WO2014192590A1 - 半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法 - Google Patents

半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法 Download PDF

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    • B24B37/245—Pads with fixed abrasives

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor wafer grinding apparatus, a semiconductor wafer manufacturing method, and a semiconductor wafer grinding method.
  • a semiconductor device manufacturing process a plurality of regions are defined on a main surface of a semiconductor wafer by grid-like division lines, and devices such as ICs and LSIs are formed in these regions. Then, the semiconductor wafer is cut along the dividing lines, whereby the semiconductor wafer is divided into individual semiconductor chips (devices). Before the semiconductor wafer is divided along the dividing line, the surface opposite to the main surface is ground to a predetermined thickness by a grinding device (see, for example, Patent Document 1).
  • FIG. 7 is a side view of a conventional semiconductor wafer grinding apparatus.
  • the conventional semiconductor wafer grinding apparatus includes a stage 101 that rotates a semiconductor wafer W and a grinding wheel 102 that faces the stage 101.
  • the grinding wheel 102 has a slightly smaller diameter than the semiconductor wafer W, and a plurality of grinding stones 103 are provided along the peripheral edge of the surface facing the stage 101.
  • the semiconductor wafer W is fixed on the stage 101, the stage 101 is rotated around the axis, and the grinding wheel 103 is pressed against the surface to be ground Wa of the semiconductor wafer W while the grinding wheel 102 is rotated around the central axis. Wa is lapped (ground). Thereafter, the surface to be ground Wa is etched to remove processing distortion, and then the surface to be ground Wa is polished to be finished into a mirror surface.
  • FIG. 8 is a schematic view of a surface to be ground Wa of a semiconductor wafer W ground by a conventional semiconductor wafer grinding apparatus.
  • the present invention has been devised in view of the above problems, and its purpose is to suppress the generation of grinding grooves on the surface to be ground of a semiconductor wafer and to improve the productivity of the semiconductor wafer, A semiconductor wafer manufacturing method and a semiconductor wafer grinding method are provided.
  • a semiconductor wafer grinding apparatus for grinding a surface to be ground of a semiconductor wafer, a grinding wheel, first driving means for rotationally driving the grinding wheel around a central axis, and the semiconductor wafer.
  • a wafer support that is rotatable about an axis that is parallel to the center axis of the grinding wheel and that is eccentric with respect to the center axis, and second driving means that rotationally drives the wafer support,
  • the grinding wheel includes a plurality of grindstones provided on a main surface facing the wafer support, and the wafer support is configured such that the surface to be ground of the semiconductor wafer faces the main surface of the grinding wheel.
  • the semiconductor wafer is supported, and each of the plurality of grindstones extends radially from the center of the grinding wheel and crosses the surface to be ground of the semiconductor wafer. It is.
  • the grinding wheel moves in parallel with the surface to be ground in a state of crossing the surface to be ground of the semiconductor wafer and grinds the surface to be ground. Can be suppressed. Therefore, it is not necessary to perform polishing with diamond abrasive grains, and the productivity of the semiconductor wafer can be improved.
  • the wafer support is formed to support a plurality of the semiconductor wafers. In this case, since a plurality of semiconductor wafers can be ground simultaneously, the productivity of the semiconductor wafers is improved.
  • the semiconductor wafer grinding apparatus includes a plurality of the wafer supports. In this case, since a plurality of semiconductor wafers can be ground simultaneously, the productivity of the semiconductor wafer is improved.
  • the second aspect of the present invention includes a cutting step of cutting a ingot to obtain a semiconductor wafer, a lapping step for grinding the ground surface of the semiconductor wafer, and a polishing step for polishing the ground surface.
  • the semiconductor wafer grinding apparatus according to the first aspect is used to grind the surface to be ground while rotating the grinding wheel and the wafer support.
  • the method for manufacturing a semiconductor wafer according to the second aspect it is possible to suppress the generation of grinding grooves on the surface to be ground of the semiconductor wafer in the lapping step. Therefore, it is not necessary to perform polishing with diamond abrasive grains in the polishing step, and the productivity of the semiconductor wafer is improved.
