KR20160085704A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 간이한 방법으로 웨이퍼의 외주부에 대하여 에지 트리밍을 행할 수 있도록 하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 웨이퍼 가공 방법은, 외주 잉여 영역(6)에만 접착층(11)을 개입시켜 표면 보호 테이프(10)를 접착하는 테이프 접착 공정과, 웨이퍼(1)의 외주부(7)를 회전하는 절삭 블레이드(13)에 의해 절삭하고, 정해진 폭 및 정해진 깊이를 갖는 외주 절삭부(8)를 형성하는 절삭 공정을 갖기 때문에, 절삭시에 발생하는 파티클을 디바이스 영역(5)에 부착시키지 않고, 용이하게 외주부(7)를 에지 트리밍할 수 있다. 또한, 지지 기판을 웨이퍼(1)에 접합시켜 에지 트리밍한 경우에 비해 절삭 블레이드(13)로 절삭하는 부분의 체적이 작아지기 때문에, 절삭 블레이드(13)의 가공 속도를 높게 설정할 수 있어 웨이퍼(1)의 가공 품질이 향상된다. 나아가서는, 절삭 후의 웨이퍼(1)의 디바이스 영역(5)에 접착층이 남지 않기 때문에, 디바이스 영역(5)의 세정이 필요 없게 된다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER MACHINING METHOD}
본 발명은, 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것으로서, 특히, 웨이퍼의 외주부를 절삭하여 에지 트리밍하는 가공 방법에 관한 것이다.
웨이퍼 등의 피처리 기판에 대하여 이면 연삭을 행하면, 웨이퍼의 외주부(에지)가 예각으로 형성되고, 이면 연삭 후의 웨이퍼가 깨지거나 하는 경우가 있다. 그 때문에, 웨이퍼를 이면 연삭하기 이전에, 미리 웨이퍼의 외주부의 일부를 제거하는 에지 트리밍을 행함으로써, 웨이퍼의 외주부의 균열을 저감하고 있다(예컨대, 하기의 특허문헌 1을 참조).
에지 트리밍을 행하는 타이밍으로는, 웨이퍼의 표면에 접착되는 지지 기판을 상기 표면에 접합시키기 전에 행하는 경우와, 지지 기판을 웨이퍼의 표면에 접합시킨 후에 행하는 경우가 있다.
일본 특허 공개 제2007-152906호 공보
그러나, 웨이퍼의 표면에 지지 기판을 접합시키기 전에 에지 트리밍을 행하면, 에지 트리밍에 의해 발생한 파티클이 웨이퍼의 표면에 부착되어 버리고, 지지 기판을 웨이퍼의 표면에 접합시키기 전에 웨이퍼를 세정하는 공정이 필요하게 된다.
한편, 웨이퍼의 표면에 지지 기판을 접합시킨 후에 에지 트리밍을 행하면, 지지 기판을 통해 웨이퍼를 절삭하게 되고, 절삭 블레이드로 절삭하는 부분의 체적이 커져 가공 속도가 저하되고, 제품의 생산 효율이 저하된다. 또한, 가공 속도를 올리기 위해서는, 큰 다이아몬드 블레이드를 이용할 필요가 있고, 에지 트리밍 중의 웨이퍼에 대한 손상이 증대하여 가공 품질의 저하를 초래한다고 하는 문제도 있다.
본 발명은, 상기한 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 간이한 방법으로 상기와 같은 문제를 해결하여 웨이퍼의 외주부에 대하여 에지 트리밍을 행할 수 있도록 하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명은, 표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역이 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서, 상기 외주 잉여 영역에만 접착층을 개입시켜 표면 보호 테이프를 접착하는 표면 보호 테이프 접착 공정과, 웨이퍼의 외주부를 회전하는 절삭 블레이드에 의해 절삭하고, 정해진 폭 및 정해진 깊이를 갖는 외주 절삭부를 형성하는 절삭 공정을 구비하고 있다.
상기 표면 보호 테이프가 웨이퍼의 표면 전면(全面)을 덮는 면적을 갖고 있는 경우는, 상기 절삭 공정에서는, 상기 표면 보호 테이프를 절삭함과 더불어 웨이퍼의 외주부를 절삭하는 것이 적합하다.
