JPH06326337A - レーザ加工装置 - Google Patents
レーザ加工装置Info
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- JPH06326337A JPH06326337A JP5089594A JP8959493A JPH06326337A JP H06326337 A JPH06326337 A JP H06326337A JP 5089594 A JP5089594 A JP 5089594A JP 8959493 A JP8959493 A JP 8959493A JP H06326337 A JPH06326337 A JP H06326337A
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- Japan
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- stage
- laser beam
- film
- laser
- etching
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステージの一方の面にセットされた被加工物
に対し、レーザビームを、前記ステージの他方の面から
前記ステージを透過して照射することのできるレーザ加
工装置を提供する。 【構成】 ガラス等の光学的に透明な材料でできたステ
ージ１０１を有し、このステージ１０１上に、透明ガラ
ス基板７が下になり、膜１１が上になるよう被加工物２
をセットした状態で、ステージ１０１の下方から、レー
ザビーム３ｂを、ステージ１０１及び透明ガラス基板７
を透過して膜１１に照射して、この膜１１を加工するこ
とが可能なものである。
に対し、レーザビームを、前記ステージの他方の面から
前記ステージを透過して照射することのできるレーザ加
工装置を提供する。 【構成】 ガラス等の光学的に透明な材料でできたステ
ージ１０１を有し、このステージ１０１上に、透明ガラ
ス基板７が下になり、膜１１が上になるよう被加工物２
をセットした状態で、ステージ１０１の下方から、レー
ザビーム３ｂを、ステージ１０１及び透明ガラス基板７
を透過して膜１１に照射して、この膜１１を加工するこ
とが可能なものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザ加工装置に関
し、特にレーザエッチング法によりアモルファスシリコ
ン太陽電池等を作製する場合に適用して有用なものであ
る。
し、特にレーザエッチング法によりアモルファスシリコ
ン太陽電池等を作製する場合に適用して有用なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のレーザ加工装置は、図３に示すよ
うに、レーザ発振器６から発振されたレーザビーム３
を、ミラー５によって伝送し、更に集光レンズ４によっ
て集光した後、移動可能なステージ１の上に載置された
被加工物２に対して垂直に上方から照射し、且つステー
ジ１をＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動させることによって、線上
の加工、すなわちエッチング，溶断，溶接，マーキング
等を行なうことができるようにしたものである。
うに、レーザ発振器６から発振されたレーザビーム３
を、ミラー５によって伝送し、更に集光レンズ４によっ
て集光した後、移動可能なステージ１の上に載置された
被加工物２に対して垂直に上方から照射し、且つステー
ジ１をＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動させることによって、線上
の加工、すなわちエッチング，溶断，溶接，マーキング
等を行なうことができるようにしたものである。
【０００３】ところで近年、アモルファスシリコン太陽
電池が脚光を浴び、そのモジュールの作製手段としてレ
ーザーエッチング法が注目されている。図４は代表的な
アモルファスシリコン太陽電池モジュール（３段直列セ
ル）の断面図である。同図に示すようにアモルファスシ
リコン太陽電池モジュールは、透明ガラス基板７の上面
に透明電極膜８，アモルファスシリコン膜９，及びアル
ミニウム（Ａｌ）の裏面電極膜１０が順次積層された構
造のセルを有しており、また相隣り合うセルと他のセル
