JP2007189057A - ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置 - Google Patents
ウエーハの分割方法およびウエーハの分割装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007189057A JP2007189057A JP2006005893A JP2006005893A JP2007189057A JP 2007189057 A JP2007189057 A JP 2007189057A JP 2006005893 A JP2006005893 A JP 2006005893A JP 2006005893 A JP2006005893 A JP 2006005893A JP 2007189057 A JP2007189057 A JP 2007189057A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dividing
- cooling
- adhesive tape
- along
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 42
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims abstract description 9
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 34
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 65
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 16
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26F—PERFORATING; PUNCHING; CUTTING-OUT; STAMPING-OUT; SEVERING BY MEANS OTHER THAN CUTTING
- B26F3/00—Severing by means other than cutting; Apparatus therefor
- B26F3/002—Precutting and tensioning or breaking
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0052—Means for supporting or holding work during breaking
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B26—HAND CUTTING TOOLS; CUTTING; SEVERING
- B26D—CUTTING; DETAILS COMMON TO MACHINES FOR PERFORATING, PUNCHING, CUTTING-OUT, STAMPING-OUT OR SEVERING
- B26D7/00—Details of apparatus for cutting, cutting-out, stamping-out, punching, perforating, or severing by means other than cutting
- B26D7/08—Means for treating work or cutting member to facilitate cutting
- B26D7/10—Means for treating work or cutting member to facilitate cutting by heating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T225/00—Severing by tearing or breaking
- Y10T225/30—Breaking or tearing apparatus
- Y10T225/307—Combined with preliminary weakener or with nonbreaking cutter
- Y10T225/321—Preliminary weakener
- Y10T225/325—With means to apply moment of force to weakened work
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Forests & Forestry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Dicing (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の表面に格子状の分割予定ラインが形成されているとともに高分子膜が形成されており、基板には分割予定ラインに沿って分割を許容する加工が施されているウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハを環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着するフレーム保持工程と、環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着されたウエーハを冷却するウエーハ冷却工程と
、冷却されたウエーハが貼着されている粘着テープを拡張してウエーハを分割予定ラインに沿って分割する分割工程を含む。
【選択図】図10
Description
ウエーハを環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着するフレーム保持工程と、
環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着されたウエーハを冷却するウエーハ冷却工程と、
冷却されたウエーハが貼着されている粘着テープを拡張してウエーハを分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
該環状のフレームを保持する保持面を備えたフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該粘着テープにおけるウエーハが貼着されているウエーハ貼着領域に作用する押圧面を備えたウエーハ押圧部材と、
該ウエーハ押圧部材を該フレーム保持手段の保持面より下方の退避位置から該フレーム保持手段の保持面より上方の押圧位置に移動せしめる進退手段と、
該フレーム保持手段の保持面の上側に設けられた冷却室と、
該冷却室内を冷却する冷却手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハの分割装置が提供される。
また、上記冷却手段は、上記冷却室内を+5〜−20℃に冷却する。
図示の実施形態においては、先ず半導体ウエーハ2の半導体基板20に対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を分割予定ライン21に沿って照射し、半導体基板20の内部に分割予定ライン21に沿って変質層を形成することにより、分割予定ライン21に沿って強度を低下せしめる変質層形成工程を実施する。この変質層形成工程は、図3に示すレーザー加工装置3を用いて実施する。図3に示すレーザー加工装置3は、被加工物を保持するチャックテーブル31と、該チャックテーブル31上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段32と、チャックテーブル31上に保持された被加工物を撮像する撮像手段33を具備している。チャックテーブル31は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図3において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
この変質層形成行程は、先ず上述した図3に示すレーザー加工装置3のチャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を半導体基板20の裏面20bを上にして載置し、該チャックテーブル31上に半導体ウエーハ2を吸着保持する。半導体ウエーハ2を吸引保持したチャックテーブル31は、図示しない移動機構によって撮像手段33の直下に位置付けられる。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 :3W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
図7には本発明に従って構成されたウエーハの分割装置の斜視図が示されており、図8には図7に示すウエーハの分割装置の断面図が示されている。
