JP2001085365A - ダイシング方法 - Google Patents

ダイシング方法

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JP2001085365A JP26033399A JP26033399A JP2001085365A JP 2001085365 A JP2001085365 A JP 2001085365A JP 26033399 A JP26033399 A JP 26033399A JP 26033399 A JP26033399 A JP 26033399A JP 2001085365 A JP2001085365 A JP 2001085365A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 切断によって形成されたペレットの飛散によ
って生ずる切削ブレードの破損を防止することができる
ダイシング方法を提供する。 【解決手段】 所定角度をもってして形成された複数個
の第１のストリート１１ａと第２のストリート１１ｂと
を有する被加工物を、ブレード支持部材の片側面外周部
に設けられた環状の切れ刃を有する切削ブレード５４に
より、第１のストリートおよび第２のストリートに沿っ
て切削するダイシング方法であって、第１のストリート
を切削した後に第２のストリートを切削するときには、
切削ブレード５４を基台５４１側が被加工物の未加工領
域側に向くように位置付けて行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、環状の切れ刃を有
する切削ブレードによって被加工物を格子状に切削する
ダイシング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造において
は、略円盤状の半導体ウエーハの表面が格子状に形成さ
れた第１のストリートと該第２のストリートといわれる
切断ラインによって複数個の矩形領域に区画されてお
り、この矩形領域の各々に所定の回路パターンが施され
る。このようにして各々回路パターンが施された複数個
の矩形領域が個々に切断分離されて、所謂半導体チップ
を形成する。半導体ウエーハの切断は、一般にダイシン
グ装置とよばれる精密切削装置によって施される。この
ダイシング装置は、図５に示すような切削ブレード５４
を具備している。切削ブレード５４は、基台（ハブ）５
４１と該基台５４１の片側面外周部に設けられた環状の
切れ刃５４２とからなっている。一般的にハブブレード
と称するこの切削ブレード５４は、回転スピンドル５６
に取り付けられた固定フランジ５７の工具装着部５７１
に基台５４１を嵌合し、固定フランジ５７の端部に挟持
フランジ５８を螺合することによって、固定フランジ５
７のフランジ部５７２と挟持フランジ５８との間で挟持
されて装着される。このようにして回転スピンドル５６
に装着された切削ブレード５４に対して切削ブレード５
４の回転軸と直交する方向に被加工物を相対的に移動せ
しめることによって切断する。
【０００３】上記切削ブレード５４により半導体ウエー
ハを格子状に切断するダイシング方法について、図７を
参照して説明する。なお、図７において１１は被加工物
である半導体ウエーハで、その表面には平行に形成され
た複数個の第１のストリート１１ａと該第１のストリー
ト１１ａと直交する方向に平行に形成された複数個の第
２のストリート１１ｂが設けられている。図７の（ａ）
に示すように半導体ウエーハ１１を第１のストリート１
１ａが矢印Ｘで示す切削送り方向になるように位置付け
るとともに、切削ブレード５４を半導体ウエーハ１１の
片側縁に位置付ける。このとき、切削ブレード５４は、
基台５４１側が被加工物である半導体ウエーハ１１の未
加工領域側、即ち切れ刃５４２側が矢印Ｙ１で示す割り
出し方向に対して上流側（図７において上側）になるよ
うにセットされている。次に、図７の（ｂ）に示すよう
に半導体ウエーハ１１と切削ブレード５４を切削送り方
向Ｘで示す方向に相対的に移動する切削送りと、１本の
ストリートを切削した後に切削ブレード５４を矢印Ｙ１
で示す割り出し方向に移動する割り出し送りとを順次繰
り返して遂行する往路切削工程によって、複数個の第１
のストリート１１ａを切削する。往路切削工程が終了し
たら、図７の（ｃ）に示すように半導体ウエーハ１１を
９０°回転させて第２のストリート１１ｂが矢印Ｘで示
す切削送り方向になるように位置付ける回転位置付け工
程を実行する。このとき、切削ブレード５４は、切れ刃
５４２側が被加工物である半導体ウエーハ１１の未加工
領域側、即ち切れ刃５４２側が矢印Ｙ２で示す割り出し
方向に対して下流側（図７において上側）を向くことに
なる。次に、図７の（ｄ）に示すように半導体ウエーハ
１１と切削ブレードを切削送り方向Ｘで示す方向に相対
的に移動する切削送りと、１本のストリートを切削した
後に切削ブレード５４を矢印Ｙ２で示す割り出し方向に
移動する割り出し送りとを順次繰り返して遂行する復路
切削工程によって、複数個の第２のストリート１１ｂを
切削する。上述したダイシング方法によれば、切削ブレ
ード５４を割り出し方向（矢印Ｙ１およびＹ２で示す）
に１往復することにより、半導体ウエーハ１１を第１の
ストリート１１ａおよび第２のストリート１１ｂに沿っ
て格子状に切断することができので、生産性が極めて良
好となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】而して、上述したダイ
シング方法においては、切削ブレード５４の切れ刃５４
２の損傷が激しく、切れ刃が磨耗して寿命に至る前に使
用不能となる。このため、切削ブレードを頻繁に交換し
なければならず、工具費および交換費用が増大するとい
う問題がある。
【０００５】本発明者は切れ刃の損傷の原因究明につい
て、鋭意研究を重ねた結果、次の事実を見いだした。即
ち、半導体ウエーハはテープを介してフレームに装着さ
れているが、２００００〜３００００ｒｐｍの高速で回