との境界には溝Ａ，Ｂ，Ｃがレーザーエッチング法によ
って形成されている。
電池が脚光を浴び、そのモジュールの作製手段としてレ
ーザーエッチング法が注目されている。図４は代表的な
アモルファスシリコン太陽電池モジュール（３段直列セ
ル）の断面図である。同図に示すようにアモルファスシ
リコン太陽電池モジュールは、透明ガラス基板７の上面
に透明電極膜８，アモルファスシリコン膜９，及びアル
ミニウム（Ａｌ）の裏面電極膜１０が順次積層された構
造のセルを有しており、また相隣り合うセルと他のセル
との境界には溝Ａ，Ｂ，Ｃがレーザーエッチング法によ
って形成されている。
【０００４】図５は、アモルファスシリコン太陽電池モ
ジュールのレーザエッチング工程を示す図である。同図
（ａ）に示すように、まず透明ガラス基板７の上面に成
膜された透明電極膜８を波長1.０６μｍのＹＡＧレーザ
ビーム３でエッチングする。その結果エッチング溝Ａが
形成される。続いてプラズマＣＶＤ法によって全面にア
モルファスシリコン膜９を成膜（図示せず）した後、同
図（ｂ）に示すように波長0.５３μｍのＹＡＧレーザビ
ーム３ａでアモルファスシリコン膜９をエッチングする
ことによってエッチング溝Ｂを形成する。次に同図
（Ｃ）に示すように全面に裏面電極１０を成膜する。こ
れによってエッチング溝Ｂの部分で裏面電極膜１０と透
明電極８とが電気的に接続される。さらに同図（ｄ）に
示すように裏面電極膜１０をエッチングしてエッチング
溝Ｃを形成する。これによって個々に分断された３つの
セルが直列に接続した構造のアモルファスシリコン太陽
電池モジュールが作られる。なお前記エッチング溝Ｃ
は、レーザビーム３ｂを透明ガラス基板７側（図の下
方）から照射し、これによりアモルファスシリコン膜９
が熱分解するときに発生する水素ガスの噴出力によって
溶融したＡｌが図の上方に吹きとばされるメカニズムに
よって形成される。またこの時、レーザビーム３ｂは、
もちろん透明電極膜８がエッチングされないようなレー
ザーパワー条件のものを選ぶ必要がある。
ジュールのレーザエッチング工程を示す図である。同図
（ａ）に示すように、まず透明ガラス基板７の上面に成
膜された透明電極膜８を波長1.０６μｍのＹＡＧレーザ
ビーム３でエッチングする。その結果エッチング溝Ａが
形成される。続いてプラズマＣＶＤ法によって全面にア
モルファスシリコン膜９を成膜（図示せず）した後、同
図（ｂ）に示すように波長0.５３μｍのＹＡＧレーザビ
ーム３ａでアモルファスシリコン膜９をエッチングする
ことによってエッチング溝Ｂを形成する。次に同図
（Ｃ）に示すように全面に裏面電極１０を成膜する。こ
れによってエッチング溝Ｂの部分で裏面電極膜１０と透
明電極８とが電気的に接続される。さらに同図（ｄ）に
示すように裏面電極膜１０をエッチングしてエッチング
溝Ｃを形成する。これによって個々に分断された３つの
セルが直列に接続した構造のアモルファスシリコン太陽
電池モジュールが作られる。なお前記エッチング溝Ｃ
は、レーザビーム３ｂを透明ガラス基板７側（図の下
方）から照射し、これによりアモルファスシリコン膜９
が熱分解するときに発生する水素ガスの噴出力によって
溶融したＡｌが図の上方に吹きとばされるメカニズムに
よって形成される。またこの時、レーザビーム３ｂは、
もちろん透明電極膜８がエッチングされないようなレー
ザーパワー条件のものを選ぶ必要がある。
【０００５】ここでもし同図（ａ）（ｂ）のように裏面
電極膜１０の上方からレーザビーム３ｂを照射したとす
ると、エッチングされやすいアモルファスシリコン膜９
のぬけた部分から溶融したＡｌが透明電極膜８上に垂れ
込み、このためセル間の分断ができない。よって同図
（ｃ）に示すように透明ガラス基板７側からレーザビー
ム３ｂを照射する必要がある。
電極膜１０の上方からレーザビーム３ｂを照射したとす
ると、エッチングされやすいアモルファスシリコン膜９
のぬけた部分から溶融したＡｌが透明電極膜８上に垂れ
込み、このためセル間の分断ができない。よって同図
（ｃ）に示すように透明ガラス基板７側からレーザビー
ム３ｂを照射する必要がある。
【０００６】そこで従来のレーザ加工装置を用いて裏面
電極膜１０をエッチングするには、図６に示すように被
加工物２を反転し、透明ガラス基板７が上になり、膜１
１（裏面電極膜１０等、エッチング対象の膜）が下にな
るようステージ１上にセットする必要があった。
電極膜１０をエッチングするには、図６に示すように被
