JP4347960B2 - ダイシング方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、環状の切れ刃を有する切削ブレードによって被加工物を格子状に切削するダイシング方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、半導体デバイスの製造においては、略円盤状の半導体ウエーハの表面が格子状に形成された第1のストリートと該第2のストリートといわれる切断ラインによって複数個の矩形領域に区画されており、この矩形領域の各々に所定の回路パターンが施される。このようにして各々回路パターンが施された複数個の矩形領域が個々に切断分離されて、所謂半導体チップを形成する。半導体ウエーハの切断は、一般にダイシング装置とよばれる精密切削装置によって施される。このダイシング装置は、図4に示すような切削ブレード54を具備している。切削ブレード54は基台(ハブ)541と環状の切れ刃542とから構成されている。基台541は回転軸線に対して垂直に延在する片側面543、半径方向外方に向かって片側面543側に傾斜する円錐台形状の他側面544及び片側面543側の外周縁と他側面544の外周縁との間に存在する円筒形状外周面545とを有する。環状の切れ刃542は基台541の片側面543の外周部に配設され、片側面543から半径方向外方に延出している。一般的にハブブレードと称するこの切削ブレード54は、回転スピンドル56に取り付けられた固定フランジ57の工具装着部571に基台541を嵌合し、固定フランジ57の端部に挟持フランジ58を螺合することによって、固定フランジ57のフランジ部572と挟持フランジ58との間で挟持されて装着される。このようにして回転スピンドル56に装着された切削ブレード54に対して切削ブレード54の回転軸と直交する方向に被加工物を相対的に移動せしめることによって切断する。
【0003】
上記切削ブレード54により半導体ウエーハを格子状に切断するダイシング方法について、図6を参照して説明する。なお、図6において11は被加工物である半導体ウエーハで、その表面には平行に形成された複数個の第1のストリート11aと該第1のストリート11aと直交する方向に平行に形成された複数個の第2のストリート11bが設けられている。
図6の(a)に示すように半導体ウエーハ11を第1のストリート11aが矢印Xで示す切削送り方向になるように位置付けるとともに、切削ブレード54を半導体ウエーハ11の片側縁に位置付ける。このとき、切削ブレード54は、基台541側が被加工物である半導体ウエーハ11の未加工領域側、即ち切れ刃542側が矢印Y1で示す割り出し方向に対して上流側(図6において上側)になるようにセットされている。次に、図6の(b)に示すように半導体ウエーハ11と切削ブレード54を切削送り方向Xで示す方向に相対的に移動する切削送りと、1本のストリートを切削した後に切削ブレード54を矢印Y1で示す割り出し方向に移動する割り出し送りとを順次繰り返して遂行する往路切削工程によって、複数個の第1のストリート11aを切削する。往路切削工程が終了したら、図6の(c)に示すように半導体ウエーハ11を90°回転させて第2のストリート11bが矢印Xで示す切削送り方向になるように位置付ける回転位置付け工程を実行する。このとき、切削ブレード54は、切れ刃542側が被加工物である半導体ウエーハ11の未加工領域側、即ち切れ刃542側が矢印Y2で示す割り出し方向に対して下流側(図6において上側)を向くことになる。次に、図6の(d)に示すように半導体ウエーハ11と切削ブレードを切削送り方向Xで示す方向に相対的に移動する切削送りと、1本のストリートを切削した後に切削ブレード54を矢印Y2で示す割り出し方向に移動する割り出し送りとを順次繰り返して遂行する復路切削工程によって、複数個の第2のストリート11bを切削する。上述したダイシング方法によれば、切削ブレード54を割り出し方向(矢印Y1およびY2で示す)に1往復することにより、半導体ウエーハ11を第1のストリート11aおよび第2のストリート11bに沿って格子状に切断することができので、生産性が極めて良好となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
而して、上述したダイシング方法においては、切削ブレード54の切れ刃542の損傷が激しく、切れ刃が磨耗して寿命に至る前に使用不能となる。このため、切削ブレードを頻繁に交換しなければならず、工具費および交換費用が増大するという問題がある。
【0005】
本発明者は切れ刃の損傷の原因究明について、鋭意研究を重ねた結果、次の事実を見いだした。即ち、半導体ウエーハはテープを介してフレームに装着されているが、20000〜30000rpmの高速で回転する切れ刃で切削すると、上述した復路切削工程において切断によって形成されたペレットがテープから剥がれて飛散する場合があり、この飛散したペレット110が図5に示すように切削ブレード54の基台541の外周端541aに当たるとともに、切れ刃542に食い込むことにより、切れ刃542を損傷する。特に、被加工物が半導体ウエーハ11の場合には円盤状であるためにダイシングによって外周に小さな三角形の鋭利なペレットが生成され、この鋭利なペレット110はテープ112との接着面積が小さいために剥離し易く、剥離した鋭利なペレット110が基台541と切れ刃542との間に食い込んで切れ刃542を損傷する原因となっている。
【0006】
また、本発明者の研究の結果、基台541の切れ刃542が設けられている側に飛散したペレットが切れ刃542に当たっても、基台541がないため図5のような現象は生ぜず、ペレットは飛散して切れ刃542に食い込むことはないことが判った。