転する切れ刃で切削すると、上述した復路切削工程にお
いて切断によって形成されたペレットがテープから剥が
れて飛散する場合があり、この飛散したペレット１１０
が図６に示すように切削ブレード５４の基台５４１の外
周端５４１ａに当たるとともに、切れ刃５４２に食い込
むことにより、切れ刃５４２を損傷する。特に、被加工
物が半導体ウエーハ１１の場合には円盤状であるために
ダイシングによって外周に小さな三角形の鋭利なペレッ
トが生成され、この鋭利なペレット１１０はテープ１１
２との接着面積が小さいために剥離し易く、剥離した鋭
利なペレット１１０が基台５４１と切れ刃５４２との間
に食い込んで切れ刃５４２を損傷する原因となってい
る。
【０００６】また、本発明者の研究の結果、基台５４１
の切れ刃５４２が設けられている側に飛散したペレット
が切れ刃５４２に当たっても、基台５４１がないため図
６のような現象は生ぜず、ペレットは飛散して切れ刃５
４２に食い込むことはないことが判った。
【０００７】本発明は上記事実に鑑みてなされたもので
あり、その主たる技術課題は、切断によって形成された
ペレットの飛散によって生ずる切れ刃の破損を防止する
ことができるダイシング方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記主たる技術課題を解
決するため、第１の発明によれば、平行に形成された複
数個の第１のストリートと該第１のストリートと所定角
度をもって交差する方向に平行に形成された複数個の第
２のストリートとを有する被加工物を、基台の片側面外
周部に設けられた環状の切れ刃を有する切削ブレードに
より、該第１のストリートおよび該第２のストリートに
沿って切削するダイシング方法であって、該被加工物を
該第１のストリートが切削送り方向になるように位置付
け、該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向に相対
的に移動する切削送りと、該第１のストリートの間隔に
対応して該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向と
直交する方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次
繰り返して、複数個の第１のストリートを切削する第１
の切削工程と、該第１の切削工程が終了した後、該被加
工物を所定角度回転して該第２のストリートが切削送り
方向になるように位置付けるとともに、該切削ブレード
を該基台側が該被加工物の未加工領域側に向くように該
被加工物の片側縁に位置付ける回転位置付け工程と、該
回転位置付け工程が終了した後、該被加工物と該切削ブ
レードを切削送り方向に相対的に移動する切削送りと、
該第２のストリートの間隔に対応して該被加工物と該切
削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し送り方向
に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、
複数個の第２のストリートを切削する第２の切削工程
と、を含む、ことを特徴とするダイシングが提供され
る。
【０００９】また、第２の本発明によれば、フレームに
テープを介して装着され平行に形成された複数個の第１
のストリートと該第１のストリートと所定角度をもって
交差する方向に平行に形成された複数個の第２のストリ
ートとを有する半導体ウエーハを、基台の片側面外周部
に設けられた環状の切れ刃を有する切削ブレードによ
り、該第１のストリートおよび該第２のストリートに沿
って切削するダイシング方法であって、該半導体ウエー
ハを該第１のストリートが切削送り方向になるように位
置付け、該半導体ウエーハと該切削ブレードを切削送り
方向に相対的に移動する切削送りと、該第１のストリー
トの間隔に対応して該半導体ウエーハと該切削ブレード
を切削送り方向と直交する方向に相対的に移動する割り
出し送りとを順次繰り返して、複数個の第１のストリー
トを切削する第１の切削工程と、該第１の切削工程が終
了した後、該半導体ウエーハを所定角度回転して該第２
のストリートが切削送り方向になるように位置付けると
ともに、該切削ブレードを該基台側が該半導体ウエーハ
の未加工領域側に向くように該半導体ウエーハの片側縁
に位置付ける第１の回転位置付け工程と、該第１の回転
位置付け工程が終了した後、該被加工物と該切削ブレー
ドを切削送り方向に相対的に移動する切削送りと、該第
２のストリートの間隔に対応して該被加工物と該切削ブ
レードを切削送り方向と直交する該割り出し送り方向に
相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返して、該
半導体ウエーハの片側縁から中心に向けて半面領域につ
いて複数個の第２のストリートを切削する第２の切削工
程と、該第２の切削工程が終了した後、該半導体ウエー
ハを１８０°回転するとともに、該切削ブレードを該基
台側が該半導体ウエーハの未加工領域側に向くように該
半導体ウエーハの他側縁に位置付ける第２の回転位置付
け工程と、該第２の回転位置付け工程が終了した後、該
被加工物と該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移
動する切削送りと、該第２のストリートの間隔に対応し
て該被加工物と該切削ブレードを切削送り方向と直交す
る該割り出し送り方向に相対的に移動する割り出し送り
とを順次繰り返して、該半導体ウエーハの他側縁から中
心に向けて残りの半面領域について複数個の第２のスト
リートを切削する第３の切削工程と、を含む、ことを特
徴とするダイシング方法が提供される。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるダイシング方
法の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明
する。
【００１１】図１には、本発明によるダイシング方法を
