KR20140038303A - 가공 방법 - Google Patents

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가즈마 세키야
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 분할 부스러기나 접착 시트의 파단 부스러기 등의 이물이 부착되는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법을 제공한다.
웨이퍼(1)를 익스팬드 테이프(13) 상에 배치한 상태로 익스팬드 테이프(13)를 확장하여 웨이퍼(1)를 칩(3)으로 분할하는 데 있어서, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 신축성을 갖는 보호 테이프(11)를 배치해 둔다. 웨이퍼(1)가 칩(3)으로 분할될 때에 생기는 분할 부스러기(1e)를, 칩(3) 사이의 간극을 통하여 보호 테이프(11)의 이면측의 점착층에 부착시켜, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에의 분할 부스러기(1e)의 부착을 막는다.

Description

가공 방법{MACHINING METHOD}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 얇은 판형물을 다수의 칩으로 분할하는 가공 방법에 관한 것이다.
다수의 디바이스가 표면에 형성된 반도체 웨이퍼 등의 원판형 웨이퍼는, 디바이스 사이의 분할 예정 라인을 따라 분할되어 반도체 칩으로 개편화된다. 웨이퍼를 분할하기 위해서는, 표면측으로부터 하프 컷함으로써 형성한 홈이나, 레이저 빔을 조사하여 형성한 개질층 등의 약부(弱部)를 분할 기점으로 하여 분할 예정 라인을 따라 마련하고 나서, 웨이퍼에 점착한 테이프를 확장하는 등에 의해 외력을 부여함으로써, 분할 기점을 따라 웨이퍼를 할단하여, 칩으로 개편화한다고 하는 방법이 실시되고 있다. 그런데 이 방법에서는, 할단 시에 생긴 분할 부스러기가 웨이퍼 표면의 디바이스에 부착되어 버린다고 하는 문제가 있다.
한편, 칩을 실장할 때의 접착층을 미리 이면에 형성해 두기 위해, DAF(Die Attach Film) 등의 접착층 형성용 접착 시트를 웨이퍼의 이면에 점착한 상태로 웨이퍼를 분할하는 기술이 제공되어 있다. 그 경우, 접착 시트는 웨이퍼보다 약간 대직경으로 형성되어 있고, 웨이퍼의 이면에 점착된 접착 시트는, 웨이퍼의 외주로부터 일부가 비어져 나오고 있다. 이 경우, 접착 시트는 웨이퍼의 분할 시에, 웨이퍼와 함께 분할되지만, 익스팬드 테이프 등을 통해 웨이퍼를 확장함으로써 웨이퍼를 분할하는 방법을 채용하였을 때에는, 웨이퍼의 외주로 비어져 나온 부분도 분단되며, 그때에 생긴 접착 시트의 파단 부스러기가 웨이퍼의 표면에 부착되어 버린다고 하는 문제가 있었다.
그래서, 상기 문제를 해결하기 위해, 웨이퍼의 확장 중에 에어 블로우 수단으로 웨이퍼 표면에 대하여 공기를 분출하여, 웨이퍼 표면에 웨이퍼의 분할 부스러기나 접착 시트의 파단 부스러기가 부착되지 않도록 하는 기술이 제안되어 있다(특허문헌 1).
특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2009-272503호 공보
그러나 상기 문헌에 기재된 기술에 의해서도, 웨이퍼의 분할 부스러기나 접착 시트의 파단 부스러기 등의 이물이 웨이퍼 표면에 부착되는 것을 완전히 방지하는 것은 어려웠다.
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 주된 기술적 과제는, 웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 분할 부스러기나 접착 시트의 파단 부스러기 등의 이물이 부착되는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 가공 방법은, 표면에 신축성을 갖는 보호 테이프가 배치되며 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성된 판형물의 가공 방법으로서, 표면에 상기 보호 테이프가 점착된 판형물의 이면측에 익스팬드 테이프를 점착하는 점착 단계와, 상기 점착 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 상기 보호 테이프가 배치된 상태로 상기 익스팬드 테이프를 확장하여 상기 분할 기점으로부터 판형물을 개개의 칩으로 분할하는 익스팬드 단계와, 상기 익스팬드 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 배치된 상기 보호 테이프를 제거하는 보호 테이프 제거 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 가공 방법에서는, 익스팬드 단계를 실시하면 판형물은 칩으로 분할되지만, 판형물의 표면에는 미리 신축성을 갖는 보호 테이프가 점착되어 있기 때문에, 판형물의 분할로 생기는 분할 부스러기는 칩 사이의 간극을 통하여 보호 테이프에 부착된다. 익스팬드 단계를 실시한 후, 보호 테이프 제거 단계에서 분할 부스러기가 부착된 보호 테이프는 판형물 위로부터 제거되기 때문에, 분할 부스러기가 판형물의 표면에 부착되는 것을 완전히 막을 수 있다.
