TWI686854B - 晶圓的加工方法 - Google Patents

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Abstract

可利用簡易的方法，對於晶圓的外周部，進行修邊。

本發明之晶圓的加工方法，係具有僅於外周剩餘區域(6)中隔著接著層(11)黏合表面保護膠帶(10)的膠帶黏合工程，與對晶圓(1)的外周部(7)藉由旋轉的切削刀(13)進行切削，形成具有所定寬度及所定深度的外周切削部(8)的切削工程，故可不讓切削時產生之粒子附著於裝置區域(5)，可容易對外周部(7)進行修邊。又，相較於將支持基板貼合於晶圓(1)來進行修邊之狀況，以切削刀(13)進行切削之部分的體積變小，故可將切削刀(13)的加工速度設定為較高，提升晶圓(1)的加工品質。進而，切削後之晶圓(1)的裝置區域(5)不會殘留接著層，故不需要裝置區域(5)的洗淨。

Description

晶圓的加工方法
本發明係關於晶圓的加工方法，尤其，關於對晶圓的外周部進行切削來修邊的加工方法。
對於晶圓等的被處理基板施加背面研磨的話，有晶圓的外周部(邊緣)形成為銳角，背面研磨後的晶圓破損之狀況。因此，在對晶圓進行背面研磨之前，利用預先去除晶圓的外周部之一部分，減低晶圓之外周部的破損(例如，參照後述之專利文獻1)。
作為進行修邊的時機，有在將黏合於晶圓之表面的支持基板，貼合於該表面之前進行之狀況，與將支持基板貼合於晶圓的表面之後進行之狀況。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2007-152906號公報
然而，在將支持基板貼合於晶圓的表面之前進行修邊的話，因修邊所產生的粒子會附著於晶圓的表面，需要在將支持基板貼合於晶圓的表面之前洗淨晶圓的工程。
另一方面，在將支持基板貼合於晶圓的表面之後進行修邊的話，則成為隔著支持基板對晶圓進行切削，以切削刀切削之部分的體積變大，加工速度降低，產品的生產效率會降低。又，對於為了提升加工速度來說，需要使用較大的鑽石刀，也有對於正在修邊之晶圓的傷害增大，會導致加工品質的降低的問題。
本發明係有鑑於前述情況所發明者，目的為可利用簡易的方法解決如上所述的問題，對於晶圓的外周部進行修邊。
本發明是形成在表面形成複數裝置的裝置區域與包圍前述裝置區域的外周剩餘區域之晶圓的加工方法，具備：表面保護膠帶黏合工程，係僅於前述外周剩餘區域中隔著接著層，黏合表面保護膠帶；及切削工程，係藉由旋轉的切削刀對晶圓之表面的外周部進行切削，形成具有所定寬度及所定深度的外周切削部。
前述表面保護膠帶具有覆蓋晶圓的表面整面的面積時，在前述切削工程中，對前述表面保護膠帶進行切削，並且對晶圓的外周部進行切削為佳。
又，前述表面保護膠帶具有至少覆蓋前述裝置區域的大小時，在前述表面保護膠帶黏合工程中，藉由將前述表面保護膠帶黏合於晶圓的表面，使晶圓的最外周部涵蓋全周而露出；在前述切削工程中，對露出之晶圓的最外周部進行切削為佳。
在本發明之晶圓的加工方法中，僅於晶圓之包圍裝置區域的外周剩餘區域中隔著接著層，黏合表面保護膠帶之後，實施切削工程，藉由切削刀對晶圓的外周部進行切削，故可防止切削時所產生的粒子附著於裝置區域之狀況。藉此，也不需要具備例如無塵室之作業及昂貴的洗淨功能的裝置，經濟實惠。
在實施切削工程時，相較於例如將支持基板貼合於晶圓來進行切削之狀況，切削的部分的體積變小，故即使提高切削刀的加工速度，施加於晶圓的傷害也會變小，可獲得高加工品質。又，在從切削工程後的晶圓剝離表面保護膠帶時，因裝置區域不會殘留接著層，故不需要切削工程後之裝置區域的洗淨。
