系４３、４
４の中に設置してこの光透過率可変光学系を調整（制
御）することによりレーザ照射パワー（密度と時間の積
によって示される。）を制御しても良い。５０は予備応
力線を付与する機構であり、加圧装置５１と、加圧装置
５１に加圧され、先に加圧端子ボール５３を付けた棒部
材５２とによって構成される。５４はスクライブ領域３
の幅の両端の位置を光学的に検出する光学顕微鏡であ
り、光源５５と、集光レンズ５６と、ハーフミラー５７
と、対物レンズ５８と、結像レンズ５９と、ＴＶカメラ
（リニアセンサでも良い。）６０とで構成される。これ
ら予備応力線を付与する機構５０および光学顕微鏡５４
は、レーザ光照射光学系６５に対してｘ，ｙ軸方向に微
調整できるように微動テーブル（図示せず）に設置して
も良い。

【００１１】まず、表面に回路パターンが形成されたシ
リコンウエハ１の裏面１ｂを、少なくとも各チップ毎に
真空吸着するように構成された真空吸着テーブル４１に
吸着させる。次に光学顕微鏡５４は、シリコンウエハ１
の表面に形成されたスクライブ領域の光学像をＴＶカメ
ラ６０で撮像し、制御装置６２はＴＶカメラ６０で撮像
されたスクライブ領域の光学画像信号に基づいて真空吸
着テーブル４１を載置したＸ，Ｙ，θステージ６７の駆
動系６６を駆動制御して、加圧端子ボール（例えばダイ
ヤモンド微小ボール）５３の位置が図１（ａ）に示すス
クライブ領域の幅の端線に位置付ける。次に制御装置６
２は、加圧装置５１に対する加圧駆動信号を送信して加
圧装置５１が加圧端子ボール５３に対して加圧を加えな
がら、Ｘ，Ｙ，θステージ６７の駆動系６６を駆動制御
して加圧端子ボール５３の位置が図１（ａ）に示すスク
ライブ領域３の端線に沿って移動するようにＸ，Ｙ，θ
ステージ６７を走行させる。このことをスクライブ領域
全てに亘って、縦、横にＸ，Ｙ，θステージ６７を走行
させることによって、加圧端子ボール５３の転がりによ
ってシリコンウエハ１の表面のスクライブ領域の全てに
亘って２１で示される予備応力線（熱応力集中が誘起さ
れる線）が形成される。この予備応力線２１を形成する
際、切り屑が発生しないようにすることが望まれるが、
もし僅かな微粒子状の切り屑が発生する場合には、上記
加圧端子ボール５３の周囲を覆う吸引ノズル６８を設け
て微粒子状の切り屑を吸引排気することが必要となる。

【００１２】次に制御装置６２は、ＴＶカメラ６０で撮
像されたスクライブ領域の光学画像信号に基づいてレー
ザ光３１の中心（光軸）がスクライブ領域３の中心線に
位置するように、真空吸着テーブル４１を載置したＸ，
Ｙ，θステージ６７の駆動系６６を駆動制御して位置決
めし、スクライブ領域に沿ってＸ，Ｙ，θステージ６７
を走行させ、制御装置６２はＴＶカメラ４９で測定され
るＳｉウエハの割断面のレーザ反射率に基づいてレーザ
光源４２の出力を調整（制御）したり、整形光学系４６
の整形量を駆動手段６３により調整（制御）したり、ウ
エハ１に対する集光レンズ３２の上下位置を駆動手段６
４により調整（制御）したりして、スクライブ領域に入
力されるレーザ照射パワーが実効最適割断入力となるよ
うに制御しながらレーザ光（パルスレーザ光でも良
い。）をスクライブ領域に照射することによる局部加熱
によって予備応力線２１に沿って亀裂を進展させて割断
が行われる。これによって、無発塵で、スクライブ領域
を取り除ける切断が可能となる。しかも割断の終端にお
いて図１（ｂ）に示すはね４の発生も防止することがで
きる。

【００１３】以上は加圧端子ボール５３の転がりによっ
て予備応力線を形成した場合について説明したが、図５
に示すように、加圧端子ボール５３の軌跡と同様に予め
スクライブ領域３の幅の両端の線に沿って溶融条件より
高く、蒸発条件より低いパワー密度のレーザ光を走査し
ながら照射して溶融再凝固させてアモルファス化させて
予備応力線７０を形成しても良い。７０は溶融再凝固に
よってアモルファス化された微小部分を示す。このよう
に、シリコンウエハ１の表面１ａまたは裏面１ｂのスク
ライブ領域３の幅の両端線に予備応力線７０が形成され
たところへＹＡＧレーザまたはＣＯ₂ガスレーザ３１を
集光レンズ３２で０．５〜３ｍｍ程度に集光させて走査
照射して局部的に加熱することによって生じる熱応力の
集中がアモルファス化された局部から誘起されて亀裂が
進展していって帯状に割断する。これによってスクライ
ブ領域３の両端が予備応力線７０に沿って点線で示すよ
うに割断されて除去することができる。なお、割断にお
けるレーザ光のパワー密度は、溶融条件より低いことは
明らかである。