【0007】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、切断によって形成されたペレットの飛散によって生ずる切れ刃の破損を防止することができるダイシング方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、フレームにテープを介して装着され平行に形成された複数個の第1のストリートと該第1のストリートと所定角度をもって交差する方向に平行に形成された複数個の第2のストリートとを有する半導体ウエーハを、切削ブレードにより、該第1のストリートおよび該第2のストリートに沿って切削するダイシング方法であって、フレームにテープを介して装着され平行に形成された複数個の第1のストリートと該第1のストリートと所定角度をもって交差する方向に平行に形成された複数個の第2のストリートとを有する半導体ウエーハを、切削ブレードにより該第1のストリートおよび該第2のストリートに沿って切削するダイシング方法であって、
該切削ブレードは、回転軸線に対して垂直に延在する片側面、半径方向外方に向かって該片側面側に傾斜する円錐台形状の他側面及び該片側面側の外周縁と該他側面の外周縁との間に存在する円筒形状外周面とを有する基台と、該基台の該片側面の外周部に配設され該片側面から半径方向外方に延出する環状切れ刃とから構成されており、
該半導体ウエーハを該第1のストリートが切削送り方向になるように位置付け、該半導体ウエーハと該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削送りと、該第1のストリートの間隔に対応して該半導体ウエーハと該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、複数個の第1のストリートを切削する第1の切削工程と、
該第1の切削工程が終了した後、該半導体ウエーハを所定角度回転して該第2のストリートが切削送り方向になるように位置付けるとともに、該切削ブレードを該基台側が該半導体ウエーハの未加工領域側に向くように該半導体ウエーハの片側縁に位置付ける第1の回転位置付け工程と、
該第1の回転位置付け工程が終了した後、該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削送りと、該第2のストリートの間隔に対応して該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、該半導体ウエーハの片側縁から中心に向けて半面領域について複数個の第2のストリートを切削する第2の切削工程と、
該第2の切削工程が終了した後、該半導体ウエーハを180°回転するとともに、該切削ブレードを該基台側が該半導体ウエーハの未加工領域側に向くように該半導体ウエーハの他側縁に位置付ける第2の回転位置付け工程と、
該第2の回転位置付け工程が終了した後、該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削送りと、該第2のストリートの間隔に対応して該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、該半導体ウエーハの他側縁から中心に向けて残りの半面領域について複数個の第2のストリートを切削する第3の切削工程と、を含む、
ことを特徴とするダイシング方法が提供される。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明によるダイシング方法の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【0011】
図1には、本発明によるダイシング方法を実施するためのダイシング装置の斜視図が示されている。
図1に示されたダイシング装置は、略直方体状の装置ハウジング10を具備している。この装置ハウジング10内には、図2に示す静止基台2と、該静止基台2に切削送り方向である矢印Xで示す方向に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構3と、静止基台2に割り出し方向である矢印Yで示す方向(切削送り方向である矢印Xで示す方向に垂直な方向)に移動可能に配設されたスピンドル支持機構4と、該スピンドル支持機構4に切り込み方向である矢印Zで示す方向に移動可能に配設されたスピンドルユニット5が配設されている。
【0012】
上記チャックテーブル機構3は、静止基台2上に配設され複数個の取付けボルト3aによって固定された支持台31と、該支持台31上に矢印Xで示す方向に沿って平行に配設された2本の案内レール32、32と、該案内レール32、32上に矢印Xで示す方向に移動可能に配設されたチャックテーブル33を具備している。このチャックテーブル33は、案内レール32、32上に移動可能に配設された吸着チャック支持台331と、該吸着チャック支持台331上に装着された吸着チャック332を具備しており、該吸着チャック332上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。なお、チャックテーブル機構3は、チャックテーブル33を2本の案内レール32、32に沿って矢印Xで示す方向に移動させるための駆動手段34を具備している。駆動手段34は、上記2本の案内レール32と32の間に平行に配設された雄ネジロッド341と、該雄ネジロッド341を回転駆動するためのパルスモータ342等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド341は、その一端が上記支持台31に固定された軸受ブロック343に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ342の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド341は、チャックテーブル33を構成する吸着チャック支持台331の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ342によって雄ネジロッド341を正転および逆転駆動することにより、チャックテーブル33は案内レール32、32に沿って矢印Xで示す方向に移動せしめられる。また、チャックテーブル機構3は、チャックテーブル33を回転する図示しない回転機構を具備している。