또한, 상기 표면 보호 테이프가 적어도 상기 디바이스 영역을 덮는 크기를 갖고 있는 경우는, 상기 표면 보호 테이프 접착 공정에서는, 상기 표면 보호 테이프를 웨이퍼의 표면에 접착함으로써 웨이퍼의 최외주부를 전체 둘레에 걸쳐 노출시키고, 상기 절삭 공정에서는, 노출된 웨이퍼의 최외주부를 절삭하는 것이 적합하다.
본 발명의 웨이퍼 가공 방법에서는, 웨이퍼의 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역에만 접착층을 개입시켜 표면 보호 테이프를 접착한 후, 절삭 공정을 실시하여 절삭 블레이드에 의해 웨이퍼의 외주부를 절삭하기 때문에, 절삭시에 생기는 파티클이 디바이스 영역에 부착되는 것을 방지할 수 있다. 이에 따라, 예컨대 클린룸에서의 작업이나 고가의 세정 기능을 구비하는 장치도 필요 없게 되어, 경제적이다.
절삭 공정을 실시할 때에는, 예컨대 지지 기판을 웨이퍼에 접합시켜 절삭하는 경우에 비해 절삭하는 부분의 체적이 작아지기 때문에, 절삭 블레이드의 가공 속도를 올려도 웨이퍼에 가해지는 손상이 적어져서, 높은 가공 품질을 얻을 수 있다. 또한, 절삭 공정 후에 웨이퍼로부터 표면 보호 테이프를 박리할 때에는, 디바이스 영역에 접착층이 남지 않기 때문에, 절삭 공정 후에 있어서의 디바이스 영역의 세정이 필요 없게 된다.
상기한 표면 보호 테이프가 웨이퍼의 표면 전면을 덮는 면적을 갖고 있는 경우는, 웨이퍼의 표면에 대한 표면 보호 테이프의 지지 면적이 넓어지기 때문에, 절삭 공정을 실시하여 표면 보호 테이프와 함께 웨이퍼의 외주부를 절삭할 때에 표면 보호 테이프의 접착 상태가 안정된다.
또한, 상기한 표면 보호 테이프가 적어도 디바이스 영역을 덮는 크기를 갖고 있는 경우는, 절삭 공정을 실시할 때에, 표면 보호 테이프의 주연부로부터 노출된 웨이퍼의 최외주부를 절삭 블레이드로 절삭하면 되기 때문에, 표면 보호 테이프에 절삭 블레이드가 접촉하는 일이 없고, 절삭하는 부분의 체적이 보다 작아져서 높은 가공 품질을 얻을 수 있음과 더불어, 접착제가 절삭 블레이드에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 웨이퍼의 일례를 도시한 사시도이다.
도 2는 가공 방법의 제1 예의 표면 보호 테이프 접착 공정을 도시한 단면도이다.
도 3은 가공 방법의 제1 예의 절삭 공정을 도시한 단면도이다.
도 4는 가공 방법의 제1 예의 절삭 공정에 의해 웨이퍼의 외주부에 에지 트리밍이 행해진 상태를 도시한 단면도이다.
도 5는 가공 방법의 제1 예의 연삭 공정을 도시한 단면도이다.
도 6은 가공 방법의 제2 예의 표면 보호 테이프 접착 공정을 도시한 단면도이다.
도 7은 가공 방법의 제2 예의 절삭 공정을 도시한 단면도이다.
도 8은 가공 방법의 제2 예의 절삭 공정에 의해 웨이퍼의 외주부에 에지 트리밍이 행해진 상태를 도시한 단면도이다.
1. 웨이퍼의 가공 방법의 제1 예
도 1에 도시된 웨이퍼(1)는, 피가공물의 일례로서, 예컨대 원판상의 실리콘 기판으로 구성되어 있다. 웨이퍼(1)의 표면(2a)에는, 격자상의 분할 예정 라인(3)에 의해 구획된 각각의 영역에 디바이스(4)가 형성된 디바이스 영역(5)과, 디바이스 영역(5)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(6)이 형성되어 있다.
