JP2006229021A - ウエーハの分割方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 個々に分割されたチップ間に所定の間隙を設けて維持することができるウエーハの分割方法を提供する。
【解決手段】 ウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射しウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、ウエーハより広い面積を有する粘着テープにウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、ウエーハが貼着された粘着テープを拡張してウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに各チップ間に間隙を形成するテープ拡張工程と、テープ拡張工程の後に粘着テープを拡張した状態で環状の環状のフレームを個々のチップに分割されたウエーハを囲繞して粘着テープに貼着するフレーム貼着工程とを含む。
【選択図】 図8
【解決手段】 ウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射しウエーハの内部に分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、ウエーハより広い面積を有する粘着テープにウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、ウエーハが貼着された粘着テープを拡張してウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに各チップ間に間隙を形成するテープ拡張工程と、テープ拡張工程の後に粘着テープを拡張した状態で環状の環状のフレームを個々のチップに分割されたウエーハを囲繞して粘着テープに貼着するフレーム貼着工程とを含む。
【選択図】 図8
Description
本発明は、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法に関する。
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にIC、LSI等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハも所定の分割予定ラインに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
上述した半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の分割予定ラインに沿った切断は、通常、ダイサーと称されている切削装置によって行われている。この切削装置は、半導体ウエーハや光デバイスウエーハ等の被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削するための切削手段と、チャックテーブルと切削手段とを相対的に移動せしめる切削送り手段とを具備している。切削手段は、回転スピンドルと該スピンドルに装着された切削ブレードおよび回転スピンドルを回転駆動する駆動機構を含んでいる。切削ブレードは円盤状の基台と該基台の側面外周部に装着された環状の切れ刃からなっており、切れ刃は例えば粒径3μm程度のダイヤモンド砥粒を電鋳によって基台に固定し厚さ20μm程度に形成されている。
しかるに、サファイヤ基板、炭化珪素基板等はモース硬度が高いため、上記切削ブレードによる切断は必ずしも容易ではない。更に、切削ブレードは20μm程度の厚さを有するため、デバイスを区画する分割予定ラインとしては幅が50μm程度必要となる。このため、例えば大きさが300μm×300μm程度のデバイスの場合には、ストリートの占める面積比率が14%にもなり、生産性が悪いという問題がある。
一方、近年半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する赤外光領域のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。(例えば、特許文献1参照。)
特許第3408805号公報
上述したように分割予定ラインに沿って変質層が連続的に形成されたウエーハの分割予定ラインに沿って外力を付与し、ウエーハを個々のチップに分割する方法として、本出願人はウエーハが貼着された保持テープを拡張してウエーハに引張力を付与することにより、ウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のチップに分割する技術を特願2003−361471号として提案した。
而して、分割予定ラインに沿って強度が低下して形成されたウエーハが貼着された保持テープを拡張してウエーハに引張力を付与することにより、ウエーハを個々のチップに分割する方法においては、保持テープを拡張してウエーハを個々のチップに分割した後に張力を解除すると、拡張された保持テープが収縮し搬送時等においてチップ同士が接触してチップが損傷するという問題がある。
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、分割予定ラインに沿って強度が低下して形成されたウエーハが貼着された保持テープを拡張してウエーハに引っ張り力を付与することにより、個々に分割されたチップ間に所定の間隙を設けて維持することができるウエーハの分割方法を提供することである。
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
該ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または後に、該ウエーハより広い面積を有する粘着テープに該ウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、
該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張して該ウエーハを該変質層が形成された該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに、各チップ間に間隙を形成するテープ拡張工程と、
該テープ拡張工程の後に、該粘着テープを拡張した状態で環状のフレームを該個々のチップに分割された該ウエーハを囲繞して該粘着テープに貼着するフレーム貼着工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
該ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または後に、該ウエーハより広い面積を有する粘着テープに該ウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、
該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張して該ウエーハを該変質層が形成された該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに、各チップ間に間隙を形成するテープ拡張工程と、
該テープ拡張工程の後に、該粘着テープを拡張した状態で環状のフレームを該個々のチップに分割された該ウエーハを囲繞して該粘着テープに貼着するフレーム貼着工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法が提供される。
本発明によるウエーハの分割方法によれば、ウエーハが貼着された粘着テープを拡張してウエーハを変質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに、各チップ間に間隙を形成した状態で、環状のフレームを個々のチップに分割されたウエーハを囲繞して粘着テープに貼着するので、個々に分割されたチップの間隔が維持される。従って、チップ同士が接触することはなく、搬送時等においてチップ同士が接触することによる損傷を防止することができる。
以下、本発明によるウエーハの分割方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
図1には、本発明に従って個々のチップに分割されるウエーハとしての半導体ウエーハの斜視図が示されている。図1に示す半導体ウエーハ10はシリコンウエーハからなっており、表面10aには複数の分割予定ライン101が格子状に形成されている。そして、半導体ウエーハ10の表面10aには、複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域に機能素子としての回路102が形成されている。以下、この半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分割する分割方法の一実施形態について説明する。
半導体ウエーハ10を個々の半導体チップに分割するには、半導体ウエーハ10に対して透過性を有するパルスレーザー光線を分割予定ライン101に沿って照射し、半導体ウエーハ10の内部に分割予定ライン101に沿って変質層を形成することにより分割予定ラインに沿って強度を低下せしめる変質層形成工程を実施する。
この変質層形成工程は、図2乃至図4に示すレーザー加工装置1を用いて実施する。図2乃至図4に示すレーザー加工装置2は、被加工物を保持するチャックテーブル21と、該チャックテーブル21上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22と、チャックテーブル21上に保持された被加工物を撮像する撮像手段23を具備している。チャックテーブル21は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図2において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
この変質層形成工程は、図2乃至図4に示すレーザー加工装置1を用いて実施する。図2乃至図4に示すレーザー加工装置2は、被加工物を保持するチャックテーブル21と、該チャックテーブル21上に保持された被加工物にレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22と、チャックテーブル21上に保持された被加工物を撮像する撮像手段23を具備している。チャックテーブル21は、被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない移動機構によって図2において矢印Xで示す加工送り方向および矢印Yで示す割り出し送り方向に移動せしめられるようになっている。
上記レーザー光線照射手段22は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング221を含んでいる。ケーシング221内には図3に示すようにパルスレーザー光線発振手段222と伝送光学系223とが配設されている。パルスレーザー光線発振手段222は、YAGレーザー発振器或いはYVO4レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器222aと、これに付設された繰り返し周波数設定手段222bとから構成されている。伝送光学系223は、ビームスプリッタの如き適宜の光学要素を含んでいる。上記ケーシング221の先端部には、それ自体は周知の形態でよい組レンズから構成される集光レンズ(図示せず)を収容した集光器224が装着されている。上記パルスレーザー光線発振手段222から発振されたレーザー光線は、伝送光学系223を介して集光器224に至り、集光器224から上記チャックテーブル21に保持される被加工物に所定の集光スポット径Dで照射される。この集光スポット径Dは、図4に示すようにガウシアン分布を示すパルスレーザー光線が集光器224の対物レンズ224aを通して照射される場合、D(μm)=4×λ×f/(π×W)、ここでλはパルスレーザー光線の波長(μm)、Wは対物レンズ124aに入射されるパルスレーザー光線の直径(mm)、fは対物レンズ224aの焦点距離(mm)、で規定される。
上記レーザー光線照射手段12を構成するケーシング221の先端部に装着された撮像手段23は、図示の実施形態においては可視光線によって撮像する通常の撮像素子(CCD)の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成されており、撮像した画像信号を後述する制御手段に送る。
上述したレーザー加工装置1を用いて実施する変質層形成工程について、図2および図5を参照して説明する。
この変質層形成行程は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置2のチャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を裏面10bを上にして載置し、該チャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を吸着保持する。半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル21は、図示しない移動機構によって撮像手段23の直下に位置付けられる。
