JP2009504432A - 先に作られたトレースを用いてレーザービームにより脆い平坦部材を裂く方法 - Google Patents

先に作られたトレースを用いてレーザービームにより脆い平坦部材を裂く方法 Download PDF

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Abstract

本発明は、例えばガラス、セラミック、シリコン、ガリウムヒ素又はサファイアなどの脆い平坦部材を裂く方法であって、平坦部材がレーザーにより溶融温度以下で所望の分割線に沿って加熱され、次いでクーラントジェットで衝撃を与えられ、熱誘起された機械的応力差により部材分離がなされる方法に関する。トレースが分割線に沿って平坦部材において先に作られ、それで平坦部材は未処理部材よりもトレースに沿う小さい破壊応力を有し、レーザーによる分離がこれらのトレースに沿って行なわれる。

Description

所望の分割線に沿う切込み(ノッチ)を作り、次いで分割線に沿って破壊力を機械的力に従順に作ることで、ガラス、サファイア、シリコン、ガリウムヒ素又はセラミックなどの脆い平坦部材を裂き、当該平坦部材を完全に分離することは、既に知られている。
このようにして平坦部材を裂くために、切込みの深さは平坦部材の厚さの少なくとも3分の1でなければならない。切込みは機械により又はレーザーを用いて作られる。特にサブストレート(ウェハ)からチップをダイシングするために、アブレーションにより部材に切込みを創出するレーザー方法が益々使用されている。一般的に切込みは数μmの幅しかなく、平坦部材の厚さのほぼ3分の1の深さを有する。切込み深さは、その脆性に依存して、平坦部材の厚さ全体に比例して作られる。除去される部材が処理される部材の微視的な汚染に寄与することは望ましくない。切込み幅と切込み深さのアスペクト比はこれらのレーザープロセスにとって重大であるので、複雑な装置が必要になり、切込みは比較的ゆっくり作られる。よって、厚いウェハのための深い切込みは益々長いプロセス時間を要している。
このような方法は例えば特許文献1,2に開示されている。切込みの製造後、ウェハは機械的な(インパルス)エネルギー又は力を加えることで、例えば引張力(フィルムの伸張)、曲げ力(リッジを越えた破壊)又はこれらの組み合わせにより、完全に裂かれる。
破壊力の機械による付加は幾何学形状的に比較的不正確である。ゆえに、破壊線が部材の厚さに垂直に延びない場合又は一点で交差する2つの破壊線が意図した角度で互いに合わない場合、裂け目の欠陥が生じうる。特にチップ製造では、このような破断の欠陥は生産量の減少に繋がるため、避けなければならない。加えて、部材粒子が割れ、平坦部材の表面の巨視的汚染が生じる。
例えば、上述した切込みの形式の部材除去による平坦部材の切断に代えて、機械的に誘起される初期クラックを作り、次いでこれが熱誘起される機械的応力により平坦部材に広がっていく公知の方法がある。この方法(熱レーザー分離(TLS))は特許文献3に記載されている。これは、特に、複数の平行なストリップに分割された平坦部材が例えば第1の分割方向と垂直な第2の方向に裂かれ、ウェハのダイシングにおいて個々の長方形、個々のチップにされる場合に不利である。それぞれの分割線の始めに新たな初期クラックが第1の分割方向に作られなければならないので、このプロセスは非常に時間がかかり、刻み目を入れる機械装置は非常に磨耗を受けやすい。
US2005153525 US2004228004 WO93/20015
本発明の目的は、脆い平坦部材が複数の単一のコンポーネントに分離される方法、特に良好な時間効率と高いエッジクオリティでウェハをダイシングしチップにする方法を見出すことである。
この問題は請求項1に記載の方法により解決される。
有利な実施形態は従属請求項に記載されている。
1つの実施形態を図面に基づいて説明する。
ウェハのダイシングのための本発明を以下に説明するが、これに限定されず、むしろいかなる砕けやすい平坦部材の切断にも応用できる。
複数のx分割線2(X方向に延びる分割線)と複数のy分割線3(Y方向に延びる分割線)からなる意図した分割線が図1で示されたウェハ1に示されている。ウェハ(このケースではサファイアウェハ)のダイシングのために、トレースが先ずx分割線2に沿って作られ、次いでy分割線3に沿って作られる。本発明によれば、トレースは平坦部材の部材除去(material removal)又は部材変形(material modification)により作られる。どちらの場合でも、トレースに沿う平坦部材の重大な破壊応力は、未処理の部材に比べて低くなる。部材除去の場合、分離すべき部材の厚さは切込み深さに従いさらに減少する。
