KR101990650B1

KR101990650B1 - 가공 방법

Info

Publication number: KR101990650B1
Application number: KR1020130105951A
Authority: KR
Inventors: 도루 다카자와
Original assignee: 가부시기가이샤 디스코
Priority date: 2012-09-20
Filing date: 2013-09-04
Publication date: 2019-06-18
Also published as: KR20140038304A; CN103681490A; CN103681490B; JP5992277B2; JP2014063793A

Abstract

본 발명은, 이면에 접착 시트를 점착한 웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 표면에 접착 시트의 파단 부스러기가 부착되는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
표면(1a)에 보호 부재(11)가 배치되며 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩(3)으로 분할되어 있는 웨이퍼(1)를, 접착 시트(12)를 개재하여 익스팬딩 테이프(13) 상에 배치하고, 계속해서 웨이퍼(1)의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트(12)의 과잉부(12a)를 분단하며(제1 확장 단계), 계속해서 보호 부재(11)를 제거하고(보호 부재 제거 단계), 익스팬딩 테이프(13)를 더 확장하여 접착 시트(12)를 칩(3)을 따라 분할해서 복수의 접착 시트(12)를 갖는 칩(3)을 얻는다(제2 확장 단계). 접착 시트(12)의 분단 시에 생기는 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)를 보호 부재(11) 상에 부착시켜, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에의 파단 부스러기(12b)의 부착을 막는다.

Description

가공 방법{MACHINING METHOD}

본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 얇은 판형물을 다수의 칩으로 분할하는 가공 방법에 관한 것으로, 특히 접착 시트가 점착된 판형물의 가공 방법에 관한 것이다.

다수의 디바이스가 표면에 형성된 반도체 웨이퍼 등의 원판형 웨이퍼는, 디바이스 사이의 분할 예정 라인을 따라 분할되어 반도체 칩으로 개편화된다. 그런데, 칩을 실장할 때의 접착층을 미리 이면에 형성해 두기 위해, DAF(Die Attach Film) 등의 접착층 형성용 접착 시트를 개개의 칩으로 분할된 웨이퍼의 이면에 점착한 후, 접착 시트를 분할하는 기술이 제공되고 있다. 그 경우, 접착 시트는 웨이퍼보다 약간 대직경으로 형성되어 있고, 웨이퍼의 이면에 점착된 접착 시트는 웨이퍼의 외주로부터 일부가 비어져 나와 있다.

접착 시트의 분할 방법으로서, 개개의 칩으로 분할되어 이면에 접착 시트가 점착된 웨이퍼의 접착 시트측에 익스팬딩 테이프 등을 점착하고, 익스팬딩 테이프를 확장함으로써 접착 시트를 분할하는 방법을 채용하였을 때에는, 웨이퍼의 외주로부터 비어져 나온 부분의 접착 시트도 분단되고, 그때에 생긴 접착 시트의 파단 부스러기가 웨이퍼의 표면에 부착되어 버린다고 하는 문제가 있었다.

그래서, 이 문제를 해결하기 위해, 익스팬딩 테이프의 확장중에 에어 블로우 수단으로 웨이퍼 표면에 대하여 공기를 분출하여, 접착 시트의 파단 부스러기가 웨이퍼 표면에 부착되지 않게 하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1).

일본 특허 공개 제2009-272503호 공보

그러나 상기 문헌에 기재된 기술에 의해서도, 접착 시트의 파단 부스러기가 웨이퍼 표면에 부착되는 것을 완전히 방지하는 것은 어려웠다.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주요 기술적 과제는, 이면에 접착 시트를 점착한 웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 표면에 접착 시트의 파단 부스러기가 부착되는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 가공 방법은, 표면에 보호 부재가 배치되며 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할된 판형물의 가공 방법으로서, 판형물보다 대직경의 접착 시트를 개재하여 판형물을 익스팬딩 테이프 상에 배치하는 점착 단계와, 상기 점착 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 상기 보호 부재가 배치된 상태로 상기 익스팬딩 테이프를 확장하여 적어도 판형물의 외주측으로 비어져 나온 상기 접착 시트를 분단하는 제1 확장 단계와, 상기 제1 확장 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 배치된 상기 보호 부재를 제거하는 보호 부재 제거 단계와, 상기 보호 부재 제거 단계를 실시한 후, 상기 익스팬딩 테이프를 확장하여 판형물에 대응하는 상기 접착 시트를 복수의 상기 칩을 따라 파단하는 제2 확장 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 가공 방법에서는, 판형물의 표면에 보호 부재를 배치한 상태로 제1 확장 단계가 수행되고, 이 시점에서 적어도 판형물의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트가 파단된다. 파단 시에 생긴 접착 시트의 파단 부스러기는 보호 부재 상에 부착된다. 제1 확장 단계를 실시한 후, 파단 부스러기가 부착된 보호 부재는 판형물 상에서 제거되기 때문에, 파단 부스러기가 판형물의 표면에 부착되는 것을 완전히 막을 수 있다.