加工物２を反転し、透明ガラス基板７が上になり、膜１
１（裏面電極膜１０等、エッチング対象の膜）が下にな
るようステージ１上にセットする必要があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし図６では、被加
工物２の膜１１とステージ１との間に隙間が示されてい
るが、実際には、被加工物２の反りを抑えるため、ステ
ージ１に設けられた溝１２及び吸引用穴（図１参照）な
どを通じて被加工物２がステージ１に吸引固定されるた
め、膜１１とステージ１とは密着している。
工物２の膜１１とステージ１との間に隙間が示されてい
るが、実際には、被加工物２の反りを抑えるため、ステ
ージ１に設けられた溝１２及び吸引用穴（図１参照）な
どを通じて被加工物２がステージ１に吸引固定されるた
め、膜１１とステージ１とは密着している。
【０００８】そのため図６に示すように、従来技術に係
るレーザ加工装置で、レーザビーム３ｂを透明ガラス基
板７の上方から照射しても、エッチングくずが放出され
ず、膜１１の充分なエッチングができない。そこで膜１
１のエッチング部の直下に占位するステージ１の上面に
凹部を設け、ここにエッチングくずが放出されるように
することもできるが、何れにしても膜１１をステージ１
に密着させるこの方式は、根本的に、膜１１にピンホー
ル等の傷が生起しやすく、この傷がアモルファスシリコ
ン太陽電池の特性を劣化させるという問題を有してい
る。しかも透明ガラス基板７の面積が大きくなると、そ
れに応じてその厚みも厚くしなければならず、その分膜
１１にかかる荷重が大きくなるため、膜１１は、更に損
傷しやすくなる。
るレーザ加工装置で、レーザビーム３ｂを透明ガラス基
板７の上方から照射しても、エッチングくずが放出され
ず、膜１１の充分なエッチングができない。そこで膜１
１のエッチング部の直下に占位するステージ１の上面に
凹部を設け、ここにエッチングくずが放出されるように
することもできるが、何れにしても膜１１をステージ１
に密着させるこの方式は、根本的に、膜１１にピンホー
ル等の傷が生起しやすく、この傷がアモルファスシリコ
ン太陽電池の特性を劣化させるという問題を有してい
る。しかも透明ガラス基板７の面積が大きくなると、そ
れに応じてその厚みも厚くしなければならず、その分膜
１１にかかる荷重が大きくなるため、膜１１は、更に損
傷しやすくなる。
【０００９】本発明は、上記従来技術に鑑み、ステージ
の一方の面にセットされた被加工物に対し、レーザビー
ムを、前記ステージの他方の面から前記ステージを透過
して照射することのできるレーザ加工装置を提供するこ
とを目的とする。
の一方の面にセットされた被加工物に対し、レーザビー
ムを、前記ステージの他方の面から前記ステージを透過
して照射することのできるレーザ加工装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の構成は、光学的に透明な領域を有するステージと、
該ステージの一方の面上にセットされた被加工物に対
し、レーザビームを前記ステージの他方の面から前記光
学的に透明な領域を透過して照射せしめるレーザビーム
照射手段とを有することを特徴とする。
明の構成は、光学的に透明な領域を有するステージと、
該ステージの一方の面上にセットされた被加工物に対
し、レーザビームを前記ステージの他方の面から前記光
学的に透明な領域を透過して照射せしめるレーザビーム
照射手段とを有することを特徴とする。
【００１１】
【作用】上記構成の本発明によれば、ステージの一方の
面にセットした被加工物に対し、レーザビーム照射手段
により、前記ステージの他方の面から前記ステージの光
学的に透明な領域を透過して、レーザビームが照射さ
れ、その結果前記被加工物が加工される。
面にセットした被加工物に対し、レーザビーム照射手段
により、前記ステージの他方の面から前記ステージの光
学的に透明な領域を透過して、レーザビームが照射さ
れ、その結果前記被加工物が加工される。
【００１２】
【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づき詳細に説
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係るレーザ加
工装置のステージ部分を示す図である。なお同図（ａ）
