JP2011156582A - Ｃｏ２レーザによる分割方法 - Google Patents

Ｃｏ２レーザによる分割方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2011156582A
JP2011156582A JP2010022021A JP2010022021A JP2011156582A JP 2011156582 A JP2011156582 A JP 2011156582A JP 2010022021 A JP2010022021 A JP 2010022021A JP 2010022021 A JP2010022021 A JP 2010022021A JP 2011156582 A JP2011156582 A JP 2011156582A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
laser
dividing
laser beam
cooling medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2010022021A
Other languages
English (en)
Inventor
Osamu Koyanagi
将 小柳
Yoji Morikazu
洋司 森數
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Disco Abrasive Systems Ltd filed Critical Disco Abrasive Systems Ltd
Priority to JP2010022021A priority Critical patent/JP2011156582A/ja
Priority to US13/004,171 priority patent/US20110186554A1/en
Publication of JP2011156582A publication Critical patent/JP2011156582A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/362—Laser etching
    • B23K26/364—Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36—Removing material
    • B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53—Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
    • B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
    • B23K2101/36—Electric or electronic devices
    • B23K2101/40—Semiconductor devices
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26

Abstract

【課題】板状物の種類にかかわらず、ＣＯ２レーザ光の照射により正確にウェーハを分割できるようにする。
【解決手段】板状物Ｗに対して透過性を有する波長のレーザ光３０ａを内部に集光して切断の起点となる変質層１０を形成するか、または、板状物Ｗに対して吸収性を有する波長のレーザ光を表面に集光して起点となるアブレーション溝を形成する誘導起点形成工程と、誘導起点形成工程によって形成された起点に沿ってＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物Ｗを分割する分割工程とを遂行することにより、結晶方位等の影響を受けずに正確に分割を行い、デバイスＤを損傷させたりその品質を低下させたりするのを防止する。
【選択図】図３