図7および図8に示すウエーハの分割装置6は、上面が開放された直方体状のハウジング60を具備している。このハウジング60の上面には、上記環状のフレーム4を保持するフレーム保持手段7が配設されている。フレーム保持手段7は、プレート状の保持部材71と、該保持部材71の4隅部にそれぞれ配設されたクランプ72とからなっている。保持部材71は、中央部に上記環状のフレーム4の開口41の内径と略同じ内径を有する開口711を備えているとともに、冷却気体導入口712および冷却気体排出口713を備えている。このように形成された保持部材71は、上面が環状のフレーム4を保持する保持面714として機能する。以上のように構成されたフレーム保持手段7は、保持部材71の保持面714上に載置された環状のフレーム4をクランプ72によって固定することにより、環状のフレーム4を保持する。
このウエーハ押圧部材8を保持部材71の保持面714より下方の図8に示す退避位置から保持面714より上方の押圧位置に移動せしめる進退手段9が配設されている。ウエーハ押圧部材8は、上記保持部材71に形成された開口711の内径より小さい内径を有する円形状に形成され、上面が押圧面81として機能する。ウエーハ押圧部材8の上面外周部には環状の溝82が形成されており、この環状の溝82に沿って複数の拡張補助ローラ83が配設されている。拡張補助ローラ83は、ウエーハ押圧部材8を押圧位置に移動して粘着テープ5を拡張する際に生じる摩擦抵抗を軽減する。なお、ウエーハ押圧部材8の中央部には、押圧面81に開口し空気を逃がす逃げ穴84を設けることが望ましい。上記進退手段9は、図示の実施形態においては図8に示すようにエアシリンダ機構からなり、そのピストンロッド91の上端に上記ウエーハ押圧部材8が連結されている。なお、ウエーハ押圧部材8が退避位置に位置付けられた状態においては、図示の実施形態では押圧面81が保持部材71の保持面714から5mm下方に位置する。また、ウエーハ押圧部材8が押圧位置に位置付けられた状態においては、図示の実施形態では押圧面81が保持部材71の保持面714から20mm上方に位置する。
先ず、図7に示すように分割装置6の蓋体10をヒンジ11を中心として上方に回動して開ける。このとき、ウエーハ押圧部材8は、図8に示す退避位置に位置付けられている。蓋体10を開けたならば、フレーム保持手段7を構成する保持部材71の保持面714上に上記図6に示すように半導体ウエーハ2を粘着テープ5を介して支持する環状のフレーム4を載置する(図9参照)。そして、環状のフレーム4をクランプ72によって保持部材71に固定する(フレーム保持工程)。
次に、冷却手段12を作動して冷却気体を冷却気体供給管122および123、冷却気体導入口712を通して冷却室100に導入する。この結果、冷却室100に露呈している半導体ウエーハ2が冷却せしめられる(ウエーハ冷却工程)。なお、冷却室100に導入された冷却気体は、冷却気体排出口713から冷却気体供給管122および123を通して冷却手段12に戻される。この冷却工程においては、冷却室100は+5〜−20℃に冷却される。
3: レーザー加工装置
31:レーザー加工装置のチャックテーブル
32:レーザー光線照射手段
322:集光器
4:環状のフレーム
5:粘着テープ
6:ウエーハの分割装置
7:フレーム保持手段
71:保持部材
8:ウエーハ押圧部材
9:進退手段
10:蓋体
100:冷却室
12:冷却手段
121:冷却気体供給手段
Claims (6)
- 基板の表面に格子状の分割予定ラインが形成されているとともに高分子膜が形成されており、該基板には分割予定ラインに沿って分割を許容する加工が施されているウエーハを、分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割方法であって、
ウエーハを環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着するフレーム保持工程と、
環状のフレームに装着された粘着テープの表面に貼着されたウエーハを冷却するウエーハ冷却工程と、
冷却されたウエーハが貼着されている粘着テープを拡張してウエーハを分割予定ラインに沿って分割する分割工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。 - 該冷却工程は、ウエーハを+5〜−20℃に冷却する、請求項1記載のウエーハの分割方法。
- 環状のフレームの内側開口部を覆うように装着された粘着テープに装着されたウエーハを、所定の分割予定ラインに沿って分割するウエーハの分割装置において、
該環状のフレームを保持する保持面を備えたフレーム保持手段と、
該フレーム保持手段に保持された該環状のフレームに装着された該粘着テープにおけるウエーハが貼着されているウエーハ貼着領域に作用する押圧面を備えたウエーハ押圧部材と、
該ウエーハ押圧部材を該フレーム保持手段の保持面より下方の退避位置から該フレーム保持手段の保持面より上方の押圧位置に移動せしめる進退手段と、
該フレーム保持手段の保持面の上側に設けられた冷却室と、
該冷却室内を冷却する冷却手段と、を具備している、
ことを特徴とするウエーハの分割装置。 - 該進退手段は、該ウエーハ押圧部材を該退避位置から該押圧位置まで10〜1000mm/秒の速度で移動せしめる、請求項3記載のウエーハの分割方装置。
- 該進退手段は、該ウエーハ押圧部材を該退避位置から該押圧位置まで50〜150mm/秒の速度で移動せしめる、請求項4記載のウエーハの分割方装置。
- 該冷却手段は、該冷却室内を+5〜−20℃に冷却する、請求項3記載のウエーハの分割方装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006005893A JP4851795B2 (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | ウエーハの分割装置 |
US11/650,503 US7544587B2 (en) | 2006-01-13 | 2007-01-08 | Wafer dividing method and wafer dividing apparatus |
CN2007100022157A CN101000864B (zh) | 2006-01-13 | 2007-01-12 | 晶片的分割方法和晶片的分割装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006005893A JP4851795B2 (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | ウエーハの分割装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007189057A true JP2007189057A (ja) | 2007-07-26 |
JP4851795B2 JP4851795B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=38262232
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006005893A Active JP4851795B2 (ja) | 2006-01-13 | 2006-01-13 | ウエーハの分割装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7544587B2 (ja) |
JP (1) | JP4851795B2 (ja) |
CN (1) | CN101000864B (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220909A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2009277837A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 破断装置 |
JP2010206136A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク分割装置 |
JP2012146722A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークへの外力付与方法 |
JP2013038203A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 電装冷却装置 |
US8415234B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-04-09 | Disco Corporation | Wafer dividing method |