【0013】
上記スピンドル支持機構4は、静止基台2上に配設され複数個の取付けボルト4aによって固定された支持台41と、該支持台41上に矢印Yで示す方向に沿って平行に配設された2本の案内レール42、42と、該案内レール42、42上に矢印Yで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台43を具備している。この可動支持基台43は、案内レール42、42上に移動可能に配設された移動支持部431と、該移動支持部431に取り付けられたスピンドル装着部432とからなっている。スピンドル装着部432には取付けブラケット433が固定されており、この取付けブラケット433を複数個の取付けボルト40aによって移動支持部431に締結することにより、スピンドル装着部432は移動支持部431に取り付けられる。また、スピンドル装着部432は、上記取付けブラケット433を装着した面と反対側の面に矢印Zで示す方向に延びる2本の案内レール432a、432aが平行に設けられている。なお、スピンドル支持機構4は、可動支持基台43を2本の案内レール42、42に沿って矢印Yで示す方向に移動させるための駆動手段44を具備している。駆動手段44は、上記2本の案内レール42、42の間に平行に配設された雄ネジロッド441と、該雄ねじロッド441を回転駆動するためのパルスモータ442等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド441は、その一端が上記支持台41に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ442の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連結されている。なお、雄ネジロッド441は、可動支持基台43を構成する移動支持部431の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ442によって雄ネジロッド441を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台43は案内レール42、42に沿って矢印Yで示す方向に移動せしめられる。
【0014】
上記スピンドルユニット5は、移動基台51と、該移動基台51に複数個の取付けボルト5aによって固定されたスピンドルホルダ52と、該スピンドルホルダ52に取り付けられたスピンドルハウジング53を具備している。移動基台51は、上記スピンドル支持機構4のスピンドル装着部432に設けられた2本の案内レール432a、432aに摺動可能に嵌合する2本の被案内レール51a、51aが設けられており、この被案内レール51a、51aを上記案内レール432a、432aに嵌合することにより、矢印Zで示す方向に移動可能に支持される。上記スピンドルハウジング53内には、上述した図5に示す切削ブレード54を装着した回転スピンドル56が回転自在に配設されている。この回転スピンドル56は、図示しない回転駆動機構によって回転駆動されるようになっている。なお、スピンドルユニット5は、移動基台51を2本の案内レール432a、432aに沿って矢印Zで示す方向に移動させるための駆動手段55を具備している。駆動手段55は、上記駆動手段34および44と同様に案内レール432a、432aの間に配設された雄ネジロッド(図示せず)と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ552等の駆動源を含んでおり、パルスモータ552によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、スピンドルユニット5を案内レール432a、432aに沿って矢印Zで示す方向に移動せしめる。
【0015】
図示のダイシング装置は、図1に示すように被加工物である半導体ウエーハ11をストックするカセット12と、被加工物搬出手段13と、被加工物搬送手段14と、洗浄手段15と、洗浄搬送手段16、および顕微鏡やCCDカメラ等で構成されるアライメント手段17を具備している。なお、半導体ウエーハ11は、フレーム111にテープ112によって装着されており、フレーム111に装着された状態で上記カセット12に収容される。また、カセット12は、図示しない昇降手段によって上下に移動可能に配設されたカセットテーブル121上に載置される。次に、上述したダイシング装置の加工処理動作について簡単に説明する。