在上述之表面保護膠帶具有覆蓋晶圓之表面整面的面積時，對於晶圓之表面的表面保護膠帶的支持面積變廣，故實施切削工程，與表面保護膠帶一起對晶圓的外周部進行切削時，表面保護膠帶的黏合狀態穩定。
又，在上述之表面保護膠帶具有至少覆蓋裝 置區域時，在實施切削工程時，只要以切削刀對從表面保護膠帶的周緣露出之晶圓的最外周部進行切削即可，故表面保護膠帶不會與切削刀接觸，切削的部分的體積變更小，可獲得高加工品質，並且可防止接著劑附著於切削刀。
1‧‧‧晶圓
2a‧‧‧表面
2b‧‧‧背面
3‧‧‧預定分割線
4‧‧‧裝置
5‧‧‧裝置區域
6‧‧‧外周剩餘區域
6a‧‧‧第1外周剩餘區域
6b‧‧‧第2外周剩餘區域
7‧‧‧外周部
7a‧‧‧最外周部
8，9‧‧‧外周切削部
10‧‧‧表面保護膠帶
11‧‧‧接著層
12，12a‧‧‧保持台
13‧‧‧切削刀
14‧‧‧支持基板
15‧‧‧研磨手段
150‧‧‧主軸
151‧‧‧座
152‧‧‧研磨輪
153‧‧‧研磨砥石
16‧‧‧接著劑
20‧‧‧表面保護膠帶
21‧‧‧接著層
〔圖1〕揭示晶圓之一例的立體圖。
〔圖2〕揭示加工方法的第1例之表面保護膠帶黏合工程的剖面圖。
〔圖3〕揭示加工方法的第1例之切削工程的剖面圖。
〔圖4〕揭示藉由加工方法的第1例之切削工程，對晶圓的外周部施加修邊的剖面圖。
〔圖5〕揭示加工方法的第1例之研磨工程的剖面圖。
〔圖6〕揭示加工方法的第2例之表面保護膠帶黏合工程的剖面圖。
〔圖7〕揭示加工方法的第2例之切削工程的剖面圖。
〔圖8〕揭示藉由加工方法的第2例之切削工程，對晶圓的外周部施加修邊之狀態的剖面圖。
1 晶圓的加工方法的第1例
圖1所示之晶圓1係被加工物之一例，例如藉由圓板狀的矽基板所構成。於晶圓1的表面2a，形成有在藉由格子狀的預定分割線3所區隔之各區域形成裝置4的裝置區域5，與包圍裝置區域5的外周剩餘區域6。
於晶圓1的背面2b，並未形成裝置4，成為藉由研磨砥石等研磨的被研磨面。於晶圓1的外周緣，如圖2所示，從表面2a涵蓋背面2b，形成有倒角成圓弧狀的外周部7。以下，針對進行對晶圓1之外周部7的一部分進行切削去除的修邊，將晶圓1薄化成所希望之完成厚度的加工方法，進行說明。
(1)表面保護膠帶黏合工程
如圖2所示，將保護形成於晶圓1的表面2a之裝置4的表面保護膠帶10，黏合於晶圓1的表面2a。表面保護膠帶10係具有覆蓋晶圓1的表面2a整面的面積。於表面保護膠帶10，僅於與圖1所示之晶圓1的外周剩餘區域6接觸之周緣部分形成有接著層11，接著層11係以對於例如由矽等所成的基板具有接著力的糊膏所構成。另一方面，於與表面保護膠帶10的裝置4接觸之面，並未形成接著層。
將如此構成之表面保護膠帶10黏合於晶圓1 時，僅於晶圓1的外周剩餘區域6中隔著接著層11將表面保護膠帶10黏合於表面2a。表面保護膠帶10中未形成接著層的部分，係以吸收裝置4之凹凸的方式，密接於晶圓1。再者，於圖2中，揭示表面保護膠帶10對於凹凸不空出空間而密接之樣子，但是，作為接觸凹凸的一部分之狀態亦可。藉此，藉由表面保護膠帶10，覆蓋晶圓1的表面2a整面而保護裝置4。再者，利用對於晶圓1的外周剩餘區域6直接塗布接著劑，透過該接著劑，將不具有接著劑的膠帶黏合於外周剩餘區域6，覆蓋晶圓1的表面2a整面亦可。
(2)切削工程
實施表面保護膠帶黏合工程之後，如圖3所示，藉由可旋轉的切削刀13對於晶圓1的外周部7進行修邊。再者，作為使用的切削刀13，刀的刀刃以平面形狀構成的型式者為佳。
具體來說，將晶圓1的背面2b側載置於保持台12，藉由未圖示的吸引源，以保持台12吸引保持晶圓1。接下來，使保持台12移動至切削刀13的下方，一邊使切削刀13於例如箭頭B方向旋轉，一邊使切削刀13往接近晶圓1的表面2a的方向下降，將切削刀13的刀刃從表面保護膠帶10側切入。