この変質層形成行程は、先ず上述した図2に示すレーザー加工装置2のチャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を裏面10bを上にして載置し、該チャックテーブル21上に半導体ウエーハ10を吸着保持する。半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル21は、図示しない移動機構によって撮像手段23の直下に位置付けられる。
チャックテーブル21が撮像手段23の直下に位置付けられると、撮像手段23および図示しない制御手段によって半導体ウエーハ10のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段23および図示しない制御手段は、半導体ウエーハ10の所定方向に形成されている分割予定ライン101と、該分割予定ライン101に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22の集光器224との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する。また、半導体ウエーハ10に形成されている所定方向と直交する方向に形成されている分割予定ライン101に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。このとき、半導体ウエーハ10の分割予定ライン101が形成されている表面10aは下側に位置しているが、撮像手段13が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子(赤外線CCD)等で構成された撮像手段を備えているので、裏面10bから透かして分割予定ライン101を撮像することができる。
以上のようにしてチャックテーブル21上に保持された半導体ウエーハ10に形成されている分割予定ライン101を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図5の(a)で示すようにチャックテーブル21をレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段22の集光器224が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン101の一端(図5の(a)において左端)をレーザー光線照射手段12の集光器224の直下に位置付ける。そして、集光器224から半導体ウエーハに対して透過性を有するパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル21即ち半導体ウエーハ10を図5の(a)において矢印X1で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図5の(b)で示すようにレーザー光線照射手段22の集光器224の照射位置が分割予定ライン101の他端(図5の(b)において右端)の位置に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル21即ち半導体ウエーハ10の移動を停止する。この変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ10の表面10a(下面)付近に合わせる。この結果、半導体ウエーハ10の表面10a(下面)に露出するとともに表面10aから内部に向けて変質層110が形成される。この変質層110は、溶融再固化層として形成される。
上記変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
光源 :LD励起QスイッチNd:YVO4スレーザー
波長 :1064nmのパルスレーザー
パルス出力 :10μJ
集光スポット径 :φ1μm
繰り返し周波数 :100kHz
加工送り速度 :100mm/秒
上記変質層110は、表面10aおよび裏面10bに露出しないように内部だけに形成してもよく、また、上記集光点Pを段階的に変えて上述したレーザー加工工程を複数回実行することにより、複数の変質層110を形成してもよい。
上述した変質層形成工程によって半導体ウエーハ10の内部に全ての分割予定ライン101に沿って変質層110を形成したならば、半導体ウエーハ10より広い面積を有する粘着テープに半導体ウエーハ10を貼着する粘着テープ貼着工程を実施する。
即ち、図6に示すように粘着テープ3の表面に分割予定ライン101に沿って変質層110が形成された半導体ウエーハ10の裏面10bを貼着する。従って、半導体ウエーハ10は、表面10aが上側となる。上記粘着テープ3は、図示の実施形態においては厚さが70μmのポリ塩化ビニル(PVC)等の伸縮性を有する樹脂からなるシート基材の表面に、アクリル樹脂系の粘着層が厚さが5μm程度塗布されている。この粘着テープ3は矩形状に形成されており、半導体ウエーハ10の面積より大きく、且つ後述する環状のフレームが貼着できる面積を有している。
なお、粘着テープ貼着工程は上記変質層形成工程の前に実施してもよく、この場合、粘着テープ3の表面に半導体ウエーハ10の表面10aを貼着した状態で上述した変質層形成工程を実施する。
即ち、図6に示すように粘着テープ3の表面に分割予定ライン101に沿って変質層110が形成された半導体ウエーハ10の裏面10bを貼着する。従って、半導体ウエーハ10は、表面10aが上側となる。上記粘着テープ3は、図示の実施形態においては厚さが70μmのポリ塩化ビニル(PVC)等の伸縮性を有する樹脂からなるシート基材の表面に、アクリル樹脂系の粘着層が厚さが5μm程度塗布されている。この粘着テープ3は矩形状に形成されており、半導体ウエーハ10の面積より大きく、且つ後述する環状のフレームが貼着できる面積を有している。
なお、粘着テープ貼着工程は上記変質層形成工程の前に実施してもよく、この場合、粘着テープ3の表面に半導体ウエーハ10の表面10aを貼着した状態で上述した変質層形成工程を実施する。
次に、半導体ウエーハ10が貼着された粘着テープ3を拡張して半導体ウエーハ10を変質層110が形成された分割予定ライン101に沿って個々のチップに分割するとともに、各チップ間に間隙を形成するテープ拡張工程を実施する。
