JP2000128556A - ガラス基板の穴開方法及びガラス穴抜き装置 - Google Patents
ガラス基板の穴開方法及びガラス穴抜き装置Info
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- JP2000128556A JP2000128556A JP10310536A JP31053698A JP2000128556A JP 2000128556 A JP2000128556 A JP 2000128556A JP 10310536 A JP10310536 A JP 10310536A JP 31053698 A JP31053698 A JP 31053698A JP 2000128556 A JP2000128556 A JP 2000128556A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/09—Severing cooled glass by thermal shock
- C03B33/091—Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
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- Perforating, Stamping-Out Or Severing By Means Other Than Cutting (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】工具による加工が不要でパーティクルが発生し
にくく、さらに加工時間が短くて済むガラス基板の穴形
成方法を提供する。 【解決手段】穴形状１に沿ってレーザービームをガラス
基板２に照射して軟化点に近い温度に加熱し、加熱した
直後にガラス基板を冷却して内部に穴形状に沿ったクラ
ック面３を形成する。ガラス基板２の下面を加熱手段１
０で加熱し、穴板部４を上面から冷却しながら吸引保持
する。穴板部４は収縮し、ガラス基板２の穴板部４以外
の部分は膨張する。クラック面３が破断して穴板部４が
穴から取り出される。
にくく、さらに加工時間が短くて済むガラス基板の穴形
成方法を提供する。 【解決手段】穴形状１に沿ってレーザービームをガラス
基板２に照射して軟化点に近い温度に加熱し、加熱した
直後にガラス基板を冷却して内部に穴形状に沿ったクラ
ック面３を形成する。ガラス基板２の下面を加熱手段１
０で加熱し、穴板部４を上面から冷却しながら吸引保持
する。穴板部４は収縮し、ガラス基板２の穴板部４以外
の部分は膨張する。クラック面３が破断して穴板部４が
穴から取り出される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザーを用いて
ガラス板に穴を形成する方法と装置に関する。
ガラス板に穴を形成する方法と装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】様々な発光素子がガラス基板をベースに
製造されている。例えば、蛍光表示装置は、発光部を含
む各種電極類等が収納される略箱型の外囲器がガラス基
板で形成されている。電界放出形陰極(Field Emission
Cathode, 略してFEC)を電子源とした電界放出形表示素
子(Field Emission Display,略してFED)は、ＦＥＣが形
成される陰極基板と、これに対面する陽極が形成される
陽極基板がガラス基板で構成される。さらに、有機ＥＬ
素子は、ガラス基板の上に発光層を含む各種有機層が積
層される。
製造されている。例えば、蛍光表示装置は、発光部を含
む各種電極類等が収納される略箱型の外囲器がガラス基
板で形成されている。電界放出形陰極(Field Emission
Cathode, 略してFEC)を電子源とした電界放出形表示素
子(Field Emission Display,略してFED)は、ＦＥＣが形
成される陰極基板と、これに対面する陽極が形成される
陽極基板がガラス基板で構成される。さらに、有機ＥＬ
素子は、ガラス基板の上に発光層を含む各種有機層が積
層される。
【０００３】上述したようなガラス基板を構造上のベー
スとした発光素子の製造においては、表示サイズや形状
等に応じてガラス基板を分割する工程が必須となる。ガ
ラス基板の最も一般的な分割方法としては、スクライブ
＆ブレークとよばれる方法がある。これは、ダイヤモン