実施するためのダイシング装置の斜視図が示されてい
る。図１に示されたダイシング装置は、略直方体状の装
置ハウジング１０を具備している。この装置ハウジング
１０内には、図２に示す静止基台２と、該静止基台２に
切削送り方向である矢印Ｘで示す方向に移動可能に配設
され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静
止基台２に割り出し方向である矢印Ｙで示す方向（切削
送り方向である矢印Ｘで示す方向に垂直な方向）に移動
可能に配設されたスピンドル支持機構４と、該スピンド
ル支持機構４に切り込み方向である矢印Ｚで示す方向に
移動可能に配設されたスピンドルユニット５が配設され
ている。
【００１２】上記チャックテーブル機構３は、静止基台
２上に配設され複数個の取付けボルト３ａによって固定
された支持台３１と、該支持台３１上に矢印Ｘで示す方
向に沿って平行に配設された２本の案内レール３２、３
２と、該案内レール３２、３２上に矢印Ｘで示す方向に
移動可能に配設されたチャックテーブル３３を具備して
いる。このチャックテーブル３３は、案内レール３２、
３２上に移動可能に配設された吸着チャック支持台３３
１と、該吸着チャック支持台３３１上に装着された吸着
チャック３３２を具備しており、該吸着チャック３３２
上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図
示しない吸引手段によって保持するようになっている。
なお、チャックテーブル機構３は、チャックテーブル３
３を２本の案内レール３２、３２に沿って矢印Ｘで示す
方向に移動させるための駆動手段３４を具備している。
駆動手段３４は、上記２本の案内レール３２と３２の間
に平行に配設された雄ネジロッド３４１と、該雄ネジロ
ッド３４１を回転駆動するためのパルスモータ３４２等
の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３４１は、その一
端が上記支持台３１に固定された軸受ブロック３４３に
回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモー
タ３４２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動連
結されている。なお、雄ネジロッド３４１は、チャック
テーブル３３を構成する吸着チャック支持台３３１の中
央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロッ
クに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従っ
て、パルスモータ３４２によって雄ネジロッド３４１を
正転および逆転駆動することにより、チャックテーブル
３３は案内レール３２、３２に沿って矢印Ｘで示す方向
に移動せしめられる。また、チャックテーブル機構３
は、チャックテーブル３３を回転する図示しない回転機
構を具備している。
【００１３】上記スピンドル支持機構４は、静止基台２
上に配設され複数個の取付けボルト４ａによって固定さ
れた支持台４１と、該支持台４１上に矢印Ｙで示す方向
に沿って平行に配設された２本の案内レール４２、４２
と、該案内レール４２、４２上に矢印Ｙで示す方向に移
動可能に配設された可動支持基台４３を具備している。
この可動支持基台４３は、案内レール４２、４２上に移
動可能に配設された移動支持部４３１と、該移動支持部
４３１に取り付けられたスピンドル装着部４３２とから
なっている。スピンドル装着部４３２には取付けブラケ
ット４３３が固定されており、この取付けブラケット４
３３を複数個の取付けボルト４０ａによって移動支持部
４３１に締結することにより、スピンドル装着部４３２
は移動支持部４３１に取り付けられる。また、スピンド
ル装着部４３２は、上記取付けブラケット４３３を装着
した面と反対側の面に矢印Ｚで示す方向に延びる２本の
案内レール４３２ａ、４３２ａが平行に設けられてい
る。なお、スピンドル支持機構４は、可動支持基台４３
を２本の案内レール４２、４２に沿って矢印Ｙで示す方
向に移動させるための駆動手段４４を具備している。駆
動手段４４は、上記２本の案内レール４２、４２の間に
平行に配設された雄ネジロッド４４１と、該雄ねじロッ
ド４４１を回転駆動するためのパルスモータ４４２等の
駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４４１は、その一端
が上記支持台４１に固定された図示しない軸受ブロック
に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモ
ータ４４２の出力軸に図示しない減速装置を介して伝動
連結されている。なお、雄ネジロッド４４１は、可動支
持基台４３を構成する移動支持部４３１の中央部下面に
突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成さ
れた貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモ
ータ４４２によって雄ネジロッド４４１を正転および逆
転駆動することにより、可動支持基台４３は案内レール
４２、４２に沿って矢印Ｙで示す方向に移動せしめられ
る。
【００１４】上記スピンドルユニット５は、移動基台５
１と、該移動基台５１に複数個の取付けボルト５ａによ
って固定されたスピンドルホルダ５２と、該スピンドル
ホルダ５２に取り付けられたスピンドルハウジング５３
を具備している。移動基台５１は、上記スピンドル支持
機構４のスピンドル装着部４３２に設けられた２本の案
内レール４３２ａ、４３２ａに摺動可能に嵌合する２本
の被案内レール５１ａ、５１ａが設けられており、この
被案内レール５１ａ、５１ａを上記案内レール４３２
ａ、４３２ａに嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向