본 발명에서는, 상기 제2 확장 단계를 실시한 후, 판형물이 분할되어 형성된 개개의 칩 사이의 간격을 유지한 상태로 상기 익스팬딩 테이프에 환형 프레임을 점착하고, 상기 환형 프레임의 개구에 판형물이 분할되어 형성된 복수의 상기 칩을 수용한 형태로 하는 환형 프레임 점착 단계를 포함하는 형태를 포함한다. 이 형태에 따르면, 분할 후의 개개의 칩 사이의 간격이 유지되어, 환형 프레임을 핸들링함으로써 칩을 파손시키는 일없이 반송 등을 행할 수 있다.

본 발명에 따르면, 이면에 접착 시트를 점착한 웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 표면에 접착 시트의 파단 부스러기가 부착되는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법이 제공된다.

도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 가공 방법의 하프 컷 단계를 나타내는 사시도이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 가공 방법의 보호 부재 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 3은 일 실시형태의 가공 방법의 이면 연삭 단계를 나타내는 사시도이다.
도 4는 일 실시형태의 가공 방법의 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 5는 일 실시형태의 가공 방법의 제1 확장 단계를 나타내는 사시도이다.
도 6은 제1 확장 단계를 나타내는 단면도이다.
도 7은 제1 확장 단계 후의 상태를 나타내는 사시도이다.
도 8은 일 실시형태의 가공 방법의 보호 부재 제거 단계를 나타내는 사시도이다.
도 9는 일 실시형태의 가공 방법의 제2 확장 단계를 나타내는 사시도이다.
도 10은 제2 확장 단계를 나타내는 단면도이다.
도 11은 일 실시형태의 가공 방법의 (a) 환형 프레임 점착 단계를 나타내는 단면도, (b) 환형 프레임 점착 단계 후의 익스팬딩 테이프 절단을 나타내는 단면도이다.
도 12는 익스팬딩 테이프 절단 후에 익스팬딩 장치로부터 웨이퍼를 반출한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 13은 다른 실시형태의 익스팬딩 장치를 나타내는 단면도로서, (a) 웨이퍼를 세팅한 상태, (b) 제1 확장 단계를 행한 상태, (c) 제2 확장 단계를 행한 상태를 나타내고 있다.

이하, 도면을 참조하여 본 발명의 가공 방법을 포함하는 일 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법을 설명한다.

(1) 하프 컷 단계

도 1의 부호 1은 반도체 웨이퍼 등의 원판형의 웨이퍼(판형물)(1)를 나타내고 있다. 웨이퍼(1)의 표면(1a)에는, 복수의 분할 예정 라인이 격자형으로 설정되고, 분할 예정 라인으로 구획된 복수의 직사각 형상의 각 디바이스 영역에, LSI 등의 전자 회로를 갖는 디바이스(2)가 각각 형성되어 있다. 하프 컷 단계에서는, 웨이퍼(1)의 표면(1a)측으로부터, 분할 예정 라인을 따라, 연삭 후의 완성 두께에 이르기까지의 깊이의 홈(1d)을 형성한다.

도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)는, 외주에 환형의 다이싱 프레임(15)이 점착된 다이싱 테이프(16) 상에 점착되고, 도시하지 않는 회전 가능한 유지 수단에 웨이퍼(1) 및 다이싱 프레임(15)이 유지된다. 그리고, 웨이퍼(1)의 상방에 배치되는 절삭 수단(70)의 절삭 블레이드(71)로, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 홈(1d)을 형성한다.