当該方法は、平坦部材における応力条件が分割線に沿って変化する場合でも、平坦部材の厚さが変化する場合でも適用できる。分割クラックは、このような部材における位置の差と無関係に部材の分割を常に確実にもたらすので、切込み又は部材変形は分割線にわたって幾何学形状、特に深さの点で局所的に変更できる。
トレースは、実際の分離プロセスの直前、又はウェハの他の処理プロセスの前若しくは間に作られる。
第1実施形態では、トレースは第1レーザー放射6による部材除去により作られる(図2)。このために、例えばウェハ1の上面に向けられたUVレーザーからのレーザー放射6はそれぞれの分離方向に案内される。発達中の切込み4は2〜5μmの幅、3〜10μmの深さを有する。切断速度は50〜70mm/sの範囲にある。320*320μmのチップサイズによって、2’’ウェハにほぼ300のこれらの分割線、150のx分割線と150のy分割線がある。切込みの深さは従来技術における方法より明らかに小さく、例えば部材厚さの10分の1以下に選択することができる。TLS法を用いて特許文献3に示された機械スコアリングに比べて、本発明の方法の速度は明らかに速い。x分割線、y分割線に沿う全ての切込み4の作成後、切込みの頂点から始まり、熱誘起された機械的応力差が切込み4で作られる。これにより平坦部材は分離クラック5に沿って割れる。この応力差は、第2レーザー放射7、例えばCOレーザーを切込み4に沿って案内し(図3)(熱誘起された圧縮応力)、その後例えば水と空気の混合物(エアロゾル)によるクーラントジェット又は冷却ガスによって(熱誘起された引張応力)、誘起される。このプロセスは部材に対して300〜400mm/sの速度で行なわれる。
第1レーザー放射6、第2レーザー放射7のためのレーザー及びそれらの処理パラメータの選択は部材に依存する。第1レーザー放射6のためのレーザー及びその際作用する処理パラメータ(特に、レーザーパワー、パルスデューティ比、相対移動の速度)は、衝突領域内の部材が除去され、例えば溶解又は蒸発により押しのけられるように選択されるのに対し、第2レーザー放射7のためのレーザー及びその際作用する処理パラメータは、部材が全ての臨界破壊閾値以下でのみ温められるように選択される。様々なレーザー又は単一のレーザーが使用される。部材で異なって吸収される様々な波長を有するレーザーを使用して、又は時間若しくは空間エネルギー分布を変調して、例えばビーム形状、放射スポットの放射強度分布を変更して、又はレーザーパワーもしくはパルスデューティを変更して、様々な加熱が行なわれる。レーザーにより切込みが作られ、次いで部材が機械により裂かれる公知の方法と比較して、熱負荷はかなり小さく維持される。次に分離クラックが熱誘起された機械的応力で作られても、切込み4はより浅く維持され、侵食はほとんど起こらないからである。さらには、成長中の分離エッジはより滑らかで、割れ目欠陥は最小化される。徹底的に減らされた切込み深さにより粒子の開放が顕著に減少する。利用可能な手段を用いて他の製造ステップにおいて切込みを作ることができないとき、レーザーによるノッチングは特に有利である。
第2実施形態ではトレースは、半導体産業におけるフロントエンド処理で慣習的なエッチング技術、例えばウェットケミカルエッチングやプラズマエッチングにより作られる切込みである。やはり、TLSプロセスのために数μmの最小切込み深さしか必要としないので、操作・プロセスステップにおいてウェハが未熟なまま破壊される恐れはない。切込み4の幾何学形状は、これらが実質的により険しい切込みフランクとより広い切込み谷を有する点でレーザー6で作られたものと異なる。5〜10μmの所望の切込み深さのためには、切込みの幅は2〜3.5μmである。次いで、このようにして作られた切込みを有する平坦部材は、第1実施形態と同様にレーザー7で裂かれる。
原則的に、切込みが調製される態様は重大でないが、平坦部材を通るクラックを切込みの谷から突出させるために、この切込みが分割線に沿って創出されることは重要である。第3実施形態は、切込み4の形式の部材除去でなく、分割線に沿った部材変形によってトレースが作られる点でここまで説明した実施形態とは異なる。従って、部材構造はエネルギー入力により変更でき、又はイオン注入によりドープされ、局所的に部材特性を故意に変更し、トレースに沿う臨界破壊応力を減少できる。
平面図におけるウェハである。 トレース(この場合、切込み)の製造後の図1におけるウェハの側面図である。 分離クラック製造後の図1におけるウェハの側面図である。
符号の説明
1 ウェハ
2 x分割線
3 y分割線
4 切込み
5 分離クラック
6 第1レーザー放射
7 第2レーザー放射