  • the lapping step it is preferable to grind the surface to be ground while rotating the grinding wheel and the wafer support in the same direction. This is because an excessive force is less likely to be applied to the surface to be ground as compared with the case where the grinding wheel and the wafer support rotate in the opposite direction, so that the surface to be ground can be finished beautifully.
  • a semiconductor wafer grinding method using the semiconductor wafer grinding apparatus according to the first aspect wherein the grinding object is rotated while rotating the grinding wheel and the wafer support.
  • a semiconductor wafer grinding method for grinding a surface is provided.
  • the semiconductor wafer grinding method of the third aspect it is possible to suppress the generation of grinding grooves on the surface to be ground of the semiconductor wafer. Therefore, it is not necessary to perform polishing with diamond abrasive grains in the polishing step, and the productivity of the semiconductor wafer is improved.
  • the generation of grinding grooves on the surface to be ground of a semiconductor wafer can be suppressed, and the productivity of the semiconductor wafer can be improved.
  • FIG. 1 is a side view of a semiconductor wafer grinding apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view of the semiconductor wafer grinding apparatus shown in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a plan view of a grinding wheel of the semiconductor wafer grinding apparatus shown in FIG. 2.
  • FIG. 3 is a bottom view of a wafer support of the semiconductor wafer grinding apparatus shown in FIG. 2.
  • It is explanatory drawing which shows the positional relationship of a grinding wheel and a wafer support.
  • It is a side view of the conventional semiconductor wafer grinding device. It is a schematic diagram of the to-be-ground surface of the semiconductor wafer ground with the conventional semiconductor wafer grinding apparatus.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a method for manufacturing a semiconductor wafer.
  • step S10 a cylindrical ingot is cut to obtain a disk-shaped semiconductor wafer.
  • step S10 functions as a cutting process of the present invention.
  • step S20 the peripheral portion of the semiconductor wafer is chamfered in order to prevent the peripheral portion of the semiconductor wafer from being cracked or chipped.
  • step S30 the surface to be ground opposite to the main surface of the semiconductor wafer is lapped (ground) so that the semiconductor wafer has a predetermined thickness.
  • step S30 functions as a lapping process of the present invention.
  • step S40 the semiconductor wafer is etched to remove processing distortion caused by lapping.
  • step S50 the surface to be ground of the semiconductor wafer is polished into a mirror surface.
  • Step S50 functions as a polishing process of the present invention.
  • step S60 the semiconductor wafer is washed with a chemical solution to remove impurities such as particles. Note that at least one of step S20, step S40, and step S60 may be omitted.
  • FIGS. 2 is a side view of the semiconductor wafer grinding apparatus 1 according to the embodiment of the present invention
  • FIG. 3 is a perspective view of the semiconductor wafer grinding apparatus 1
  • FIG. 4 is a plan view of the grinding wheel 10 of the semiconductor wafer grinding apparatus 1.
  • FIG. 5 is a bottom view of the wafer support 30 of the semiconductor wafer grinding apparatus 1.
  • the semiconductor wafer grinding apparatus 1 includes a grinding wheel 10, a first drive mechanism 20 as a first drive unit, a pair of wafer supports 30, and a second drive unit as a second drive unit. 2 drive mechanism 40.
  • the grinding wheel 10 includes a wheel body 11 and a shaft 12. As shown in FIG. 4, the wheel main body 11 is formed in a disk shape, and a through hole 11a into which the shaft 12 is fitted is formed at the center. A plurality of grindstones 13 are provided on the main surface 11 b of the wheel body 11 facing the wafer support 30. The plurality of grindstones 13 are provided so as to extend radially from the center of the wheel main body 11 and slightly protrude in the direction of the central axis 14 (see FIG. 2) of the shaft 12 from the main surface 11b.
  • the first drive mechanism 20 includes a motor, a speed reduction mechanism, and the like, and rotationally drives the grinding wheel 10 around the central axis 14.
  • the wafer support 30 includes a holder 31 and a support shaft 32.
  • the holder 31 is formed in a disc shape and has a main surface 31 a that faces the main surface 11 b of the grinding wheel 10.
  • the support shaft 32 is fixed vertically to the center of the surface of the holder 31 opposite to the main surface 31a.