절삭 수단(70)은, 스핀들 하우징(72) 내에 수용된 도시하지 않는 스핀들의 선단에 절삭 블레이드(71)가 부착된 구성을 갖는 것으로, 절삭 블레이드(71)의 두께는, 예컨대 50 ㎛ 정도의 것이 이용된다. 웨이퍼(1)에 홈(1d)을 형성하기 위해서는, 상기 유지 수단을 회전시켜 분할 예정 라인을 절삭 방향(X 방향)과 평행하게 하며, Y 방향으로 이동시키는 인덱싱 이송에 의해 절삭하는 분할 예정 라인을 선택하고, 절삭 블레이드(71)를 분할 예정 라인의 사이에 절입시켜 그 유지 수단을 X 방향으로 가공 이송함으로써 이루어진다. 한 방향으로 연장되는 모든 분할 예정 라인에 홈(1d)을 형성하였다면, 그 유지 수단을 90°회전시켜 타방향측의 분할 예정 라인을 X 방향과 평행하게 하고, 동일하게 하여 타방향으로 연장되는 모든 분할 예정 라인에 홈(1d)을 형성한다.

(2) 보호 부재 점착 단계

다음에, 도 2에 나타내는 바와 같이, 분할 예정 라인을 따른 홈(1d)이 형성된 웨이퍼(1)의 표면(1a) 전체면에, 보호 부재(11)를 점착한다. 보호 부재(11)는, 예컨대 가요성을 갖는 수지 시트의 한 면에 점착층이 형성된 것 등이 이용되고, 점착층을 개재하여 웨이퍼(1)의 표면(1a)을 덮어 점착된다. 보호 부재(11)로서는, 실리콘 웨이퍼나 유리 기판, 세라믹스 기판 등의 하드 플레이트를 이용하며, 접착제 등에 의해 웨이퍼에 점착하는 형태여도 좋다.

(3) 이면 연삭 단계

다음에, 도 3에 나타내는 바와 같이, 보호 부재(11)측을 유지 테이블(21)에 맞추어 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21)에서 유지하고, 상방에 노출되는 웨이퍼(1)의 이면(1b)을 연삭 수단(22)으로 연삭하여 웨이퍼(1)를 완성 두께(예컨대 50 ㎛∼100 ㎛ 정도)로 박화한다.

유지 테이블(21)은 다공질 재료에 의해 형성된 원형상의 수평 유지면 상에, 공기 흡인에 의한 부압 작용에 의해 피가공물을 흡착하여 유지하는 일반 주지의 부압 척 테이블이며, 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해 축 둘레로 회전하게 된다. 연삭 수단(22)은, 연직 방향으로 연장되며, 도시하지 않는 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들(23)의 선단에, 플랜지(24)를 통해 연삭 휠(25)이 고정된 것으로, 유지 테이블(21)의 상방에 상하 이동 가능하게 배치되어 있다. 연삭 휠(25)의 하면 외주부에는, 다수의 지석(26)이 환형으로 배열되어 고착되어 있다. 지석(26)은 웨이퍼(1)의 재질에 따른 것이 이용되며, 예컨대 다이아몬드의 지립을 메탈 본드나 레진 본드 등의 결합제로 굳혀 성형한 다이아몬드 지석 등이 이용된다.

이면 연삭 단계에서는, 보호 부재(11)측을 유지면에 맞추어 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21) 상에 배치하고, 부압 척에 의해 웨이퍼(1)를 흡착 유지한다. 그리고, 유지 테이블(21)을 정해진 속도로 한 방향으로 회전시킨 상태에서 연삭 수단(22)을 하강시켜, 회전하는 연삭 휠(25)의 지석(26)을 웨이퍼(1)의 이면(1b)에 압박하여, 이면(1b) 전체면을 연삭한다.

웨이퍼(1)는 하프 컷 단계에서 완성 두께에 이르는 깊이의 홈(1d)이 분할 예정 라인을 따라 형성되어 있기 때문에, 이면(1b)측이 완성 두께까지 연삭됨으로써 지석(26)은 홈(1d)에 도달하며, 결과적으로 웨이퍼(1)는 표면에 디바이스(2)를 갖는 복수의 칩(3)으로 분할된다.

(4) 점착 단계

다음에, 도 4에 나타내는 바와 같이, 복수의 칩(3)으로 분할되어 표면(1a)에 보호 부재(11)가 점착된 상태가 된 웨이퍼(1)의 이면(1b)에, 웨이퍼(1)보다 대직경의 접착 시트(12)를 개재하여 익스팬딩 테이프(13) 상에 배치한다. 익스팬딩 테이프(13)는, 예컨대 폴리염화비닐이나 폴리올레핀 등의 신축성을 갖는 합성 수지 시트 등의 한 면에 점착층이 형성된 것으로, 이 경우, 웨이퍼(1)보다 큰 직사각 형상의 것이나 롤형으로 권취된 것이 이용된다.