웨이퍼(1)의 이면(2b)에는, 디바이스(4)가 형성되어 있지 않고, 연삭 지석 등에 의해 연삭되는 피연삭면으로 되어 있다. 웨이퍼(1)의 외주 가장자리에는, 도 2에 도시된 바와 같이, 표면(2a)에서 이면(2b)에 걸쳐 원호상으로 모따기된 외주부(7)가 형성되어 있다. 이하에서는, 웨이퍼(1)의 외주부(7)의 일부를 절삭하여 제거하는 에지 트리밍을 행하여, 웨이퍼(1)를 원하는 마무리 두께로 박화하는 가공 방법에 대해서 설명한다.
(1) 표면 보호 테이프 접착 공정
도 2에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 형성된 디바이스(4)를 보호하는 표면 보호 테이프(10)를, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 접착한다. 표면 보호 테이프(10)는, 웨이퍼(1)의 표면(2a) 전면을 덮는 면적을 갖고 있다. 표면 보호 테이프(10)에는, 도 1에 도시된 웨이퍼(1)의 외주 잉여 영역(6)에 접촉하는 주연 부분에만 접착층(11)이 형성되어 있고, 접착층(11)은, 예컨대 실리콘 등으로 이루어진 기판에 대하여 접착력을 갖는 풀로 구성되어 있다. 한편, 표면 보호 테이프(10)의 디바이스(4)에 접촉하는 면에는, 접착층이 형성되어 있지 않다.
이와 같이 구성되는 표면 보호 테이프(10)를 웨이퍼(1)에 접착할 때에는, 웨이퍼(1)의 외주 잉여 영역(6)에만 접착층(11)을 개입시켜 표면 보호 테이프(10)를 표면(2a)에 접착한다. 표면 보호 테이프(10) 중 접착층이 형성되어 있지 않은 부분은, 디바이스(4)의 요철을 흡수하는 형태로 웨이퍼(1)에 밀착된다. 또한, 도 2에 있어서는, 표면 보호 테이프(10)가 요철에 대하여 공간을 비우지 않고 밀착되는 모습이 개시되어 있지만, 요철의 일부에 접촉하는 형태라도 좋다. 이에 따라, 표면 보호 테이프(10)에 의해, 웨이퍼(1)의 표면(2a) 전면이 덮여 디바이스(4)가 보호된다. 또한, 웨이퍼(1)의 외주 잉여 영역(6)에 대하여 접착제를 직접 도포하고, 그 접착제를 개입시켜, 접착제를 갖지 않는 테이프를 외주 잉여 영역(6)에 접착하도록 함으로써, 웨이퍼(1)의 표면(2a) 전면을 덮도록 하여도 좋다.
(2) 절삭 공정
표면 보호 테이프 접착 공정을 실시한 후, 도 3에 도시된 바와 같이, 회전 가능한 절삭 블레이드(13)에 의해 웨이퍼(1)의 외주부(7)에 대하여 에지 트리밍을 행한다. 또한, 사용하는 절삭 블레이드(13)로는, 블레이드의 날끝이 평평한 형상으로 구성된 타입의 것이 적합하다.
구체적으로는, 웨이퍼(1)의 이면(2b)측을 유지 테이블(12)에 배치하여 도시하지 않은 흡인원에 의해 유지 테이블(12)에서 웨이퍼(1)를 흡인 유지한다. 계속해서 유지 테이블(12)을 절삭 블레이드(13)의 아래쪽으로 이동시키고, 절삭 블레이드(13)를 예컨대 화살표(B) 방향으로 회전시키면서, 절삭 블레이드(13)를 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 접근하는 방향으로 하강시켜 절삭 블레이드(13)의 날끝을 표면 보호 테이프(10)측으로부터 절삭 진입시킨다.
계속해서, 유지 테이블(12)이 중심축의 축 둘레를 예컨대 화살표(A) 방향으로 회전한다. 그러면, 절삭 블레이드(13)가 강하해 나감에 따라, 표면 보호 테이프(10) 및 접착층(11)과 함께 웨이퍼(1)의 외주부(7)가 서서히 깎여 나가고, 웨이퍼(1)의 외주부(7)가 링 형상으로 에지 트리밍된다. 에지 트리밍 중에는, 표면 보호 테이프(10)에 의해 웨이퍼(1)의 표면(2a) 전면이 덮여 있기 때문에, 절삭 블레이드(13)의 절삭 진입에 의해 발생한 파티클이 도 1에 도시된 디바이스 영역(5)에 부착되는 일은 없다.