  • An axis 33 (see FIG. 2) of the support shaft 32 is parallel to the center axis 14 of the grinding wheel 10 and eccentric with respect to the center axis 14.
  • a plurality of semiconductor wafers W are detachably supported on the main surface 31a of the holder 31 through fixing means.
  • the fixing means for example, wax or an adhesive can be used.
  • the plurality of semiconductor wafers W are fixed to the main surface 31 a with a predetermined angular interval around the axis 33 of the support shaft 32, and the surface to be ground Wa faces the main surface 11 a of the grinding wheel 10.
  • the wafer support 30 can be raised and lowered in the direction of the axis 33 by an elevating mechanism (not shown), a processing position where the semiconductor wafer W abuts on the grindstone 13, and a retreat position where the semiconductor wafer W is separated from the grindstone 13. Can be taken.
  • the second drive mechanism 40 includes a motor, a speed reduction mechanism, and the like, and rotationally drives the wafer support 30 around the axis 33.
  • FIG. 6 is an explanatory view showing the positional relationship between the grinding wheel 10 and the wafer support 30.
  • a pair of wafer supports 30 With a pair of wafer supports 30 (see FIG. 3) in the retracted position, a plurality of semiconductor wafers W are attached to the main surfaces 31a (see FIG. 5) of the pair of wafer supports 30 using a jig (not shown). Fix it.
  • the pair of wafer supports 30 are lowered by the elevating mechanism and positioned at the processing position. Then, the grinding wheel 10 is rotationally driven by the first drive mechanism 20, and the pair of wafer supports 30 are rotationally driven in the same direction as the grinding wheel 10 by the second drive mechanism 40.
  • the plurality of grindstones 13 slidably contact the ground surface Wa of the plurality of semiconductor wafers W and grind the ground surface Wa.
  • Each of the plurality of grindstones 13 moves in parallel with the surface to be ground Wa while crossing the surface to be ground Wa of the semiconductor wafer W to grind the surface to be ground Wa. Therefore, the generation of the grinding groove Wb as shown in FIG. 8 on the surface to be ground Wa can be suppressed, and the surface to be ground Wa can be finished beautifully. The reason will be described in detail below.
  • the conventional semiconductor wafer polishing apparatus shown in FIG. 7 grinds the surface Wa to be ground by so-called crack propagation type material removal.
  • the semiconductor wafer W is formed of a brittle material (silicon, glass, etc.)
  • cracks are likely to remain on the surface Wa to be ground, it is difficult to obtain a beautiful finished surface, and the strength of the semiconductor wafer is also reduced To do.
  • the semiconductor wafer grinding apparatus 1 of the present embodiment grinds the surface Wa to be ground by a processing method that is as close as possible to the plastic deformation type material removal. That is, since the plurality of radial grindstones 13 slide on the ground surface Wa in a state of crossing the ground surface Wa, the temperature of the ground surface Wa increases due to friction between the grindstone 13 and the ground surface Wa, As the yield stress decreases, the fracture toughness value increases. As a result, crack propagation is suppressed, the depth of cut by the grindstone 13 is reduced, and the damage distribution is shallow and uniform, so that the surface Wa to be ground can be finished beautifully.
  • the semiconductor wafer grinding apparatus includes a pair of wafer supports
  • the number of wafer supports may be one or three or more.
  • the number of semiconductor wafers supported on the wafer support may be three or less, or five or more.
  • the wafer support and the grinding wheel are rotated in the same direction.