KR20130092458A (ko) | 2012-02-09 | 2013-08-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 분할 방법 |
KR20150128579A (ko) | 2014-05-08 | 2015-11-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법 |
JP2018113398A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
DE102019205234A1 (de) | 2018-04-12 | 2019-10-17 | Disco Corporation | Aufweitverfahren und Aufweitvorrichtung |
KR20200096879A (ko) | 2019-02-06 | 2020-08-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 익스팬드 장치 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4847199B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2011-12-28 | 株式会社ディスコ | ウエーハに装着された接着フィルムの破断方法 |
JP4813993B2 (ja) * | 2006-07-05 | 2011-11-09 | 株式会社ディスコ | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP2009064905A (ja) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 拡張方法および拡張装置 |
JP5192213B2 (ja) * | 2007-11-02 | 2013-05-08 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2009272503A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | フィルム状接着剤の破断装置及び破断方法 |
US20100003119A1 (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-07 | Disco Corporation | Method for picking up device attached with adhesive tape |
US9238293B2 (en) * | 2008-10-16 | 2016-01-19 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad edge extension |
JP2011077482A (ja) * | 2009-10-02 | 2011-04-14 | Disco Abrasive Syst Ltd | テープ拡張装置 |
JP5508133B2 (ja) * | 2010-05-19 | 2014-05-28 | 株式会社ディスコ | 板状物の分割装置 |
JP6091182B2 (ja) * | 2012-11-22 | 2017-03-08 | 株式会社ディスコ | 光デバイスウエーハの分割方法 |
US9583363B2 (en) | 2012-12-31 | 2017-02-28 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial distension |
JP2016166120A (ja) * | 2015-03-06 | 2016-09-15 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 積層基板の加工方法及びレーザ光による積層基板の加工装置 |
KR101744762B1 (ko) | 2015-06-18 | 2017-06-20 | 주식회사 이오테크닉스 | 웨이퍼 가공 장치 및 웨이퍼 가공 방법 |
JP6618412B2 (ja) * | 2016-04-01 | 2019-12-11 | 株式会社ディスコ | 拡張装置 |
KR102376434B1 (ko) * | 2018-01-17 | 2022-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 장치 |
JP7037424B2 (ja) | 2018-04-20 | 2022-03-16 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
CN109599357B (zh) * | 2018-11-26 | 2020-12-18 | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 | 一种半导体元件的切割方法及制造方法 |
TWI821679B (zh) * | 2020-08-25 | 2023-11-11 | 南韓商杰宜斯科技有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004109786A1 (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法 |
JP2005019962A (ja) * | 2003-06-06 | 2005-01-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート |
JP2005150523A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05132770A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Canon Inc | スパツタ装置 |
US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
US6217663B1 (en) * | 1996-06-21 | 2001-04-17 | Kokusai Electric Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
JP3408805B2 (ja) | 2000-09-13 | 2003-05-19 | 浜松ホトニクス株式会社 | 切断起点領域形成方法及び加工対象物切断方法 |
KR100673073B1 (ko) * | 2000-10-21 | 2007-01-22 | 삼성전자주식회사 | 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치 |
JP4780828B2 (ja) * | 2000-11-22 | 2011-09-28 | 三井化学株式会社 | ウエハ加工用粘着テープ及びその製造方法並びに使用方法 |
JP4266106B2 (ja) * | 2001-09-27 | 2009-05-20 | 株式会社東芝 | 粘着性テープの剥離装置、粘着性テープの剥離方法、半導体チップのピックアップ装置、半導体チップのピックアップ方法及び半導体装置の製造方法 |
JP4408607B2 (ja) * | 2002-06-11 | 2010-02-03 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | スクライブ方法及びスクライブ装置 |
US6582983B1 (en) * | 2002-07-12 | 2003-06-24 | Keteca Singapore Singapore | Method and wafer for maintaining ultra clean bonding pads on a wafer |
JP4256214B2 (ja) | 2003-06-27 | 2009-04-22 | 株式会社ディスコ | 板状物の分割装置 |
JP3866710B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2007-01-10 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体ウェーハ及びそのダイシング方法 |
JP4018088B2 (ja) * | 2004-08-02 | 2007-12-05 | 松下電器産業株式会社 | 半導体ウェハの分割方法及び半導体素子の製造方法 |
JP2006049591A (ja) * | 2004-08-05 | 2006-02-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハに貼着された接着フィルムの破断方法および破断装置 |
-
2006
- 2006-01-13 JP JP2006005893A patent/JP4851795B2/ja active Active
