KR20030064808A - 반도체 재료의 레이저 기계 가공 - Google Patents

반도체 재료의 레이저 기계 가공 Download PDF

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KR20030064808A
KR20030064808A KR10-2003-7007707A KR20037007707A KR20030064808A KR 20030064808 A KR20030064808 A KR 20030064808A KR 20037007707 A KR20037007707 A KR 20037007707A KR 20030064808 A KR20030064808 A KR 20030064808A
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엑스에스아이엘 테크놀러지 리미티드
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Abstract

반도체는 고성능 녹색 레이저 빔을 지향시켜 커팅한 다음, 커팅선을 따라 자외선 빔을 지향시킨다. 제1 빔은 에지를 비교적 울퉁불퉁하게 재료 제거율은 높게 커팅하고, 제2 빔은 에지를 재료 제거율은 낮게 원하는 마무리가 되도록 커팅을 완료한다.

Description

반도체 재료의 레이저 기계 가공 {LASER MACHINING OF SEMICONDUCTOR MATERIALS}
집적 회로는 반도체 웨이퍼를 초기 재료로 사용하여 제조된다. 다수의 집적 회로는 다수의 리소그래피 단계를 통해 동시에 제조된다. 집적 회로 제조 시의 최종 단계 중 하나는 집적 회로가 형성되어 있는 웨이퍼로부터 집적 회로 다이를 개별적으로 분리하는 것이다.
종래, 당해 산업 분야에서는 이러한 기능을 실행하는데 다이아몬드 칼날을 가진 고정밀 기계톱을 사용하고 있다. 상기 기술은 허용된 기술이지만, 이러한 톱을 사용하는데는 이들 톱은 치핑, 오물이 생기게 되고 과다한 열 부하를 야기하기 때문에 문제가 된다.
레이저 처리 및 제조 시 레이저를 광범위하게 사용하고 있지만, 레이저 기술은 반도체 재료 및 다른 유사한 재료의 가공에 성공적으로 응용되는 것은 아니다. 그 이유는 레이저 커팅 공정에 의하여 형성된 에지의 품질이 집적 회로 제조와 같은 정밀 응용에는 받아들일 수 없기 때문이다. 또한, 많은 처리량을 생산하기 위한 공정에는 속도가 부적합하다. 또한, 구성품을 제조하는 전기 기능부의 손상으로 인하여 커팅부 전방에 열이 발생하는 경우가 종종 있다.
미합중국 특허 제4958900호에는 제품에 조명을 비추는 복수의 광섬유를 지지하는 홀더에 관하여 개시되어 있다.
미합중국 특허 제5922224호에는 레이저 빔으로부터 두 개의 빔으로 집광하는 시스템에 관하여 개시되어 있다. 반도체 웨이퍼가 빔에 대하여 이동할 때, 빔은 동일 경로 상에서 번갈아 이동한다.
본 발명은 레이저 빔을 사용하여 반도체 및 유사한 재료를 가공하는 개선된 방법에 관한 것이다. 가공율 및 품질과 정확도 면에서 개선하고자 하는 것이다.
본 발명은 레이저를 사용하여 반도체 재료 또는 광범위하게 유사한 성질을 갖는 다른 재료를 가공하는데 관한 것이다. 하나의 예로는 집적 회로 어레이로부터 하나의 집적 회로를 웨이퍼 상에 개별적으로 분리하기 위하여 반도체를 가공하는 것이다. 다른 예로는 웨이퍼 또는 다이에 애퍼춰를 형성하기 위하여 반도체 재료를 레이저로 제거하는 것이다.
도 1 (a) 및 도 1(b)는 두 개의 레이저 빔을 사용하여 트렌치를 가공하는 예의 도면이다.
도 2(a)는 연속 단계에서 두 개의 빔 각각을 사용하여 가공된 깊은 트렌치를 도시한 단면도이다.
도 2(b)는 자외선 레이저 빔을 사용하여 울퉁불퉁하게 커팅된 트렌치에 양질의 제품으로 마무리를 완료시키는 예를 도시한 단면개략도이다.
도 3(a), 도 3(b), 도 3(c) 및 도 3(d)는 유리 유전체 피복층으로 반도체 웨이퍼를 기계 가공하는 순서도이다.