점착 단계는, 익스팬딩 테이프(13)의 점착층측에, DAF 등으로 이루어지는 접착 시트(12)를 원형상으로 배치하고, 계속해서 그 접착 시트(12) 상에, 웨이퍼(1)의 이면(1b)측을 맞추어 점착한다. 또한, 미리 원형상의 접착 시트(12)가 배치되어 있는 익스팬딩 테이프(13)에 웨이퍼(1)를 점착하여도 좋다. 혹은, 웨이퍼(1)의 이면(1b)에 접착 시트(12)를 점착하고, 그 접착 시트(12)를 익스팬딩 테이프(13)의 점착층에 점착하여도 좋다. 접착 시트(12)는 웨이퍼(1)보다 대직경의 원형상으로 형성되고, 웨이퍼(1)의 외주측에는 접착 시트(12)의 과잉부(12a)가 표출되는 상태가 된다.

(5) 제1 확장 단계

다음에, 익스팬딩 테이프(13)를 확장하여, 웨이퍼(1)의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트(12)의 과잉부(12a)를 분단한다.

제1 확장 단계에서는, 도 5 및 도 6에 나타내는 익스팬딩 장치(40)를 이용한다. 익스팬딩 장치(40)는, 익스팬딩 테이프(13)의 4변의 단 가장자리를 각각 파지하여, 단 가장자리에 직교하는 외측으로 인장하는 클램프 부재(41)를 갖고 있다. 클램프 부재(41)는 단면 L자형의 프레임(42)을 상하 대칭의 상태로 조합한 구성이며, 각 프레임(42)의 내측에는, 복수의 롤러(43)가 근접하여 배열되어 있다. 이들 롤러(43)는 프레임(42)의 길이 방향에 직교하는 회전축을 중심으로 하여 회전 가능하게 프레임(42)에 지지되어 있다. 익스팬딩 테이프(13)는 상하의 롤러(43) 사이에 협지되고, 협지된 상태에 있어서 익스팬딩 테이프(13)가 단 가장자리를 따른 방향으로 연시되면, 그것에 추종하여 롤러(43)는 전동한다.

익스팬딩 테이프(13)의 확장은, 우선, 익스팬딩 장치(40)의 각 클램프 부재(41)의 상하의 프레임(42) 사이에 익스팬딩 테이프(13)의 4변의 단 가장자리를 통과시키고, 상하의 프레임(42)을 서로 근접시켜 상하의 롤러(43)로 익스팬딩 테이프(13)를 협지한다. 계속해서 클램프 부재(41)를 외측(도 5 및 도 6의 화살표 방향)으로 이동시켜 익스팬딩 테이프(13)를 확장한다. 클램프 부재(41)의 롤러(43)로 협지하고 있기 때문에, 확장에 의해 치우친 변형이 익스팬딩 테이프(13)에 생겨도, 롤러(43)가 전동함으로써 그 변형은 해방되고, 익스팬딩 테이프(13)는 균일하게 확장된다.

이와 같이 익스팬딩 테이프(13)를 확장함으로써, 도 7에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(1)의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트(12)의 과잉부(12a)만을 분단한다.

과잉부(12a)를 분단시킬 때에는, 적어도 과잉부(12a)를 냉각해 두면 분단하기 쉽기 때문에 바람직하다. 과잉부(12a)를 냉각하기 위해서는, 예컨대 표면측으로부터 직접, 혹은 이면측의 익스팬딩 테이프(13)를 개재하여 과잉부(12a)에 냉각시킨 에어 등의 냉각 유체를 분출함으로써 가능하다. 또한, 익스팬딩 장치(40) 전체를 냉각 챔버 내에 수용하고, 냉각 챔버 내의 분위기 온도를 예컨대 0℃∼-30℃ 정도로 설정하여 전체를 냉각한 상태로 확장한다고 하는 방법을 채용하여도 좋다.

과잉부(12a)가 분단되면, 도 7에 나타내는 바와 같이 과잉부(12a)로부터 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)가 생기지만, 이들 파단 부스러기(12b)가 웨이퍼(1) 상에 비산하여도, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 점착되어 있는 보호 부재(11) 상에 부착된다.