-
2007
- 2007-01-08 US US11/650,503 patent/US7544587B2/en active Active
- 2007-01-12 CN CN2007100022157A patent/CN101000864B/zh active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004109786A1 (ja) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 接着シート、ダイシングテープ一体型接着シート、及び半導体装置の製造方法 |
JP2005019962A (ja) * | 2003-06-06 | 2005-01-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 接着シート |
JP2005150523A (ja) * | 2003-11-18 | 2005-06-09 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007220909A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2009277837A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 破断装置 |
JP2010206136A (ja) * | 2009-03-06 | 2010-09-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワーク分割装置 |
JP2012146722A (ja) * | 2011-01-07 | 2012-08-02 | Disco Abrasive Syst Ltd | ワークへの外力付与方法 |
US8415234B2 (en) | 2011-05-12 | 2013-04-09 | Disco Corporation | Wafer dividing method |
JP2013038203A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Disco Abrasive Syst Ltd | 電装冷却装置 |
KR20130092458A (ko) | 2012-02-09 | 2013-08-20 | 가부시기가이샤 디스코 | 피가공물의 분할 방법 |
KR20150128579A (ko) | 2014-05-08 | 2015-11-18 | 가부시기가이샤 디스코 | 칩 간격 유지 장치 및 칩 간격 유지 방법 |
JP2018113398A (ja) * | 2017-01-13 | 2018-07-19 | 株式会社東京精密 | ワーク分割装置及びワーク分割方法 |
DE102019205234A1 (de) | 2018-04-12 | 2019-10-17 | Disco Corporation | Aufweitverfahren und Aufweitvorrichtung |
KR20190119526A (ko) | 2018-04-12 | 2019-10-22 | 가부시기가이샤 디스코 | 확장 방법 및 확장 장치 |
US10818524B2 (en) | 2018-04-12 | 2020-10-27 | Disco Corporation | Expanding method and expanding apparatus |
US11417544B2 (en) | 2018-04-12 | 2022-08-16 | Disco Corporation | Expanding apparatus |
KR20200096879A (ko) | 2019-02-06 | 2020-08-14 | 가부시기가이샤 디스코 | 익스팬드 장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070164073A1 (en) | 2007-07-19 |
JP4851795B2 (ja) | 2012-01-11 |
CN101000864A (zh) | 2007-07-18 |
CN101000864B (zh) | 2010-08-11 |
US7544587B2 (en) | 2009-06-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4851795B2 (ja) | ウエーハの分割装置 | |
JP5307384B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5495511B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2007012878A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2009290148A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2006344795A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005129607A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2007173475A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2009200140A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP2008277414A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2017152569A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2004273895A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP2007123658A (ja) | 粘着テープの拡張装置 | |
JP2009182178A (ja) | デバイスの製造方法 | |
JP2009195943A (ja) | ウエーハの裏面に装着された接着フィルムの破断方法 | |
JP2009290052A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2010027857A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
JP4977432B2 (ja) | ヒ化ガリウムウエーハのレーザー加工方法 | |
JP2006229021A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2008294191A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP6034219B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2006114691A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005277136A (ja) | 基板製造方法および基板製造装置 | |
JP2011003757A (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP5860219B2 (ja) | レーザー加工装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081202 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110405 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110603 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110826 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111004 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111021 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4851795 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141028 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |