KR102023203B1 - 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

이면에 접착 시트를 점착한 웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 표면에 접착 시트의 파단 부스러기가 부착하는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법을 제공한다.
표면(1a)에 신축성을 갖는 보호 테이프(11)가 배치되며 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩(3)으로 분할되어 있는 웨이퍼(1)를, 접착 시트(12)를 개재하여 익스팬드 테이프(13) 상에 배치하고, 계속해서 접착 시트(12)를 개개의 칩(3)을 따라 분단하며, 웨이퍼(1)의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트(12)의 돌출부(12a)를 분단하고(익스팬드 단계), 계속해서 보호 테이프(11)를 제거한다(보호 테이프 제거 단계). 접착 시트(12)의 분단 시에 생기는 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)를 보호 테이프(11) 상에 부착시켜, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에의 파단 부스러기(12b)의 부착을 막는다.

Description

가공 방법{MACHINING METHOD}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 얇은 판형물을 다수의 칩으로 분할하는 가공 방법에 관한 것으로, 특히 접착 시트가 접착된 판형물의 가공 방법에 관한 것이다.
다수의 디바이스가 표면에 형성된 반도체 웨이퍼 등의 원판형 웨이퍼는, 디바이스 사이의 분할 예정 라인을 따라 분할되어 반도체 칩으로 개편화된다. 웨이퍼는 이면 연삭되어 목적하는 두께로 박화되지만, 먼저 표면측으로부터 분할 예정 라인을 따라 목적하는 두께까지 홈을 형성하고 나서 이면 연삭함으로써 칩으로 개편화하는 가공 방법도 실시되고 있다.
그런데, 칩을 실장할 때의 접착층을 미리 이면에 형성해 두기 위해, DAF(Die Attach Film) 등의 접착층 형성용 접착 시트를 개개의 칩으로 분할된 웨이퍼의 이면에 점착한 후, 접착 시트를 분할하는 기술이 제공되어 있다. 접착 시트의 분할 방법으로서, 개개의 칩으로 분할되며 이면에 접착 시트가 점착된 웨이퍼의 접착 시트측에 익스팬드 테이프 등을 점착하고, 익스팬드 테이프 등을 확장함으로써 접착 시트를 분할하는 방법을 채용하는 경우가 있다. 그 경우, 파단된 접착 시트가 칩 사이의 간극을 통하여 웨이퍼의 표면측에 비산하여, 웨이퍼의 표면의 디바이스에 부착되어 버린다고 하는 문제가 생긴다. 또한, 그와 같은 접착 시트는, 일반적으로 웨이퍼보다 약간 대직경으로 형성되어 있고, 웨이퍼의 이면에 점착된 접착 시트는, 웨이퍼의 외주로부터 일부가 비어져 나오고 있다. 그리고, 익스팬드 테이프 등을 확장함으로써 접착 시트를 분할하는 방법을 채용할 때에는, 웨이퍼의 외주로부터 비어져 나온 부분도 분단되고, 그때에 생긴 접착 시트의 돌출 부분의 파단 부스러기가 웨이퍼의 표면에 부착되어 버린다고 하는 문제가 생긴다.
그래서, 이 문제를 해결하기 위해, 웨이퍼의 확장 중에 에어 블로우 수단으로 웨이퍼 표면에 대하여 공기를 분출하여, 접착 시트의 파단 부스러기가 웨이퍼 표면에 부착되지 않도록 하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1).
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2009-272503호 공보
그러나 상기 문헌에 기재된 기술에 의해서도, 접착 시트의 파단 부스러기가 웨이퍼 표면에 부착되는 것을 완전히 방지하는 것은 어려웠다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 이면에 접착 시트를 점착한 웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 표면에 접착 시트의 파단 부스러기가 부착되는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 가공 방법은, 표면에 신축성을 갖는 보호 테이프가 배치되며 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할된 판형물의 가공 방법으로서, 판형물보다 대직경의 접착 시트를 개재하여 판형물을 익스팬드 테이프 상에 배치하는 점착 단계와, 상기 점착 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 상기 보호 테이프가 배치된 상태로 상기 익스팬드 테이프를 확장하여 상기 접착 시트를 개개의 칩을 따라 분단하는 익스팬드 단계와, 상기 익스팬드 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 배치된 상기 보호 테이프를 제거하는 보호 테이프 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 가공 방법에서는, 판형물의 표면에 신축성을 갖는 보호 테이프를 배치한 상태로 판형물을 칩으로 분할하는 익스팬드 단계가 수행되고, 이때, 판형물의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트가 파단된다. 파단 시에 생긴 접착 시트의 파단 부스러기는, 보호 테이프 상에 부착된다. 익스팬드 단계를 실시한 후, 파단 부스러기가 부착된 보호 테이프는 판형물 상으로부터 제거되기 때문에, 파단 부스러기가 판형물의 표면에 부착되는 것을 완전히 막을 수 있다.
