KR101744762B1 - 웨이퍼 가공 장치 및 웨이퍼 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

웨이퍼 가공 장치 및 웨이퍼 가공 장치의 웨이퍼 가공 방법이 개시된다. 개시된 웨이퍼 가공 장치는 웨이퍼가 장착되는 스테이지; 및 상기 스테이지가 적재되는 것으로, 진공을 이용하여 상기 웨이퍼를 상기 스테이지에 고정하기 위한 진공라인 및 상기 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸(fume)을 제거하기 위한 퓸 제거라인을 포함하는 프레임;을 포함한다.

Description

웨이퍼 가공 장치 및 웨이퍼 가공 방법{Wafer processing apparatus and wafer processing method}
본 발명은 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸(fume)을 효과적으로 제거하기 위한 웨이퍼 가공 장치 및 웨이퍼 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정에서는 원판 상의 반도체 웨이퍼의 표면에 격자 모양의 분할 예정 라인에 의해 다수의 직사각형 영역을 구획한 다음, 이들 직사각형 영역의 표면에 IC(Integrated Circuit) 또는 LSI(Large Scale Integrated circuit) 등과 같은 전자 회로를 형성하고, 분할 예정 라인을 따라 웨이퍼를 절단하는 다이싱(dicing) 공정을 통해 다수의 반도체 칩을 얻게 된다.
반도체 웨이퍼의 다이싱 공정은 기존에는 고속으로 회전하는 절삭 블레이드를 이용하는 방법이 사용되었으나, 근래에는 레이저 빔을 조사하여 웨이퍼를 용융하는 어블레이션(ablation) 가공을 통해 웨이퍼를 절단하는 방법이 시도되고 있다. 한편, 레이저 조사에 의한 어블레이션 가공을 실시할 때 발생되는 부스러기 등을 포함하는 비말(飛沫)이 웨이퍼의 표면에 부착함으로써 가공 품질을 저하시키는 문제가 발생될 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로 웨이퍼의 표면에 액상의 수지를 도포하여 보호막을 형성하는 방법에 제안되고 있으며, 이러한 보호막 형성 방법은 어블레이션 가공에 의해 발생되는 부스러기 등은 보호막의 표면에만 부착되고 웨이퍼의 표면에는 부착되지 않음으로써 가공 품질을 확보할 수 있다. 한편, 이 경우 수지를 도포하거나 또는 수지를 세정하는 과정에서 발생될 수 있는 퓸(fume)을 효과적을 제거할 수 있는 방안이 요구된다.
본 발명의 실시예는 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸(fume)을 효과적으로 제거하는 웨이퍼 가공 장치 및 웨이퍼 가공 방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치는 웨이퍼가 장착되는 스테이지; 및 상기 스테이지가 적재되는 것으로, 진공을 이용하여 상기 웨이퍼를 상기 스테이지에 고정하기 위한 진공라인 및 상기 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸(fume)을 제거하기 위한 퓸 제거라인을 포함하는 프레임;을 포함한다.
상기 프레임의 가장자리 부분에 압력을 가하여 고정시키는 적어도 하나의 클램프를 더 포함할 수 있다.
상기 웨이퍼의 하면에 부착되는 것으로, 상기 스테이지의 상면 및 상기 프레임의 상면에 마련되는 웨이퍼 가공용 테이프를 더 포함할 수 있다.
상기 프레임의 가장자리 부분 위에 있는 상기 웨이퍼 가공용 테이프는 상기 클램프에 의해서 고정될 수 있다.
상기 웨이퍼의 세척 과정 시 발생되는 퓸은 상기 웨이퍼 가공용 테이프와 상기 프레임 사이를 통과하여 상기 퓸 제거라인으로 유입될 수 있다.
상기 퓸 제거라인과 상기 진공라인은 서로 연통될 수 있다.
상기 퓸 제거라인 및 상기 진공라인에 연결된 진공수단을 더 포함할 수 있다.
상기 진공수단에 의해 유임된 퓸을 기체와 액체로 분리하여 배출시키는 퓸 분리기를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 웨이퍼 가공 방법은 웨이퍼가 장착되는 스테이지; 상기 스테이지가 적재되는 것으로, 진공을 이용하여 상기 웨이퍼를 상기 스테이지에 고정하기 위한 진공라인 및 상기 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸(fume)을 제거하기 위한 퓸 제거라인을 포함하는 프레임; 상기 프레임의 가장자리 부분에 압력을 가하여 고정시키는 적어도 하나의 클램프; 및 상기 웨이퍼의 하면에 부착되는 것으로, 상기 스테이지의 상면 및 상기 프레임의 상면에 마련되는 웨이퍼 가공용 테이프;를 포함하는 웨이퍼 가공 장치의 퓸을 제거하는 방법에 있어서, 상기 웨이퍼의 세척 과정 시 발생되는 퓸을 상기 웨이퍼 가공용 테이프와 상기 프레임 사이로 통과시켜 상기 퓸 제거라인으로 유입시킨다.