Claims (7)

  1. 例えばガラス、セラミック、シリコン、ガリウムヒ素又はサファイアなどの脆い平坦部材を裂く方法であって、
    平坦部材がレーザーにより溶融温度以下で所望の分割線に沿って加熱され、次いでクーラントジェットで衝撃を与えられ、熱誘起された機械的応力差により部材分離がなされる方法において、
    トレースが分割線に沿って平坦部材において先に作られ、それで平坦部材は未処理部材よりもトレースに沿って小さい破壊応力を有し、レーザーによる分離がこれらのトレースに沿って行なわれることを特徴とする方法。
  2. トレースは部材除去により切込みの形式で作られることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  3. 部材除去はレーザーにより行われることを特徴とする請求項2に記載の方法。
  4. 部材除去は、部材分離が実行されるのと同じレーザーにより行なわれることを特徴とする請求項3に記載の方法。
  5. 部材除去はプラズマエッチングにより行われることを特徴とする請求項2に記載の方法。
  6. トレースは部材変形により作られ、トレースに沿う臨界破壊応力が減少されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
  7. 分割線に沿う平坦部材の応力と部材厚さの差を補償するために、トレースの幾何学形状、特に深さが分割線に沿って局所的に変更されることを特徴とする請求項2又は6に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014069237A (ja) * 2012-10-02 2014-04-21 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd パターン付き基板の加工方法
JP2015167968A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社ディスコ レーザー加工方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101130702B1 (ko) * 2009-08-17 2012-04-02 한양대학교 산학협력단 열응력을 이용한 유리판 절단장치 및 유리판 절단방법
JP2011156582A (ja) * 2010-02-03 2011-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd Co2レーザによる分割方法
TWI494284B (zh) * 2010-03-19 2015-08-01 Corning Inc 強化玻璃之機械劃割及分離
US9296066B2 (en) 2010-07-12 2016-03-29 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of material processing by laser filamentation
US8864005B2 (en) 2010-07-16 2014-10-21 Corning Incorporated Methods for scribing and separating strengthened glass substrates
DE102010032029B4 (de) * 2010-07-21 2012-09-13 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Trennen einer runden Planplatte aus sprödbrüchigem Material in mehrere rechteckige Einzelplatten mittels Laser
DE102011012275A1 (de) * 2011-02-24 2012-08-30 Ritek Corp. Verfahren zum Schneiden eines Solarzellenpanels und Ausrüstung dafür
US10351460B2 (en) 2012-05-22 2019-07-16 Corning Incorporated Methods of separating strengthened glass sheets by mechanical scribing
US9404198B2 (en) * 2012-07-30 2016-08-02 Rayton Solar Inc. Processes and apparatuses for manufacturing wafers
US9499921B2 (en) 2012-07-30 2016-11-22 Rayton Solar Inc. Float zone silicon wafer manufacturing system and related process
US20170092463A1 (en) * 2012-07-30 2017-03-30 Rayton Solar Inc. Wafer manufacturing system and related process
JP6054234B2 (ja) * 2013-04-22 2016-12-27 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
EP3024616B1 (de) 2013-07-23 2019-04-10 3D-Micromac AG Verfahren und vorrichtung zur trennung eines flachen werkstücks in mehrere teilstücke
DE102013016682A1 (de) 2013-10-08 2015-04-09 Siltectra Gmbh Erzeugung einer Rissauslösestelle oder einer Rissführung zum verbesserten Abspalten einer Festkörperschicht von einem Festkörper
EP2990172A1 (de) 2014-08-26 2016-03-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zum Teilen von plattenförmigen Objekten aus spröden Werkstoffen
TWI543834B (zh) 2015-04-24 2016-08-01 納諾股份有限公司 脆性物件切斷裝置及其切斷方法
US11420894B2 (en) 2015-04-24 2022-08-23 Nanoplus Ltd. Brittle object cutting apparatus and cutting method thereof
DE102015118042A1 (de) 2015-10-22 2017-04-27 Nexwafe Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Halbleiterschicht
DE102017219256A1 (de) 2017-10-26 2019-05-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und Vorrichtung zur Trennung eines flachen Werkstücks ohne Partikelablagerungen
EP3695944B1 (de) 2019-02-12 2024-04-24 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren und vorrichtung zum teilen von plattenförmigen objekten aus spröden werkstoffen
EP3839107A1 (de) 2019-12-18 2021-06-23 Siltronic AG Verfahren zur bestimmung von defektdichten in halbleiterscheiben aus einkristallinem silizium
DE102021121684A1 (de) 2021-08-20 2023-02-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein Verfahren zum Vereinzeln von Halbleiterbauelementen