Description

本発明は、各種ウェーハにＣＯ２レーザを照射することにより個々のデバイスに分割する方法に関する。
ＩＣ、ＬＳＩ、ＬＥＤ、液晶素子等の各種デバイスは、シリコン基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ガラス基板等の表面において、分割予定ラインによって区画された領域にそれぞれ形成される。そして、これらのウェーハを分割予定ラインに沿って切断することにより、個々のデバイスに分割され、各種電子機器等に利用されている。これら各種ウェーハの分割には、分割すべき領域にＣＯ２レーザを照射して加熱し、加熱された領域に冷却媒体を吹き付けることにより当該分割すべき領域において切断する技術が利用されている（例えば特許文献１、２参照）。
特開平１０−３２３７７９号公報 特開２０００−６１６７７号公報
しかし、ウェーハが、例えばガラスのような非結晶構造体である場合は、ＣＯ２レーザ光の照射により加熱された領域に冷却媒体を吹き付けることにより、加熱された領域に沿ってウェーハを分割することが可能であるが、シリコン基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板のような単結晶構造体については、結晶方位の影響を受けるため、レーザ光の照射によって加熱された領域から逸れて分割が行われてしまうことがある。そして、加熱された領域から逸れた部分において分割がなされると、デバイスを損傷させたりデバイスの品質を低下させたりするという問題がある。
また、分割予定ラインは、第一方向の分割予定ラインと第二方向の分割予定ラインとが交差して構成されるため、第一方向の分割予定ラインを切断した後に第二方向の分割予定ラインを切断する際には、第二方向の分割予定ラインが間欠的に途切れているため、第二方向の分割予定ラインが完全に分割されないという問題がある。
本発明は、上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、板状物の種類や、一方向の分割予定ラインが切断済みか否かにかかわらず、ＣＯ２レーザ光の照射により加熱された領域に冷却媒体を吹き付けることにより加熱された領域に沿ってウェーハを分割できるようにすることにある。
第一の発明は、板状物の分割すべき領域にＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割する分割方法であって、板状物に対して透過性を有する波長のレーザ光を分割すべき領域の内部に集光して照射し変質層を形成して分割を誘導する起点を形成する誘導起点形成工程と、誘導起点形成工程によって形成された変質層に沿ってＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割する分割工程とから少なくとも構成される。
第二の発明は、板状物の分割すべき領域にＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割する分割方法であって、板状物に対して吸収性を有する波長のレーザ光を分割すべき領域の表面に集光して照射しアブレーション溝を形成して分割を誘導する起点を形成する誘導起点形成工程と、誘導起点形成工程によって形成されたアブレーション溝に沿ってＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割する分割工程とから少なくとも構成される。
本発明では、誘導起点形成工程において分割を誘導する起点を形成し、分割工程では、その起点に沿ってＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割するため、単結晶構造体のウェーハであっても結晶方位の影響を受けずに正確に分割を行うことができ、デバイスを損傷させたりその品質を低下させたりするのを防止することができる。
レーザ加工装置の一例を示す斜視図である。 保持手段にウェーハを保持する状態を示す斜視図である。 誘導起点形成工程の状態を示す斜視図である。 分割工程の状態を示す斜視図である。 保持手段にウェーハを保持する状態を示す斜視図である。 誘導起点形成工程の状態を示す斜視図である。 分割工程の状態を示す斜視図である。
図１に示すレーザ加工装置１は、板状物（ウェーハ）を保持する保持手段２と、ウェーハに対してレーザ光照射ヘッド３０からレーザ光を照射する機能と冷却媒体噴出ノズル３１から冷却媒体を吹き付ける機能とを有する加工手段３とを備えている。
図２に示すように、分割対象のウェーハＷ１は、テープＴを介してリング状に形成されたフレームＦに支持される。これに対応して、保持手段２は、ウェーハＷを吸引保持するチャックテーブル２０と、フレームＦを固定する複数の固定部２１とを備えている。
図１に示すように、保持手段２は、保持手段Ｘ方向送り部４によってＸ軸方向に移動可能に支持されているとともに、保持手段Ｙ方向送り部５によってＹ軸方向に移動可能に支持されている。一方、加工手段３は、加工手段Ｙ方向送り部６によってＹ軸方向に移動可能に支持されているとともに、加工手段Ｚ方向送り部７によってＺ軸方向に移動可能に支持されている。