본 발명에 있어서, 상이한 광학적 성질을 갖는 적어도 두 개의 레이저 빔을 재료에 지향시켜 가공 작업을 실행하는 단계를 포함하는 재료 가공 방법을 제공한다.
일 실시예에 있어서, 빔은 상이한 파장을 갖고, 재료 제거율이 가장 높도록 가장 긴 파장을 갖는 빔을 초기에 사용한 다음, 보다 짧은 파장을 갖는 빔을 사용하여 가공 작업을 완료한다.
일 실시예에 있어서, 가장 긴 파장을 갖는 빔은 가장 강력한 파워를 또한 갖는다.
다른 실시예에 있어서, 가장 긴 파장을 갖는 빔은 기준 레이저 주파수 또는 제2 고조파 레이저 주파수의 펄스를 갖는 펄스 트레인을 포함하고, 보다 짧은 파장을 갖는 빔은 제3, 제4, 또는 제5 고조파 주파수의 펄스를 갖는 펄스 트레인을 포함한다.
일 실시예에 있어서, 가장 강력한 파워 빔은 기준 또는 제2 고조파 파장을 갖는 고체 상태의 레이저로부터 근적외선 스펙트럼 영역의 기준 주파수 및 근적외선 범위의 가시 제2 고조파 주파수로 발생되고, 보다 짧은 파장 빔은 제3, 제4, 또는 제5 고조파 주파수의 발생에 의해 자외선 범위의 파장으로 발생된다.
다른 실시예에 있어서, 빔은 300나노초 이하의 펄스폭을 갖는다.
일 실시예에 있어서, 빔은 각각 1kHz 이상의 펄스 반복 주파수를 갖는다.
일 실시예에 있어서, 검류계 및 광학 시스템은 빔을 방출하고, 광학 시스템은 타깃 전송 및 빔 사이즈를 제공한다.
일 실시예에 있어서, 재료는 반도체 재료로 된 웨이퍼이다.
일 실시예에 있어서, 재료는 반도체 재료 및 유전체 재료를 포함하는 복합 재료이다.
다른 실시예에 있어서, 가장 긴 파장 빔은 커팅선을 따라 한쪽으로부터 벌크형 반도체를 제거하는데 사용되고, 보다 짧은 파장 빔은 커팅선을 따라 반대쪽으로부터 보다 적은 양의 유전체 재료를 제거하는데 사용된다.
일 실시예에 있어서, 재료는 반도체 집적 회로 다이이고, 다이의 에지 둘레를 가공하여 웨이퍼 또는 다이 어레이로부터 재료를 개별적으로 분리시킨다.
일 실시예에 있어서, 방법은 기계 관찰 시스템을 사용하여 커팅 전에 재료의 이미지를 포착하는 단계 및 확인된 기준에 따라 커팅선을 결정하는 단계를 더 포함한다.
다른 양태에 있어서, 본 발명은 재료를 커팅하는 장치를 제공하는 것으로서, 상기 장치는 레이저 소스 수단, 레이저 빔 안내 수단, 및 상기 소스 수단 및 안내 수단을 제어하여 기계 가공 작업을 실행하는 수단을 포함하는 컨트롤러를 포함하며, 상기 레이저 소스 수단은 상이한 광학적 성질을 갖는 레이저 빔을 각각 발생시키는 복수의 레이저 소스를 포함하고, 상기 컨트롤러는 전술한 바의 방법에 따른 기계 가공 작업을 제어하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.
다음에, 본 발명은 첨부 도면을 예로 들어 기재한 몇 가지 실시예에 대한 상세한 설명으로부터 보다 명백하게 이해할 수 있을 것이다.
본 발명은 상이한 광학적 성질을 갖는 두 개의 각기 다른 레이저 빔을 사용하여 유도 광 제거 및 다른 기본 물리적 공정에 의하여 반도체 웨이퍼를 미세 가공하는 시스템 및 방법을 제공한다. 빔을 발생시키는 레이저 시스템은 예를 들면, 제1, 제2(532nm), 제3(355nm), 제4(266nm) 또는 제5(213nm) 고조파 발광을 가진 (Nd: YVO4@1064nm) 다이오드 펌프식 고체 상태 레이저 시스템이다. 1064nm 레이저는 고속을 제공하고, 532nm 및 355nm 레이저는 고속으로 적당한 품질을 제공하며, 266nm 및 213nm 시스템은 속도는 느리지만 가장 양호한 기계 가공 품질을 제공한다. 발광의 정확한 파장에 따라 고조파 파장도 또한 약간 변할 수 있다(예를 들면 Nd: YAG).