  • the wafer support and the grinding wheel may be rotated in different directions.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)

Abstract

半導体ウエハ研削装置（１）は、研削ホイール（１０）と、研削ホイールを回転駆動する第１駆動手段（２０）と、ウエハ支持具（３０）と、ウエハ支持具を回転駆動する第２駆動手段（４０）とを備える。研削ホイールは、ウエハ支持具に対向する主面（１１ｂ）に設けられた複数の砥石（１３）を備える。ウエハ支持具は、半導体ウエハの被研削面が研削ホイールの主面に対向するように半導体ウエハを支持する。複数の砥石の各々は、研削ホイールの中心から放射状に延びるとともに、半導体ウエハの被研削面を横断するように形成されている。研削ホイールとウエハ支持具とを回転させながら複数の砥石によって半導体ウエハの被研削面を研削する。

Description

半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法
　本発明は、半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法に関する。
　半導体デバイスの製造プロセスにおいては、半導体ウエハの主面に格子状の分割ラインによって複数の領域が区画され、これらの領域にＩＣやＬＳＩ等のデバイスが形成される。そして、半導体ウエハが分割ラインに沿って切断されることにより、半導体ウエハが個々の半導体チップ（デバイス）に分割される。半導体ウエハは、分割ラインに沿って分割される前に、主面と反対側の面が研削装置によって研削されて所定の厚みにされる（例えば、特許文献１参照）。
　図７は従来の半導体ウエハ研削装置の側面図である。図７に示すように、従来の半導体ウエハ研削装置は、半導体ウエハＷを回転させるステージ１０１と、ステージ１０１に対向する研削ホイール１０２とを備える。研削ホイール１０２は半導体ウエハＷよりも若干小さい径を有し、ステージ１０１と対向する面の周縁部に沿って複数の砥石１０３が設けられている。半導体ウエハＷをステージ１０１上に固定し、ステージ１０１を軸線周りに回転させ、研削ホイール１０２を中心軸周りに回転させながら砥石１０３を半導体ウエハＷの被研削面Ｗａに押し当てることにより被研削面Ｗａをラッピング（研削）する。その後、被研削面Ｗａをエッチングして加工歪みを除去した後、被研削面Ｗａをポリッシングして鏡面状に仕上げる。
特開平１０－１５６６７９号公報
　従来の半導体ウエハ研削装置では、ポリッシング工程に時間がかかるという問題点があった。図８を参照してその問題点を説明する。図８は従来の半導体ウエハ研削装置で研削した半導体ウエハＷの被研削面Ｗａの模式図である。
　従来の半導体ウエハ研削装置では、砥石１０３が被研削面Ｗａの中心部を中心にして螺旋状の軌跡を描くように移動するため、被研削面Ｗａに微細な螺旋状の研削溝Ｗｂが発生する場合がある。その場合、ポリッシング工程では、この研削溝Ｗｂを消すために、研磨スラリーによるポリッシングを行う前に、ダイヤモンド砥粒によるポリッシングを行わなければならない。したがって、被研削面Ｗａに研削溝Ｗｂが発生しない場合と比べるとポリッシング工程の時間が長くなり、半導体ウエハＷの生産性が低下するという問題がある。
　本発明は上記課題に鑑みて創案されたものであり、その目的は、半導体ウエハの被研削面における研削溝の発生を抑制し、半導体ウエハの生産性を向上させることができる半導体ウエハ研削装置、半導体ウエハの製造方法、及び半導体ウエハの研削方法を提供することにある。
　本発明の第１の態様は、半導体ウエハの被研削面を研削する半導体ウエハ研削装置であって、研削ホイールと、前記研削ホイールを中心軸周りに回転駆動する第１駆動手段と、前記半導体ウエハを支持するとともに、前記研削ホイールの中心軸と平行且つ前記中心軸に対して偏心した軸線周りに回転可能なウエハ支持具と、前記ウエハ支持具を回転駆動する第２駆動手段とを備え、前記研削ホイールは、前記ウエハ支持具に対向する主面に設けられた複数の砥石を備え、前記ウエハ支持具は、前記半導体ウエハの前記被研削面が前記研削ホイールの前記主面に対向するように前記半導体ウエハを支持し、前記複数の砥石の各々は、前記研削ホイールの中心から放射状に延びるとともに、前記半導体ウエハの前記被研削面を横断するように形成されている。