に移動可能に支持される。上記スピンドルハウジング５
３内には、上述した図５に示す切削ブレード５４を装着
した回転スピンドル５６が回転自在に配設されている。
この回転スピンドル５６は、図示しない回転駆動機構に
よって回転駆動されるようになっている。なお、スピン
ドルユニット５は、移動基台５１を２本の案内レール４
３２ａ、４３２ａに沿って矢印Ｚで示す方向に移動させ
るための駆動手段５５を具備している。駆動手段５５
は、上記駆動手段３４および４４と同様に案内レール４
３２ａ、４３２ａの間に配設された雄ネジロッド（図示
せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルス
モータ５５２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５
５２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転
駆動することにより、スピンドルユニット５を案内レー
ル４３２ａ、４３２ａに沿って矢印Ｚで示す方向に移動
せしめる。
【００１５】図示のダイシング装置は、図１に示すよう
に被加工物である半導体ウエーハ１１をストックするカ
セット１２と、被加工物搬出手段１３と、被加工物搬送
手段１４と、洗浄手段１５と、洗浄搬送手段１６、およ
び顕微鏡やＣＣＤカメラ等で構成されるアライメント手
段１７を具備している。なお、半導体ウエーハ１１は、
フレーム１１１にテープ１１２によって装着されてお
り、フレーム１１１に装着された状態で上記カセット１
２に収容される。また、カセット１２は、図示しない昇
降手段によって上下に移動可能に配設されたカセットテ
ーブル１２１上に載置される。次に、上述したダイシン
グ装置の加工処理動作について簡単に説明する。カセッ
ト１２の所定位置に収容されたフレーム１１１に装着さ
れた状態の半導体ウエーハ１１（以下、フレーム１１１
に装着された状態の半導体ウエーハ１１を単に半導体ウ
エーハ１１という）は、図示しない昇降手段によってカ
セットテーブル１２１が上下動することにより搬出位置
に位置付けられる。次に、被加工物搬出手段１３が進退
作動して搬出位置に位置付けられた半導体ウエーハ１１
を被加工物載置領域１８に搬出する。被加工物載置領域
１８に搬出された半導体ウエーハ１１は、被加工物搬送
手段１４の旋回動作によって上記チャックテーブル機構
３を構成するチャックテーブル３３の吸着チャック３３
２上に搬送され、該吸着チャック３３２に吸引保持され
る。このようにして半導体ウエーハ１１を吸引保持した
チャックテーブル３３は、案内レール３２、３２に沿っ
てアライメント手段１７の直下まで移動せしめられる。
チャックテーブル３３がアライメント手段１７の直下に
位置付けられると、アライメント手段１７によって半導
体ウエーハ１１に形成されている切断ラインが検出さ
れ、精密位置合わせ作業が行われる。その後、半導体ウ
エーハ１１を吸引保持したチャックテーブル３３を切削
送り方向である矢印Ｘで示す方向（切削ブレード５４の
回転軸と直交する方向）に移動することにより、チャッ
クテーブル３３に保持された半導体ウエーハ１１は切削
ブレード５４の切れ刃５４２により所定の切断ラインに
沿って切断される。即ち、切削ブレード５４は割り出し
方向である矢印Ｙで示す方向および切り込み方向である
矢印Ｚで示す方向に移動調整されて位置決めされたスピ
ンドルユニット５に装着され、回転駆動されているの
で、チャックテーブル３３を切削ブレード５４の下側に
沿って切削送り方向に移動することにより、チャックテ
ーブル３３に保持された半導体ウエーハ１１は切削ブレ
ード５４の切れ刃５４２により所定の切断ラインに沿っ
て切断され、半導体チップに分割される。分割された半
導体チップは、テープ１１２の作用によってバラバラに
はならず、フレーム１１１に装着された半導体ウエーハ
１１の状態が維持されている。このようにして半導体ウ
エーハ１１の切断が終了した後、半導体ウエーハ１１を
保持したチャックテーブル３３は、最初に半導体ウエー
ハ１１を吸引保持した位置に戻され、ここで半導体ウエ
ーハ１１の吸引保持を解除する。次に、半導体ウエーハ
１１は、洗浄搬送手段１６によって洗浄手段１５に搬送
され、ここで洗浄される。このようにして洗浄された半
導体ウエーハ１１は、被加工物搬送手段１４によって被
加工物載置領域１８に搬出される。そして、半導体ウエ
ーハ１１は、被加工物搬出手段１３によってカセット１
２の所定位置に収納される。
【００１６】次に、上述したダイシング装置によって半
導体ウエーハを切削するダイシング方法の一実施形態
（第１の発明）について、図３を参照して説明する。図
３の（ａ）に示すように半導体ウエーハ１１を第１のス
トリート１１ａが矢印Ｘで示す切削送り方向（図３の
（ｂ）参照）になるように位置付けるとともに、切削ブ
レード５４を半導体ウエーハ１１の片側縁に位置付け
る。なお、図示の実施形態においては、切削ブレード５
４は、基台５４１側が被加工物である半導体ウエーハ１
１の未加工領域側、即ち切れ刃５４２側が矢印Ｙ１で示
す割り出し方向（図３の（ｂ）参照）に対して上流側
（図３において上側）になるようにセットされている。
次に、図３の（ｂ）に示すように半導体ウエーハ１１と
切削ブレード５４を切削送り方向Ｘで示す方向に相対的
に移動する切削送りと、１本のストリートを切削した後
に切削ブレード５４を矢印Ｙ１で示す割り出し方向に移
動する割り出し送りとを順次繰り返して遂行する第１の
切削工程によって、複数個の第１のストリート１１ａを
切削する。第１の切削工程が終了したら、図３の（ｃ）
に示すように半導体ウエーハ１１を９０°回転させて第
２のストリート１１ｂが矢印Ｘで示す切削送り方向にな
るように位置付ける回転位置付け工程を実行するととも
に、切削ブレード５４を矢印Ｙ２で示す方向に移動して
半導体ウエーハ１１の片側縁に位置付ける。このとき、
切削ブレード５４は、基台５４１側が被加工物である半
導体ウエーハ１１の未加工領域側を向く。即ち切れ刃５