ド工具を使用し、ガラス基板の表面に傷を付けて折り取
る方法である。
スとした発光素子の製造においては、表示サイズや形状
等に応じてガラス基板を分割する工程が必須となる。ガ
ラス基板の最も一般的な分割方法としては、スクライブ
＆ブレークとよばれる方法がある。これは、ダイヤモン
ド工具を使用し、ガラス基板の表面に傷を付けて折り取
る方法である。
【０００４】また、上記発光素子の製造においては、ガ
ラス基板を所定寸法等に分割するだけでなく、ガラス基
板に穴を形成する必要が生じる場合がある。例えば、前
記蛍光表示管や前記ＦＥＤにおいては、外囲器の内部を
高真空に排気するために排気管を外囲器に取り付ける場
合があり、そのために排気管を設ける貫通穴を外囲器を
構成するガラス基板に形成する場合がある。
ラス基板を所定寸法等に分割するだけでなく、ガラス基
板に穴を形成する必要が生じる場合がある。例えば、前
記蛍光表示管や前記ＦＥＤにおいては、外囲器の内部を
高真空に排気するために排気管を外囲器に取り付ける場
合があり、そのために排気管を設ける貫通穴を外囲器を
構成するガラス基板に形成する場合がある。
【０００５】ガラス基板に貫通した穴を形成する場合に
は、ドリルやキリ等のダイヤモンド工具を用いてガラス
基板の表面を削り取って粉にしていく方法がとられてい
る。
は、ドリルやキリ等のダイヤモンド工具を用いてガラス
基板の表面を削り取って粉にしていく方法がとられてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ダイヤモンド工具でガ
ラス基板を削り取って穴を形成する方法では、多くのマ
イクロクラックが発生し、またガラス基板の表面に平行
なラテラルクラックも発生する。従って、形成された穴
の内面は汚く荒れた状態であり、研磨を必要とする場合
もある。さらに、このように多数のクラックが生じてい
る状態では、工程終了後、例えば発光素子の組み立て後
にクラックが成長してリークの原因になったり、外囲器
内にガラスのパーティクルが発生する場合があり、いず
れも表示素子としての性能低下の原因になる。
ラス基板を削り取って穴を形成する方法では、多くのマ
イクロクラックが発生し、またガラス基板の表面に平行
なラテラルクラックも発生する。従って、形成された穴
の内面は汚く荒れた状態であり、研磨を必要とする場合
もある。さらに、このように多数のクラックが生じてい
る状態では、工程終了後、例えば発光素子の組み立て後
にクラックが成長してリークの原因になったり、外囲器
内にガラスのパーティクルが発生する場合があり、いず
れも表示素子としての性能低下の原因になる。
【０００７】本発明は、工具による加工が不要でパーテ
ィクルが発生しにくく、さらに加工時間が短くて済むガ
ラス基板の穴開方法とガラス穴抜き装置を提供すること
を目的としている。
ィクルが発生しにくく、さらに加工時間が短くて済むガ
ラス基板の穴開方法とガラス穴抜き装置を提供すること
を目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載されたガ
ラス基板の穴開方法は、所望の穴形状（１）に沿ってガ
ラス基板（２）を加熱するとともに、加熱した直後に前
記ガラス基板を冷却して前記ガラス基板に前記穴形状に
沿ってクラック（クラック面３）を形成する穴加工工程
と、前記ガラス基板の穴形状の内側である穴板部（４）
と、前記穴板部以外の部分とに所定の温度差を生じさせ
て前記穴板部を前記基板から分離させる穴板部分離工程
を有することを特徴としている。
ラス基板の穴開方法は、所望の穴形状（１）に沿ってガ
ラス基板（２）を加熱するとともに、加熱した直後に前
記ガラス基板を冷却して前記ガラス基板に前記穴形状に
沿ってクラック（クラック面３）を形成する穴加工工程
と、前記ガラス基板の穴形状の内側である穴板部（４）
と、前記穴板部以外の部分とに所定の温度差を生じさせ
て前記穴板部を前記基板から分離させる穴板部分離工程
を有することを特徴としている。
【０００９】請求項２に記載されたガラス基板の穴開方
法は、請求項１記載のガラス基板の穴開方法において、
前記ガラス基板（２）の加熱がレーザービーム手段であ
ることを特徴としている。
法は、請求項１記載のガラス基板の穴開方法において、
前記ガラス基板（２）の加熱がレーザービーム手段であ
ることを特徴としている。
【００１０】請求項３に記載されたガラス基板の穴開方
法は、請求項１記載のガラス基板の穴開方法において、