は、平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＤ−Ｄ線矢視
断面図である。
明する。図１は、本発明の第１の実施例に係るレーザ加
工装置のステージ部分を示す図である。なお同図（ａ）
は、平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＤ−Ｄ線矢視
断面図である。
【００１３】両図に示すように、ステージ１０１は、ガ
ラス等の光学的に透明な材料からなり、その表面には複
数の溝１０２が所定の間隔をおいて形成されており、ま
た各々の溝１０２の端部には吸引用穴１０３が設けられ
ている。
ラス等の光学的に透明な材料からなり、その表面には複
数の溝１０２が所定の間隔をおいて形成されており、ま
た各々の溝１０２の端部には吸引用穴１０３が設けられ
ている。
【００１４】次にレーザビーム照射手段は、レーザビー
ム３ｂを発振するレーザ発振部、レーザビーム３ｂを伝
送する光ファイバ又はミラー伝送系、及びレーザビーム
３ｂを集光する集光レンズ４を備えた集光レンズ光学系
等を有し、ステージ１０１の一方の面上にセットされた
被加工物２に対して、レーザビーム３ｂをステージ１０
１の他方の面からステージ１０１を透過して照射するこ
とができる。
ム３ｂを発振するレーザ発振部、レーザビーム３ｂを伝
送する光ファイバ又はミラー伝送系、及びレーザビーム
３ｂを集光する集光レンズ４を備えた集光レンズ光学系
等を有し、ステージ１０１の一方の面上にセットされた
被加工物２に対して、レーザビーム３ｂをステージ１０
１の他方の面からステージ１０１を透過して照射するこ
とができる。
【００１５】従って上記第１の実施例に係るレーザ加工
装置によって、例えばエッチングを行う場合、まず被加
工物２をステージ１０１上にセットするが、その際透明
ガラス基板７を下にし、膜１１を上にするとともに、膜
１１のエッチング対象部をステージ１０１の相隣り合う
溝１０２と他の溝１０２との間の領域上に占位せしめる
ようセットする。続いて各々の溝１０２及び吸引用穴１
０３を通じて吸引し、被加工物２をステージ１０１に密
着させる。
装置によって、例えばエッチングを行う場合、まず被加
工物２をステージ１０１上にセットするが、その際透明
ガラス基板７を下にし、膜１１を上にするとともに、膜
１１のエッチング対象部をステージ１０１の相隣り合う
溝１０２と他の溝１０２との間の領域上に占位せしめる
ようセットする。続いて各々の溝１０２及び吸引用穴１
０３を通じて吸引し、被加工物２をステージ１０１に密
着させる。
【００１６】その後レーザビーム照射手段によって、前
記膜１１のエッチング対象部に対し、レーザビーム３ｂ
をステージ１０１の下方から前記溝１０２と他の溝１０
２との間の領域及び透明ガラス基板７を透過して照射
し、且つレーザビーム３ｂもしくはステージ１０１を溝
１０２と平行な方向に移動する。その結果矢印１５の方
向に延びるエッチング溝Ｅが形成される。
記膜１１のエッチング対象部に対し、レーザビーム３ｂ
をステージ１０１の下方から前記溝１０２と他の溝１０
２との間の領域及び透明ガラス基板７を透過して照射
し、且つレーザビーム３ｂもしくはステージ１０１を溝
１０２と平行な方向に移動する。その結果矢印１５の方
向に延びるエッチング溝Ｅが形成される。
【００１７】なおこのとき、アモルファスシリコン太陽
電池モジュールの透明ガラス基板７の大面積化に伴な
い、基板重量も増えるので、ステージ１を移動するより
も、レーザビーム３ｂを移動させる方が装置の占有面積
や加工の高速性及び制御性において有利である。またそ
の際前記レーザビーム照射手段のうち、集光レンズ光学
系のみをＸ−Ｙ方向に移動させる方法が望ましい。
電池モジュールの透明ガラス基板７の大面積化に伴な
い、基板重量も増えるので、ステージ１を移動するより
も、レーザビーム３ｂを移動させる方が装置の占有面積
や加工の高速性及び制御性において有利である。またそ
の際前記レーザビーム照射手段のうち、集光レンズ光学
系のみをＸ−Ｙ方向に移動させる方法が望ましい。
【００１８】また上記エッチングの際、エッチングくず
１３は、上向きに発生する。従ってノズル１６により空
気等の気体を吹きつけることによって、このエッチング
くず１３を容易に除去することができる。
１３は、上向きに発生する。従ってノズル１６により空
気等の気体を吹きつけることによって、このエッチング
くず１３を容易に除去することができる。