상기 퓸 제거라인은 상기 진공라인과 연통하도록 마련되어 상기 퓸 제거라인에 유입된 퓸은 진공에 의해 외부로 배출될 수 있다.
상기 퓸은 퓸 분리기에 의해 기체와 액체로 분리되어 배출될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 웨이퍼 세척과정에서 발생되는 퓸은 웨이퍼 가공 장치에 구비된 퓸 제거라인을 통해 효과적으로 제거될 수 있다. 즉, 발생된 퓸을 퓸 제거라인에 연결된 진공수단을 통해 흡입한 다음, 이렇게 흡입한 퓸을 퓸 분리기를 통해 건조한 기체와 액체로 분리하여 배출함으로써 웨이퍼 가공 장치에서 발생된 퓸을 원활하게 외부로 배출할 수 있다. 이에 따라, 웨이퍼의 하면에 퓸이 퇴적되는 것을 방지할 수 있으며, 그 결과 퓸에 의한 웨이퍼의 변형 등을 방지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치를 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 가공 장치를 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 자른 단면도이다.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 가공 장치를 확대하여 도시한 단면도이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
도 1은 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 웨이퍼 가공 장치(100)을 개략적으로 도시하는 평면도이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 가공 장치(100)은 스테이지(110), 프레임(120), 클램프(130) 및 퓸 제거라인(140)을 포함할 수 있다.
스테이지(110)는 웨이퍼 가공 장치(100)의 중심부에 위치할 수 있으며, 웨이퍼(W)가 스테이지(110) 위에 장착될 수 있다. 또한, 스테이지(110)는 웨이퍼(W)의 진공흡착을 위해, 다공성 물질로 형성될 수 있다.
웨이퍼(W)로는 예를 들면 실리콘 웨이퍼 등과 같은 반도체 웨이퍼가 사용될 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며 본 실시예에 사용되는 웨이퍼는 반도체 제품의 패키지(package), 세라믹이나 유리 또는 사파이어, 실리콘계 재질의 기판, 각종 전자 부품, 액정 표시 장치 등을 제어 구동하는 각종 드라이버, 또는 정밀도가 요구되는 각종 가공 재료 등이 포함할 수도 있다.
프레임(120)은 웨이퍼 가공 장치(100)의 가장자리에 위치할 수 있으며, 스테이지(110)는 프레임(120)의 중심부에 적재될 수 있다.
퓸 제거라인(140)은 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸을 제거하기 위한 것으로, 프레임(120)의 내부에 형성되어 있을 수 있다. 또한, 퓸 제거라인(140)은 웨이퍼로 유입될 수 있는 퓸을 제거하기 위해, 웨이퍼의 주변을 따라서 원 형태로 형성될 수 있다.
클램프(130)는 프레임(120)의 가장자리 부분에 압력을 가하여 고정시킬 수 있으며, 프레임(120)상에 복수개가 위치할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 웨이퍼 가공 장치(100)을 Ⅱ-Ⅱ'을 따라 자른 단면도이다.
도 2를 참조하면, 프레임(120)은 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸을 제거하기 위한 퓸 제거라인(140) 및 웨이퍼(W)를 스테이지(110)에 고정하기 위한 진공라인(150)을 포함할 수 있다.
퓸 제거라인(140)과 진공라인(150)은 서로 연통되어 있을 수 있으며, 배기라인(190)으로 연결되어 있을 수 있다. 따라서, 하나의 진공수단(170)만을 이용하여, 퓸 제거를 위한 퓸 제거라인(140) 및 웨이퍼(W)를 스테이지(110)에 고정하기 위한 진공라인(150)의 공기를 빨아들일 수 있다.