カセット12の所定位置に収容されたフレーム111に装着された状態の半導体ウエーハ11(以下、フレーム111に装着された状態の半導体ウエーハ11を単に半導体ウエーハ11という)は、図示しない昇降手段によってカセットテーブル121が上下動することにより搬出位置に位置付けられる。次に、被加工物搬出手段13が進退作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ11を被加工物載置領域18に搬出する。被加工物載置領域18に搬出された半導体ウエーハ11は、被加工物搬送手段14の旋回動作によって上記チャックテーブル機構3を構成するチャックテーブル33の吸着チャック332上に搬送され、該吸着チャック332に吸引保持される。このようにして半導体ウエーハ11を吸引保持したチャックテーブル33は、案内レール32、32に沿ってアライメント手段17の直下まで移動せしめられる。チャックテーブル33がアライメント手段17の直下に位置付けられると、アライメント手段17によって半導体ウエーハ11に形成されている切断ラインが検出され、精密位置合わせ作業が行われる。その後、半導体ウエーハ11を吸引保持したチャックテーブル33を切削送り方向である矢印Xで示す方向(切削ブレード54の回転軸と直交する方向)に移動することにより、チャックテーブル33に保持された半導体ウエーハ11は切削ブレード54の切れ刃542により所定の切断ラインに沿って切断される。即ち、切削ブレード54は割り出し方向である矢印Yで示す方向および切り込み方向である矢印Zで示す方向に移動調整されて位置決めされたスピンドルユニット5に装着され、回転駆動されているので、チャックテーブル33を切削ブレード54の下側に沿って切削送り方向に移動することにより、チャックテーブル33に保持された半導体ウエーハ11は切削ブレード54の切れ刃542により所定の切断ラインに沿って切断され、半導体チップに分割される。分割された半導体チップは、テープ112の作用によってバラバラにはならず、フレーム111に装着された半導体ウエーハ11の状態が維持されている。このようにして半導体ウエーハ11の切断が終了した後、半導体ウエーハ11を保持したチャックテーブル33は、最初に半導体ウエーハ11を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエーハ11の吸引保持を解除する。次に、半導体ウエーハ11は、洗浄搬送手段16によって洗浄手段15に搬送され、ここで洗浄される。このようにして洗浄された半導体ウエーハ11は、被加工物搬送手段14によって被加工物載置領域18に搬出される。そして、半導体ウエーハ11は、被加工物搬出手段13によってカセット12の所定位置に収納される。
【0018】
次に、本発明によるダイシング方法の実施形態について、図3を参照して説明する。図3の(a)に示すように半導体ウエーハ11を第1のストリート11aが矢印Xで示す切削送り方向(図3の(b)参照)になるように位置付けるとともに、切削ブレード54を半導体ウエーハ11の片側縁に位置付ける。なお、図示の実施形態においては、切削ブレード54は、基台541側が被加工物である半導体ウエーハ11の未加工領域側、即ち切れ刃542側が矢印Y1で示す割り出し方向(図3の(b)参照)に対して上流側(図3において上側)になるようにセットされている。次に、図3の(b)に示すように半導体ウエーハ11と切削ブレード54を切削送り方向Xで示す方向に相対的に移動する切削送りと、1本のストリートを切削した後に切削ブレード54を矢印Y1で示す割り出し方向に移動する割り出し送りとを順次繰り返して遂行する第1の切削工程によって、複数個の第1のストリート11aを切削する。第1の切削工程が終了したら、図3の(c)に示すように半導体ウエーハ11を90°回転させて第2のストリート11bが矢印Xで示す切削送り方向になるように位置付ける第一の回転位置付け工程を実行するとともに、切削ブレード54を矢印Y2で示す方向に移動して半導体ウエーハ11の片側縁に位置付ける。このとき、切削ブレード54は、基台541側が被加工物である半導体ウエーハ11の未加工領域側を向く。即ち切れ刃542側が矢印Y1で示す割り出し方向に対して上流側(図3において上側)になる。
次に、図3の(d)に示すように半導体ウエーハ11と切削ブレードを切削送り方向Xで示す方向に相対的に移動する切削送りと、1本のストリートを切削した後に切削ブレード54を矢印Y1で示す割り出し方向に移動する割り出し送りとを順次繰り返して半導体ウエーハ11の片側縁から中心に向けて半面領域について切削する第2の切削工程によって、複数個の第2のストリート11bを切削する。次に、図3の(e)に示すように半導体ウエーハ11を180°回転するとともに、切削ブレード54を矢印Y2で示す方向に移動し、基台541側が被加工物である半導体ウエーハ11の未加工領域側を向く。即ち切れ刃542が割り出し方向に対して上流側になるようにして半導体ウエーハ11の他側縁に位置付け、第2の回転位置付け工程を遂行する。第2の回転位置付け工程が終了したら、図3の(f)に示すように半導体ウエーハ11と切削ブレードを切削送り方向Xで示す方向に相対的に移動する切削送りと、1本のストリートを切削した後に切削ブレード54を矢印Y1で示す割り出し方向に移動する割り出し送りとを順次繰り返して半導体ウエーハ11の他側縁から中心に向けて残りの半面領域について切削する第3の切削工程を遂行することによって、複数個の第2のストリート11bを切削する。
【0019】
以上のように図3に示す実施形態においては、第2のストリート11bを切削する第2の切削工程および第3の切削工程においては、切削ブレード54は基台541側が被加工物である半導体ウエーハ11の未加工領域側、即ち切れ刃542が矢印Y1で示す割り出し方向に対して上流側(図3において上側)に向いているので、切断されたペレット110は常に切れ刃542の矢印Y1で示す割り出し方向に対して上流側(図3において上側)即ち後側に形成される。従って、形成されたペレット110は切れ刃542の矢印Y1で示す割り出し方向に対して下流側(図3において下側)即ち基台541側には形成されないので、基台541と切れ刃542との間にペレット110が食い込むことはないため、切れ刃542の損傷が防止できる。
【0020】
図7は、本発明者が実施した図6に示す従来のダイシング方法と、図3に示す本発明によって、それぞれ半導体ウエーハを1mm角のペレットに切削したときの、切れ刃が破損するまでの寿命を示す実験である。図7に示すように、切れ刃が破損するまでに切削した長さは、従来のダイシング方法では長さが12.2mであったが、本発明においては51.6mであった。このように本発明によれば、切れ刃の寿命を従来の方法に比して4倍以上とすることができる。