【００１９】次に図２は、第２の実施例に係るレーザ加
工装置のステージ部分の断面図である。同図に示すよう
にステージ２０１は、ステージ１０１と同様に被加工物
２を吸引するための複数の溝２０２が所定の間隔をおい
て形成されており、しかも相隣り合う溝２０２と他の溝
２０２との間がくりぬかれ、光学的に透明な領域である
くりぬき部２０４が形成されている。
工装置のステージ部分の断面図である。同図に示すよう
にステージ２０１は、ステージ１０１と同様に被加工物
２を吸引するための複数の溝２０２が所定の間隔をおい
て形成されており、しかも相隣り合う溝２０２と他の溝
２０２との間がくりぬかれ、光学的に透明な領域である
くりぬき部２０４が形成されている。
【００２０】なおその他、レーザビーム照射手段の構
成、エッチングを行う場合の手順などは、上記第１の実
施例と同様である。但し、レーザビーム３ｂを被加工物
２に照射する際、上記第１の実施例では相隣り合う溝１
０２と他の溝１０２との間の領域を透過させるのに対
し、本第２の実施例ではもちろんくりぬき部２０４を透
過させる。
成、エッチングを行う場合の手順などは、上記第１の実
施例と同様である。但し、レーザビーム３ｂを被加工物
２に照射する際、上記第１の実施例では相隣り合う溝１
０２と他の溝１０２との間の領域を透過させるのに対
し、本第２の実施例ではもちろんくりぬき部２０４を透
過させる。
【００２１】またステージ２０１を形成する材料は、く
りぬき部２０４を有するため、ガラスのように光学的に
透明な材質のものでなくてもよく、加工しやすい金属等
でもよい。
りぬき部２０４を有するため、ガラスのように光学的に
透明な材質のものでなくてもよく、加工しやすい金属等
でもよい。
【００２２】なお図５（ａ）及び（ｂ）では上方からレ
ーザビーム３、３ａを照射して透明電極膜８及びアモル
ファスシリコン膜９をエッチングしているがこれらも裏
面電極膜１０と同様に図１及び図２に示すように本発明
の実施例に係るレーザ加工装置によって、透明ガラス基
板７側からレーザビーム３、３ａを照射して、エッチン
グすることが可能である。むしろアモルファスシリコン
膜９は透明ガラス基板７側からレーザビーム３ａを照射
した方がエッチング溝Ｂの形状が良好となる。このよう
にアモルファスシリコン等の薄膜太陽電池モジュールの
製造プロセスに用いられるレーザエッチング工程のすべ
てを本発明の実施例係るレーザ加工装置を用いて実施す
ることが可能である。
ーザビーム３、３ａを照射して透明電極膜８及びアモル
ファスシリコン膜９をエッチングしているがこれらも裏
面電極膜１０と同様に図１及び図２に示すように本発明
の実施例に係るレーザ加工装置によって、透明ガラス基
板７側からレーザビーム３、３ａを照射して、エッチン
グすることが可能である。むしろアモルファスシリコン
膜９は透明ガラス基板７側からレーザビーム３ａを照射
した方がエッチング溝Ｂの形状が良好となる。このよう
にアモルファスシリコン等の薄膜太陽電池モジュールの
製造プロセスに用いられるレーザエッチング工程のすべ
てを本発明の実施例係るレーザ加工装置を用いて実施す
ることが可能である。
【００２３】
【発明の効果】以上実施例とともに具体的に説明したよ
うに、本発明によれば、被加工物として例えば透明ガラ
ス基板上に形成された膜をエッチング加工する場合、前
記膜が上になり、前記透明ガラス基板が下になるよう前
記被加工物をステージ上にセットした状態でも、前記透
明ガラス基板側からレーザビームを照射し、前記膜のエ
ッチングを行うことができる。このため前記膜を損傷さ
せる虞がなく、従ってこれによる太陽電池等の特性の劣
化を生起する虞もない。またアモルファスシリコン太陽
電池モジュールの作製において、途中で透明ガラス基板
と各々の膜との上下を反転させることなくレーザエッチ
ング工程のすべてを、透明ガラス基板側からレーザビー
ムを照射することによって行なうことができるうえ、エ
ッチングくずは上向きに発生するので空気等の気体を吹
きつけることによって容易に除去することができる。従
って特に大面積の透明ガラス基板を用いた時、量産に適
したレーザ加工装置を提供することができる。
うに、本発明によれば、被加工物として例えば透明ガラ
ス基板上に形成された膜をエッチング加工する場合、前
記膜が上になり、前記透明ガラス基板が下になるよう前
記被加工物をステージ上にセットした状態でも、前記透
明ガラス基板側からレーザビームを照射し、前記膜のエ