본 발명에서는, 상기 보호 테이프 제거 단계를 실시한 후, 판형물이 분할되어 형성된 개개의 칩 사이의 간격을 유지한 상태로 상기 익스팬드 테이프에 환형 프레임을 점착하고, 상기 환형 프레임의 개구에 판형물이 분할되어 형성된 복수의 상기 칩을 수용한 형태로 하는 환형 프레임 점착 단계를 포함하는 형태를 포함한다. 이 형태에 따르면, 분할 후의 개개의 칩 사이의 간격이 유지되어, 환형 프레임을 핸들링함으로써 칩을 파손시키는 일없이 반송 등을 행할 수 있다.
또한, 본 발명에서는, 상기 보호 테이프 제거 단계를 실시한 후, 상기 환형 프레임 점착 단계를 실시하기 전에, 상기 익스팬드 테이프를 확장하여 판형물이 분할되어 형성된 개개의 칩 사이에 정해진 간격을 형성하는 간격 형성 단계를 포함하는 형태를 포함한다. 이 간격 형성 단계를 추가함으로써, 분할된 개개의 칩 사이의 간격을 확보할 수 있어, 칩끼리의 충돌에 의한 칩의 파손을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 점착 단계에서는, 판형물보다 대직경의 접착 시트를 개재하여 판형물이 상기 익스팬드 테이프 상에 점착되고, 상기 익스팬드 단계에서는, 상기 접착 시트를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하며 판형물의 외주로 비어져 나온 상기 접착 시트를 분단하는 형태를 포함한다. 이 형태에서는, 익스팬드 단계에서 판형물의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트가 파단된다. 파단 시에 생긴 접착 시트의 파단 부스러기는 보호 테이프 상에 부착되어, 판형물의 표면에의 직접적인 부착이 방지된다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 등의 판형물을 확장하여 분할할 때에, 판형물의 분할 부스러기나 접착 시트의 파단 부스러기 등의 이물이 부착되는 것을 완전히 방지할 수 있는 가공 방법이 제공된다고 하는 효과를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 가공 방법의 보호 테이프 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 2는 제1 실시형태의 가공 방법의 이면 연삭 단계를 나타내는 사시도이다.
도 3은 제1 실시형태의 가공 방법의 개질층 형성 단계를 나타내는 사시도이다.
도 4는 개질층 형성 단계의 세부사항을 나타내는 웨이퍼의 일부 단면도이다.
도 5는 제1 실시형태의 가공 방법의 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 6은 제1 실시형태의 가공 방법의 익스팬드 단계를 나타내는 사시도이다.
도 7은 익스팬드 단계를 나타내는 단면도이다.
도 8은 익스팬드 단계 후의 상태를 나타내는 사시도이다.
도 9는 제1 실시형태의 가공 방법의 보호 테이프 제거 단계를 나타내는 사시도이다.
도 10은 제1 실시형태의 가공 방법의 간격 형성 단계를 나타내는 사시도이다.
도 11은 제1 실시형태의 가공 방법의 (a) 환형 프레임 점착 단계를 나타내는 단면도이고, (b) 환형 프레임 점착 단계 후의 익스팬드 테이프 절단을 나타내는 단면도이다.
도 12는 익스팬드 테이프 절단 후에 익스팬드 장치로부터 웨이퍼를 반출한 상태를 나타내는 사시도이다.
도 13은 본 발명의 제2 실시형태의 가공 방법의 점착 단계를 나타내는 사시도이다.
도 14는 제2 실시형태의 가공 방법의 익스팬드 단계를 나타내는 사시도이다.
도 15는 제2 실시형태의 익스팬드 단계를 나타내는 단면도이다.
도 16은 제2 실시형태의 익스팬드 단계 후의 상태를 나타내는 사시도이다.
도 17은 제2 실시형태의 가공 방법의 보호 테이프 제거 단계를 나타내는 사시도이다.
도 18은 본 발명의 제3 실시형태의 익스팬드 장치를 나타내는 단면도로서, (a) 웨이퍼를 셋트한 상태, (b) 익스팬드 단계를 행한 상태를 나타내는 도면이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 가공 방법을 포함하는 제1 실시형태에 따른 웨이퍼의 가공 방법을 설명한다.
(1) 제1 실시형태
(1-1) 보호 테이프 점착 단계
도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 웨이퍼 등의 원판형의 웨이퍼(판형물)(1)의 표면(1a)의 전체면에, 신축성을 갖는 보호 테이프(11)를 점착한다. 웨이퍼(1)의 표면(도 1에서는 하면측이 표면)(1a)에는 복수의 분할 예정 라인이 격자형으로 설정되고, 분할 예정 라인으로 구획된 복수의 직사각 형상의 각 디바이스 영역에, LSI 등의 전자 회로를 갖는 디바이스(2)가 각각 형성되어 있다. 보호 테이프(11)는 신축성을 갖는 폴리염화비닐이나 폴리올레핀 등의 합성 수지성의 테이프의 한 면에 점착층이 형성된 것 등이 이용되며, 점착층을 개재하여 웨이퍼(1)의 표면(1a)을 덮어 점착된다.
(1-2) 이면 연삭 단계
다음으로, 도 2에 나타내는 바와 같이, 보호 테이프(11) 측을 유지 테이블(21)에 맞추어 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21)로 유지하고, 위쪽에 노출되는 웨이퍼(1)의 이면(1b)을 연삭 수단(22)으로 연삭하여 웨이퍼(1)를 정해진 두께(예컨대 50 ㎛∼100 ㎛ 정도)로 박화한다.
유지 테이블(21)은, 다공질 재료에 의해 형성된 원형상의 수평인 유지면 위에, 공기 흡인에 의한 부압 작용에 의해 피가공물을 흡착하여 유지하는 일반적인 주지의 부압 척 테이블이며, 도시하지 않는 회전 구동 기구에 의해 축 둘레로 회전된다. 연삭 수단(22)은, 연직 방향으로 연장되며, 도시하지 않는 모터에 의해 회전 구동되는 스핀들(23)의 선단에, 플랜지(24)를 개재하여 연삭 휠(25)이 고정된 것으로, 유지 테이블(21)의 위쪽에 상하 이동 가능하게 배치되어 있다. 연삭 휠(25)의 하면 외주부에는, 다수의 지석(26)이 환형으로 배열되어 고착되어 있다. 지석(26)은 웨이퍼(1)의 재질에 따른 것이 이용되며, 예컨대, 다이아몬드의 지립을 메탈 본드나 레진 본드 등의 결합제로 굳혀 성형한 다이아몬드 지석 등이 이용된다.
연삭 단계에서는, 보호 테이프(11) 측을 유지면에 맞추어 웨이퍼(1)를 유지 테이블(21) 상에 배치하고, 부압 척에 의해 웨이퍼(1)를 흡착 유지한다. 그리고, 유지 테이블(21)을 정해진 속도로 한 방향으로 회전시킨 상태로부터 연삭 수단(22)을 하강시키고, 회전하는 연삭 휠(25)의 지석(26)을 웨이퍼(1)의 이면(1b)에 압박하여, 이면(1b)의 전체면을 연삭한다.
(1-3) 개질층 형성 단계
다음으로, 웨이퍼(1)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔을 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 웨이퍼(1)의 내부에 분할 예정 라인을 따른 개질층을 형성한다. 개질층의 형성은, 도 3에 나타내는 바와 같이, 상기 유지 테이블(21)과 동일한 회전 가능한 부압 척식의 유지 테이블(31)의 유지면에 보호 테이프(11) 측을 맞추어 웨이퍼(1)를 유지 테이블(31) 상에 배치하고, 부압 척에 의해 웨이퍼(1)를 흡착 유지한다. 그리고, 유지 테이블(31)의 위쪽에 배치된 레이저 조사 수단(32)의 조사부(33)로부터, 도 4에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(1)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 빔(L)을, 연삭된 이면(1b)측으로부터, 집광점을 웨이퍼(1)의 내부에 위치 부여한 상태로 분할 예정 라인을 따라 조사하여, 개질층(1c)을 형성한다.