保持手段Ｘ方向送り部４は、Ｘ軸方向の軸心を有するボールネジ４０と、ボールネジ４０に平行に配設された一対のガイドレール４１と、ボールネジ４０の一端に連結されたモータ４２と、図示しない内部のナットがボールネジ４０に螺合すると共に下部がガイドレール４１に摺接するスライド部４３とから構成され、モータ４２に駆動されてボールネジ４０が回動するのに伴い、スライド部４３がガイドレール４１上をＸ軸方向に摺動する構成となっている。
スライド部４３には、保持手段２をＹ軸方向に移動させる保持手段Ｙ方向送り部５が配設されている。保持手段Ｙ方向送り部５は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ５０と、ボールネジ５０に平行に配設された一対のガイドレール５１と、ボールネジ５０の一端に連結されたパルスモータ５２と、図示しない内部のナットがボールネジ５０に螺合すると共に下部がガイドレール５１に摺接する移動基台５３とから構成され、パルスモータ５２に駆動されてボールネジ５０が回動するのに伴い、移動基台５３がガイドレール５１上をＹ軸方向に摺動する構成となっている。移動基台５３には、パルスモータを内部に備え保持手段２を回転させる回転駆動部５４が配設されている。
加工手段Ｙ方向送り部６は、Ｙ軸方向の軸心を有するボールネジ６０と、ボールネジ６０に平行に配設された一対のガイドレール６１と、ボールネジ６０の一端に連結されたパルスモータ６２と、図示しない内部のナットがボールネジ６０に螺合すると共に下部がガイドレール６１に摺接するスライド部６３とから構成され、パルスモータ６２に駆動されてボールネジ６０が回動するのに伴い、スライド部６３がガイドレール６１上をＹ軸方向に摺動し、これに伴い加工手段３もＹ軸方向に移動する構成となっている。
加工手段Ｚ方向送り部７は、Ｚ軸方向の軸心を有するボールネジ７０と、ボールネジ７０に平行に配設された一対のガイドレール７１と、ボールネジ７０の一端に連結されたパルスモータ７２と、図示しない内部のナットがボールネジ７０に螺合すると共に側部がガイドレール７１に摺接し加工手段３を支持する昇降部７３とから構成され、パルスモータ７２に駆動されてボールネジ７０が回動するのに伴い昇降部７３がガイドレール７１にガイドされてＺ軸方向に昇降し、これに伴い加工手段３もＺ軸方向に昇降する構成となっている。
加工手段３は、レーザ光を下方に向けて照射するレーザ光照射ヘッド３０と、冷却媒体を下方に向けて噴出する冷却媒体噴出ノズル３１とがハウジング３２の先端に固定されて構成されている。ハウジング３２の側部には、分割すべき領域を撮像して検出する検出手段３３が固定されている。
次に、図２に示すウェーハＷ１を分割する工程について説明する。このウェーハＷ１は、サファイア、ＳｉＣ、Ｓｉ等の単結晶構造体の表面Ｗ１ａに複数のデバイスＤが形成されて構成されている。複数のデバイスＤは、分割予定ラインＳによって区画されている。ウェーハＷ１は、チャックテーブル２０において吸引保持され、テープＴを介してウェーハＷと一体となったフレームＦは、固定部２１において固定される。
ウェーハＷ１を保持した保持手段２は、図１に示した保持手段Ｘ方向送り部４によって駆動されてＸ軸方向に移動し、ウェーハＷ１が検出手段３３の直下に位置付けされる。そして、分割加工すべき領域である分割予定ラインＳが検出され、レーザ光照射ヘッド３０と検出された分割予定ラインＳとのＹ軸方向の位置合わせが行われる。
次に、図３に示すように、保持手段２を例えば１００［ｍｍ／秒］の加工送り速度でＸ軸方向に移動させながら、検出された分割予定ラインＳに対してレーザ光照射ヘッド３０からレーザ光３０ａを照射する。このレーザ光３０ａは、ウェーハＷ１に対する透過性を有する波長が１０６４［ｎｍ］のＹＡＧレーザであり、出力は例えば３［Ｗ］とする。レーザ光３０ａは、ウェーハＷ１の内部に集光点を位置付け、分割予定ラインＳに沿ってその内部に変質層１０を形成していく。変質層１０とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性のいずれかがその周囲とは異なる状態となった層のことである。
このようにして1本の分割予定ラインＳに変質層１０が形成されると、分割予定ラインＳの間隔ずつ加工手段３をＹ軸方向に送りながら、同方向のすべての分割予定ラインＳに沿って同様にレーザ光を照射して変質層１０を形成していく。そしてさらに、保持手段２を９０度回転させてから、変質層１０を形成済みの分割予定ラインＳに直交するすべての分割予定ラインにも同様に変質層１０を形成する。このようにして縦横に形成された変質層１０は、後の分割工程において分割を誘導する起点となる（誘導起点形成工程）。
次に、図４に示すように、保持手段２を例えば２００［ｍｍ／ｓ］の加工送り速度でＸ軸方向に移動させながら、内部に変質層１０が形成されたすべての分割予定ラインＳに沿ってレーザ光照射ヘッド３０からＣＯ２レーザ３０ｂを照射するとともに、冷却媒体噴出ノズル３１から冷却媒体３１ａを吹き付ける。例えばＣＯ２レーザ光３０ｂの波長は１０．６［μｍ］、出力は３５［Ｗ］とする。また、冷却媒体３１ａは、例えば２０℃のミストを２［ミリリットル／秒］の割合で噴出する。このようにしてＣＯ２レーザ３０ｂの照射と冷却媒体３１ａの噴出とを行うと、ＣＯ２レーザ３０ｂの照射による急速な加熱と冷却媒体３１ａによる急速な冷却とによって高い熱応力が発生し、これによって、誘導起点形成工程で形成された変質層１０に誘導されて、分割予定ラインＳに切断溝１１が形成される。