前記穴板部分離工程において、前記ガラス基板（２）を
一方の面から加熱するとともに前記穴板部（４）を前記
ガラス基板の他方の面から冷却することにより前記クラ
ック（クラック面３）を破断させることを特徴としてい
る。
法は、請求項１記載のガラス基板の穴開方法において、
前記穴板部分離工程において、前記ガラス基板（２）を
一方の面から加熱するとともに前記穴板部（４）を前記
ガラス基板の他方の面から冷却することにより前記クラ
ック（クラック面３）を破断させることを特徴としてい
る。
【００１１】請求項４に記載されたガラス基板の穴開方
法は、請求項１記載のガラス基板の穴開方法において、
前記穴板部分離工程において、前記穴板部（４）を保持
して前記ガラス基板（２）から分離する方向に移動させ
ることにより前記ガラス基板と前記穴板部を分離するこ
とを特徴としている。
法は、請求項１記載のガラス基板の穴開方法において、
前記穴板部分離工程において、前記穴板部（４）を保持
して前記ガラス基板（２）から分離する方向に移動させ
ることにより前記ガラス基板と前記穴板部を分離するこ
とを特徴としている。
【００１２】請求項５に記載されたガラス穴抜き装置
は、所望の穴形状（１）に沿ってガラス基板（２）を加
熱・冷却する手段と、前記ガラス基板を一方の面から加
熱する手段（加熱手段１０）と、前記穴板部（４）を前
記ガラス基板の他方の面から冷却する手段（冷却吸引手
段１１、ペルチエ素子１２）と、前記穴板部を保持して
前記ガラス基板から分離する手段（冷却吸引手段１１）
を有することを特徴としている。
は、所望の穴形状（１）に沿ってガラス基板（２）を加
熱・冷却する手段と、前記ガラス基板を一方の面から加
熱する手段（加熱手段１０）と、前記穴板部（４）を前
記ガラス基板の他方の面から冷却する手段（冷却吸引手
段１１、ペルチエ素子１２）と、前記穴板部を保持して
前記ガラス基板から分離する手段（冷却吸引手段１１）
を有することを特徴としている。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明する。
本例によるガラス基板の穴開方法は、所望の穴形状に沿
ってガラス基板を加熱し、その直後にガラス基板を冷却
して穴形状に沿ってクラックを形成する方法を利用して
いる。この方法の具体的な一例として、本例は、ガラス
基板をレーザー照射直後に冷却して微細なクラックを形
成する加工方法を利用している。このようなレーザーを
利用したガラス基板の加工方法としては、例えば特表平
８−５０９９４７号に開示されたガラス基板の分割方法
等が知られている。
本例によるガラス基板の穴開方法は、所望の穴形状に沿
ってガラス基板を加熱し、その直後にガラス基板を冷却
して穴形状に沿ってクラックを形成する方法を利用して
いる。この方法の具体的な一例として、本例は、ガラス
基板をレーザー照射直後に冷却して微細なクラックを形
成する加工方法を利用している。このようなレーザーを
利用したガラス基板の加工方法としては、例えば特表平
８−５０９９４７号に開示されたガラス基板の分割方法
等が知られている。
【００１４】まず、本例におけるガラス基板のレーザー
による加工方法の一例である特表平８−５０９９４７号
に開示された方法を簡単に説明する。この方法は、レー
ザービームと、このレーザービームが照射された材料と
を相対的に移動させて加熱帯の局所的加熱を行い、レー
ザービームで切断線を加熱して生じた熱弾性応力の作用
の下でガラス基板を切断する方法である。この方法で
は、ガラスの軟化点に近い温度まで加熱が行われ、レー
ザービームおよびガラス基板の相対的な移動速度を適当
に設定し、さらに加熱帯を局所的に冷却する条件を適宜
に定めることにより、ガラス基板に盲分割亀裂を形成す
る方法である。
による加工方法の一例である特表平８−５０９９４７号
に開示された方法を簡単に説明する。この方法は、レー
ザービームと、このレーザービームが照射された材料と
を相対的に移動させて加熱帯の局所的加熱を行い、レー
ザービームで切断線を加熱して生じた熱弾性応力の作用
の下でガラス基板を切断する方法である。この方法で
は、ガラスの軟化点に近い温度まで加熱が行われ、レー
ザービームおよびガラス基板の相対的な移動速度を適当
に設定し、さらに加熱帯を局所的に冷却する条件を適宜
に定めることにより、ガラス基板に盲分割亀裂を形成す
る方法である。
【００１５】この方法によれば、熱弾性応力の作用の下