제1 빔은 기준 또는 제2 고조파 주파수의 펄스를 갖는 펄스 트레인을 포함하는 것이 바람직하다. 제2 빔은 제3, 제4, 또는 제5 고조파 주파수의 펄스를 갖는 펄스 트레인을 포함하는 것이 바람직하다.
예를 들면, 제1 빔은 기준 주파수 1064nm 또는 제2 고조파 532nm의 Nd:YAG일 수 있다. 제2 빔은 Nd:YAG 제3 고조파 355nm 빔일 수 있다.
상기 빔 양자 모두는 300nm 이하의 펄스폭 및 1kHz 이상의 펄스 반복 주파수를 갖는 것이 바람직하다.
시스템은 하나는 적외선 또는 가시 파장 레이저(녹색 등)를 사용하고 다른하나는 자외선 레이저를 사용하는 두 개의 각기 다른 헤드를 포함한다. 시스템은 고해상도 x-y 스테이지 및 2축 검류계를 포함하는 정확한 지향 및 위치결정 시스템을 포함한다. 고 해상도의 2대의 카메라 이미징 시스템은 웨이퍼의 정확한 위치결정 및 미세 가공된 특징부의 검사에 사용된다. 상단 관찰 시스템을 사용하여 위치 정보를 중앙처리장치에 제공한다. 상기 관찰 시스템은 웨이퍼가 "아트워크 업" 위치에 있을 때 동작한다. 상단 관찰 시스템은 레이저 빔 위치결정 시스템과 일정하게 오프셋될 수 있고, 또는 관찰 시스템은 빔 전송 경로 및 포커싱 렌즈를 통해 동작할 수 있다. 재료 조종 시스템은 아트워크가 상측 방향 또는 하측 방향으로 대면하는 상태로 웨이퍼가 x-y 테이블 척에 배치될 수 있도록 설계된다. 하단 관찰 시스템을 사용하여 아트워크가 하측 방향으로 대면하는 상태로 웨이퍼에 대한 위치 정보를 제공한다. 또한, 시스템은 웨이퍼를 싣고 이들 웨이퍼를 하나의 헤드로부터 다른 헤드로 이동시키는 조종 로봇을 사용한다.
또한, 시스템은 가스 송풍 및 오물 추출 시스템을 포함한다. 오물 추출 장치는 오물이 기준점 상에 들러 붙지 않아 정확한 관찰 및 정렬이 가능하도록 확실하게 한다. 공기 보조 장치는 오물이 기계 가공 전방부 및 웨이퍼의 상단으로부터 멀어져 오물 추출 시스템 내로 향하도록 확실하게 한다. 오물 추출 장치 및 공기 보조 장치는 기계 가공 속도 및 품질을 또한 향상시킨다.
시스템으로 인하여 복잡한 형상, 블라인드 및 절결부가 반도체 웨이퍼의 양쪽에 고속으로 기계 가공될 수 있다.
일 실시예에 있어서, 제1 빔은 고속의 기계 가공 속도 및 고율의 재료 제거율이 달성되는 1064nm 또는 532nm 레이저 빔이고, 제2 빔은 양질의 제품으로 마무리가 달성되는 355nm 또는 266nm 빔이다.