이와 같이 하여 에지 트리밍함으로써, 도 4에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 외주부(7)의 일부분이 제거되어 웨이퍼(1)의 외주 가장자리에 있어서 정해진 폭 및 정해진 깊이를 갖는 환상의 홈인 외주 절삭부(8)가 형성된다. 또한, 정해진 폭은, 도 1에 도시된 외주 잉여 영역(6)의 범위 내의 폭으로 설정한다. 또한, 정해진 깊이는, 웨이퍼(1)의 표면(2a)으로부터 원하는 마무리 두께에 이르는 깊이로 설정한다.
(3) 연삭 공정
절삭 공정을 실시한 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 피가공물을 연삭하는 연삭 수단(15)에 의해 웨이퍼(1)를 원하는 마무리 두께로 연삭한다. 연삭 수단(15)은, 수직 방향의 축심을 갖는 스핀들(150)과, 스핀들(150)의 하단에 있어서 마운트(151)를 통해 장착된 연삭 휠(152)과, 연삭 휠(152)의 하부에 있어서 환상으로 고착된 복수의 연삭 지석(153)을 구비하고 있다.
웨이퍼(1)를 연삭할 때에는, 도 4에 도시된 웨이퍼(1)의 표면(2a)으로부터 표면 보호 테이프(10)를 박리한다. 그 후, 도 5에 도시된 바와 같이, 접착제(16) 등을 통해 표면(2a)에 지지 기판(14)을 접합시킨다. 계속해서, 도시하지 않은 흡인원에 의해 유지 테이블(12a)에서 지지 기판(14)측을 흡인 유지하고, 웨이퍼(1)의 이면(2b)을 상향으로 노출시킨다. 또한, 지지 기판(14)은, 예컨대 실리콘 기판, 유리 기판 등으로 형성되어 있다.
그 후, 유지 테이블(12a)을 예컨대 화살표(A) 방향으로 회전시키면서, 연삭 수단(15)이, 연삭 휠(152)을 예컨대 화살표(A) 방향으로 회전시키면서, 연삭 지석(153)이 웨이퍼(1)의 이면(2b)에 접촉할 때까지 하강시킨다. 그리고, 연삭 지석(152)으로 이면(2b)을 압박하면서, 웨이퍼(1)의 외주 가장자리에 있어서 잔존한 외주부(7)의 외주 절삭부(8)에 도달할 때까지 웨이퍼(1)를 연삭하고, 외주부(7)를 완전히 제거한다. 이와 같이 하여 웨이퍼(1)를 원하는 마무리 두께로 마무리한다. 원하는 두께로 마무리된 웨이퍼(1)는, 그 후, 공지된 방법으로 지지 기판(14)과 함께 커트되어 최종 제품이 된다.
이와 같이, 웨이퍼의 가공 방법의 제1 예에서는, 표면 보호 테이프(10)가 웨이퍼(1)의 표면(2a) 전면을 덮는 면적을 가지며, 외주 잉여 영역(6)에만 접착층(11)을 개입시켜 표면 보호 테이프(10)를 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 접착하는 표면 보호 테이프 접착 공정을 실시하고 나서, 절삭 블레이드(13)로 웨이퍼(1)의 표면 보호 테이프(10)와 함께 외주부(7)에 대하여 에지 트리밍하는 절삭 공정을 실시하기 때문에, 웨이퍼(1)에 대한 표면 보호 테이프(10)의 접착 상태를 안정시킨 채로, 절삭시에 발생하는 파티클을 디바이스 영역(5)에 부착시키지 않고, 용이하게 외주부(7)를 에지 트리밍할 수 있다. 종래와 같이 지지 기판을 웨이퍼(1)에 접합시켜 에지 트리밍한 경우에 비해 절삭 블레이드(13)로 절삭하는 부분의 체적이 작아지기 때문에, 절삭 블레이드(13)의 가공 속도를 높일 수 있다.