유지 테이블(31)은 도 3에 나타내는 X 방향 및 Y 방향으로 이동 가능하게 되고, 웨이퍼(1)에 대한 레이저 빔(L)의 주사는, 예컨대 유지 테이블(31)을 X 방향으로 이동시키는 가공 이송에 의해 이루어진다. 그 경우, 유지 테이블(31)을 Y 방향으로 이동시키는 인덱싱 이송에 의해 레이저 빔(L)을 조사하는 분할 예정 라인을 선택한다. 또한, 분할 예정 라인을 X 방향을 따른 상태로 하기 위해서는, 유지 테이블(31)을 회전시킨다. 개질층(1c)은, 레이저 빔(L)의 피조사면(웨이퍼(1)의 이면(1b))으로부터 일정 깊이의 위치에 일정한 층 두께로 형성되도록 한다. 개질층(1c)은, 웨이퍼(1) 내의 다른 부분보다 강도가 저하된 특성을 가지며, 이후의 익스팬드 단계에서 웨이퍼(1)의 분할 기점이 된다.
(1-4) 점착 단계
다음으로, 도 5에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 이면(1b)측을 익스팬드 테이프(13) 상에 배치한다. 익스팬드 테이프(13)는, 예컨대 폴리염화비닐이나 폴리올레핀 등의 신축성을 갖는 합성 수지 시트 등의 한 면에 점착층이 형성된 것으로, 웨이퍼(1)보다 큰 직사각 형상의 것이나 롤형으로 권취된 것이 이용된다. 점착 단계는, 익스팬드 테이프(13)의 중앙부의 점착층측에 웨이퍼(1)의 이면(1b)을 맞추어 점착한다.
(1-5) 익스팬드 단계
다음으로, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 보호 테이프(11)가 배치된 상태로 익스팬드 테이프(13)를 확장하여, 개질층(1c)으로부터 웨이퍼(1)를 개개의 칩(3)으로 분할하는 익스팬드 단계를 행한다.
익스팬드 단계에서는, 도 6 및 도 7에 나타내는 익스팬드 장치(40)를 이용한다. 익스팬드 장치(40)는, 익스팬드 테이프(13)의 4변의 단부 가장자리를 각각 파지하고, 단부 가장자리에 직교하는 외측으로 인장되는 클램프 부재(41)를 갖고 있다. 클램프 부재(41)는, 단면 L자형의 프레임(42)을 상하 대칭의 상태로 조합한 구성이며, 각 프레임(42)의 내측에는, 복수의 롤러(43)가 근접하여 배열되어 있다. 이들 롤러(43)는, 프레임(42)의 길이 방향에 직교하는 회전축을 중심으로 하여 회전 가능하게 프레임(42)에 지지되어 있다. 익스팬드 테이프(13)는 상하의 롤러(43) 사이에 협지되고, 협지된 상태에 있어서 익스팬드 테이프(13)가 단부 가장자리를 따른 방향으로 신장되면, 그에 추종하여 롤러(43)는 전동(轉動)한다.
익스팬드 테이프(13)의 확장은, 우선, 익스팬드 장치(40)의 각 클램프 부재(41)의 상하의 프레임(42) 사이에 익스팬드 테이프(13)의 4변의 단부 가장자리를 통과시키고, 상하의 프레임(42)을 서로 근접시켜 상하의 롤러(43)로 익스팬드 테이프(13)를 협지한다. 계속해서 클램프 부재(41)를 외측(도 6 및 도 7의 화살표 방향)으로 이동시켜 익스팬드 테이프(13)를 확장한다. 클램프 부재(41)의 롤러(43)로 협지하고 있기 때문에, 확장에 의해 기울어진 왜곡이 익스팬드 테이프(113)에 생겨도, 롤러(43)가 전동함으로써, 그 왜곡은 해방되며, 익스팬드 테이프(13)는 균일하게 확장된다.