　第１の態様に係る半導体ウエハ研削装置によれば、砥石が半導体ウエハの被研削面を横断した状態で被研削面と平行に移動して被研削面を研削するため、被研削面における研削溝の発生を抑制できる。したがって、ダイヤモンド砥粒によるポリッシングを行う必要が無くなり、半導体ウエハの生産性を向上させることができる。
　ある実施形態において、前記ウエハ支持具は複数の前記半導体ウエハを支持するように形成されている、この場合、複数の半導体ウエハを同時研削できるため、半導体ウエハの生産性が向上する。
　ある実施形態において、前記半導体ウエハ研削装置は、前記ウエハ支持具を複数備えている。この場合、複数の半導体ウエハを同時研削できるため、半導体ウエハの生産性が向上する。
　また、本発明の第２の態様は、インゴットを切断して半導体ウエハを得る切断工程と、前記半導体ウエハの被研削面を研削するラッピング工程と、前記被研削面を研磨するポリッシング工程とを包含し、前記ラッピング工程において、第１の態様に係る半導体ウエハ研削装置を使用し、前記研削ホイールと前記ウエハ支持具とを回転させながら前記被研削面を研削する半導体ウエハの製造方法である。
　第２の態様に係る半導体ウエハの製造方法によれば、ラッピング工程において、半導体ウエハの被研削面における研削溝の発生を抑制することができる。したがって、ポリッシング工程において、ダイヤモンド砥粒によるポリッシングを行う必要が無くなるため、半導体ウエハの生産性が向上する。
　なお、前記ラッピング工程において、前記研削ホイールと前記ウエハ支持具とを同じ方向に回転させながら前記被研削面を研削することが好ましい。研削ホイールとウエハ支持具とが逆方向に回転する場合と比べて無理な力が被研削面にかかりにくいため、被研削面を美麗に仕上げることができるからである。
　また、本発明の第３の態様は、半導体ウエハの研削方法であって、第１の態様に係る半導体ウエハ研削装置を使用し、前記研削ホイールと前記ウエハ支持具とを回転させながら前記被研削面を研削する半導体ウエハの研削方法である。
　第３の態様に係る半導体ウエハの研削方法によれば、半導体ウエハの被研削面における研削溝の発生を抑制することができる。したがって、ポリッシング工程において、ダイヤモンド砥粒によるポリッシングを行う必要が無くなるため、半導体ウエハの生産性が向上する。
　本発明によれば、半導体ウエハの被研削面における研削溝の発生を抑制し、半導体ウエハの生産性を向上させることができる。
半導体ウエハの製造方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る半導体ウエハ研削装置の側面図である。 図２に示される半導体ウエハ研削装置の斜視図である。 図２に示される半導体ウエハ研削装置の研削ホイールの平面図である。 図２に示される半導体ウエハ研削装置のウエハ支持具の底面図である。 研削ホイールとウエハ支持具との位置関係を示す説明図である。 従来の半導体ウエハ研削装置の側面図である。 従来の半導体ウエハ研削装置で研削した半導体ウエハの被研削面の模式図である。
　以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。本実施形態の説明に先立って、図１を参照して半導体ウエハの製造方法を説明する。図１は半導体ウエハの製造方法を示すフローチャートである。
　図１に示すように、まず、ステップＳ１０において、円柱状のインゴットを切断して円盤状の半導体ウエハを得る。ステップＳ１０は本発明の切断工程として機能する。次に、ステップＳ２０において、半導体ウエハの周縁部の割れや欠けを防ぐために、半導体ウエハの周縁部を面取りする。次に、ステップＳ３０において、半導体ウエハの主面と反対側の被研削面をラッピング（研削）して半導体ウエハを所定の厚みにする。ステップＳ３０は本発明のラッピング工程として機能する。次に、ステップＳ４０において、半導体ウエハをエッチングして、ラッピングにより発生した加工歪みを除去する。そして、ステップＳ５０において、半導体ウエハの被研削面をポリッシングして鏡面状にする。ステップＳ５０は本発明のポリッシング工程として機能する。最後に、ステップＳ６０において、半導体ウエハを薬液で洗浄してパーティクル等の不純物を除去する。なお、ステップＳ２０、ステップＳ４０、及びステップＳ６０のうちの少なくとも１つが省略される場合もある。