절삭 공정을 실시한 후에는, 웨이퍼(1)의 외주부(7)와 이면(2b)을 포함한 웨이퍼(1) 전체의 세정이 필요하게 되지만, 웨이퍼(1)의 표면(2a)은 표면 보호 테이프(10)로 보호되어 있기 때문에, 예컨대 브러시나 약품을 이용하여 용이하게 세정할 수 있다. 또한, 표면 보호 테이프 접착 공정에서는 외주 잉여 영역에만 접착층을 개입시켜 표면 보호 테이프를 접착하고, 표면 보호 테이프(10)와 디바이스 영역(5) 사이에 접착층이 개재되지 않기 때문에, 절삭 후의 웨이퍼(1)의 표면(2a)으로부터 표면 보호 테이프(10)를 박리하여도 디바이스 영역(5)에 접착층이 남지 않아, 디바이스 영역(5)의 세정이 필요 없게 된다.
2. 웨이퍼의 가공 방법의 제2 예
다음에, 도 6에 도시된 웨이퍼(1)의 외주부(7)에 대하여 에지 트리밍을 행하여, 웨이퍼(1)를 원하는 마무리 두께로 박화하는 가공 방법의 제2 예에 대해서 설명한다. 또한, 웨이퍼의 가공 방법의 제2 예에서는, 도 1에 도시된 외주 잉여 영역(6) 중, 디바이스 영역(5)의 근방에 위치하는 부분을 제1 외주 잉여 영역(6a), 제1 외주 잉여 영역(6a)보다도 직경 방향 외측에 있고 에지 트리밍이 행해지는 부분을 제2 외주 잉여 영역(6b)으로서 설명한다.
(1) 표면 보호 테이프 접착 공정
도 6에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 웨이퍼(1)보다도 직경이 작은 표면 보호 테이프(20)를 접착한다. 표면 보호 테이프(20)는, 적어도 도 1에 도시된 디바이스 영역(5)을 덮는 크기를 갖고 있다. 또한, 표면 보호 테이프(20)에는, 제1 외주 잉여 영역(6a)에 접촉하는 주연 부분에만 접착층(21)이 형성되어 있다.
이와 같이 구성되는 표면 보호 테이프(20)를 웨이퍼(1)에 접착할 때에는, 제1 외주 잉여 영역(6a)에만 접착층(21)을 개입시켜 표면 보호 테이프(20)를 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 접착한다. 이에 따라, 제2 외주 잉여 영역(6b)을 포함하는 최외주부(7a)를 웨이퍼(1)의 전체 둘레에 걸쳐 표면 보호 테이프(20)의 주연부로부터 외측으로 노출시킨다. 또한, 웨이퍼(1)의 제1 외주 잉여 영역(6a)에 대하여 접착제를 직접 도포하고, 그 접착제를 개입시켜, 접착제를 갖지 않는 테이프를 제1 외주 잉여 영역(6a)에 접착하도록 하여도 좋다.
(2) 절삭 공정
표면 보호 테이프 접착 공정을 실시한 후, 도 7에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 외주 가장자리에 있어서 노출된 최외주부(7a)를 절삭 블레이드(13)에 의해 절삭한다. 웨이퍼의 가공 방법의 제1 예와 마찬가지로, 유지 테이블(12)에서 웨이퍼(1)를 흡인 유지하면서, 유지 테이블(12)을 절삭 블레이드(13)의 아래쪽으로 이동시킨다. 계속해서 절삭 블레이드(13)를 예컨대 화살표(B) 방향으로 회전시키면서, 절삭 블레이드(13)를 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 접근하는 방향으로 하강시켜, 절삭 블레이드(13)의 날끝을 웨이퍼(1)의 최외주부(7a)에 직접 절삭 진입시킨다.
계속해서, 유지 테이블(12)이 중심축의 축 둘레를 예컨대 화살표(A) 방향으로 회전함과 더불어, 회전하는 절삭 블레이드(13)가 강하해 나감에 따라, 최외주부(7)가 서서히 깎여 나가고, 웨이퍼(1)의 최외주부(7a) 전체에 에지 트리밍이 행해진다. 이 때, 표면 보호 테이프(20)가 웨이퍼(1)의 표면(2a)의 디바이스 영역(5)만을 덮고 있기 때문에, 절삭 블레이드(13)가 표면 보호 테이프(20)에 접촉하는 일이 없다.