このようにして１本の分割予定ラインＳについてＣＯ２レーザ３０ｂの照射とともに冷却媒体３１ａの噴出を行った後は、分割予定ラインＳの間隔ずつ加工手段３をＹ軸方向に送りながら、同方向のすべての分割予定ラインＳに沿って同様にＣＯ２レーザ３０ｂの照射と冷却媒体３１ａの噴出とを行い、変質層１０に沿った切断を順次行っていく。そしてさらに、保持手段２を９０度回転させてから、切断済みの分割予定ラインＳに直交するすべての分割予定ラインにも同様にＣＯ２レーザ３０ｂの照射と冷却媒体３１ａの噴出とを行うと、すべての分割予定ラインＳに切断溝１１が形成され、個々のデバイスＤに分割される（分割工程）。
このように、誘導起点形成工程において、分割工程で照射されるＣＯ２レーザ３０ｂを誘導するための変質層１０を形成しておくことにより、単結晶構造体であっても結晶方位に影響されることなく正確に分割を行うことができるため、デバイスＤを損傷させたりその品質を低下させたりすることがない。また、切断済みの分割予定ラインに交差する分割予定ラインを切断する場合にも、変質層１０によって分割の方向が誘導されることにより、交差する切断済みの分割予定ラインに影響されることなく、正確に切断することができる。
図５に示すウェーハＷ２は、非結晶構造体であるガラスウェーハであり、このウェーハＷ２を分割する場合も、ウェーハＷ２はテープＴに貼着され、フレームＦと一体となって支持される。そして、ウェーハＷ２がチャックテーブル２０に吸着され、フレームＦが固定部２１に固定される。
次に、ウェーハＷ２を保持した保持手段２は、図１に示した保持手段Ｘ方向送り部４によって駆動されてＸ軸方向に移動し、ウェーハＷ２が検出手段３３の直下に位置付けされる。そして、分割加工すべき領域が検出され、レーザ光照射ヘッド３０と検出された分割すべき領域とのＹ軸方向の位置合わせが行われる。
次に、図６に示すように、保持手段２を例えば１００［ｍｍ／秒］の加工送り速度でＸ軸方向に移動させながら、レーザ光照射ヘッド３０から検出された分割予定ラインＳにレーザ光３０ｃを照射する。このレーザ光３０ｃは、ウェーハＷ２に対して吸収性を有する例えば波長が３５５［ｎｍ］のレーザ光であり、出力は例えば０．２［Ｗ］とする。また、レーザ光３０ｃは、ウェーハＷ２の表面Ｗ２ａに集光し、表面Ｗ２ａにアブレーション溝１２を形成していく。
このようにして1本のアブレーション溝１２が形成された後、分割すべき領域の間隔ずつ加工手段３をＹ軸方向に送りながら、同方向に順次同様にレーザ光を照射してアブレーション溝１２を形成していく。そしてさらに、保持手段２を９０度回転させてから、形成済みのアブレーション溝１２に直交するアブレーション溝１２を形成する。このようにして縦横に形成されたアブレーション溝１２は後の分割工程において、分割を誘導する起点となる（誘導起点形成工程）。
次に、図７に示すように、保持手段２を例えば２００［ｍｍ／ｓ］の加工送り速度でＸ軸方向に移動させながら、アブレーション溝１２に対してレーザ光照射ヘッド３０からＣＯ２レーザ３０ｄを照射するとともに、冷却媒体噴出ノズル３１から冷却媒体３１ａを吹き付ける。例えばＣＯ２レーザ光３０ｂの波長は１０．６［μｍ］、出力は３５［Ｗ］とする。また、冷却媒体３１ａは、例えば２０℃のミストを２［ミリリットル／秒］の割合で噴出する。このようにしてレーザ光３０ｂの照射と冷却媒体３１ａの噴出とを行うと、分割がアブレーション溝１２に誘導され、分割予定ラインＳに沿って切断溝１３が形成される。
このようにして１本の分割予定ラインＳについてＣＯ２レーザ３０ｂの照射とともに冷却媒体３１ａの噴出を行って切断溝１３を形成した後は、分割予定ラインＳの間隔ずつ加工手段３をＹ軸方向に送りながら、同方向のすべての分割予定ラインＳに沿って同様にＣＯ２レーザ３０ｂの照射と冷却媒体３１ａの噴出とを行い、アブレーション溝１２に沿った切断を順次行っていく。そしてさらに、保持手段２を９０度回転させてから、切断済みの分割予定ラインＳに直交するすべての分割予定ラインにも同様にＣＯ２レーザ３０ｂの照射と冷却媒体３１ａの噴出とを行うと、すべての分割予定ラインＳに切断溝１３が形成され、個々のデバイスＤに分割される（分割工程）。
このように、表面にアブレーション溝１２を形成してから切断を行うことで、ガラスのような非結晶構造体についても正確に分割を行うことができる。また、切断済みの分割予定ラインに交差する分割予定ラインを切断する場合にも、アブレーション溝１２によって分割の方向が誘導されることにより、交差する切断済みの分割予定ラインに影響されることなく、正確に切断することができる。
１：レーザ加工装置
２：保持手段 ２０：チャックテーブル ２１：固定部
３：加工手段
３０：レーザ光照射ヘッド ３１：冷却媒体噴出ノズル ３２：ハウジング
３３：検出手段
３０ａ、３０ｃ：レーザ光 ３０ｂ：ＣＯ２レーザ
３１ａ：冷却媒体
４：保持手段Ｘ方向送り部
４０：ボールネジ ４１：ガイドレール ４２：モータ ４３：スライド部
５：保持手段Ｙ方向送り部
５０：ボールネジ ５１：ガイドレール ５２：パルスモータ ５３：移動基台
５４：回転駆動部
６：加工手段Ｙ方向送り部
６０：ボールネジ ６１：ガイドレール ６２：パルスモータ ６３：スライド部
７：加工手段Ｚ方向送り部
７０：ボールネジ ７１：ガイドレール ７２：パルスモータ ７３：昇降部
Ｗ１、Ｗ２：ウェーハ Ｓ：分割予定ライン Ｄ：デバイス
Ｔ：テープ Ｆ：フレーム
１０：変質層 １１：切断溝 １２：アブレーション溝 １３：切断溝