でガラス基板の切断は次のように行われる。ガラス基板
の表面がレーザービームで加熱されるとき、かなりの圧
縮応力がガラス基板の表面層に発生するが、これらは亀
裂または割り（分割）を引き起こさない。ガラス基板を
切断するためには、以下の条件が満たされねばならな
い。先ず第１に、レーザービームはガラス基板の表面を
加熱できねばならず、すなわちその放射はガラス基板に
対して実際に不透明である波長とされねばならない。し
たがって、放射は１０．６μｍの波長を有するＣＯ2 レ
ーザー、約５．５μｍの波長を有するＣＯレーザー、ま
たは２．９μｍの波長を有するＨＦレーザーのビームの
ように、２μｍを超える波長を有する赤外線の範囲とさ
れねばならない。第２に、ガラス基板の表面が加熱され
るとき、その最大温度は材料の軟化点を超えてはならな
い。そうでないと、材料の塑性限界を超えてしまい、切
断された線の両側のガラス材料が冷却した後に熱応力が
残留してしまい、ガラス材料の亀裂形成を制御不能にし
てしまう。
でガラス基板の切断は次のように行われる。ガラス基板
の表面がレーザービームで加熱されるとき、かなりの圧
縮応力がガラス基板の表面層に発生するが、これらは亀
裂または割り（分割）を引き起こさない。ガラス基板を
切断するためには、以下の条件が満たされねばならな
い。先ず第１に、レーザービームはガラス基板の表面を
加熱できねばならず、すなわちその放射はガラス基板に
対して実際に不透明である波長とされねばならない。し
たがって、放射は１０．６μｍの波長を有するＣＯ2 レ
ーザー、約５．５μｍの波長を有するＣＯレーザー、ま
たは２．９μｍの波長を有するＨＦレーザーのビームの
ように、２μｍを超える波長を有する赤外線の範囲とさ
れねばならない。第２に、ガラス基板の表面が加熱され
るとき、その最大温度は材料の軟化点を超えてはならな
い。そうでないと、材料の塑性限界を超えてしまい、切
断された線の両側のガラス材料が冷却した後に熱応力が
残留してしまい、ガラス材料の亀裂形成を制御不能にし
てしまう。
【００１６】そして、この方法では、適当な冷媒の流
れ、すなわちジェットが前進するレーザービームのスポ
ットの後方でガラス基板に向けられ、切断線に沿って表
面層がはっきりと局所的に冷却されるようにする。この
ような温度勾配はガラス基板の表面層に引張り応力を誘
起し、またこれらの応力がガラス基板の引張り強度を超
えると、圧縮状態にある材料部分にまで盲亀裂が進行す
る。
れ、すなわちジェットが前進するレーザービームのスポ
ットの後方でガラス基板に向けられ、切断線に沿って表
面層がはっきりと局所的に冷却されるようにする。この
ような温度勾配はガラス基板の表面層に引張り応力を誘
起し、またこれらの応力がガラス基板の引張り強度を超
えると、圧縮状態にある材料部分にまで盲亀裂が進行す
る。
【００１７】このように、この方法によれば、ガラス基
板をレーザーで照射し、その直後に冷却してガラス基板
内に微細なクラックを形成する。ここで、ガラス基板は
溶けている訳ではなく、熱せられた状態で急冷されたた
めに多数のクラックが生じただけであり、まだ分割され
た状態にはない。従って、この方法でガラス基板に穴を
形成しても、直ちに穴板部が基板から抜け落ちて貫通し
た穴が得られる訳ではない。
板をレーザーで照射し、その直後に冷却してガラス基板
内に微細なクラックを形成する。ここで、ガラス基板は
溶けている訳ではなく、熱せられた状態で急冷されたた
めに多数のクラックが生じただけであり、まだ分割され
た状態にはない。従って、この方法でガラス基板に穴を
形成しても、直ちに穴板部が基板から抜け落ちて貫通し
た穴が得られる訳ではない。
【００１８】従って、この方法で穴加工してもギャップ
がないために分離できない。大きく穴加工した場合には
穴板部に放射状のクラックをさらに加工して破壊して取
り去ることも可能であるが、前述したような発光素子の
排気管等の用途ではせいぜい直径が３〜４ｍｍ程度の小
さな穴なので、そのような方法はとれない。
がないために分離できない。大きく穴加工した場合には
穴板部に放射状のクラックをさらに加工して破壊して取
り去ることも可能であるが、前述したような発光素子の
排気管等の用途ではせいぜい直径が３〜４ｍｍ程度の小
さな穴なので、そのような方法はとれない。
【００１９】そこで、本発明は、前述したようなレーザ
ーによるガラス基板の穴加工工程において穴を加工し、
その後に、次に述べる穴板部分離工程によって穴板部を