【0021】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではない。図示の実施形態においては、切削ブレード54として基台541の片面側に形成された切れ刃542がスピンドルハウジング53側に設けられたものを使用した例を示したが、基台541の片面側に形成された切れ刃542がスピンドルハウジング53側と反対側、即ち基台541がスピンドルハウジング53側を向くように設けられた切削ブレードを使用することもできる。この場合、図3において第2のストリート11bを切削する切削工程においては、切削ブレードの割り出し送り方向は矢印Y2で示す方向となる。また、図示の実施形態においては、第1のストリート11aと第2のストリート11bが直交して形成された半導体ウエーハのダイシング方法について説明したが、本発明は第1のストリート11aと第2のストリート11bが90°以外の任意の所定角度をもって交差するように形成された被加工物のダイシングにも適用できることはいうまでもない。
【0022】
【発明の効果】
本発明による切削方法は以上のように構成されているので、次の作用効果を奏する。
【0023】
即ち、本発明によれば、第2のストリートを切削する切削工程においては、切削ブレードが基台側が被加工物の未加工領域側に向くよう位置しているので、切断によって形成されたペレットは常に切れ刃の割り出し方向に対して上流側となる。従って、ペレットは切削ブレードの基台側には形成されないので、基台と切れ刃との間に食い込むことはないため、切れ刃の損傷が防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明によるダイシング方法を実施するための切削装置であるダイシング装置の斜視図。
【図2】 図1に示すダイシング装置の要部斜視図。
【図3】 本発明によるダイシング方法の実施形態を示す説明図。
【図4】 ダイシング装置に装備される切削ブレードの回転スピンドルに装着された状態を示す断面図。
【図5】 図4に示す切削ブレードによって半導体ウエーハを切削している状態を示す要部拡大断面図。
【図6】 従来のダイシング方法を示す説明図。
【図7】 従来のダイシング方法と本発明によってそれぞれ半導体ウエーハを切削したときの、切れ刃が破損するまでの寿命を示すグラフある。
Claims (1)
- フレームにテープを介して装着され平行に形成された複数個の第1のストリートと該第1のストリートと所定角度をもって交差する方向に平行に形成された複数個の第2のストリートとを有する半導体ウエーハを、切削ブレードにより該第1のストリートおよび該第2のストリートに沿って切削するダイシング方法であって、
該切削ブレードは、回転軸線に対して垂直に延在する片側面、半径方向外方に向かって該片側面側に傾斜する円錐台形状の他側面及び該片側面側の外周縁と該他側面の外周縁との間に存在する円筒形状外周面とを有する基台と、該基台の該片側面の外周部に配設され該片側面から半径方向外方に延出する環状切れ刃とから構成されており、
該半導体ウエーハを該第1のストリートが切削送り方向になるように位置付け、該半導体ウエーハと該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削送りと、該第1のストリートの間隔に対応して該半導体ウエーハと該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、複数個の第1のストリートを切削する第1の切削工程と、
該第1の切削工程が終了した後、該半導体ウエーハを所定角度回転して該第2のストリートが切削送り方向になるように位置付けるとともに、該切削ブレードを該基台側が該半導体ウエーハの未加工領域側に向くように該半導体ウエーハの片側縁に位置付ける第1の回転位置付け工程と、
該第1の回転位置付け工程が終了した後、該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削送りと、該第2のストリートの間隔に対応して該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、該半導体ウエーハの片側縁から中心に向けて半面領域について複数個の第2のストリートを切削する第2の切削工程と、
該第2の切削工程が終了した後、該半導体ウエーハを180°回転するとともに、該切削ブレードを該基台側が該半導体ウエーハの未加工領域側に向くように該半導体ウエーハの他側縁に位置付ける第2の回転位置付け工程と、
該第2の回転位置付け工程が終了した後、該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削送りと、該第2のストリートの間隔に対応して該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、該半導体ウエーハの他側縁から中心に向けて残りの半面領域について複数個の第2のストリートを切削する第3の切削工程と、を含む、
ことを特徴とするダイシング方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US6703318B1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-03-09 | Silicon Storage Technology, Inc. | Method of planarizing a semiconductor die |
JP4408361B2 (ja) * | 2003-09-26 | 2010-02-03 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