接下來，保持台12將中心軸的轉軸於例如箭頭A方向旋轉。如此一來，隨著切削刀13下降，晶圓1 的外周部7與表面保護膠帶10及接著層11一起被逐漸削除，晶圓1的外周部7被修邊成環狀。修邊中係藉由表面保護膠帶10覆蓋晶圓1之表面2a整面，故藉由切削刀13的切入所發生的粒子不會附著於圖1所示之裝置區域5。
如此一來藉由修邊，如圖4所示，晶圓1的外周部7的一部分被去除，於晶圓1的外周緣中形成具有所定寬度及所定深度之環狀的溝即外周切削部8。再者，所定寬度係設定為圖1所示之外周剩餘區域6之範圍內的寬度。又，所定深度係設定為從晶圓1的表面2a到所希望之完成厚度的深度。
(3)研磨工程
實施切削工程之後，如圖5所示，藉由研磨被加工物的研磨手段15，將晶圓1研磨成為所希望之完成厚度。研磨手段15係具備具有垂直方向之軸心的主軸150、於主軸150的下端中隔著座151而安裝的研磨輪152、及於研磨輪152的下部中固接成環狀的複數研磨砥石153。
研磨晶圓1時，從圖4所示之晶圓1的表面2a剝離表面保護膠帶10。之後，如圖5所示，透過接著劑16等，將支持基板14貼合於表面2a。接下來，藉由未圖示的吸引源，以保持台12a吸引保持支持基板14側，使晶圓1的背面2b朝上露出。再者，支持基板14例如以矽基板、玻璃基板等形成。
之後，使保持台12a於例如箭頭A方向旋轉，並且研磨手段15一邊使研磨輪152於例如箭頭A方向旋轉，一邊使研磨砥石153下降至接觸晶圓1的背面2b為止。然後，一邊以研磨砥石152按壓背面2b，一邊對晶圓1進行研磨到晶圓1的外周緣中殘存之外周部7的外周切削部8為止，將外周部7完全去除。如此一來，將晶圓1作成為所希望之完成厚度。被作成為所希望之厚度的晶圓1，之後，利用公知的方法，與支持基板14一起被切割，成為最後產品。
如此，在晶圓的加工方法的第1例中，實施表面保護膠帶10具有覆蓋晶圓1之表面2a整面的面積，僅於外周剩餘區域6中隔著接著層11將表面保護膠帶10黏合於晶圓1的表面2a的表面保護膠帶黏合工程後，實施以切削刀13對於晶圓1之連表面保護膠帶10一起的外周部7，進行修邊的切削工程，故使對於晶圓1之表面保護膠帶10的黏合狀態穩定之狀況下，可不讓切削時產生的粒子附著於裝置區域5，容易對外周部7進行修邊。如先前般，相較於將支持基板貼合於晶圓1來進行修邊之狀況，以切削刀13進行切削之部分的體積變小，故可將切削刀13的加工速度設定為較高。
實施切削工程之後，需要包含晶圓1之外周部7與背面2b的晶圓1整體的洗淨，但是，晶圓1的表面2a被表面保護膠帶10保護，故例如可使用刷子或藥品來容易洗淨。又，在表面保護膠帶黏合工程中，僅於外周 剩餘區域中隔著接著層黏合表面保護膠帶，在表面保護膠帶10與裝置區域5之間不存在有接著層，故即使從切削後的晶圓1的表面2a剝離表面保護膠帶10，裝置區域5也不會殘留接著層，不需要裝置區域5的洗淨。
2 晶圓的加工方法的第2例
接著，針對圖6所示之對晶圓1之外周部7進行修邊，將晶圓1薄化成所希望之完成厚度的加工方法的第2例，進行說明。再者，在晶圓的加工方法的第2例中，將圖1所示之外周剩餘區域6中，位於裝置區域5的附近的部分作為第1外周剩餘區域6a，將位於比第1外周剩餘區域6a在直徑方向更外側，被施加修邊的部分作為第2外周剩餘區域6b來進行說明。
(1)表面保護膠帶黏合工程
如圖6所示，於晶圓1的表面2a黏合比晶圓1直徑小的表面保護膠帶20。表面保護膠帶20具有至少覆蓋圖1所示之裝置區域5的大小。又，於表面保護膠帶20，僅於接觸第1外周剩餘區域6a的周緣部分，形成接著層21。