４２側が矢印Ｙ１で示す割り出し方向に対して上流側
（図３において上側）になる。次に、図３の（ｄ）に示
すように半導体ウエーハ１１と切削ブレードを切削送り
方向Ｘで示す方向に相対的に移動する切削送りと、１本
のストリートを切削した後に切削ブレード５４を矢印Ｙ
１で示す割り出し方向に移動する割り出し送りとを順次
繰り返して遂行する第２の切削工程によって、複数個の
第２のストリート１１ｂを切削する。
【００１７】以上のように、図３に示す実施形態におい
ては、第２の切削工程において切削ブレード５４は、切
れ刃５４２が矢印Ｙ１で示す割り出し方向に対して上流
側（図３において上側）に位置しているので、切断によ
って形成されたペレット１１０は常に切れ刃５４２の矢
印Ｙ１で示す割り出し方向に対して上流側（図３におい
て上側）即ち後側となる。従って、ペレットは切れ刃５
４２の矢印Ｙ１で示す割り出し方向に対して下流側（図
３において下側）即ち基台５４１側には形成されないの
で、基台５４１と切れ刃５４２との間にペレット１１０
が食い込むことはないため、切れ刃５４２の損傷が防止
できる。なお、図３に示す実施形態においては、第２の
切削工程において半導体ウエーハ１１の半面領域を切削
した後は、切れ刃５４２の矢印Ｙ１で示す割り出し方向
に対して下流側（図３において下側）即ち基台５４１側
において外周に小さな三角形のペレット１１０が生成さ
れるため、このペレット１１０が基台５４１と切れ刃５
４２との間に食い込むことことはあるが、上記従来のダ
イシング方法に比べて少ない。
【００１８】次に、本発明によるダイシング方法の他の
実施形態（第２の発明）について、図４を参照して説明
する。図４の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）の各工程は、上記
図３に実施形態における図３の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
の各工程と同一である。図４の（ａ）、（ｂ）、（ｃ）
の各工程を遂行することにより、第１のストリート１１
ａを切削する第１の切削工程と、半導体ウエーハ１１を
９０°回転するとともに、切削ブレード５４を矢印Ｙ２
で示す方向に移動して半導体ウエーハ１１の片側縁に位
置付ける第１の回転位置付け工程が終了する。このと
き、切削ブレード５４は、基台５４１側が被加工物であ
る半導体ウエーハ１１の未加工領域側を向く。即ち切れ
刃５４２が矢印Ｙ１で示す割り出し方向に対して上流側
（図４において上側）になる。次に、図４の（ｄ）に示
すように半導体ウエーハ１１と切削ブレードを切削送り
方向Ｘで示す方向に相対的に移動する切削送りと、１本
のストリートを切削した後に切削ブレード５４を矢印Ｙ
１で示す割り出し方向に移動する割り出し送りとを順次
繰り返して半導体ウエーハ１１の片側縁から中心に向け
て半面領域について切削する第２の切削工程によって、
複数個の第２のストリート１１ｂを切削する。次に、図
４の（ｅ）に示すように半導体ウエーハ１１を１８０°
回転するとともに、切削ブレード５４を矢印Ｙ２で示す
方向に移動し、基台５４１側が被加工物である半導体ウ
エーハ１１の未加工領域側を向く。即ち切れ刃５４２が
割り出し方向に対して上流側になるようにして半導体ウ
エーハ１１の他側縁に位置付け、第２の回転位置付け工
程を遂行する。第２の回転位置付け工程が終了したら、
図４の（ｆ）に示すように半導体ウエーハ１１と切削ブ
レードを切削送り方向Ｘで示す方向に相対的に移動する
切削送りと、１本のストリートを切削した後に切削ブレ
ード５４を矢印Ｙ１で示す割り出し方向に移動する割り
出し送りとを順次繰り返して半導体ウエーハ１１の他側
縁から中心に向けて残りの半面領域について切削する第
３の切削工程を遂行することによって、複数個の第２の
ストリート１１ｂを切削する。
【００１９】以上のように図４に示す実施形態において
は、第２のストリート１１ｂを切削する第２の切削工程
および第３の切削工程においては、切削ブレード５４は
基台５４１側が被加工物である半導体ウエーハ１１の未
加工領域側、即ち切れ刃５４２が矢印Ｙ１で示す割り出
し方向に対して上流側（図３において上側）に向いてい
るので、切断されたペレット１１０は常に切れ刃５４２
の矢印Ｙ１で示す割り出し方向に対して上流側（図３に
おいて上側）即ち後側に形成される。従って、形成され
たペレット１１０は切れ刃５４２の矢印Ｙ１で示す割り
出し方向に対して下流側（図３において下側）即ち基台
５４１側には形成されないので、基台５４１と切れ刃５
４２との間にペレット１１０が食い込むことはないた
め、切れ刃５４２の損傷が防止できる。
【００２０】図８は、本発明者が実施した図７に示す従
来のダイシング方法と、図３に示す第１の発明および図
４に示す第２の発明によって、それぞれ半導体ウエーハ
を１ｍｍ角のペレットに切削したときの、切れ刃が破損
するまでの寿命を示す実験である。図８に示すように、
切れ刃が破損するまでに切削した長さは、従来のダイシ
ング方法では長さが１２．２ｍであったが、第１の発明
においては２６．２ｍ、第２の発明においては５１．６
ｍであった。このように本発明によれば、切れ刃の寿命
を従来の方法に比して第１の発明が２倍以上、第２の発
明が４倍以上とすることができる。
【００２１】以上、本発明を図示の実施形態に基づいて
説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるもので
はない。図示の実施形態においては、切削ブレード５４
として基台５４１の片面側に形成された切れ刃５４２が
スピンドルハウジング５３側に設けられたものを使用し
た例を示したが、基台５４１の片面側に形成された切れ
刃５４２がスピンドルハウジング５３側と反対側、即ち
基台５４１がスピンドルハウジング５３側を向くように
設けられた切削ブレードを使用することもできる。この
場合、図３および図４において第２のストリート１１ｂ
を切削する切削工程においては、切削ブレードの割り出