　本実施形態の半導体ウエハ研削装置は、例えば図１のステップＳ３０のラッピング工程において使用される。図２～図４を参照して、本発明の実施形態に係る半導体ウエハ研削装置について説明する。図２は本発明の実施形態に係る半導体ウエハ研削装置１の側面図であり、図３は半導体ウエハ研削装置１の斜視図であり、図４は半導体ウエハ研削装置１の研削ホイール１０の平面図であり、図５は半導体ウエハ研削装置１のウエハ支持具３０の底面図である。
　図２及び図３に示すように、半導体ウエハ研削装置１は、研削ホイール１０と、第１駆動手段としての第１駆動機構２０と、一対のウエハ支持具３０と、第２駆動手段としての第２駆動機構４０とを備える。
　研削ホイール１０はホイール本体１１とシャフト１２とを備える。図４に示すように、ホイール本体１１は円盤状に形成され、中心にシャフト１２が嵌合する貫通孔１１ａが形成されている。ホイール本体１１のウエハ支持具３０に対向する主面１１ｂには複数の砥石１３が設けられている。複数の砥石１３はホイール本体１１の中心から放射状に延びるように設けられ、主面１１ｂからシャフト１２の中心軸１４（図２参照）の方向に若干量突出している。
　第１駆動機構２０は、モータや減速機構等によって構成され、研削ホイール１０を中心軸１４周りに回転駆動する。
　ウエハ支持具３０はホルダー３１と支軸３２とを備える。図５に示すように、ホルダー３１は円盤状に形成され、研削ホイール１０の主面１１ｂに対向する主面３１ａを有する。支軸３２はホルダー３１の主面３１ａと反対側の面の中心部に垂直に固定されている。支軸３２の軸線３３（図２参照）は、研削ホイール１０の中心軸１４と平行且つ中心軸１４に対して偏心している。
　ホルダー３１の主面３１ａには複数の半導体ウエハＷが固定手段を介して着脱可能に支持される。固定手段としては、例えば、ワックスや接着剤を用いることができる。複数の半導体ウエハＷは、支軸３２の軸線３３周りに所定の角度間隔をおいて主面３１ａに固定され、被研削面Ｗａが研削ホイール１０の主面１１ａに対向する。ウエハ支持具３０は、昇降機構（図示せず）によって軸線３３の方向に昇降可能となっており、半導体ウエハＷが砥石１３に当接する加工位置と半導体ウエハＷが砥石１３から離間する退避位置とをとることができる。
　第２駆動機構４０は、モータや減速機構等によって構成され、ウエハ支持具３０を軸線３３周りに回転駆動する。
　次に、図６を参照して、半導体ウエハ研削装置１によって半導体ウエハＷを研削する方法について説明する。図６は研削ホイール１０とウエハ支持具３０との位置関係を示す説明図である。
　一対のウエハ支持具３０（図３参照）が退避位置にある状態で一対のウエハ支持具３０の主面３１ａ（図５参照）に治具（図示せず）を用いて複数の半導体ウエハＷを固定する。
　次に、昇降機構によって一対のウエハ支持具３０を下降させて加工位置に位置させる。そして、第１駆動機構２０によって研削ホイール１０を回転駆動し、第２駆動機構４０によって一対のウエハ支持具３０を研削ホイール１０と同じ方向に回転駆動する。
　なお、研削ホイール１０とウエハ支持具３０とを同じ方向に回転駆動することによって、研削ホイール１０とウエハ支持具３０とが逆方向に回転する場合と比べて無理な力が被研削面Ｗａにかかりにくくなり、被研削面Ｗａを美麗に仕上げることができる。
　複数の砥石１３は、複数の半導体ウエハＷの被研削面Ｗａに摺接して被研削面Ｗａを研削する。複数の砥石１３の各々は、半導体ウエハＷの被研削面Ｗａを横断した状態で被研削面Ｗａと平行に移動して被研削面Ｗａを研削する。したがって、図８に示すような研削溝Ｗｂが被研削面Ｗａに発生することを抑制でき、被研削面Ｗａを美麗に仕上げることができる。その理由を以下に詳述する。
　図７に示す従来の半導体研ウエハ研削装置は、いわゆる亀裂伝播型の材料除去によって被研削面Ｗａを研削する。この場合、特に半導体ウエハＷが脆性材料（シリコン、ガラス等）で形成される場合に、被研削面Ｗａに亀裂が残留しやすく、美麗な仕上面が得られにくいとともに、半導体ウエハの強度も低下する。