Claims (2)

  1. 板状物の分割すべき領域にＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割する分割方法であって、
    板状物に対して透過性を有する波長のレーザ光を分割すべき領域の内部に集光して照射し変質層を形成して分割を誘導する起点を形成する誘導起点形成工程と、
    該誘導起点形成工程によって形成された変質層に沿ってＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割する分割工程と、
    から少なくとも構成されるＣＯ２レーザによる分割方法。
  2. 板状物の分割すべき領域にＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割する分割方法であって、
    板状物に対して吸収性を有する波長のレーザ光を分割すべき領域の表面に集光して照射しアブレーション溝を形成して分割を誘導する起点を形成する誘導起点形成工程と、
    該誘導起点形成工程によって形成されたアブレーション溝に沿ってＣＯ２レーザ光を照射して加熱するとともに加熱された領域に冷却媒体を吹き付けて板状物を分割する分割工程と、
    から少なくとも構成されるＣＯ２レーザによる分割方法。
JP2010022021A 2010-02-03 2010-02-03 Ｃｏ２レーザによる分割方法 Pending JP2011156582A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010022021A JP2011156582A (ja) 2010-02-03 2010-02-03 Ｃｏ２レーザによる分割方法
US13/004,171 US20110186554A1 (en) 2010-02-03 2011-01-11 Wafer dividing method using co2 laser

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010022021A JP2011156582A (ja) 2010-02-03 2010-02-03 Ｃｏ２レーザによる分割方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011156582A true JP2011156582A (ja) 2011-08-18

Family

ID=44340713

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010022021A Pending JP2011156582A (ja) 2010-02-03 2010-02-03 Ｃｏ２レーザによる分割方法

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110186554A1 (ja)
JP (1) JP2011156582A (ja)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013136073A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
JP2013136075A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
JP2013136067A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 分断装置および被加工物の分断方法
JP2013136069A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 分断装置
JP2013146747A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Aisin Seiki Co Ltd レーザによる割断方法、及びレーザ割断装置
JP2013236001A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP2016058602A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
US11489086B2 (en) 2019-07-01 2022-11-01 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting element