이와 같이 하여, 에지 트리밍함으로써, 도 8에 도시된 바와 같이, 웨이퍼(1)의 최외주부(7a)의 일부분이 제거되어 웨이퍼(1)의 외주 가장자리에 있어서 정해진 폭 및 정해진 깊이를 갖는 환상의 홈인 외주 절삭부(9)가 형성된다. 그 후, 웨이퍼의 가공 방법의 제1 예와 마찬가지로, 그 표면(2a)에 지지 기판을 접착한 후에 연삭 공정을 실시하여 웨이퍼(1)의 외주 가장자리에 있어서 잔존한 최외주부(7a)의 외주 절삭부(9)에 도달할 때까지 웨이퍼(1)를 이면 연삭하고, 상기 최외주부(7a)를 완전히 제거한다. 그리고, 원하는 두께로 마무리된 웨이퍼(1)는, 그 후, 가공 방법의 제1 예와 마찬가지로, 지지 기판과 함께 커트되어 최종 제품이 된다.
이와 같이, 웨이퍼의 가공 방법의 제2 예에서는, 표면 보호 테이프(20)가 적어도 디바이스 영역(5)을 덮는 크기를 갖고 있고, 제1 외주 잉여 영역(6a)에만 접착층(21)을 개입시켜 웨이퍼(1)의 표면(2a)에 표면 보호 테이프(20)를 접착하여, 제2 외주 잉여 영역(6b)을 포함하는 최외주부(7a)를 웨이퍼(1)의 외주 가장자리의 전체 둘레에 걸쳐 노출시키는 표면 보호 테이프 접착 공정을 실시하기 때문에, 절삭 공정을 실시하여 절삭 블레이드(13)로 최외주부(7a)를 에지 트리밍할 때에 표면 보호 테이프(20)에 절삭 블레이드(13)가 접촉하는 일이 없다. 따라서, 절삭 블레이드(13)로 절삭하는 부분의 체적이 보다 작아지기 때문에, 절삭 블레이드(13)의 가공 속도를 높게 설정할 수 있다. 또한, 접착층(21)을 절삭하지 않기 때문에, 절삭 블레이드(13)에 접착제가 부착되는 것을 방지할 수 있다.
1 : 웨이퍼 2a : 표면
2b : 이면 3 : 분할 예정 라인
4 : 디바이스 5 : 디바이스 영역
6 : 외주 잉여 영역 6a : 제1 외주 잉여 영역
6b : 제2 외주 잉여 영역 7 : 외주부
7a : 최외주부 8, 9 : 외주 절삭부
10 : 표면 보호 테이프 11 : 접착층
12, 12a : 유지 테이블 13 : 절삭 블레이드
14 : 지지 기판 15 : 연삭 수단
150 : 스핀들 151 : 마운트
152 : 연삭 휠 153 : 연삭 지석
16 : 접착제 20 : 표면 보호 테이프
21 : 접착층

Claims (3)

  1. 표면에 복수의 디바이스가 형성된 디바이스 영역과 상기 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역이 형성된 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    상기 외주 잉여 영역에만 접착층을 개입시켜 표면 보호 테이프를 접착하는 표면 보호 테이프 접착 공정과,
    상기 표면 보호 테이프 접착 공정을 실시한 후, 회전하는 절삭 블레이드에 의해 웨이퍼의 표면의 외주부를 절삭하고, 정해진 폭 및 정해진 깊이를 갖는 외주 절삭부를 형성하는 절삭 공정
    을 구비하는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 표면 보호 테이프는, 웨이퍼의 표면 전면을 덮는 면적을 가지며,
    상기 절삭 공정에서는, 상기 표면 보호 테이프를 절삭함과 더불어 웨이퍼의 외주부를 절삭하는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 표면 보호 테이프는, 적어도 상기 디바이스 영역을 덮는 크기를 가지며,
    상기 표면 보호 테이프 접착 공정에서는, 상기 표면 보호 테이프를 웨이퍼의 표면에 접착함으로써 웨이퍼의 최외주부를 전체 둘레에 걸쳐 노출시키고,
    상기 절삭 공정에서는, 노출된 웨이퍼의 최외주부를 절삭하는 것인, 웨이퍼의 가공 방법.
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