將如此構成之表面保護膠帶20黏合於晶圓1時，僅於第1外周剩餘區域6a中隔著接著層21將表面保護膠帶20黏合於晶圓1的表面2a。藉此，使包含第2外周剩餘區域6b的最外周部7a，涵蓋晶圓1的全周，從表 面保護膠帶20的周緣露出於外側。再者，利用對於晶圓1的第1外周剩餘區域6a直接塗布接著劑，透過該接著劑，將不具有接著劑的膠帶黏合於第1外周剩餘區域6a亦可。
(2)切削工程
實施表面保護膠帶黏合工程之後，如圖7所示，藉由切削刀13對於晶圓1的外周緣中露出之最外周部7a進行切削。與晶圓的加工方法的第1例相同，以保持台12吸引保持晶圓1時，使保持台12往切削刀13的下方移動。接下來，一邊使切削刀13於例如箭頭B方向旋轉，一邊使切削刀13往接近晶圓1的表面2a的方向下降，將切削刀13的刀刃直接切入晶圓1的最外周部7a。
接下來，保持台12使中心軸的轉軸於例如箭頭A方向旋轉，並且隨著旋轉的切削刀13下降，最外周部7a逐漸被削除，對晶圓1的最外周部7a全部進行修邊。此時，因為表面保護膠帶20僅覆蓋晶圓1的表面2a的裝置區域5，切削刀13不會接觸表面保護膠帶20。
如此一來，藉由修邊，如圖8所示，晶圓1的最外周部7a的一部分被去除，於晶圓1的外周緣中形成具有所定寬度及所定深度之環狀的溝即外周切削部9。之後，與晶圓的加工方法的第1例相同，將支持基板黏合於該表面2a之後實施研磨工程，對晶圓1進行背面研磨至晶圓1的外周緣中殘存之最外周部7a的外周切削部為 止，完全去除該最外周部7a。然後，被作成為所希望之厚度的晶圓1，之後，與加工方法的第1例相同，與支持基板一起被切割，成為最後產品。
如此，在晶圓的加工方法的第2例中，實施表面保護膠帶20具有至少覆蓋裝置區域5的大小，僅於第1外周剩餘區域6a中隔著接著層21，於晶圓1的表面2a黏合表面保護膠帶20，使包含第2外周剩餘區域6b的最外周部7a，涵蓋晶圓1之外周緣的全周露出的表面保護膠帶黏合工程，故在實施切削工程，以切削刀13對最外周部7a進行修邊時，表面保護膠帶20不會接觸切削刀13。因此，以切削刀13切削之部分的體積變更小，故可將切削刀13的加工速度設定為較高。又，不對接著層21進行切削，故可防止接著劑附著於切削刀13之狀況。
1‧‧‧晶圓
2a‧‧‧表面
2b‧‧‧背面
4‧‧‧裝置
6‧‧‧外周剩餘區域
7‧‧‧外周部
10‧‧‧表面保護膠帶
11‧‧‧接著層
12‧‧‧保持台
13‧‧‧切削刀

Claims (3)

  1. 一種晶圓的加工方法，係形成在表面形成複數裝置的裝置區域與包圍前述裝置區域的外周剩餘區域之晶圓的加工方法，其特徵為具備：表面保護膠帶黏合工程，係僅於前述外周剩餘區域中隔著接著層，黏合表面保護膠帶；及切削工程，係在實施該表面保護膠帶黏合工程之後，藉由旋轉的切削刀對晶圓之表面的外周部進行切削，形成具有所定寬度及所定深度的外周切削部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之晶圓的加工方法，其中，前述表面保護膠帶，係具有覆蓋晶圓的表面整面的面積；在前述切削工程中，對前述表面保護膠帶進行切削，並且對晶圓的外周部進行切削。
  3. 如申請專利範圍第1項所記載之晶圓的加工方法，其中，前述表面保護膠帶，係具有至少覆蓋前述裝置區域的大小；在前述表面保護膠帶黏合工程中，藉由將前述表面保護膠帶黏合於晶圓的表面，使晶圓的最外周部涵蓋全周而露出；在前述切削工程中，對露出之晶圓的最外周部進行切削。
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