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0532428A (ja) * 1991-07-30 1993-02-09 Hoya Corp ガラス加工方法及びその装置
JPH09260310A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Hitachi Ltd 電子回路装置の製造方法
JP2002134451A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003002676A (ja) * 2001-06-19 2003-01-08 Seiko Epson Corp 基板の分割方法及び液晶装置の製造方法
JP2003321234A (ja) * 2000-12-01 2003-11-11 Lg Electronics Inc ガラス切断方法および装置
JP2004035315A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性材料基板の分断方法および脆性材料基板分断装置
JP2004223796A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Kyoto Seisakusho Co Ltd 脆性材料の割断加工方法
JP2005022136A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd 脆性材料の切断方法と切断装置

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE805694A (fr) * 1972-10-12 1974-04-05 Glaverbel Procede et dispositif pour decouper un materiau vitreux ou vitrocristallin
JP3027864B2 (ja) * 1991-04-02 2000-04-04 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
ATE233433T1 (de) * 1991-12-09 2003-03-15 Pacific Solar Pty Ltd Vergrabener kontakt, miteinander verbundene dünnschicht- und grossvolumige photovoltaische zellen
RU2024441C1 (ru) * 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
US6327875B1 (en) * 1999-03-09 2001-12-11 Corning Incorporated Control of median crack depth in laser scoring
KR100626983B1 (ko) * 1999-06-18 2006-09-22 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 레이저를 이용한 스크라이브 방법
US6664503B1 (en) * 1999-09-07 2003-12-16 Asahi Glass Company, Ltd. Method for manufacturing a magnetic disk
DE19952331C1 (de) * 1999-10-29 2001-08-30 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum schnellen Schneiden eines Werkstücks aus sprödbrüchigem Werkstoff mittels Laserstrahlen
JP4390937B2 (ja) * 1999-11-25 2009-12-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 ガラス板分割方法及び装置
KR100701013B1 (ko) * 2001-05-21 2007-03-29 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단방법 및 장치
SG139508A1 (en) * 2001-09-10 2008-02-29 Micron Technology Inc Wafer dicing device and method
RU2226183C2 (ru) * 2002-02-21 2004-03-27 Алексеев Андрей Михайлович Способ резки прозрачных неметаллических материалов
US6960813B2 (en) * 2002-06-10 2005-11-01 New Wave Research Method and apparatus for cutting devices from substrates
JP2004179556A (ja) * 2002-11-28 2004-06-24 Kyocera Corp セラミック基板とその溝部形成方法及びこれに用いるレーザー加工装置
KR100497820B1 (ko) * 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
TWI248244B (en) * 2003-02-19 2006-01-21 J P Sercel Associates Inc System and method for cutting using a variable astigmatic focal beam spot

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0532428A (ja) * 1991-07-30 1993-02-09 Hoya Corp ガラス加工方法及びその装置
JPH09260310A (ja) * 1996-03-22 1997-10-03 Hitachi Ltd 電子回路装置の製造方法
JP2002134451A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の製造方法
JP2003321234A (ja) * 2000-12-01 2003-11-11 Lg Electronics Inc ガラス切断方法および装置
JP2003002676A (ja) * 2001-06-19 2003-01-08 Seiko Epson Corp 基板の分割方法及び液晶装置の製造方法
JP2004035315A (ja) * 2002-07-02 2004-02-05 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性材料基板の分断方法および脆性材料基板分断装置
JP2004223796A (ja) * 2003-01-21 2004-08-12 Kyoto Seisakusho Co Ltd 脆性材料の割断加工方法
JP2005022136A (ja) * 2003-06-30 2005-01-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd 脆性材料の切断方法と切断装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014069237A (ja) * 2012-10-02 2014-04-21 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd パターン付き基板の加工方法
JP2015167968A (ja) * 2014-03-06 2015-09-28 株式会社ディスコ レーザー加工方法

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