스테이지(110)는 그 위에 웨이퍼(W)가 적재되며, 스테이지(110) 및 프레임(120)은 회전 가능하게 마련될 수 있다. 여기서, 웨이퍼(W)는 진공수단(170)을 통해 스테이지(110)에 고정될 수 있다. 진공라인(150)은 스테이지(110)의 하면에 접촉하여 형성되어 있으며, 진공라인(150)은 배기라인(190)을 통해 진공수단(170)과 연결될 수 있다. 진공수단(170)은 진공라인(150)을 통해 스테이지(110)에 형성된 구멍에 존재하는 공기를 빨아들여 진공을 형성할 수 있다. 따라서, 스테이지(110)상에 적재된 웨이퍼(W)는 스테이지(110)에 고정될 수 있다.
웨이퍼(W)의 하면에 부착되는 것으로, 스테이지(110) 및 프레임(120)의 상면에는 웨이퍼 가공용 테이프(160)가 마련될 수 있다. 도 2에 도시된 웨이퍼 가공 장치(100)에 장착된 웨이퍼(W)는 하면에 반도체 칩 등이 형성되어 있을 수 있으며, 웨이퍼 가공용 테이프(160)는 웨이퍼(W)의 하면을 보호하는 역할을 할 수 있다. 또한, 프레임(120)의 가장자리 부분 위에 있는 웨이퍼 가공용 테이프(160)는 클램프(130)에 의해 고정될 수 있다. 따라서, 클램프(130)는 웨이퍼(W)의 세척을 위한 회전 시, 웨이퍼 가공용 테이프(160)가 상승하는 것을 억제하는 역할을 할 수 있다.
웨이퍼 가공 장치(100)에서 웨이퍼(W)의 세척을 위하여, 스테이지(110) 및 프레임(120)을 회전시킨 후, 웨이퍼(W)의 위쪽에 위치한 세척장치(미도시)가 회전하는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 가장자리까지 좌우로 움직이며 세정액을 분사할 수 있다. 웨이퍼(W) 표면에 세정액을 분사하는 과정에서는 퓸(fume)이 발생될 수 있다. 여기서, 퓸은 미세한 고체 상태의 입자들을 포함하는 연기를 의미한다. 구체적으로, 세척장치를 이용하여 웨이퍼(W)의 표면에 세정액을 분사하게 되면 웨이퍼(W)로부터 나오게 되는 미립자들(예를 들면, Si, Cu, Al 입자 등), 미세한 물방울 및 에어를 포함하는 퓸이 발생하게 된다. 또한, 퓸은 에칭(etching) 가스를 포함할 수 있으며, 이로 인해 웨이퍼 또는 스테이지 등이 손상될 수 있다.
이와 같이, 세정액을 분사하는 과정에서 발생되는 퓸은 퓸 제거라인(140)을 통해 외부로 배출될 수 있다. 퓸 제거라인(140)은 배기라인(190)을 통해 진공수단(170)과 연결되어 있을 수 있다. 진공수단(170)은 웨이퍼 세척과정에서 발생된 퓸을 퓸 제거라인(140) 및 배기라인(190)을 통해 빨아들여, 퓸 분리기(180) 쪽으로 보내는 역할을 한다. 그리고, 퓸 분리기(180)는 진공수단(170)으로부터 유입된 퓸을 건조한 기체(dry gas)와 액체로 분리하여 외부로 배출시킬 수 있다. 분리된 기체 및 액체는 제1분리구(O1) 및 제2분리구(O2)를 통하여 각각 외부로 배출될 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 웨이퍼 가공 장치(100)을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 퓸의 이동경로가 도시되어 있다. 웨이퍼(W)의 세척과정에서 발생한 퓸은 웨이퍼 가공용 테이프(160)와 프레임(120) 사이로 유입될 수 있다. 웨이퍼 가공용 테이프(160)는 프레임(120)과 밀착되어 있으며 클램프(130)에 의해 가장자리 부분이 고정되어 있다. 그러나 세척을 위한 스테이지(110) 및 프레임(120)의 회전 시, 웨이퍼 가공용 테이프(160)와 프레임(120) 사이에 틈이 생길 수 있으며, 그 틈으로 퓸이 유입될 수 있다. 진공수단(도 2의 170)은 퓸 제거라인(140)에 있는 공기를 빨아들이고 있으므로, 유입된 퓸은 다시 퓸 제거라인(140)으로 유입되어 외부로 배출될 수 있다. 따라서 본 발명의 실시예에 따르면 퓸(fume)을 제거함으로써 웨이퍼 및 스테이지의 손상을 방지하는 역할을 할 수 있다.
전술한 본 발명의 설명은 예시를 위한 것이며, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
100 … 웨이퍼 가공 장치 110 … 스테이지
120 … 프레임 130 … 클램프
140 … 퓸 제거라인 150 … 진공라인
160 … 웨이퍼 가공용 테이프 170 … 진공수단
180 … 퓸 분리기 190 … 배기라인
W … 웨이퍼