し送り方向は矢印Ｙ２で示す方向となる。また、図示の
実施形態においては、第１のストリート１１ａと第２の
ストリート１１ｂが直交して形成された半導体ウエーハ
のダイシング方法について説明したが、本発明は第１の
ストリート１１ａと第２のストリート１１ｂが９０°以
外の任意の所定角度をもって交差するように形成された
被加工物のダイシングにも適用できることはいうまでも
ない。
【００２２】
【発明の効果】本発明による切削方法は以上のように構
成されているので、次の作用効果を奏する。
【００２３】即ち、本発明によれば、第２のストリート
を切削する切削工程においては、切削ブレードが基台側
が被加工物の未加工領域側に向くよう位置しているの
で、切断によって形成されたペレットは常に切れ刃の割
り出し方向に対して上流側となる。従って、ペレットは
切削ブレードの基台側には形成されないので、基台と切
れ刃との間に食い込むことはないため、切れ刃の損傷が
防止できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明によるダイシング方法を実施するための
切削装置であるダイシング装置の斜視図。
【図２】図１に示すダイシング装置の要部斜視図。
【図３】本発明によるダイシング方法の一実施形態を示
す説明図。
【図４】本発明によるダイシング方法の他の実施形態を
示す説明図。
【図５】ダイシング装置に装備される切削ブレードの回
転スピンドルに装着された状態を示す断面図。
【図６】図５に示す切削ブレードによって半導体ウエー
ハを切削している状態を示す要部拡大断面図。
【図７】従来のダイシング方法を示す説明図。
【図８】従来のダイシング方法と本発明によってそれぞ
れ半導体ウエーハを切削したときの、切れ刃が破損する
までの寿命を示すグラフある。
【符号の説明】
２：静止基台 ３：チャックテール機構 ３１：チャックテーブル機構の支持台 ３２：チャックテーブル機構の案内レール ３３：チャックテーブル機構のチャックテール ３４：チャックテーブル機構の駆動手段 ４：スピンドル支持機構 ４１：チャックテーブル機構の支持台 ４２：チャックテーブル機構の案内レール ４３：チャックテーブル機構の可動支持基台 ４４：チャックテーブル機構の駆動手段 ５：スピンドルユニット ５３：スピンドルユニットのスピンドルハウジング ５４：切削ブレード ５４１：切削ブレードの基台 ５４２：切削ブレードの切れ刃 ５５：スピンドルユニットの駆動手段 ５６：回転スピンドル ５８：挟持フランジ １０：装置ハウジング １１：半導体ウエーハ １２：カセット １３：被加工物搬出手段 １４：被加工物搬送手段 １５：洗浄手段 １６：洗浄搬送手段 １７：アライメント手段

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平行に形成された複数個の第１のストリ
    ートと該第１のストリートと所定角度をもって交差する
    方向に平行に形成された複数個の第２のストリートとを
    有する被加工物を、基台の片側面外周部に設けられた環
    状の切れ刃を有する切削ブレードにより、該第１のスト
    リートおよび該第２のストリートに沿って切削するダイ
    シング方法であって、 該被加工物を該第１のストリートが切削送り方向になる
    ように位置付け、該被加工物と該切削ブレードを切削送
    り方向に相対的に移動する切削送りと、該第１のストリ
    ートの間隔に対応して該被加工物と該切削ブレードを切
    削送り方向と直交する割り出し送り方向に相対的に移動
    する割り出し送りとを順次繰り返して、複数個の第１の
    ストリートを切削する第１の切削工程と、 該第１の切削工程が終了した後、該被加工物を所定角度
    回転して該第２のストリートが切削送り方向になるよう
    に位置付けるとともに、該切削ブレードを該基台側が該
    被加工物の未加工領域側に向くように該被加工物の片側
    縁に位置付ける回転位置付け工程と、 該回転位置付け工程が終了した後、該被加工物と該切削
    ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削送り
    と、該第２のストリートの間隔に対応して該被加工物と
    該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し送り
    方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り返し
    て、複数個の第２のストリートを切削する第２の切削工
    程と、を含む、 ことを特徴とするダイシング方法。
  2. 【請求項２】 フレームにテープを介して装着され平行
    に形成された複数個の第１のストリートと該第１のスト
    リートと所定角度をもって交差する方向に平行に形成さ
    れた複数個の第２のストリートとを有する半導体ウエー
    ハを、基台の片側面外周部に設けられた環状の切れ刃を
    有する切削ブレードにより、該第１のストリートおよび
    該第２のストリートに沿って切削するダイシング方法で
    あって、該半導体ウエーハを該第１のストリートが切削
    送り方向になるように位置付け、該半導体ウエーハと該
    切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削送
    りと、該第１のストリートの間隔に対応して該半導体ウ
    エーハと該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り
    出し送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次
    繰り返して、複数個の第１のストリートを切削する第１
    の切削工程と、 該第１の切削工程が終了した後、該半導体ウエーハを所
    定角度回転して該第２のストリートが切削送り方向にな