基板から除去して基板に貫通穴を形成することを特徴と
している。
ーによるガラス基板の穴加工工程において穴を加工し、
その後に、次に述べる穴板部分離工程によって穴板部を
基板から除去して基板に貫通穴を形成することを特徴と
している。
【００２０】まず穴加工工程を説明する。図１に示すよ
うな所望の穴形状１に沿って、レーザービームをガラス
基板２に照射して軟化点に近い温度に加熱する。加熱し
た直後に、ガラス基板２を冷却してガラス基板２の内部
に穴形状１に沿って微細なクラック面３を形成する。図
１においては、クラック面３で分割された穴板部４と、
穴板部４以外のガラス基板２とを、便宜上異なるハッチ
ングで示したが、両者の材質は同一であり、また別体と
なっているものでもない。
うな所望の穴形状１に沿って、レーザービームをガラス
基板２に照射して軟化点に近い温度に加熱する。加熱し
た直後に、ガラス基板２を冷却してガラス基板２の内部
に穴形状１に沿って微細なクラック面３を形成する。図
１においては、クラック面３で分割された穴板部４と、
穴板部４以外のガラス基板２とを、便宜上異なるハッチ
ングで示したが、両者の材質は同一であり、また別体と
なっているものでもない。
【００２１】次に穴板部分離工程を説明する。図２に示
すように、ガラス基板２を下面からホットプレート等の
加熱手段１０で加熱する。また、穴板部４をガラス基板
２の上面から冷却する。冷却にはペルチエ素子１２を備
えた冷却吸引手段１１を用いる。吸引手段１１で穴板部
４を吸引固定しながら冷却する。これによって穴板部４
は収縮し、ガラス基板２の穴板部４以外の部分は膨張す
る。即ち、穴板部４と、ガラス基板２の穴板部４以外の
部分とに温度差が生じ、これによってクラックが破断し
て穴板部４はガラス基板２から分離する。例えば、前述
したような発光素子に用いられるガラス基板の熱膨張係
数は４７×１０-7／℃程度である。前述したような直径
３〜４ｍｍ程度の穴を厚さ０．７〜２ｍｍ程度のガラス
基板に形成するのであれば、両者の温度差を２５０℃程
度にすればよい。
すように、ガラス基板２を下面からホットプレート等の
加熱手段１０で加熱する。また、穴板部４をガラス基板
２の上面から冷却する。冷却にはペルチエ素子１２を備
えた冷却吸引手段１１を用いる。吸引手段１１で穴板部
４を吸引固定しながら冷却する。これによって穴板部４
は収縮し、ガラス基板２の穴板部４以外の部分は膨張す
る。即ち、穴板部４と、ガラス基板２の穴板部４以外の
部分とに温度差が生じ、これによってクラックが破断し
て穴板部４はガラス基板２から分離する。例えば、前述
したような発光素子に用いられるガラス基板の熱膨張係
数は４７×１０-7／℃程度である。前述したような直径
３〜４ｍｍ程度の穴を厚さ０．７〜２ｍｍ程度のガラス
基板に形成するのであれば、両者の温度差を２５０℃程
度にすればよい。
【００２２】そして、分離した穴板部４を冷却吸引手段
１１でガラス基板２の上面側に引き上げれば、穴板部４
をガラス基板２の穴から取り除くことができる。加熱手
段１０の穴に対応する部分に開口を設けておき、穴板部
４を下方に押して穴から除去してもよい。その場合には
吸引機能は必要ない。
１１でガラス基板２の上面側に引き上げれば、穴板部４
をガラス基板２の穴から取り除くことができる。加熱手
段１０の穴に対応する部分に開口を設けておき、穴板部
４を下方に押して穴から除去してもよい。その場合には
吸引機能は必要ない。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、レーザー照射と急冷に
よってガラス基板に穴状のパターンでクラックを形成
し、穴板部と穴板部以外の部分とに所定の温度差を生じ
させることによってクラックを破断させて穴板部を穴か
ら分離した。この方法によれば、次のような効果が得ら
れる。
よってガラス基板に穴状のパターンでクラックを形成
し、穴板部と穴板部以外の部分とに所定の温度差を生じ
させることによってクラックを破断させて穴板部を穴か
ら分離した。この方法によれば、次のような効果が得ら
れる。
【００２４】ガラス基板に小さな穴加工ができる。 ドリル等の工具による加工が不要になり、ガラスのパ
ーティクルの発生が軽減する。 加工時間が大幅に短縮される。 この穴加工が応用される発光素子の製造においては、
穴加工の困難性が減少することから排気管等を設ける位
置が自由に選択できるようになり、素子全体としての形
状設計の自由度が増大する。