본 발명에서는, 상기 보호 테이프 제거 단계를 실시한 후, 판형물이 분할되어 형성된 개개의 칩 사이의 간격을 유지한 상태로 상기 익스팬드 테이프에 환형 프레임을 점착하고, 상기 환형 프레임의 개구에 판형물이 분할되어 형성된 복수의 상기 칩을 수용한 형태로 하는 환형 프레임 점착 단계를 포함하는 형태를 포함한다. 이 형태에 따르면, 분할 후의 개개의 칩 사이의 간격이 유지되어, 환형 프레임을 핸들링함으로써 칩을 파손시키는 일없이 반송 등을 행할 수 있다.
본 발명에 따르면, 이면에 접착 시트를 점착한 웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 표면에 접착 시트의 파단 부스러기가 부착되는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법이 제공된다고 하는 효과를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에 따른 가공 방법의 하프 컷 단계를 나타내는 사시도이다.
도 2는 일 실시형태에 따른 가공 방법의 보호 테이프 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 3은 일 실시형태의 가공 방법의 이면 연삭 단계를 나타내는 사시도이다.
도 4는 일 실시형태의 가공 방법의 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 5는 일 실시형태의 가공 방법의 익스팬드 단계를 나타내는 사시도이다.
도 6은 익스팬드 단계를 나타내는 단면도이다.
도 7은 익스팬드 단계 후의 상태를 나타내는 단면도이다.
도 8은 익스팬드 단계 후의 상태를 나타내는 사시도이다.
도 9는 일 실시형태의 가공 방법의 보호 테이프 제거 단계를 나타내는 사시도이다.
도 10은 일 실시형태의 가공 방법의 (a) 환형 프레임 점착 단계를 나타내는 단면도이고, (b) 환형 프레임 점착 단계 후의 익스팬드 테이프 절단을 나타내는 단면도이다.
도 11은 익스팬드 테이프 절단 후에 익스팬드 장치로부터 웨이퍼를 반출한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 12는 다른 실시형태의 익스팬드 장치를 나타내는 단면도로서, (a) 웨이퍼를 셋트한 상태, (b) 익스팬드 단계를 행한 상태를 나타내고 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 가공 방법을 포함하는 일 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법을 설명한다.
(1) 하프 컷 단계
도 1의 부호 1은, 반도체 웨이퍼 등의 원판형의 웨이퍼(판형물)(1)를 나타내고 있다. 웨이퍼(1)의 표면(1a)에는, 복수의 분할 예정 라인이 격자형으로 설정되고, 분할 예정 라인으로 구획된 복수의 직사각 형상의 각 디바이스 영역에, LSI 등의 전자 회로를 갖는 디바이스(2)가 각각 형성되어 있다. 하프 컷 단계에서는, 웨이퍼(1)의 표면(1a) 측으로부터, 분할 예정 라인을 따라, 연삭 후의 완성 두께에 이르기까지의 깊이의 홈(1d)을 형성한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)는, 외주에 환형의 다이싱 프레임(15)이 점착된 다이싱 테이프(16) 상에 점착되고, 도시하지 않는 회전 가능한 유지 수단에 웨이퍼(1) 및 다이싱 프레임(15)이 유지된다. 그리고, 웨이퍼(1)의 위쪽에 배치되는 절삭 수단(70)의 절삭 블레이드(71)로, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 홈(1d)을 형성한다.
절삭 수단(70)은, 스핀들 하우징(72) 내에 수용된 도시하지 않는 스핀들의 선단에 절삭 블레이드(71)가 부착된 구성을 갖는 것으로, 절삭 블레이드(71)의 두께는, 예컨대 50 ㎛ 정도의 것이 이용된다. 웨이퍼(1)에 홈(1d)을 형성하기 위해서는, 상기 유지 수단을 회전시켜 분할 예정 라인을 절삭 방향(X 방향)과 평행하게 하며, Y 방향으로 이동시키는 인덱싱 이송에 의해 절삭하는 분할 예정 라인을 선택하고, 절삭 블레이드(71)를 분할 예정 라인 사이에 절입시켜 상기 유지 수단을 X 방향으로 가공 이송함으로써 이루어진다. 한 방향으로 연장되는 모든 분할 예정 라인에 홈(1d)을 형성하였다면, 상기 유지 수단을 90°회전시켜 타방향측의 분할 예정 라인을 X 방향과 평행하게 하고, 동일하게 하여 타방향으로 연장되는 모든 분할 예정 라인에 홈(1d)을 형성한다.