    るように位置付けるとともに、該切削ブレードを該基台
    側が該半導体ウエーハの未加工領域側に向くように該半
    導体ウエーハの片側縁に位置付ける第１の回転位置付け
    工程と、 該第１の回転位置付け工程が終了した後、該被加工物と
    該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削
    送りと、該第２のストリートの間隔に対応して該被加工
    物と該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し
    送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り
    返して、該半導体ウエーハの片側縁から中心に向けて半
    面領域について複数個の第２のストリートを切削する第
    ２の切削工程と、 該第２の切削工程が終了した後、該半導体ウエーハを１
    ８０°回転するとともに、該切削ブレードを該基台側が
    該半導体ウエーハの未加工領域側に向くように該半導体
    ウエーハの他側縁に位置付ける第２の回転位置付け工程
    と、 該第２の回転位置付け工程が終了した後、該被加工物と
    該切削ブレードを切削送り方向に相対的に移動する切削
    送りと、該第２のストリートの間隔に対応して該被加工
    物と該切削ブレードを切削送り方向と直交する割り出し
    送り方向に相対的に移動する割り出し送りとを順次繰り
    返して、該半導体ウエーハの他側縁から中心に向けて残
    りの半面領域について複数個の第２のストリートを切削
    する第３の切削工程と、を含む、 ことを特徴とするダイシング方法。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002373870A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの加工方法
JP2006216663A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Disco Abrasive Syst Ltd 露光装置
JP2008060164A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2008105114A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd ハブブレードおよび切削装置
US7459378B2 (en) 2004-11-12 2008-12-02 Disco Corporation Wafer dividing method
JP2013258235A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
CN104108139A (zh) * 2013-04-18 2014-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mems晶圆的切割方法
DE102019219078A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Disco Corporation Werkstückbearbeitungsverfahren und herstellungsverfahren für einen bauelementchip

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3621908B2 (ja) * 2001-10-11 2005-02-23 松下電器産業株式会社 ベアチップ実装方法および実装システム
US6703318B1 (en) * 2002-10-29 2004-03-09 Silicon Storage Technology, Inc. Method of planarizing a semiconductor die
JP4408361B2 (ja) * 2003-09-26 2010-02-03 株式会社ディスコ ウエーハの分割方法
JP2006073690A (ja) * 2004-09-01 2006-03-16 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP4018096B2 (ja) * 2004-10-05 2007-12-05 松下電器産業株式会社 半導体ウェハの分割方法、及び半導体素子の製造方法
JP4677331B2 (ja) 2005-11-30 2011-04-27 エルピーダメモリ株式会社 島状の分散構造を備えた半導体チップおよびその製造方法
US8053279B2 (en) * 2007-06-19 2011-11-08 Micron Technology, Inc. Methods and systems for imaging and cutting semiconductor wafers and other semiconductor workpieces
TW201007830A (en) * 2008-08-15 2010-02-16 Zen Voce Corp Jump-cut method for arrayed workpiece
JP5672242B2 (ja) 2009-12-24 2015-02-18 株式会社村田製作所 電子部品の製造方法
JP6211884B2 (ja) * 2013-10-10 2017-10-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP2016127232A (ja) * 2015-01-08 2016-07-11 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4688540A (en) * 1984-12-27 1987-08-25 Disco Abrasive Systems, Ltd. Semiconductor wafer dicing machine