【００１４】またシリコンウエハ１上に回路パターンを
形成する際のエッチング工程において、図６（ａ）に示
すように、エッチング溝（例えば溝幅が５〜１５μｍ程
度、深さが１０〜１５μｍ程度）７１をスクライブ領域
の幅の両端（エッチング溝は特にスクライブ領域が十字
に交差する部分には付与する必要が有る。）に形成する
ことによっても予め熱応力集中が誘起される応力線を付
与することができる。特にシリコンウエハに最も近い下
層配線または活性領域を形成する際にエッチング溝７１
を形成するようにした方が精度良く割断することができ
る。特に様々なテストパターンをリソ、エッチング、デ
ポジッション、イオン打ち込み等で形成するＴＥＧ加工
深さよりも深いエッチング溝等による予備加工を施して
おいた方が優れている。７２はエッチング溝が表面に現
われた形状を示す。なお、図６（ｂ）に示すように、シ
リコンウエハ１の表面１ａ側と裏面１ｂ側の両面に位置
ずれを生じることなく、エッチング溝７２、７３を形成
しても良い。この場合、表面側と裏面側とにおいて、位
置ずれを生じることなく、レジストと塗布して露光する
ことが必要となる。

【００１５】図８には、シリコンウエハ１に対して曲げ
応力を付与しながら、シリコンウエハ１を割断する方法
を示す。即ち、真空吸着チャック８１をチップ配列に対
応させて配置し、それらの真空空着チャック８１を非常
に変形しやすい薄板材８２で繋げ、各真空吸着チャック
８１を上下動させるピエゾ素子８３をベース８４上に配
置して真空吸着テーブル４１を構成する。各真空吸着チ
ャック８１は真空源（図示せず）に接続された細管８５
を接続している。そして各ピエゾ素子８３の駆動によっ
て真空空着チャック８１に吸着させたシリコンウエハ１
に対して割断線８４を中心に曲げ応力を付与し、その状
態で、レーザ光３１を集光レンズ３２で集光させること
によって走査照射して局部的に加熱することによって熱
応力の集中を割断線８４に誘起させて亀裂を起こして割
断する。図９には、シリコンウエハ１のスクライブ領域
３の幅の両端線の各々に対して表面側および裏面側から
レーザ光３１を集光レンズ３２により集光して走査照射
して局部加熱することによって、スクライブ領域３の幅
の両端線を割断する場合を示す。即ち、シリコンウエハ
１のスクライブ領域３の幅の両端線の各々に対して表面
側および裏面側からレーザ光３１を集光レンズ３２によ
り集光して走査照射して局部加熱することによって、ス
クライブ領域３の幅の両端線を割断することができ、そ
の結果各チップ２に切断し、スクライブ領域３を取り除
くことができる。

【００１６】次に本発明に係る所望のチップをレーザ光
照射による割断によって取り除き、新たなチップと交換
可能にして、全てのチップにおける電子回路が正常に動
作する基板スケールの電子回路装置を製造する方法につ
いて図１０を用いて説明する。即ち、予備応力線２１の
付与も部分的に可能であり、しかもレーザ光照射も部分
的に可能であるため、基板スケールの電子回路装置１０
０において、修正も不可能な不良のチップ１０１の周囲
に予備応力線２１を付与し、この予備応力線２１に沿っ
てレーザ光３１を集光レンズ３２で集光させて走査照射
することによって予備応力線２１に熱応力の集中を誘起
して亀裂を発生させて割断によって取り除くことができ
る。なお、亀裂が不要な方向に進展させないためにも、
角部において例えば集束イオンビーム等を照射して深い
微小な溝や穴を掘る方が好ましい。次に図１０（ｂ）に
示すように良品のチップ１０２と交換して添え板１０３
で基板１００と接合し、ワイヤボンデング等により電気
的な接続をとることによって全てのチップが良品からな
る基板スケールの電子回路装置を得ることができる。

【００１７】また図１０（ｃ）に示すように良品のチッ
プ１０２と交換してレーザ光照射による融着１０４によ
って接合し、ワイヤボンデング等により電気的な接続を
とることによって全てのチップが良品からなる基板スケ
ールの電子回路装置を得ることができる。なお、不良チ
ップの切りだしは、良品のチップを組み込むために良品
のチップの大きさよりも僅か大きくする必要がある。