(2) 보호 테이프 점착 단계
다음으로, 도 2에 나타내는 바와 같이, 분할 예정 라인을 따른 홈(1d)이 형성된 웨이퍼(1)의 표면(1a) 전체면에, 신축성을 갖는 보호 테이프(11)를 점착한다. 이 경우, 보호 테이프(11)는 신축성을 갖는 폴리염화비닐이나 폴리올레핀 등의 합성 수지성의 테이프의 한 면에 점착층이 형성된 것 등이 이용되고, 점착층을 통해 웨이퍼(1)의 표면(1a)을 덮어 점착된다.
(3) 이면 연삭 단계
다음으로, 도 3에 나타내는 바와 같이, 보호 테이프(11) 측을 유지 테이블(21)에 맞추어 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21)로 유지하고, 위쪽에 노출되는 웨이퍼(1)의 이면(1b)을 연삭 수단(22)으로 연삭하여 웨이퍼(1)를 완성 두께(예컨대, 50 ㎛∼100 ㎛ 정도)로 박화한다.
유지 테이블(21)은, 다공질 재료에 의해 형성된 원형상의 수평인 유지면 상에, 공기 흡인에 따른 부압 작용에 의해 피가공물을 흡착하여 유지하는 일반적인 주지의 부압 척 테이블이며, 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해 축 둘레로 회전된다. 연삭 수단(22)은, 연직 방향으로 연장되며, 도시하지 않는 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들(23)의 선단에, 플랜지(24)를 개재하여 연삭 휠(25)이 고정된 것으로, 유지 테이블(21)의 위쪽에 상하 이동 가능하게 배치되어 있다. 연삭 휠(25)의 하면 외주부에는, 다수의 지석(26)이 환형으로 배열되어 고착되어 있다. 지석(26)은 웨이퍼(1)의 재질에 따른 것이 이용되고, 예컨대, 다이아몬드의 지립을 메탈 본드나 레진 본드 등의 결합제로 굳혀 성형한 다이아몬드 지석 등이 이용된다.
이면 연삭 단계에서는, 보호 테이프(11)측을 유지면에 맞추어 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21) 상에 배치하고, 부압 척에 의해 웨이퍼(1)를 흡착 유지한다. 그리고, 유지 테이블(21)을 정해진 속도로 한 방향으로 회전시킨 상태로부터 연삭 수단(22)을 하강시키고, 회전하는 연삭 휠(25)의 지석(26)을 웨이퍼(1)의 이면(1b)에 압박하여, 이면(1b) 전체면을 연삭한다.
웨이퍼(1)는, 하프 컷 단계에서 완성 두께에 이르는 깊이의 홈(1d)이 분할 예정 라인을 따라 형성되어 있기 때문에, 이면(1b) 측이 완성 두께까지 연삭됨으로써 지석(26)은 홈(1d)에 도달하며, 결과로서 웨이퍼(1)는 표면에 디바이스(2)를 갖는 복수의 칩(3)으로 분할된다.
(4) 점착 단계
다음에, 도 4에 나타내는 바와 같이, 복수의 칩(3)으로 분할되어 표면(1a)에 보호 테이프(11)가 점착된 상태가 된 웨이퍼(1)의 이면(1b)에, 웨이퍼(1)보다 대직경의 접착 시트(12)를 개재하여 익스팬드 테이프(13) 상에 배치한다. 익스팬드 테이프(13)는, 예컨대 폴리염화비닐이나 폴리올레핀 등의 신축성을 갖는 합성 수지성의 테이프 등의 한 면에 점착층이 형성된 것으로, 이 경우, 웨이퍼(1)보다 큰 직사각 형상의 것이나 롤형으로 권취된 것이 이용된다.