US4787362A (en) * 1986-10-20 1988-11-29 Thermocarbon, Inc. Abrasive blade having a polycrystalline ceramic core
US5952725A (en) * 1996-02-20 1999-09-14 Micron Technology, Inc. Stacked semiconductor devices
JPH10177975A (ja) * 1996-10-18 1998-06-30 Fujitsu Ltd ダイシングブレード、前記ダイシングブレードを使ったダイシング方法、および半導体装置の製造方法
US6250192B1 (en) * 1996-11-12 2001-06-26 Micron Technology, Inc. Method for sawing wafers employing multiple indexing techniques for multiple die dimensions
US5803797A (en) * 1996-11-26 1998-09-08 Micron Technology, Inc. Method and apparatus to hold intergrated circuit chips onto a chuck and to simultaneously remove multiple intergrated circuit chips from a cutting chuck
JPH1140521A (ja) * 1997-05-20 1999-02-12 Seiko Instr Inc 半導体チップの製造方法
SG99277A1 (en) * 1998-02-05 2003-10-27 Texas Instr Singapore Pte Ltd Partial semionductor wafer processing with multiple cuts of random sizes
US6150240A (en) * 1998-07-27 2000-11-21 Motorola, Inc. Method and apparatus for singulating semiconductor devices

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4731050B2 (ja) * 2001-06-15 2011-07-20 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの加工方法
JP2002373870A (ja) * 2001-06-15 2002-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 半導体ウエーハの加工方法
US7459378B2 (en) 2004-11-12 2008-12-02 Disco Corporation Wafer dividing method
JP2006216663A (ja) * 2005-02-02 2006-08-17 Disco Abrasive Syst Ltd 露光装置
JP4571870B2 (ja) * 2005-02-02 2010-10-27 株式会社ディスコ 露光装置
JP2008060164A (ja) * 2006-08-29 2008-03-13 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法
JP2008105114A (ja) * 2006-10-24 2008-05-08 Disco Abrasive Syst Ltd ハブブレードおよび切削装置
JP2013258235A (ja) * 2012-06-12 2013-12-26 Disco Abrasive Syst Ltd 切削方法
CN104108139A (zh) * 2013-04-18 2014-10-22 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mems晶圆的切割方法
CN104108139B (zh) * 2013-04-18 2015-12-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 一种mems晶圆的切割方法
DE102019219078A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Disco Corporation Werkstückbearbeitungsverfahren und herstellungsverfahren für einen bauelementchip
KR20200069246A (ko) 2018-12-06 2020-06-16 가부시기가이샤 디스코 피가공물의 가공 방법, 디바이스 칩의 제조 방법
US11251083B2 (en) 2018-12-06 2022-02-15 Disco Corporation Workpiece processing method and device chip manufacturing method

Also Published As

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JP4347960B2 (ja) 2009-10-21
DE10044463B4 (de) 2009-07-09
SG98424A1 (en) 2003-09-19
DE10044463A1 (de) 2001-06-07
TW490752B (en) 2002-06-11
US6498075B1 (en) 2002-12-24

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