ッチングを行うことができる。このため前記膜を損傷さ
せる虞がなく、従ってこれによる太陽電池等の特性の劣
化を生起する虞もない。またアモルファスシリコン太陽
電池モジュールの作製において、途中で透明ガラス基板
と各々の膜との上下を反転させることなくレーザエッチ
ング工程のすべてを、透明ガラス基板側からレーザビー
ムを照射することによって行なうことができるうえ、エ
ッチングくずは上向きに発生するので空気等の気体を吹
きつけることによって容易に除去することができる。従
って特に大面積の透明ガラス基板を用いた時、量産に適
したレーザ加工装置を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施例に係るレーザ加工装置の
ステージ部分を示す図である。
ステージ部分を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例に係るレーザ加工装置の
ステージ部分を示す図である。
ステージ部分を示す図である。
【図３】従来技術に係るレーザ加工装置の概要を示す説
明図である。
明図である。
【図４】アモルファスシリコン太陽電池モジュールの断
面図である。
面図である。
【図５】アモルファスシリコン太陽電池モジュールのレ
ーザエッチング工程を示す図である。
ーザエッチング工程を示す図である。
【図６】被加工物２をステージ１にセットした状態を示
す図である。
す図である。
２ 被加工物 ３ｂ レーザビーム ４ 集光レンズ ７ 透明ガラス基板 １１ 膜 １３ エッチングくず １０１，２０１ ステージ １０２，２０２ 溝 １０３ 吸引用穴 ２０４ くりぬき部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２３Ｋ 101:42
Claims (1)
- 【請求項１】 光学的に透明な領域を有するステージ
と、 該ステージの一方の面上にセットされた被加工物に対
し、レーザビームを前記ステージの他方の面から前記光
学的に透明な領域を透過して照射せしめるレーザビーム
照射手段とを有することを特徴とするレーザ加工装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5089594A JPH06326337A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | レーザ加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5089594A JPH06326337A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | レーザ加工装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06326337A true JPH06326337A (ja) | 1994-11-25 |
Family
ID=13975113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5089594A Pending JPH06326337A (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | レーザ加工装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06326337A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007069257A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | レーザ加工装置とその加工方法及びデブリ回収機構とその回収方法 |
| JP2008093724A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Pulstec Industrial Co Ltd | レーザ微細加工装置 |
| JP2008294081A (ja) * | 2007-05-22 | 2008-12-04 | Shiraitekku:Kk | ソーラーパネル用電極膜の不要膜の除去装置。 |
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