점착 단계는, 익스팬드 테이프(13)의 점착층측에, DAF 등으로 이루어지는 접착 시트(12)를 원형상으로 배치하고, 계속해서 그 접착 시트(12) 상에, 웨이퍼(1)의 이면(1b)측을 맞추어 점착한다. 또한, 미리 원형상의 접착 시트(12)가 배치되어 있는 익스팬드 시트(13)에 웨이퍼(1)를 점착하여도 좋다. 혹은, 웨이퍼(1)의 이면(1b)에 접착 시트(12)를 점착하고, 그 접착 시트(12)를 익스팬드 테이프(13)의 점착층에 점착하여도 좋다. 접착 시트(12)는 웨이퍼(1)보다 대직경의 원형상으로 형성되며, 웨이퍼(1)의 외주측에는 접착 시트(12)의 돌출부(12a)가 표출되는 상태가 된다.
(5) 익스팬드 단계
다음으로, 익스팬드 테이프(13)를 확장하여, 접착 시트(12)를 개개의 칩(3)을 따라 분단한다.
익스팬드 단계에서는, 도 5 및 도 6에 나타내는 익스팬드 장치(40)를 이용한다. 익스팬드 장치(40)는, 익스팬드 테이프(13)의 4변의 단부 가장자리를 각각 파지하여, 단부 가장자리에 직교하는 외측으로 인장되는 클램프 부재(41)를 갖고 있다. 클램프 부재(41)는, 단면 L자형의 프레임(42)을 상하 대칭의 상태로 조합한 구성이며, 각 프레임(42)의 내측에는, 복수의 롤러(43)가 근접하여 배열되어 있다. 이들 롤러(43)는, 프레임(42)의 길이 방향에 직교하는 회전축을 중심으로 하여 회전 가능하게 프레임(42)에 지지되어 있다. 익스팬드 테이프(13)는 상하의 롤러(43) 사이에 협지되고, 협지된 상태에 있어서 익스팬드 테이프(13)가 단부 가장자리를 따른 방향으로 신장되면, 그에 추종하여 롤러(43)는 전동(轉動)한다.
익스팬드 테이프(13)의 확장은, 우선, 익스팬드 장치(40)의 각 클램프 부재(41)의 상하의 프레임(42) 사이에 익스팬드 테이프(13)의 4변의 단부 가장자리를 통과시키고, 상하의 프레임(42)을 서로 근접시켜 상하의 롤러(43)로 익스팬드 테이프(13)를 협지한다. 계속해서 클램프 부재(41)를 외측(도 5 및 도 6의 화살표 방향)으로 이동시켜 익스팬드 테이프(13)를 확장한다. 클램프 부재(41)의 롤러(43)로 협지하고 있기 때문에, 확장에 의해 기울어진 왜곡이 익스팬드 테이프(13)에 생겨도, 롤러(43)가 전동함으로써 그 왜곡은 해방되며, 익스팬드 테이프(13)는 균일하게 확장된다.
이와 같이 익스팬드 테이프(13)를 확장시킴으로써, 도 7에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(1)는 개개의 칩(3)을 따라 분할되어 접착 시트(12)를 갖는 칩(3)이 형성되며, 각 칩(3) 사이의 간격이 넓어진다. 또한, 익스팬드 테이프(13)의 확장에 의해, 도 8에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(1)의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트(12)의돌출부(12a)가 동시에 분단된다. 보호 테이프(11)는 신축성을 갖기 때문에 익스팬드 테이프(13)와 함께 확장하고, 이에 의해 각 칩(3) 사이의 간격이 넓어지며, 접착 시트(12)가 분단하는 것이 허용된다.
익스팬드 단계에서는, 접착 시트(12)를 분단하기 쉽게 하기 위해, 접착 시트(12)를 냉각한 상태로 행하면 바람직하다. 접착 시트(12)를 냉각하기 위해서는, 예컨대 익스팬드 테이프(13)측으로부터 냉각시킨 에어 등의 냉각 유체를 분무함으로써 가능하다. 또한, 익스팬드 장치(40) 전체를 냉각 챔버 내에 수용하고, 냉각 챔버 내의 분위기 온도를 예컨대 0℃∼-30℃ 정도로 설정하여 전체를 냉각한 상태로 확장한다고 하는 방법을 채용하여도 좋다.