ーティクルの発生が軽減する。 加工時間が大幅に短縮される。 この穴加工が応用される発光素子の製造においては、
穴加工の困難性が減少することから排気管等を設ける位
置が自由に選択できるようになり、素子全体としての形
状設計の自由度が増大する。
【図１】本発明の実施の形態の一例におけるガラス基板
の平面図と断面図である。
の平面図と断面図である。
【図２】本発明の実施の形態の一例における穴板部分離
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
１ 穴形状 ２ ガラス基板 ３ クラック面 ４ 穴板部 １０ 加熱手段 １１ 冷却吸引手段
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3C060 AA08 BB06 CA10 CF08 CF11 CF16 4E068 AA04 AF01 CE01 DB13 4G015 FA09 FB02 FC10
Claims (5)
- 【請求項１】 所望の穴形状に沿ってガラス基板を加熱
するとともに、加熱した直後に前記ガラス基板を冷却し
て前記ガラス基板に前記穴形状に沿ってクラックを形成
する穴加工工程と、 前記ガラス基板の穴形状の内側である穴板部と、前記穴
板部以外の部分とに所定の温度差を生じさせて前記穴板
部を前記基板から分離させる穴板部分離工程を有するこ
とを特徴とするガラス基板の穴開方法。 - 【請求項２】 前記ガラス基板の加熱がレーザービーム
手段である請求項１記載のガラス基板の穴開方法。 - 【請求項３】 前記穴板部分離工程において、前記ガラ
ス基板を一方の面から加熱するとともに前記穴板部を前
記ガラス基板の他方の面から冷却することにより前記ク
ラックを破断させる請求項１記載のガラス基板の穴開方
法。 - 【請求項４】 前記穴板部分離工程において、前記穴板
部を保持して前記ガラス基板から分離する方向に移動さ
せることにより前記ガラス基板と前記穴板部を分離する
請求項１記載のガラス基板の穴開方法。 - 【請求項５】 所望の穴形状に沿ってガラス基板を加熱
・冷却する手段と、前記ガラス基板を一方の面から加熱
する手段と、前記穴板部を前記ガラス基板の他方の面か
ら冷却する手段と、前記穴板部を保持して前記ガラス基
板から分離する手段を有することを特徴とするガラス穴
抜き装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10310536A JP2000128556A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | ガラス基板の穴開方法及びガラス穴抜き装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10310536A JP2000128556A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | ガラス基板の穴開方法及びガラス穴抜き装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000128556A true JP2000128556A (ja) | 2000-05-09 |
Family
ID=18006426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10310536A Pending JP2000128556A (ja) | 1998-10-30 | 1998-10-30 | ガラス基板の穴開方法及びガラス穴抜き装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000128556A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005097107A (ja) * | 2003-09-25 | 2005-04-14 | Schott Ag | ガラス／ガラスセラミック体のある部位に開口を製造する方法 |
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1998
- 1998-10-30 JP JP10310536A patent/JP2000128556A/ja active Pending
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