이와 같이 익스팬드 테이프(13)를 확장시킴으로써, 도 8에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(1)는 분할 기점인 개질층(1c)으로부터 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩(3)으로 분할된다. 보호 테이프(11)는 신축성을 갖기 때문에 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 점착된 채로 익스팬드 테이프(13)와 함께 확장되며, 이에 의해 각 칩(3) 사이의 간격이 넓어지는 것이 허용된다.
웨이퍼(1)가 칩(3)으로 분할될 때에는 분할 부스러기가 생기고, 분할 부스러기는 칩(3) 사이의 간극을 통하여 웨이퍼(1)의 표면측으로 비산하고자 하지만, 그 분할 부스러기는, 보호 테이프(11)의 이면의 점착층에 부착된다.
(1-6) 보호 테이프 제거 단계
다음으로, 도 9에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 배치된 보호 테이프(11)를 제거한다. 제거된 보호 테이프(11)의 이면측의 점착층에는, 동도면에 나타내는 바와 같이 분할에 의해 생기며, 칩(3) 사이의 간극을 통하여 비산하고자 한 분할 부스러기(1e)가 부착되어 있고, 보호 테이프(11)가 제거된 웨이퍼(1)의 표면(1a)은 청정한 상태이다.
(1-7) 간격 형성 단계
다음으로, 도 10에 나타내는 바와 같이, 재차 익스팬드 장치(40)에 의해 익스팬드 테이프(13)를 확장시켜, 웨이퍼(1)가 분할되어 형성된 개개의 칩(3) 사이에 정해진 간격을 형성한다.
(1-8) 환형 프레임 점착 단계
다음으로, 웨이퍼(1)가 분할되어 형성된 개개의 칩(3) 사이의 간격을 유지한 상태로, 도 11의 (a)에 나타내는 바와 같이, 익스팬드 테이프(13)의 점착층이 형성되어 있는 표면측에 환형 프레임(14)을 점착한다. 환형 프레임(14)은, 클램프 부재(41)의 내측에 배치 가능한 크기를 갖는 것으로서, 스테인레스 등의 강성을 갖는 금속판에 의해 형성되어 있다. 환형 프레임(14)은 웨이퍼(1)와 동심형이 되도록 익스팬드 테이프(13)에 점착되고, 이에 의해 웨이퍼(1)가 분할되어 형성된 복수의 칩(3)은, 환형 프레임(14)의 개구(14a)에 수용된 상태가 된다.
이 후, 도 11의 (b)에 나타내는 바와 같이, 환형 프레임(14)의 이면측의 익스팬드 테이프(13)의 점착 부분을 커터(50)에 의해 절단한다. 이에 의해, 도 12에 나타내는 익스팬드 테이프(13)의 중심에 웨이퍼(1)가 분할된 복수의 칩(3)이 점착된 상태의 것이, 익스팬드 장치(40)로부터 반출된다. 칩(3)은 환형 프레임(14)을 이용함으로써 핸들링되어, 다음 공정(예컨대, 칩(3)을 익스팬드 테이프(13)로부터 픽업하는 픽업 공정)으로 옮겨진다.
(1-9) 작용 효과
이상에 따른 제1 실시형태의 가공 방법에서는, 익스팬드 단계를 실시하면 웨이퍼(1)는 칩(3)으로 분할되지만, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에는 미리 신축성을 갖는 보호 테이프(11)가 점착되어 있기 때문에, 웨이퍼(1)의 분할로 생기는 분할 부스러기(1e)는 칩(3) 사이의 간극을 통하여 보호 테이프(11)의 이면측의 점착층에 부착된다. 익스팬드 단계를 실시한 후, 보호 테이프 제거 단계에서 분할 부스러기(1e)가 부착된 보호 테이프(11)를 웨이퍼(1)로부터 제거하기 때문에, 분할 부스러기(1e)가 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 부착되는 것을 완전히 막을 수 있다.