접착 시트(12)가 개개의 칩(3)을 따라 분단될 때에는, 접착 시트(12)의 파단 부스러기가 생긴다. 분단으로 생긴 접착 시트(12)의 파단 부스러기는 칩(3) 사이의 간극을 통하여 웨이퍼(1)의 표면(1a) 측으로 비산하려고 하지만, 보호 테이프(11)의 이면의 점착층에 부착된다. 한편, 접착 시트(12)의 돌출부(12a)가 분단되면, 도 8에 나타내는 바와 같이 돌출부(12a)로부터 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)가 생기지만, 이들 파단 부스러기(12b)가 웨이퍼(1) 상에 비산하여도, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 점착되어 있는 보호 테이프(11)의 표면에 부착된다.
(6) 보호 테이프 제거 단계
다음으로, 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 배치된 보호 테이프(11)를 제거한다. 제거된 보호 테이프(11)의 표리면에는, 접착 시트(12)의 분단 시에 발생하여 비산된 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)가 부착하고 있고, 보호 테이프(11)가 제거된 웨이퍼(1)의 표면(1a)은 청정한 상태이다.
(7) 환형 프레임 점착 단계
다음으로, 이면에 접착 시트(12)가 각각 점착된 개개의 칩(3) 사이의 간격을 유지한 상태로, 도 10의 (a)에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 테이프(13)의 점착층이 형성되어 있는 표면측에 환형 프레임(14)을 점착한다. 환형 프레임(14)은, 내주가 접착 시트(12)의 외주보다 크고, 클램프 부재(41)의 내측에 배치 가능한 크기를 갖는 것으로, 스테인레스 등의 강성을 갖는 금속판에 의해 형성되어 있다. 환형 프레임(14)은 웨이퍼(1)와 동심형이 되도록 익스팬드 테이프(13)에 점착되고, 이에 의해 복수의 칩(3)은, 환형 프레임(14)의 개구(14a)에 수용된 상태가 된다.
이 후, 도 10의 (b)에 나타내는 바와 같이, 환형 프레임(14)의 이면측의 익스팬드 테이프(13)의 점착 부분을 커터(50)에 의해 절단한다. 이에 의해, 도 11에 나타내는 외주에 환형 프레임(14)이 점착된 익스팬드 테이프(13)의 중심에 접착 시트(12)를 갖는 복수의 칩(3)이 점착된 상태의 것이, 익스팬드 장치(40)로부터 반출된다. 칩(3)은 환형 프레임(14)을 이용함으로써 핸들링되고, 다음 공정(예컨대, 접착 시트(12)를 갖는 칩(3)을 익스팬드 테이프(13)로부터 픽업하는 픽업 공정)으로 진행된다.
(8) 일 실시형태의 작용 효과
이상에 따른 일 실시형태의 가공 방법에서는, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 신축성을 갖는 보호 테이프(11)를 배치한 상태로 익스팬드 단계가 수행되고, 이때, 웨이퍼(1)의 이면(1b)에 점착된 접착 시트(12)가 분단되며 웨이퍼(1)의 외주측의 접착 시트(12)의 돌출부(12a)가 분단된다. 그리고 분단시에 생긴 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)는, 보호 테이프(11)에 부착된다. 익스팬드 단계를 실시한 후, 파단 부스러기(12b)가 부착된 보호 테이프(11)는 웨이퍼(1)로부터 제거되기 때문에, 파단 부스러기(12b)가 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 부착되는 것을 완전히 막을 수 있다.
본 실시형태에서는, 익스팬드 단계를 실시하여 접착 시트(12)를 복수의 칩(3)을 따라 분할한 후, 분할 후의 개개의 칩(3) 사이의 간격을 유지한 상태로 익스팬드 테이프(13)에 환형 프레임(14)을 점착하고 있다. 이에 의해, 익스팬드 테이프(13)는 환형 프레임(14)에 확장한 채의 상태로 유지되고, 분할 후의 개개의 칩(3) 사이의 간격이 유지된다. 따라서 환형 프레임(14)을 핸들링함으로써, 칩(3)을 파손시키는 일없이 반송 등 행할 수 있다.
또한, 보호 테이프(11)는 웨이퍼 표면에의 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)의 부착을 방지하는 것이지만, 이면 연삭 단계 전에 웨이퍼 표면에 점착함으로써, 이면 연삭 단계 이후, 보호 테이프(11)를 제거할 때까지 다른 가공에 있었던 경우, 보호 테이프(11)를 점착한 채로 해 둠으로써, 디바이스(2)를 확실하게 보호하기 위한 것으로서 그 보호 테이프(11)를 활용할 수 있다고 하는 이점이 있다.