전술한 바와 같이, 레이저 기계 가공 시스템은 두 개의 헤드(헤드 1 및 헤드 2) 및 조종 로봇을 포함한다. 헤드 1은 평균 파워 6와트 이상의 펄스 녹색 레이저 소스를 제어하는 한편, 헤드 2는 평균 파워 1.5와트 이상의 펄스 266nm 자외선 레이저 소스를 제어한다. 헤드 1 및 헤드 2 양자 모두에 있어서, 빔은 적절한 파장, 레이저 파워, 편광 및 투사각용으로 설계된 유전체 미러를 사용하여 웨이퍼에 방출된다. 망원경을 사용하여 검류계로 들어가는 입력에서의 빔의 직경을 설정한다. 다음에, 빔은 2축 검류계 내로 향한다. 검류계에는 집속된 빔을 100mm X 100mm의 영역으로 균일하게 방출하는 신축 자재의 F-theta 플랫 필드 렌즈가 부착된다. 웨이퍼의 전체 영역을 기계 가공하도록, x-y 스테이지가 사용된다. 상기 x-y 스테이지는 웨이퍼 홀더와 결합된다. x-y 스테이지는 검류계 관찰 필드 외측의 영역을 연결시키도록 제어되어 전체 웨이퍼에 걸쳐 기다란 채널을 기계 가공할 수 있다. 조종 로봇을 사용하여 아트워크를 원하는 바에 따라 상측 방향 또는 하측 방향으로 대면하는 상태로 x-y 테이블에 웨이퍼를 위치시킨다. 이로써 웨이퍼의 양쪽 모두가 기계 가공될 수 있다. 웨이퍼 홀더는 소정의 직경을 가진 웨이퍼용으로 설계된다. 그러나, 웨이퍼 홀더는 200mm 및 300mm의 웨이퍼를 포함하여 보다 작거나 또는 큰 웨이퍼를 수용하도록 용이하게 변경될 수 있다.
제어 시스템, 데이터 시스템, 동작 시스템, 관찰 시스템 및 빔 방출 모두는 처리 장치로 제어된다.
웨이퍼는 먼저 헤드 1에 의하여 기계 가공된다. 헤드 1 녹색 레이저는 재료 제거에 효과적이지만, 절결 에지의 전체적인 품질은 자외선 레이저 시스템으로 달성가능한 품질보다 더 낮다. 내부 절결부의 품질 및 상면의 품질은 자외선으로 얻을 수 있는 품질에 미치지 못한다. 그러나, 녹색 레이저는 파워가 강하고, 비교적 저렴하며, 보다 안정적이다. 헤드 1의 녹색 레이저가 채널 또는 트렌치로부터 재료 벌크를 제거한 후, 헤드 2의 자외선 레이저를 사용하여 내부 및 트렌치의 에지로부터 재료를 제거할 수 있으므로 기계 가공 네트 속도가 향상되고 양호한 품질로 마무리된다.
예 1: 이중 헤드 시스템에서 두 개의 레이저 파장으로 700㎛의 실리콘 웨이퍼의 기계 가공
상기 예에서, 웨이퍼는 이중 헤드 배열을 사용하여 기계 가공되고, 여기서 제1 헤드인 헤드 1은 평균 파워가 6와트 이상인 펄스 녹색 레이저 소스를 사용하는 한편, 헤드 2는 평균 파워가 1.5와트 이상인 펄스 266nm 자외선 레이저 소스를 사용한다. 도 1(a) 및 도 1(b)를 참조한다.
웨이퍼는 먼저 헤드 1에 의하여 기계 가공된다. 녹색 레이저는 재료 제거에 효과적이지만, 절결 에지의 전체적인 품질은 자외선 레이저 시스템으로 달성가능한 품질보다 더 낮다. 내부 절결부의 품질 및 상면의 품질은 자외선으로 얻을 수 있는 품질에 미치지 못한다. 헤드 1의 녹색 레이저가 재료 벌크를 제거하여 프로파일 2를 형성한 후, 헤드 2의 자외선 레이저를 사용하여 내부 및 트렌치의 에지로부터 재료를 제거하여 프로파일 3을 제공한다.
예 2: 깊은 트렌치 기계 가공(도 2 참조)
도 2(a)를 참조하면, 예 1에 대하여 전술한 바와 같은 녹색 및 자외선 레이저 빔을 사용하여 폭(S) 및 깊이(D)를 갖는 깊은 트렌치(50)를 기계 가공한다.
제1 스테이지에서, 제1 녹색 레이저 지향으로 울퉁불퉁한 서브 트렌치(51)를 기계 가공한다. 이어서 상기 레이저 빔을 횡방향으로 오프셋 지향시켜 서브 트렌치(52, 53)를 기계 가공한다. 횡방향 오프셋 매개 변수를 "Ocentre"라고 한다.
제2 스테이지에서, 녹색 레이저를 사용하여 서브 트렌치(54, 55, 56)를 연속적으로 기계 가공하여 무딘 깊이(D)에 근접하게 된다(마무리는 울퉁불퉁하지만).