【００１８】

【発明の効果】本発明によれば、回路パターンが形成さ
れたウエハ等の割断線に沿ってレーザ光を照射して割断
する際に、終端においてはねが生じるのを防止するよう
に割断して電子回路装置を製造することができる効果を
奏する。また本発明によれば、回路パターンが形成され
たウエハ等においてスクライブ領域を除去するように割
断して電子回路装置を製造することができる効果を奏す
る。また本発明によれば、所望のチップをレーザ光照射
による割断によって取り除き、新たなチップと交換可能
にして、全てのチップにおける電子回路が正常に動作す
る基板スケールの電子回路装置を製造することができる
効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る回路パターンが形成されたシリコ
ンウエハを示すと共にレーザ光照射による割断において
終端において発生するはねを示す図である。

【図２】本発明に係るレーザ光照射による割断の前に予
備応力線をシリコンウエハの表面または裏面に付与して
おくことを説明するための図である。

【図３】本発明に係るレーザ光照射による割断の原理を
示す図である。

【図４】本発明に係る予備応力線を形成する機構を備え
たレーザ光照射によるシリコンウエハ等の割断装置の概
略構成を示す図である。

【図５】本発明に係る予備応力線をレーザ光照射による
溶融再凝固によって付与する場合を説明するための図で
ある。

【図６】本発明に係る予備応力線をエッチング工程でエ
ッチング溝を形成することによって付与する場合を説明
するための図である。

【図７】本発明に係るレーザ光照射による割断の際、レ
ーザ照射パワー制御（調整）について説明するための図
である。

【図８】本発明に係る予備応力線をウエハに対して曲げ
力を印加して付与する場合を説明するための図である。

【図９】本発明に係るレーザ光照射による割断をウエハ
の両面から行う場合を示した図である。

【図１０】本発明に係る所望のチップをレーザ光照射に
よる割断によって取り除き、新たなチップと交換可能に
して、全てのチップにおける電子回路が正常に動作する
基板スケールの電子回路装置を製造する方法について説
明するための図である。

【符号の説明】

１…シリコンウエハ、１ａ…表面、１ｂ…裏面、２…チ
ップ３…スクライブ領域、４…はね、２１、２２、２３、２
４…予備応力線３１…レーザ光、３２…集光レンズ、４１…真空吸着テ
ーブル４２…レーザ光源、４３、４４…ビーム径拡大光学系、
４５…ハーフミラー４６…整形光学系、４７…ミラー、４８…結像レンズ、
４９…ＴＶカメラ５０…予備応力線を付与する機構、５１…加圧装置、５
２…棒部材５３…加圧端子ボール、５４…光学顕微鏡、６０…ＴＶ
カメラ６２…制御装置、６５…レーザ光照射光学系、６７…
Ｘ，Ｙ，θテーブル７０…予備応力線（溶融再凝固）、７１…エッチング溝１００…基板スケールの電子回路装置、１０１…不良の
チップ１０２…良品のチップ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者高田敦仁神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者今武美津子神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者松本隆神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内 (72)発明者和井伸一神奈川県秦野市堀山下１番地株式会社日立製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】終端においてはねが発生しないように回路
パターンが形成されたウエハにおけるスクライブ領域に
対して予め熱応力集中が誘起されるようにしておいてこ
のスクライブ領域に沿ってレーザ光を走査照射して割断
して電子回路装置を製造することを特徴とする電子回路
装置の製造方法。
【請求項２】終端においてはねが発生しないように回路
パターンが形成されたウエハにおけるスクライブ領域に
対して熱応力集中が誘起されるようにしながらこのスク
ライブ領域に沿ってレーザ光を走査照射して割断して電
子回路装置を製造することを特徴とする電子回路装置の
製造方法。
【請求項３】回路パターンが形成されたウエハにおける
スクライブ領域の幅に沿って平行な二つの線に対して予
め熱応力集中が誘起されるようにしておいてこのスクラ
イブ領域に沿ってレーザ光を走査照射してスクライブ領
域の幅の両端においてスクライブ領域を取り除けるよう
に割断して電子回路装置を製造することを特徴とする電
子回路装置の製造方法。
【請求項４】割断される材料のレーザ光に対する反射率
を測定し、この測定された反射率に応じて実効レーザ入
力を制御して割断を行うことを特徴とする電子回路装置
の製造方法。
【請求項５】複数のチップで構成された電子回路装置に
おいて、所望のチップをレーザ光の照射によって割断し
て切り抜き、新たなチップと交換することを特徴とする
電子回路装置の製造方法。
【請求項６】複数のチップで構成された電子回路装置に
おいて、所望のチップをレーザ光の照射によって割断し
て切り抜き、新たなチップと交換して実装することを特
徴とする電子回路装置の製造方法。
【請求項７】前記新たなチップの実装を、レーザ光照射
による融着によって行うことを特徴とする請求項６記載
の電子回路装置の製造方法。