(9) 다른 실시형태
도 12는 전술한 내용과 상이한 익스팬드 장치(60)를 이용하여 익스팬드 테이프(13)를 확장하는 모습을 나타내고 있다. 즉, 이 익스팬드 장치(60)라도 상기 익스팬드 단계를 행할 수 있다.
이 경우의 익스팬드 장치(60)는, 원통형의 테이블(61)의 주위에, 실린더 장치(62)에 의해 승강 가능한 승강 테이블(63)이 배치된 구성으로 되어 있고, 웨이퍼(1)는, 접착 시트(12)를 개재하여 웨이퍼(1)가 점착된 익스팬드 테이프(13)에 상기 환형 프레임(14)이 미리 점착된 상태로 셋트된다. 테이블(61)의 내부에는, 익스팬드 테이프(13)를 향하여 냉각 유체를 분무하는 노즐(64)이 배치되어 있다.
웨이퍼(1)의 확장은, 우선, 도 12의 (a)에 나타내는 바와 같이, 승강 테이블(63)의 높이 위치를 테이블(61)과 동일하게 하여, 테이블(61)의 상단면에 익스팬드 테이프(13) 상의 웨이퍼(1)를 배치하고, 승강 테이블(63) 상에 환형 프레임(14)을 배치한다. 계속해서, 승강 테이블(63)에 마련한 클램프(65)로 환형 프레임(14)을 승강 테이블(63)에 고정한다.
그리고, 도 12의 (b)에 나타내는 바와 같이, 노즐(64)로부터 냉각 유체를 분출시킴으로써 접착 시트(12)를 냉각시킨 상태로, 실린더 장치(62)를 축소시켜, 접착 시트(12)를 칩(3)을 따라 분단하는 익스팬드 단계를 행한다. 승강 테이블(63)이 하강하면 익스팬드 테이프(13)는 외측으로 확장되고, 접착 시트(12)가 칩(3)을 따라 분단되며, 접착 시트(12)의 돌출부(12a)가 분단된다.
이와 같이 익스팬드 장치(60)에 의해서도, 익스팬드 단계를 행할 수 있다. 익스팬드 단계에 있어서는 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 보호 테이프(11)가 점착되어 있기 때문에, 익스팬드 단계에서 생기는 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)가 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 부착하는 일은 없다.
또한, 본 발명에서는, 미리 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할된 상기 웨이퍼(1) 등의 판형물을 가공의 대상으로 하고 있지만, 판형부를 분할하는 방법으로서는, 상기 실시형태와 같이 먼저 표면측으로부터 하프 컷을 행한 후에 이면 연삭을 행한다고 하는 것 외에, 이면 연삭한 후에 칩으로 분할하고, 이 후, 표면에 신축성을 갖는 보호 테이프를 점착하여도 좋다.
1 : 웨이퍼(판형물) 1a : 웨이퍼의 표면
3 : 칩 11 : 보호 테이프
12 : 접착 시트 12a : 접착 시트의 돌출부
13 : 익스팬드 테이프 14 : 환형 프레임
14a : 환형 프레임의 개구

Claims (2)

  1. 표면에 신축성을 갖는 보호 테이프가 배치되며 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩으로 분할된 판형물의 가공 방법으로서,
    판형물보다 대직경의 접착 시트를 개재하여 판형물을 직사각형의 익스팬드 테이프 상에 배치하는 점착 단계와,
    상기 점착 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 상기 보호 테이프가 배치된 상태로 상기 익스팬드 테이프를 확장하여 상기 접착 시트를 개개의 칩을 따라 분단하는 익스팬드 단계와,
    상기 익스팬드 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 배치된 상기 보호 테이프를 제거하는 보호 테이프 제거 단계와,
    상기 보호 테이프 제거 단계를 실시한 후, 판형물이 분할되어 형성된 개개의 칩 사이의 간격을 유지한 상태로 상기 익스팬드 테이프에 환형 프레임을 점착하고, 상기 환형 프레임의 개구에 판형물이 분할되어 형성된 복수의 상기 칩을 수용한 형태로 하는 환형 프레임 점착 단계
    를 포함하고,
    상기 익스팬드 단계에서는 상기 직사각형의 익스팬드 테이프의 4변의 단부 가장자리를, 상기 단부 가장자리에 직교하는 회전축을 중심으로서 회전 가능한 복수의 롤러로 협지하고, 상기 롤러를 협지하는 상기 단부 가장자리에 직교하는 외측방향으로 이동시키고, 상기 롤러를 전동시키면서 상기 익스팬드 테이프를 확장하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  2. 삭제
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