자외선 레이저를 사용하여 결합된 서브 트렌치(51 내지 56)에 의하여 형성된 트렌치를 횡방향으로 연장시킨다. 보다 상세하게는, 제3 스테이지에서, 자외선 레이저를 상단 에지 둘레에 지향시켜 직사각형 체적(57, 58)을 깊이 c. D/3으로 기계 가공한다. 제4 스테이지에서, 자외선 레이저 빔을 직사각형 경로 둘레에 지향시켜 체적(59, 61)을 총 깊이 2*D/3까지 제거한다. 최종적으로, 제5 스테이지에서, 자외선 빔을 사용하여 체적(61, 62)을 기계 가공하여 깊이(D) 및 폭(S)를 갖는 트렌치(50)의 정확하고 균일한 프로파일을 완성시킨다. 도 2(a)는 명확하게 하기 위한 도면이다. 도 2(b)를 참조하면, 실리콘 웨이퍼(150) 내 트렌치에 대하여 제2 빔이 동작하는 방식이 예시된 것으로서, 제1 레이저에 의하여 발생된 트렌치의 울퉁불퉁한 형상이 예시되어 있다. 도 2(b)는 실리콘 웨이퍼(150)의 단면도이다. 실리콘 기판을 고속으로 기계 가공하기 위하여 532nm의 10W 레이저를 먼저 사용한다. 원하는 트렌치 깊이 및 트렌치 폭(S)은 평행 주사수 및 소정의 레이저 커프 폭(K)에대한 이들(Ocentre) 사이의 횡방향 오프셋을 적합하게 선택함으로써 달성된다. n 및 Ocentre값은 원하는 벽 프로파일(151)을 기계 가공하도록 기판 재료를 통한 연속적인 지향에 따라 변할 수 있다. 이어서, 트렌치 커팅 품질을 향상시키고 고성능 532nm 레이저광(152)으로 기계 가공하는 도중에 야기된 치핑 및 손상을 감소시키도록 보다 낮은 파워의 자외선 레이저 빔을 트렌치 상에 지향시킨다. 상기 다중 레이저 접근법으로 인하여 실리콘 웨이퍼 기판 내 고품질 트렌치를 자외선 레이저를 사용하여 얻을 수 있는 속도보다 더 고속으로 기계 가공할 수 있다. 실리콘의 30㎛ 깊은 트렌치에 대한 일반적인 기계 가공 속도는 10W 532nm 레이저에 대하여 초속 60mm이하이다. 마무리 패스 속도는 사용된 레이저의 파워 및 파장에 따라 좌우되고, 이들 파워 및 파장은 마무리 및 최종 트렌치의 구성을 제어하는데 사용될 수 있다.
예 3: 30㎛의 석영 또는 융합된 실리카 피복층으로 700㎛의 실리콘 웨이퍼의 기계 가공
도 3(a)를 참조하면, 비활성 및 활성 광학 구성품에 사용된 것과 유사한 670 마이크론의 실리콘층(141) 및 30 마이크론의 석영 또는 융합된 실리카 피복층(142)을 가진 700 마이크론 웨이퍼(140)의 개략도이다. 532mm의 9W 레이저(145)를 사용하여 도 3(b)의 웨이퍼 저면쪽으로부터 실리콘층을 고속으로 기계 가공한다. 이어서, 웨이퍼의 상면으로부터 기계 가공함으로써 보다 낮은 파워의 자외선 레이저 빔(146)을 사용하여 석영 또는 융합된 실리카층(142)을 정확하게 제거한다. 상기기계 가공법은 채널 생산 및 다이싱 응용에 적합하다.
다수의 횡방향 오프셋 자외선 레이저를 지향시켜 도 3(c)에 도시된 바와 같이 석영 또는 융합된 실리카층을 지나 실리콘 기판 내로 커팅함으로써 직선 벽 절결부가 형성되어 개별적으로 분리된 다이(148)를 제공한다. 대안으로서, 웨이퍼의 상단 상에 자외선 레이저에 의하여 기계 가공된 트렌치(S)의 폭은 웨이퍼의 저면으로부터 532nm 레이저에 의하여 기계 가공된 트렌치의 폭에 비하여 증가될 수 있으므로, 보다 좁은 피복층(147)을 가진 단차부를 형성한다. 이것은 두 개의 구성품이 이와 같은 방식으로 다이싱된 도 3(d)에 도시되어 있다. 직선 벽 채널의 일반적인 기계 가공 속도는 원하는 마무리 품질에 따라 10W 532nm 및 1.5W 266nm 레이저에 대하여 매 초당 1.3 내지 2.0mm 범위에 있다.