(6) 보호 부재 제거 단계

다음에, 도 8에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 배치된 보호 부재(11)를 제거한다. 제거된 보호 부재(11)의 표면에는, 접착 시트(12)의 분단 시에 생겨 비산한 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)가 부착되어 있으며, 보호 부재(11)가 제거된 웨이퍼(1)의 표면(1a)은 청정한 상태이다.

(7) 제2 확장 단계

다음에, 도 9에 나타내는 바와 같이, 재차 익스팬딩 장치(40)에 의해 익스팬딩 테이프(13)를 확장한다. 이에 의해, 도 10에 나타내는 바와 같이 접착 시트(12)를 칩(3)을 따라 파단하여 접착 시트(12)를 갖는 칩(3)을 이격시킨다.

(8) 환형 프레임 점착 단계

다음에, 이면에 접착 시트(12)가 각각 점착된 개개의 칩(3) 사이의 간격을 유지한 상태로, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이, 익스팬딩 테이프(13)의 점착층이 형성되어 있는 표면측에 환형 프레임(14)을 점착한다. 환형 프레임(14)은, 내주가 접착 시트(12)의 외주보다 크고, 또한 클램프 부재(41)의 내측에 배치 가능한 크기를 갖는 것으로서, 스테인레스 등의 강성을 갖는 금속판에 의해 형성된다. 환형 프레임(14)은 웨이퍼(1)와 동심형이 되도록 익스팬딩 테이프(13)에 점착되고, 이에 의해 복수의 칩(3)은 환형 프레임(14)의 개구(14a)에 수용된 상태가 된다.

이 후, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 환형 프레임(14)의 이면측의 익스팬딩 테이프(13)의 점착 부분을 커터(50)에 의해 절단한다. 이에 의해, 도 12에 나타내는 외주에 환형 프레임(14)이 점착된 익스팬딩 테이프(13)의 중심에 접착 시트(12)를 갖는 복수의 칩(3)이 점착된 상태의 것이 익스팬딩 장치(40)로부터 반출된다. 칩(3)은 환형 프레임(14)을 이용함으로써 핸들링되어, 다음 공정[예컨대 접착 시트(12)를 갖는 칩(3)을 익스팬딩 테이프(13)로부터 픽업하는 픽업 공정]으로 옮겨진다.

(9) 일 실시형태의 작용 효과

이상에 따른 일 실시형태의 가공 방법에서는, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 보호 부재(11)를 배치한 상태로 제1 확장 단계가 수행되고, 이 시점에서 웨이퍼(1)의 외주측의 접착 시트(12)의 과잉부(12a)가 분단된다. 그리고 분단 시에 생긴 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)는 보호 부재(11) 상에 부착된다. 제1 확장 단계를 실시한 후, 파단 부스러기(12b)가 부착된 보호 부재(11)는 웨이퍼(1)로부터 제거되기 때문에, 파단 부스러기(12b)가 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 부착되는 것을 완전히 막을 수 있다.

본 실시형태에서는, 제2 확장 단계를 실시하여 접착 시트(12)를 복수의 칩(3)을 따라 분할한 후, 분할 후의 개개의 칩(3) 사이의 간격을 유지한 상태로 익스팬딩 테이프(13)에 환형 프레임(14)을 점착한다. 이에 의해, 익스팬딩 테이프(13)는 환형 프레임(14)에 확장한 채의 상태로 유지되어, 분할 후의 개개의 칩(3) 사이의 간격이 유지된다. 따라서 환형 프레임(14)을 핸들링함으로써, 칩(3)을 파손시키는 일없이 반송 등을 행할 수 있다.

또한, 보호 부재(11)는 웨이퍼 표면에의 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)의 부착을 방지하는 것이지만, 이면 연삭 단계 전에 웨이퍼 표면에 점착하는 것에 의해, 이면 연삭 단계 이후, 보호 부재(11)를 제거할 때까지 다른 가공이 있을 경우, 보호 부재(11)를 점착한 채로 실시함으로써, 디바이스(2)를 확실하게 보호하기 위한 것으로서 그 보호 부재(11)를 활용할 수 있다고 하는 이점이 있다.

(10) 다른 실시형태

도 13은 상기와 상이한 익스팬딩 장치(60)를 이용하여 익스팬딩 테이프(13)를 확장하는 양태를 나타내고 있다. 즉, 이 익스팬딩 장치(60)로도 상기 제1 확장 단계나 제2 확장 단계를 행할 수 있다.