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9404198B2 (en) * 2012-07-30 2016-08-02 Rayton Solar Inc. Processes and apparatuses for manufacturing wafers
US9499921B2 (en) 2012-07-30 2016-11-22 Rayton Solar Inc. Float zone silicon wafer manufacturing system and related process
JP2015069975A (ja) * 2013-09-26 2015-04-13 株式会社ディスコ 被加工物の加工方法
JP7012824B2 (ja) * 2017-09-13 2022-01-28 ジェニュイン ソリューションズ ピーティーイー リミテッド ポリマー樹脂モールド化合物ベースの基板の切断方法およびそのシステム
CN109849204B (zh) * 2019-01-25 2021-05-18 云南蓝晶科技有限公司 一种蓝宝石晶片的倒边加工方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3036906B2 (ja) * 1991-07-30 2000-04-24 ホーヤ株式会社 ガラス加工方法及びその装置
JP2003088981A (ja) * 2002-03-29 2003-03-25 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2005178288A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の割断方法とその装置
JP2007152958A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Foxsemicon Intergated Technology Inc レーザー切断装置
WO2007119740A1 (ja) * 2006-04-13 2007-10-25 Toray Engineering Co., Ltd. スクライブ方法、スクライブ装置、及びこの方法または装置を用いて割断した割断基板
JP2009255114A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Linkstar Japan Co Ltd 脆性材料基板の加工装置および切断方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005038027A1 (de) * 2005-08-06 2007-02-08 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zum Durchtrennen von spröden Flachmaterialien

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3036906B2 (ja) * 1991-07-30 2000-04-24 ホーヤ株式会社 ガラス加工方法及びその装置
JP2003088981A (ja) * 2002-03-29 2003-03-25 Hamamatsu Photonics Kk レーザ加工方法
JP2005178288A (ja) * 2003-12-22 2005-07-07 Shibuya Kogyo Co Ltd 脆性材料の割断方法とその装置
JP2007152958A (ja) * 2005-12-05 2007-06-21 Foxsemicon Intergated Technology Inc レーザー切断装置
WO2007119740A1 (ja) * 2006-04-13 2007-10-25 Toray Engineering Co., Ltd. スクライブ方法、スクライブ装置、及びこの方法または装置を用いて割断した割断基板
JP2009255114A (ja) * 2008-04-15 2009-11-05 Linkstar Japan Co Ltd 脆性材料基板の加工装置および切断方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013136073A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
JP2013136075A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 被加工物の分断方法および光学素子パターン付き基板の分断方法
JP2013136067A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 分断装置および被加工物の分断方法
JP2013136069A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 分断装置
JP2013146747A (ja) * 2012-01-17 2013-08-01 Aisin Seiki Co Ltd レーザによる割断方法、及びレーザ割断装置
JP2013236001A (ja) * 2012-05-10 2013-11-21 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP2016058602A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社ディスコ レーザー加工方法
US11489086B2 (en) 2019-07-01 2022-11-01 Nichia Corporation Method of manufacturing light emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
US20110186554A1 (en) 2011-08-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011156582A (ja) Ｃｏ２レーザによる分割方法
KR102368338B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102369760B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
KR102384101B1 (ko) 웨이퍼의 박화 방법
KR102185243B1 (ko) 웨이퍼의 생성 방법
KR100820689B1 (ko) 취성재료기판의 모따기 방법 및 모따기 장치
JP5162163B2 (ja) ウェーハのレーザ加工方法
JP4156513B2 (ja) 脆性材料基板のスクライブ方法およびスクライブ装置
KR101975607B1 (ko) 레이저 가공 장치
JP4342992B2 (ja) レーザー加工装置のチャックテーブル
KR20170055909A (ko) SiC 기판의 분리 방법
KR100509651B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 스크라이브 라인의 형성방법 및스크라이브 라인의 형성장치
JP5992731B2 (ja) ウエーハの加工方法
JP4080484B2 (ja) 脆性材料基板のスクライブ方法およびスクライブ装置
CN107017159B (zh) 封装基板的加工方法
KR20180018353A (ko) SiC 웨이퍼의 생성 방법
KR102084269B1 (ko) 레이저 가공 장치 및 보호막 피복 방법
JP2006289388A (ja) レーザー加工装置
JP2013102039A (ja) 半導体ウエーハの加工方法
JP2010184331A (ja) 保持テーブルおよび加工装置
JP2015133437A (ja) ウェーハの加工方法
JP2006250540A (ja) 溝深さ測定方法
JP2005150537A (ja) 板状物の加工方法および加工装置
KR102424648B1 (ko) 웨이퍼의 가공 방법
JP2013010124A (ja) レーザ加工装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130125

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20131108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131119

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140120

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140603

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140730

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20141007