본 실시형태에서는, 익스팬드 단계를 실시하여 웨이퍼(1)를 복수의 칩(3)으로 분할한 후, 분할 후의 개개의 칩(3) 사이의 간격을 유지한 상태로 익스팬드 테이프(13)에 환형 프레임(14)을 점착하고 있다. 이에 의해, 익스팬드 테이프(13)는 환형 프레임(14)에 확장된 채의 상태로 유지되어, 분할 후의 개개의 칩(3) 사이의 간격이 유지된다. 따라서 환형 프레임(14)을 핸들링함으로써, 칩(3)을 파손시키는 일없이 반송 등을 행할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 보호 테이프 제거 단계를 실시한 후, 환형 프레임 점착 단계를 실시하기 전에, 익스팬드 테이프를 재차 확장하여, 웨이퍼(1)가 분할되어 형성된 개개의 칩(3) 사이에 정해진 간격을 형성하는 간격 형성 단계를 실시하고 있다. 이 간격 형성 단계를 실시함으로써, 분할된 개개의 칩(3) 사이의 간격을 확보할 수 있어, 칩(3) 끼리의 충돌에 의한 칩(3)의 파손을 보다 확실하게 방지할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서, 보호 테이프(11)는 웨이퍼 표면에의 웨이퍼(1)의 분할 부스러기(1e)의 부착을 방지하는 것이지만, 처음의 가공인 이면 연삭 단계 전에 웨이퍼 표면에 점착하고 있기 때문에, 이면 연삭 단계 이후, 보호 테이프(11)를 제거할 때까지 행하는 가공에 있어서, 보호 테이프(11)에 의해 예컨대 유지 테이블(21, 31)이 표면(1a)에 직접 접촉하지 않고, 디바이스(2)를 보호하기 위한 것으로서 활용할 수 있다고 하는 이점이 있다.
또한, 간격 형성 단계는 필요에 따라 행하도록 하여도 좋고, 익스팬드 단계에서 칩(3) 사이에 간격이 충분히 넓어져 있으면 간격 형성 단계는 생략하여도 좋다.
(2) 제2 실시형태
계속해서, 상기 점착 단계 이후를 변경한 제2 실시형태를 설명한다.
(2-1) 점착 단계
도 13에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)보다 대직경의 접착 시트(12)를 개재하여 웨이퍼(1)의 이면(1b)측을 익스팬드 테이프(13) 상에 배치한다. 이 점착 단계에서는, 익스팬드 테이프(13)의 점착층측에, DAF 등으로 이루어지는 접착 시트(12)를 원형상으로 배치하고, 계속해서 그 접착 시트(12) 상에, 웨이퍼(1)의 이면(1b)측을 맞추어 점착한다. 또한, 미리 원형상의 접착 시트(12)가 배치되어 있는 익스팬드 테이프(13)에 웨이퍼(1)를 점착하여도 좋다. 혹은, 웨이퍼(1)의 이면(1b)에 접착 시트(12)를 점착하고, 그 접착 시트(12)를 익스팬드 테이프(13)의 점착층에 점착하여도 좋다. 접착 시트(12)는 웨이퍼(1)보다 대직경의 원형상이 형성되고, 웨이퍼(1)의 외주측에는 접착 시트(12)의 돌출부(12a)가 표출되는 상태가 된다.
(2-2) 익스팬드 단계
다음으로, 도 14 및 도 15에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 보호 테이프(11)가 배치된 상태로 익스팬드 테이프(13)를 확장한다.
익스팬드 테이프(13)를 확장함으로써, 도 16에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)는 분할 기점인 개질층(1c)으로부터 분할 예정 라인을 따라 개개의 칩(3)으로 분할되며 접착 시트(12)가 분할 예정 라인을 따라 분단되어 접착 시트(12)를 갖는 칩(3)이 형성되고, 각 칩(3) 사이의 간격이 넓어진다. 또한, 웨이퍼(1)의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트(12)의 돌출부(12a)가 동시에 분단된다. 보호 테이프(11)는 신축성을 갖기 때문에 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 점착된 채로 익스팬드 테이프(13)와 함께 확장되고, 이에 의해 각 칩(3) 사이의 간격이 넓어지는 것이 허용된다.