이 경우의 익스팬딩 장치(60)는 원통형의 테이블(61)의 주위에, 실린더 장치(62)에 의해 승강 가능한 승강 테이블(63)이 배치된 구성으로 되어 있고, 웨이퍼(1)는, 접착 시트(12)를 개재하여 웨이퍼(1)가 점착된 익스팬딩 테이프(13)에 상기 환형 프레임(14)이 미리 점착된 상태로 세팅된다. 테이블(61)의 내부에는, 익스팬딩 테이프(13)를 향하여 냉각 유체를 분출하는 노즐(64)이 배치되어 있다.

웨이퍼(1)의 확장은, 우선, 도 13의 (a)에 나타내는 바와 같이, 승강 테이블(63)의 높이 위치를 테이블(61)과 동일하게 하여, 테이블(61)의 상단면에 익스팬딩 테이프(13) 상의 웨이퍼(1)를 배치하고, 승강 테이블(63) 상에 환형 프레임(14)을 배치한다. 계속해서, 승강 테이블(63)에 설치된 클램프(65)로 환형 프레임(14)을 승강 테이블(63)에 고정한다.

그리고, 도 13의 (b)에 나타내는 바와 같이 노즐(64)로부터 냉각 유체를 분출시킴으로써 접착 시트(12)를 냉각한 상태로, 실린더 장치(62)를 축소시켜, 접착 시트(12)의 과잉부(12a)를 분단하는 제1 확장 단계를 행한다. 승강 테이블(63)이 하강하면, 익스팬딩 테이프(13)는 외측으로 확장되고, 접착 시트(12)의 과잉부(12a)가 분단된다.

계속해서, 웨이퍼(1)의 표면으로부터 보호 부재(11)를 제거하고 나서, 도 13의 (c)에 나타내는 바와 같이 승강 테이블(63)을 더 하강시켜 익스팬딩 테이프(13)를 확장하고, 접착 시트(12)를 칩(3)을 따라 분할하는 제2 확장 단계를 행한다.

이와 같이 익스팬딩 장치(60)에 의해서도 제1 확장 단계 및 제2 확장 단계를 행할 수 있다. 제1 확장 단계에 있어서는 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 보호 부재(11)가 점착되어 있기 때문에, 제1 확장 단계에서 생기는 접착 시트(12)의 과잉부(12a)의 파단 부스러기(12b)가 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 부착되는 일은 없다.

또한, 본 발명에서는, 미리 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할된 상기 웨이퍼(1) 등의 판형물을 가공의 대상으로 하고 있지만, 판형부를 분할하는 방법으로서는, 상기 실시형태와 같이 먼저 표면측으로부터 하프 컷을 행한 후에 이면 연삭을 행한다고 하는 것 외에, 이면 연삭한 후에 절삭 가공 등에 의해 칩(3)으로 분할한다고 하는 순서를 채용하여도 좋다.

1: 웨이퍼(판형물) 1a: 웨이퍼의 표면
3: 칩 11: 보호 부재
12: 접착 시트 12a: 접착 시트의 과잉부
13: 익스팬딩 테이프 14: 환형 프레임
14a: 환형 프레임의 개구

Claims

표면에 보호 부재가 배치되며 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할된 판형물의 가공 방법에 있어서,
판형물보다 대직경의 접착 시트를 판형물의 이면과 익스팬딩 테이프 사이에 배치하여 상기 판형물을 상기 익스팬딩 테이프 상에 배치하는 점착 단계와,
상기 점착 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 상기 보호 부재가 배치된 상태로 상기 익스팬딩 테이프를 확장하여 적어도 판형물의 외주측으로 비어져 나온 상기 접착 시트를 분단하는 제1 확장 단계와,
상기 제1 확장 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 배치된 상기 보호 부재를 제거하는 보호 부재 제거 단계와,
상기 보호 부재 제거 단계를 실시한 후, 상기 익스팬딩 테이프를 확장하여 판형물에 대응하는 상기 접착 시트를 복수의 상기 칩을 따라 파단하는 제2 확장 단계
를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
제1항에 있어서, 상기 제2 확장 단계를 실시한 후, 판형물이 분할되어 형성된 개개의 칩 사이의 간격을 유지한 상태로 상기 익스팬딩 테이프에 환형 프레임을 점착하고, 상기 환형 프레임의 개구에 판형물이 분할되어 형성된 복수의 상기 칩을 수용한 형태로 하는 환형 프레임 점착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.