본 발명은 전술한 실시예에만 한정되는 것은 아니라 구조 및 상세가 변할 수 있다.

Claims (14)

  1. 재료의 기계 가공 방법에 있어서,
    기계 가공 작업을 실행시키기 위해 상기 재료 상에 적어도 두 개의 레이저 빔을 지향시키는 단계를 포함하고,
    상기 레이저 빔은 상이한 광학적 성질을 갖는
    재료의 기계 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 빔은 상이한 파장을 가지며,
    가장 높은 비율로 재료를 제거하기 위하여 가장 긴 파장을 갖는 상기 빔을 초기에 사용하고, 이어서 상기 기계 가공 작업을 완료하기 위하여 보다 짧은 파장을 갖는 빔을 사용하는
    재료의 기계 가공 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가장 긴 파장을 갖는 상기 빔이 가장 높은 파워를 갖는 재료의 기계 가공 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    가장 긴 파장을 갖는 빔은 기준 또는 제2 고조파 레이저 주파수의 펄스를 갖는 펄스 트레인을 포함하고, 보다 짧은 파장을 갖는 빔은 제3, 제4, 또는 제5 고조파 주파수의 펄스를 갖는 펄스 트레인을 포함하는 재료의 기계 가공 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    가장 높은 파워의 빔은 기준 또는 제2 고조파 파장을 갖는 고체 상태의 레이저로부터 근적외선 스펙트럼 영역의 기준 주파수 및 가시 근적외선 범위의 제2 고조파 주파수로 발생되고, 보다 짧은 파장의 빔은 제3, 제4, 또는 제5 고조파 주파수의 발생에 의해 자외선 범위의 파장으로 발생되는 재료의 기계 가공 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 빔은 300나노초 이하의 펄스폭을 갖는 재료의 기계 가공 방법.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 빔 각각은 1kHz 이상의 펄스 반복 주파수를 갖는 재료의 기계 가공 방법.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    검류계 및 광학 시스템은 상기 빔을 방출하고, 상기 광학 시스템은 타깃 전송 및 빔 치수를 제공하는 재료의 기계 가공 방법.
  9. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재료는 반도체 재료로 된 웨이퍼인 재료의 기계 가공 방법.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재료는 반도체 재료, 및 유전체 재료를 포함하는 복합 재료인 재료의 기계 가공 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    가장 긴 파장의 빔은 커팅선을 따라 한쪽으로부터 벌크형 반도체를 제거하는데 사용되고, 보다 짧은 파장의 빔은 상기 커팅선을 따라 반대쪽으로부터 보다 적은 양의 유전체 재료를 제거하는데 사용되는 재료의 기계 가공 방법.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재료는 반도체 집적 회로 다이이고, 상기 다이의 에지 둘레를 기계 가공하여 상기 재료를 웨이퍼 또는 다이 어레이로부터 개별적으로 분리(singulate)하는 재료의 기계 가공 방법.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 방법은 커팅하기 전에 기계 관찰 시스템을 사용하여 상기 재료의 이미지를 포착하는 단계 및 상기 커팅선을 확인된 기준에 따라 결정하는 단계를 더 포함하는 재료의 기계 가공 방법.
  14. 레이저 소스 수단,
    레이저 빔 안내 수단, 및
    기계 가공 작업을 실행하도록 상기 레이저 소스 수단 및 상기 안내 수단을 제어하는 수단을 포함하는 컨트롤러
    를 포함하는 재료 커팅 장치에 있어서,
    상기 레이저 소스 수단은 상이한 광학적 성질을 가진 레이저 빔을 각각 발생시키는 복수의 레이저 소스를 포함하고,
    상기 컨트롤러는 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 기재된 방법에 따른 기계 가공 작업을 제어하는 수단을 포함하는
    재료 커팅 장치.
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