JP2011077219A - ウエーハの加工方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 33
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 27
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 17
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 7
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 94
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 17
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- -1 gallium nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
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- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
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- H—ELECTRICITY
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Abstract
【解決手段】 ウエーハの加工方法であって、円筒状部材上に粘着テープを介して環状フレームに支持されたウエーハを載置し、クランプで環状フレームを固定する。この状態で円筒状部材とクランプとを粘着テープに直交する方向に相対移動させてウエーハが貼着された粘着テープを拡張し、隣接するチップ間に間隙を形成する。張替用環状フレームユニットを準備して、張替用環状フレームユニットの環状テープとウエーハの外周に位置する円筒部材上の粘着テープを貼り合わせた後、環状フレームの開口縁より内側の環状テープと接着してない部分の粘着テープを環状に切断する。
【選択図】図12
Description
また、特許文献3では、ウエーハに対して大きめな環状フレームを使用して(例えば、φ8インチのウエーハにφ12インチ用の環状フレームを使用)エキスパンド後、拡張された粘着テープ部分に一回り小さな環状フレームを載置し、フレームをインチダウンして貼りかえるといった方法によって、エキスパンド後の粘着テープの弛み部分を除いて小径の環状フレームでエキスパンド後のウエーハを支持する方法を開示している。
波長 :1064nm
繰り返し周波数 :100kHz
平均出力 :1W
集光スポット径 :φ1μm
加工送り速度 :100mm/秒
波長 :355nm(LVO4レーザの第3高調波)
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 :3W
集光スポット径 :φ5μm
加工送り速度 :200mm/秒
D チップ(デバイス)
T 粘着テープ
F 環状フレーム
12 チャックテーブル
14 レーザビーム照射ユニット
16 集光器
30 改質層
36 レーザ加工溝
42 切削ブレード
44 拡張装置
46 保持手段
48 円筒状部材
50 間隙
52 撮像装置
55 張替用環状フレームユニット
56 環状フレーム
58 環状テープ
60 開口
64 切断手段
Claims (3)
- 表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にデバイスを有するウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
第1の環状フレームの開口部中央に該ウエーハを位置付け、延性を有する粘着テープを該第1環状フレームの開口部を塞ぐように該第1環状フレーム及び該ウエーハに貼着する粘着テープ貼着工程と、
該ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザビームを該分割予定ラインに沿って照射し、該ウエーハの内部に該分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成工程と、
該第1環状フレームの内径より小さく該ウエーハの外径より大きい外径を有する円筒状部材と、該第1環状フレームを保持する保持手段とを備えた拡張装置に、該第1環状フレームに支持されるとともに該改質層形成工程を経た該ウエーハを載置する拡張準備工程と、
該円筒状部材と該保持手段とを該粘着テープに直交する方向に相対移動させて該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張し、該ウエーハを該改質層が形成された該分割予定ラインに沿って個々のチップに分割するとともに、隣接するチップ間に間隙を形成する粘着テープ拡張工程と、
延性の低い基材と粘着層からなる環状テープの開口が、第2環状フレームの開口中央に位置づけられて該環状テープが該第2環状フレームに貼着されており、該環状テープの開口は該粘着テープ拡張工程で隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハの外径より大きい直径である張替用環状フレームユニットを準備する張替用環状フレームユニット準備工程と、
該張替用環状フレームユニットの該環状テープの開口内側に該テープ拡張工程によって隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハを位置付け、該環状テープの粘着面側と該ウエーハの周囲に位置する該円筒状部材上の該粘着テープの粘着面側を貼り合わせるテープ貼り合わせ工程と、
該テープ貼り合わせ工程で形成された該環状テープと該粘着テープが貼り合わされた範囲より外周側で、該第1環状フレームの開口縁より内側の該環状テープと接着していない部分の該粘着テープを環状に切断する粘着テープ切断工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 表面に複数のデバイスが格子状の分割予定ラインによって区画されて形成され、且つ該分割予定ラインに沿って各チップに分割されるとともに、第1環状フレームの開口中央付近に延性を有する粘着テープによって固定されたウエーハを加工するウエーハの加工方法であって、
該第1環状フレームの内径より小さく該ウエーハの外径より大きい外径を有する円筒状部材と、該第1環状フレームを保持する保持手段とを備えた拡張装置に該第1環状フレームに支持された該ウエーハを載置する拡張準備工程と、
該円筒状部材と該保持手段とを該粘着テープに直交する方向に相対移動させて該ウエーハが貼着された該粘着テープを拡張し、隣接するチップ間に間隙を形成する粘着テープ拡張工程と、
延性の低い基材と粘着層からなる環状テープの開口が、第2環状フレームの開口中央に位置づけられて該環状テープが該第2環状フレームに貼着されており、該環状テープの開口は該粘着テープ拡張工程で隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハの外径より大きい直径である張替用環状フレームユニットを準備する張替用環状フレームユニット準備工程と、
該張替用環状フレームユニットの該環状テープの開口内側に該テープ拡張工程によって隣接するチップ間に間隙が形成された状態の該ウエーハを位置付け、該環状テープの粘着面側と該ウエーハの周囲に位置する該円筒状部材上の該粘着テープの粘着面側を貼り合わせるテープ貼り合わせ工程と、
該テープ貼り合わせ工程で形成された該環状テープと該粘着テープが貼り合わされた範囲より外周側で、該第1環状フレームの開口縁より内側の該環状テープと接着していない部分の該粘着テープを環状に切断する粘着テープ切断工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハの加工方法。 - 前記粘着テープ拡張工程は、隣接するチップ間の間隙を観察し、所定の間隙になるまで拡張を続けることを特徴とする請求項1又は2記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225796A JP5495695B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | ウエーハの加工方法 |
DE102010046665.4A DE102010046665B4 (de) | 2009-09-30 | 2010-09-27 | Waferbearbeitungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009225796A JP5495695B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011077219A true JP2011077219A (ja) | 2011-04-14 |
JP5495695B2 JP5495695B2 (ja) | 2014-05-21 |
Family
ID=43799057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009225796A Active JP5495695B2 (ja) | 2009-09-30 | 2009-09-30 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5495695B2 (ja) |
DE (1) | DE102010046665B4 (ja) |
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-
2009
- 2009-09-30 JP JP2009225796A patent/JP5495695B2/ja active Active
-
2010
- 2010-09-27 DE DE102010046665.4A patent/DE102010046665B4/de active Active
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JP7154686B2 (ja) | 2018-06-06 | 2022-10-18 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5495695B2 (ja) | 2014-05-21 |
DE102010046665A1 (de) | 2011-04-21 |
DE102010046665B4 (de) | 2019-02-21 |
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