웨이퍼(1)가 분할되며 접착 시트(12)가 분단될 때에는, 웨이퍼(1)의 분할 부스러기와 접착 시트(12)의 파단 부스러기가 발생한다. 이들 분할 부스러기나 파단 부스러기는 칩(3) 사이의 간극을 통하여 웨이퍼(1)의 표면(1a)측으로 비산하고자 하지만, 보호 테이프(11)의 이면의 점착층에 부착된다. 또한, 웨이퍼(1)의 분할과 함께 접착 시트(12)가 분단될 때에는 웨이퍼(1)의 외주측으로 비어져 나온 접착 시트(12)의 돌출부(12a)가 동시에 분단되어, 돌출부(12a)로부터 파단 부스러기가 발생하여 비산하지만, 이 돌출부(12a)의 파단 부스러기는, 보호 테이프(11)의 표면에 부착된다.
접착 시트(12)를 분단시킬 때에 접착 시트(12)를 냉각해 두는 것은, 접착 시트(12)를 분단하기 쉬워지기 때문에 바람직하다. 접착 시트(12)를 냉각하기 위해서는, 예컨대 표면측으로부터 직접, 혹은 이면측의 익스팬드 테이프(13)를 개재하여 접착 시트(12)에 냉각시킨 에어 등의 냉각 유체를 분무함으로써 가능하다. 또한, 익스팬드 장치(40) 전체를 냉각 챔버 내에 수용하고, 냉각 챔버 내의 분위기 온도를 예컨대 0℃∼-30℃ 정도로 설정하여 전체를 냉각한 상태로 확장한다고 하는 방법을 채용하여도 좋다.
(2-3) 보호 테이프 제거 단계
다음에, 도 17에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 배치된 보호 테이프(11)를 제거한다. 제거된 보호 테이프(11)의 표리면에는, 접착 시트(12)의 분단 시에 발생하여 비산된 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)와 웨이퍼(1)의 분할 시에 발생하여 비산된 웨이퍼(1)의 분할 부스러기(1e)가 부착되어 있으며, 보호 테이프(11)가 제거된 웨이퍼(1)의 표면(1a)은 청정한 상태이다. 이후는, 상기 제1 실시형태와 마찬가지로, 필요에 따라 간격 형성 단계를 행하고 나서 환형 프레임 점착 단계를 행하여, 접착 시트(12)를 갖는 칩(3)으로 분할된 웨이퍼(1)가 익스팬드 테이프(13)에 점착되어 있는 상태를 얻는다.
(2-4) 작용 효과
제2 실시형태에서는, 익스팬드 단계를 실시함으로써, 웨이퍼(1)는 칩(3)으로 분할되며 접착 시트(12)가 분할 예정 라인을 따라 분단되고, 웨이퍼(1)의 외주측의 접착 시트(12)의 돌출부(12a)도 분단된다. 그리고 분할, 분단 시에 생긴 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)나 웨이퍼(1)의 분할 부스러기(1e)는, 보호 테이프(11)에 부착된다. 익스팬드 단계를 실시한 후, 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)나 웨이퍼(1)의 분할 부스러기(1e)가 부착된 보호 테이프(11)는 웨이퍼(1)로부터 제거되기 때문에, 파단 부스러기(12b)나 웨이퍼의 분할 부스러기가 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 부착되는 것을 완전히 막을 수 있다.
(3) 제3 실시형태
도 18은 전술한 내용과 상이한 익스팬드 장치(60)를 이용하여, 도 13에 나타낸 웨이퍼(1)가 접착 시트(12)를 개재하여 점착된 익스팬드 테이프(13)를 확장하는 모습을 나타내고 있다. 즉, 이 익스팬드 장치(60)라도 상기 익스팬드 단계를 행할 수 있다.
이 경우의 익스팬드 장치(60)는, 원통형의 테이블(61)의 주위에, 실린더 장치(62)에 의해 승강 가능한 승강 테이블(63)이 배치된 구성으로 되어 있고, 웨이퍼(1)는, 접착 시트(12)를 개재하여 웨이퍼(1)가 점착된 익스팬드 테이프(13)에 상기 환형 프레임(14)이 미리 점착된 상태로 셋트된다. 테이블(61)의 내부에는, 익스팬드 테이프(13)를 향하여 냉각 유체를 분무하는 노즐(64)이 배치되어 있다.