このテープ拡張工程は、図7の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ10が貼着された粘着テープ3の4つの周辺部をそれぞれ挟持部材4、4、4、4によって挟持し、この挟持部材4、4、4、4をそれぞれ矢印で示すように外方に引っ張る。この結果、粘着テープ3が四方に拡張されるので、粘着テープ3に貼着されている半導体ウエーハ10には矢印で示す方向に引張力が作用するため、図7の (b)に示すように半導体ウエーハ10は変質層110が形成されることによって強度が低下せしめられた分割予定ライン101に沿って破断され個々の半導体チップ100に分割される。このテープ拡張工程においては上述したように保持テープ3は拡張されているので、半導体ウエーハ10が個々の半導体チップ100に分割されるとともに、各チップ間に間隙Sが形成される。なお、上記テープ拡張工程においては、本発明者等の実験によると保持テープ3を20mm程度引き伸ばしたときに半導体ウエーハ10を変質層110が形成されている分割予定ライン101に沿って破断することができた。このとき、個々に分割された各半導体チップ100間の間隙Sは、1mm程度となった。
このテープ拡張工程は、図7の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ10が貼着された粘着テープ3の4つの周辺部をそれぞれ挟持部材4、4、4、4によって挟持し、この挟持部材4、4、4、4をそれぞれ矢印で示すように外方に引っ張る。この結果、粘着テープ3が四方に拡張されるので、粘着テープ3に貼着されている半導体ウエーハ10には矢印で示す方向に引張力が作用するため、図7の (b)に示すように半導体ウエーハ10は変質層110が形成されることによって強度が低下せしめられた分割予定ライン101に沿って破断され個々の半導体チップ100に分割される。このテープ拡張工程においては上述したように保持テープ3は拡張されているので、半導体ウエーハ10が個々の半導体チップ100に分割されるとともに、各チップ間に間隙Sが形成される。なお、上記テープ拡張工程においては、本発明者等の実験によると保持テープ3を20mm程度引き伸ばしたときに半導体ウエーハ10を変質層110が形成されている分割予定ライン101に沿って破断することができた。このとき、個々に分割された各半導体チップ100間の間隙Sは、1mm程度となった。
上記テープ拡張工程を実施したならば、上述したように各チップ100間に間隙Sが形成された状態で、図8の(a)および(b)に示すように環状のフレーム5を個々のチップ100に分割された半導体ウエーハ10を囲繞して粘着テープ3に貼着するフレーム貼着工程を実施する。このように、粘着テープ3が拡張され各チップ100間に間隙Sが形成された状態で、環状のフレーム5を粘着テープ3に貼着するので、粘着テープ3は拡張した状態が維持され、各チップ100間には間隙Sが維持される。
次に、挟持部材4、4、4、4に作用せしめた引張力を解除し、粘着テープ3を環状のフレーム5の外周縁に沿って切り取ることにより、図9に示すように個々のチップ100に分割された半導体ウエーハ10は粘着テープ3を介して環状のフレーム5に支持された状態となる。従って、個々に分割された半導体チップ100同士が接触することはなく、搬送時等において半導体チップ100同士が接触することによる損傷を防止することができる。
なお、粘着テープ3から半導体チップ100のピックアップを容易にするために、粘着テープ3としては紫外線を照射することで粘着層の粘着力が低減するUVテープを用いることが望ましい。
次に、挟持部材4、4、4、4に作用せしめた引張力を解除し、粘着テープ3を環状のフレーム5の外周縁に沿って切り取ることにより、図9に示すように個々のチップ100に分割された半導体ウエーハ10は粘着テープ3を介して環状のフレーム5に支持された状態となる。従って、個々に分割された半導体チップ100同士が接触することはなく、搬送時等において半導体チップ100同士が接触することによる損傷を防止することができる。
なお、粘着テープ3から半導体チップ100のピックアップを容易にするために、粘着テープ3としては紫外線を照射することで粘着層の粘着力が低減するUVテープを用いることが望ましい。
2:レーザー加工装置
21:レーザー加工装置のチャックテーブル
22:レーザー光線照射手段
23:撮像手段
3:粘着テープ
4:挟持部材
5:環状のフレーム
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:回路
110:変質層
100:半導体チップ
21:レーザー加工装置のチャックテーブル
22:レーザー光線照射手段
23:撮像手段
3:粘着テープ
4:挟持部材
5:環状のフレーム
10:半導体ウエーハ
101:分割予定ライン
102:回路
110:変質層
100:半導体チップ
Claims (1)
- 表面に複数の分割予定ラインが格子状に形成されているとともに該複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域に機能素子が形成されたウエーハを、該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するウエーハの分割方法であって、
該ウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を該分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿って変質層を形成する変質層形成工程と、
該変質層形成工程を実施する前または後に、該ウエーハより広い面積を有する粘着テープに該ウエーハを貼着する粘着テープ貼着工程と、
該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張して該ウエーハを該変質層が形成された該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに、各チップ間に間隙を形成するテープ拡張工程と、
該テープ拡張工程の後に、該粘着テープを拡張した状態で環状の環状のフレームを該個々のチップに分割された該ウエーハを囲繞して該粘着テープに貼着するフレーム貼着工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハの分割方法。
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