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JP2008060164A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハのレーザー加工方法 |
JP2008105114A (ja) * | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Disco Abrasive Syst Ltd | ハブブレードおよび切削装置 |
US8053279B2 (en) * | 2007-06-19 | 2011-11-08 | Micron Technology, Inc. | Methods and systems for imaging and cutting semiconductor wafers and other semiconductor workpieces |
TW201007830A (en) * | 2008-08-15 | 2010-02-16 | Zen Voce Corp | Jump-cut method for arrayed workpiece |
CN102668042B (zh) * | 2009-12-24 | 2015-06-24 | 株式会社村田制作所 | 电子元器件的制造方法 |
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CN104108139B (zh) * | 2013-04-18 | 2015-12-09 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种mems晶圆的切割方法 |
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Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR900001232B1 (ko) * | 1984-12-27 | 1990-03-05 | 가부시끼 가이샤 디스코 | 반도체 웨이퍼 방형절단기 |
US4787362A (en) * | 1986-10-20 | 1988-11-29 | Thermocarbon, Inc. | Abrasive blade having a polycrystalline ceramic core |
US5952725A (en) * | 1996-02-20 | 1999-09-14 | Micron Technology, Inc. | Stacked semiconductor devices |
JPH10177975A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-06-30 | Fujitsu Ltd | ダイシングブレード、前記ダイシングブレードを使ったダイシング方法、および半導体装置の製造方法 |
US6250192B1 (en) * | 1996-11-12 | 2001-06-26 | Micron Technology, Inc. | Method for sawing wafers employing multiple indexing techniques for multiple die dimensions |
US5803797A (en) * | 1996-11-26 | 1998-09-08 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to hold intergrated circuit chips onto a chuck and to simultaneously remove multiple intergrated circuit chips from a cutting chuck |
JPH1140521A (ja) * | 1997-05-20 | 1999-02-12 | Seiko Instr Inc | 半導体チップの製造方法 |
SG99277A1 (en) * | 1998-02-05 | 2003-10-27 | Texas Instr Singapore Pte Ltd | Partial semionductor wafer processing with multiple cuts of random sizes |
US6150240A (en) * | 1998-07-27 | 2000-11-21 | Motorola, Inc. | Method and apparatus for singulating semiconductor devices |
-
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-
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7911058B2 (en) | 2005-11-30 | 2011-03-22 | Elpida Memory Inc. | Semiconductor chip having island dispersion structure and method for manufacturing the same |
US8088673B2 (en) | 2005-11-30 | 2012-01-03 | Elpida Memory Inc. | Semiconductor chip having island dispersion structure and method for manufacturing the same |
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