　一方、本実施形態の半導体ウエハ研削装置１は、限りなく塑性変形型の材料除去に近い加工方法によって被研削面Ｗａを研削する。すなわち、複数の放射状の砥石１３が被研削面Ｗａを横断した状態で被研削面Ｗａ上を摺動するため、砥石１３と被研削面Ｗａとの摩擦によって被研削面Ｗａの温度が上昇し、降伏応力が低下するとともに破壊靱性値が上昇する。その結果、亀裂伝播が抑制され、砥石１３による切り込みが浅くなるとともに、ダメージ分布が浅く均一になるため、被研削面Ｗａを美麗に仕上げることができる。
　したがって、次のポリッシング工程では、研削溝Ｗｂを消すためのダイヤモンド砥粒によるポリッシングを行う必要がないため、被研削面Ｗａに研削溝Ｗｂが発生する場合と比べるとポリッシング工程の時間が短くなる。その結果、半導体ウエハＷの生産性が向上する。
　以上、本発明の具体的な実施形態を説明したが、本発明は図１～図６に示される実施形態に限定されるものではなく、本実施形態に種々の改変を施すことができる。
　例えば、本実施形態では、半導体ウエハ研削装置が一対のウエハ支持具を備える場合について説明したが、ウエハ支持具は1つ又は３つ以上であってもよい。
　また、本実施形態では、ウエハ支持具に４つの半導体ウエハが支持される場合について説明したが、ウエハ支持具に支持される半導体ウエハは３つ以下又は５つ以上であってもよい。
　また、本実施形態では、ウエハ支持具と研削ホイールとを同じ方向に回転させる場合について説明したが、ウエハ支持具と研削ホイールとを別の方向に回転させてもよい。
　その他にも、本発明の要旨を逸脱しない範囲で本実施形態に種々の改変を施すことができる。
　　１　　　半導体ウエハ研削装置
　１０　　　研削ホイール
　１０ｂ　　主面
　１３　　　砥石
　２０　　　第１駆動機構（第１駆動手段）
　３０　　　ウエハ支持具
　４０　　　第２駆動機構（第２駆動手段）
　　Ｗ　　　半導体ウエハ
　　Ｗａ　　被研削面

Claims (6)

  1. 　半導体ウエハの被研削面を研削する半導体ウエハ研削装置であって、
    　研削ホイールと、
    　前記研削ホイールを中心軸周りに回転駆動する第１駆動手段と、
    　前記半導体ウエハを支持するとともに、前記研削ホイールの中心軸と平行且つ前記中心軸に対して偏心した軸線周りに回転可能なウエハ支持具と、
    　前記ウエハ支持具を回転駆動する第２駆動手段と
    　を備え、
    　前記研削ホイールは、前記ウエハ支持具に対向する主面に設けられた複数の砥石を備え、
    　前記ウエハ支持具は、前記半導体ウエハの前記被研削面が前記研削ホイールの前記主面に対向するように前記半導体ウエハを支持し、
    　前記複数の砥石の各々は、前記研削ホイールの中心から放射状に延びるとともに、前記半導体ウエハの前記被研削面を横断するように形成されている、半導体ウエハ研削装置。
  2. 　前記ウエハ支持具は、複数の前記半導体ウエハを支持するように形成されている、請求項１に記載の半導体ウエハ研削装置。
  3. 　前記ウエハ支持具を複数備える、請求項１又は請求項２に記載の半導体ウエハ研削装置。
  4. 　インゴットを切断して半導体ウエハを得る切断工程と、
    　前記半導体ウエハの被研削面を研削するラッピング工程と、
    　前記被研削面を研磨するポリッシング工程と
    　を包含し、
    　前記ラッピング工程において、請求項１から請求項３のうちの１項に記載の半導体ウエハ研削装置を使用し、前記研削ホイールと前記ウエハ支持具とを回転させながら前記被研削面を研削する、半導体ウエハの製造方法。
  5. 　前記ラッピング工程において、前記研削ホイールと前記ウエハ支持具とを同じ方向に回転させながら前記被研削面を研削する、請求項４に記載の半導体ウエハの製造方法。
  6. 　半導体ウエハの研削方法であって、
    　請求項１から請求項３のうちの１項に記載の半導体ウエハ研削装置を使用し、前記研削ホイールと前記ウエハ支持具とを回転させながら前記被研削面を研削する、半導体ウエハの研削方法。
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