익스팬드 테이프(13)의 확장은, 우선, 도 18의 (a)에 나타내는 바와 같이, 승강 테이블(63)의 높이 위치를 테이블(61)과 동일하게 하여, 테이블(61)의 상단면에 익스팬드 테이프(13) 상의 웨이퍼(1)를 배치하고, 승강 테이블(63) 상에 환형 프레임(14)을 배치한다. 계속해서, 승강 테이블(63)에 마련한 클램프(65)로 환형 프레임(14)을 승강 테이블(63)에 고정한다.
그리고, 도 18의 (b)에 나타내는 바와 같이, 노즐(64)로부터 냉각 유체를 분출시킴으로써 접착 시트(12)를 냉각시킨 상태로, 실린더 장치(62)를 축소시켜, 웨이퍼(1)와 함께 접착 시트(12)를 분할하여 개개의 칩(3)으로 분할하는 익스팬드 단계를 행한다. 승강 테이블(63)이 하강하면 익스팬드 테이프(13)는 외측으로 확장되고, 웨이퍼(1) 및 접착 시트(12)가 칩(3)마다 분할되며, 접착 시트(12)의 돌출부(12a)가 분단된다.
이와 같이 익스팬드 장치(60)에 의해서도, 익스팬드 단계를 행할 수 있다. 익스팬드 단계에 있어서는 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 보호 테이프(11)가 점착되어 있기 때문에, 익스팬드 단계에서 생기는 접착 시트(12)의 파단 부스러기(12b)가 웨이퍼(1)의 표면(1a)에 부착되는 일은 없다.
또한, 상기 제1 실시형태에서는, 웨이퍼(1)의 분할 예정 라인을 따라 형성하는 분할 기점을, 레이저 빔 조사에 의한 개질층(1c)에서 구성하고 있지만, 분할 기점은, 예컨대 절삭 가공이나 레이저 가공 등으로 웨이퍼(1)의 표면(1a)의 분할 예정 라인을 따라 형성하는 홈 등으로 구성하여도 좋다.
또한, 웨이퍼(1)의 이면 연삭과 분할 기점을 형성하는 순서는 임의적이며, 상기 제1 실시형태와는 반대로, 분할 기점을 형성하고 나서 웨이퍼(1)의 이면 연삭을 행하여도 좋다.
1 : 웨이퍼(판형물) 1a : 웨이퍼의 표면
1b : 웨이퍼의 이면 1c : 개질층(분할 기점)
3 : 칩 11 : 보호 테이프
12 : 접착 시트 12a : 접착 시트의 돌출부
13 : 익스팬드 테이프 14 : 환형 프레임
14a : 환형 프레임의 개구

Claims (4)

  1. 표면에 신축성을 갖는 보호 테이프가 배치되며 분할 예정 라인을 따라 분할 기점이 형성된 판형물의 가공 방법으로서,
    표면에 상기 보호 테이프가 점착된 판형물의 이면측에 익스팬드 테이프를 점착하는 점착 단계와,
    상기 점착 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 상기 보호 테이프가 배치된 상태로 상기 익스팬드 테이프를 확장하여 상기 분할 기점으로부터 판형물을 개개의 칩으로 분할하는 익스팬드 단계와,
    상기 익스팬드 단계를 실시한 후, 판형물의 표면에 배치된 상기 보호 테이프를 제거하는 보호 테이프 제거 단계
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 보호 테이프 제거 단계를 실시한 후, 판형물이 분할되어 형성된 개개의 칩 사이의 간격을 유지한 상태로 상기 익스팬드 테이프에 환형 프레임을 점착하고, 상기 환형 프레임의 개구에 판형물이 분할되어 형성된 복수의 상기 칩을 수용한 형태로 하는 환형 프레임 점착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 보호 테이프 제거 단계를 실시한 후, 상기 환형 프레임 점착 단계를 실시하기 전에, 상기 익스팬드 테이프를 확장하여 판형물이 분할되어 형성된 개개의 칩 사이에 정해진 간격을 형성하는 간격 형성 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 점착 단계에서는, 판형물보다 대직경의 접착 시트를 개재하여 판형물이 상기 익스팬드 테이프 상에 점착되고, 상기 익스팬드 단계에서는, 상기 접착 시트를 상기 분할 예정 라인을 따라 분할하며 판형물의 외주로 비어져 나온 상기 접착 시트를 분단하는 것을 특징으로 하는 가공 방법.
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