Claims (11)

  1. 웨이퍼가 장착되는 스테이지;
    상기 스테이지가 적재되는 것으로, 진공을 이용하여 상기 웨이퍼를 상기 스테이지에 고정하기 위한 진공라인 및 상기 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸(fume)을 제거하기 위한 퓸 제거라인을 포함하는 프레임;
    상기 웨이퍼의 하면에 부착되는 것으로, 상기 스테이지의 상면 및 상기 프레임의 상면에 마련되는 웨이퍼 가공용 테이프; 및
    상기 프레임의 가장자리 부분 위에 있는 상기 웨이퍼 가공용 테이프에 압력을 가하여 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 고정시키는 적어도 하나의 클램프;를 포함하는 웨이퍼 가공 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 웨이퍼의 세척 과정 시 발생되는 퓸은 상기 웨이퍼 가공용 테이프와 상기 프레임 사이를 통과하여 상기 퓸 제거라인으로 유입되는 웨이퍼 가공 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 퓸 제거라인과 상기 진공라인은 서로 연통되는 웨이퍼 가공 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 퓸 제거라인 및 상기 진공라인에 연결된 진공수단을 더 포함하는 웨이퍼 가공 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 진공수단에 의해 유입된 퓸을 기체와 액체로 분리하여 배출시키는 퓸 분리기를 더 포함하는 웨이퍼 가공 장치.
  9. 웨이퍼가 장착되는 스테이지; 상기 스테이지가 적재되는 것으로, 진공을 이용하여 상기 웨이퍼를 상기 스테이지에 고정하기 위한 진공라인 및 상기 웨이퍼의 세척과정에서 발생되는 퓸(fume)을 제거하기 위한 퓸 제거라인을 포함하는 프레임; 상기 웨이퍼의 하면에 부착되는 것으로, 상기 스테이지의 상면 및 상기 프레임의 상면에 마련되는 웨이퍼 가공용 테이프; 및 상기 프레임의 가장자리 부분 위에 있는 상기 웨이퍼 가공용 테이프에 압력을 가하여 상기 웨이퍼 가공용 테이프를 고정시키는 적어도 하나의 클램프;를 포함하는 웨이퍼 가공 장치의 퓸을 제거하는 방법에 있어서,
    상기 웨이퍼의 세척 과정 시 발생되는 퓸을 상기 웨이퍼 가공용 테이프와 상기 프레임 사이로 통과시켜 상기 퓸 제거라인으로 유입시키는 웨이퍼 가공 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 퓸 제거라인은 상기 진공라인과 연통하도록 마련되어 상기 퓸 제거라인에 유입된 퓸은 진공에 의해 외부로 배출되는 웨이퍼 가공 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 퓸은 퓸 분리기에 의해 기체와 액체로 분리되어 배출되는 웨이퍼 가공 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US20070164073A1 (en) 2006-01-13 2007-07-19 Disco Corporation Wafer dividing method and wafer dividing apparatus

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000054136A (ja) 1998-07-17 2000-02-22 Texas Instr Inc <Ti> ウェ―ハ加工装置における副生成物の付着を減少させる方法及び装置
US20070164073A1 (en) 2006-01-13 2007-07-19 Disco Corporation Wafer dividing method and wafer dividing apparatus

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