JP2005338281A - 薄膜デバイスの製造方法およびガラス基板の貼り合わせ方法 - Google Patents
薄膜デバイスの製造方法およびガラス基板の貼り合わせ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005338281A JP2005338281A JP2004155002A JP2004155002A JP2005338281A JP 2005338281 A JP2005338281 A JP 2005338281A JP 2004155002 A JP2004155002 A JP 2004155002A JP 2004155002 A JP2004155002 A JP 2004155002A JP 2005338281 A JP2005338281 A JP 2005338281A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- manufacturing
- film device
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Abstract
【課題】 より薄型の基板を用いて、より多くの表示デバイスを一括して簡便に製造することのできる方法を提供する。
【解決手段】 レーザビーム70を照射して基板11を支持基板12上に融着したのち、複数の薄膜パターン17を形成し、封止基板18を接着させる。再度レーザビーム70を照射して基板11および封止基板18を分割して、表示パネル10を切り出す。基板11および封止基板18を、これらよりも厚く、たわみ量の少ない支持基板12の上に重ねて載置した状態のまま融着やスクライブ線の形成、あるいは搬送などを行うことができる。当初より所望の厚みを有する基板11および封止基板17を用いることができ、化学エッチングや機械研磨などによる厚み方向の加工が不要となる。より薄く、軽量な表示パネル10を備えた複数の有機発光表示デバイスを、より簡便に一括して製造することができる。
【選択図】 図2
【解決手段】 レーザビーム70を照射して基板11を支持基板12上に融着したのち、複数の薄膜パターン17を形成し、封止基板18を接着させる。再度レーザビーム70を照射して基板11および封止基板18を分割して、表示パネル10を切り出す。基板11および封止基板18を、これらよりも厚く、たわみ量の少ない支持基板12の上に重ねて載置した状態のまま融着やスクライブ線の形成、あるいは搬送などを行うことができる。当初より所望の厚みを有する基板11および封止基板17を用いることができ、化学エッチングや機械研磨などによる厚み方向の加工が不要となる。より薄く、軽量な表示パネル10を備えた複数の有機発光表示デバイスを、より簡便に一括して製造することができる。
【選択図】 図2
Description
本発明は、例えば携帯用電子機器のディスプレイパネルに使用される薄型のガラス基板の貼り合わせ方法、並びにそれを用いた薄膜デバイスの製造方法に関する。
TFT(Thin Film Transistor;薄膜トランジスタ)基板を有する液晶表示パネルや有機発光素子が形成された基板を有する有機EL(Electroluminescence )表示パネルを形成するにあたっては、一対のガラス基板に1つの表示パネルを形成する場合もあるが、生産効率上の観点から、大面積のガラス基板(以下、大型ガラス基板という。)に複数個の表示素子を一括して作り込み、それを分断することにより個々の表示パネルに分割する方法が一般的である。特に、携帯用電子機器(例えば、ディジタルカメラ、携帯電話およびPDA[Personal Digital Assistant])に搭載される表示パネルは比較的小さな面積であることから、上記のように、大型ガラス基板に多数の表示素子を作り込む方法が採られる。
近年、携帯用電子機器に用いられる表示パネルに対し、薄型化や軽量化の要望が高まっている。表示パネルにおいて、厚さおよび重さを大きく左右するものはガラス基板であることから、表示パネルの薄型化および軽量化には、ガラス基板を薄くする必要がある。ところが、大型ガラス基板の厚みを極端に薄くすると、それ自身の重み(自重)によって発生するたわみにより、生産ラインにおける搬送上の不具合や取扱い性の悪化等を招き、生産効率が低下することとなるので、ある程度の厚みを確保する必要がある。例えば、600mm×720mmの寸法を有する大型ガラス基板の場合、その厚みの下限値は約0.7mmである。しかしながら、今後、例えば0.5mm程度のより薄い厚みが要求されることも予想されている。その要求に応える技術としては、大別すると下記の2種類が提案されている。
まず第1に、機械的に研磨を行う方法が挙げられる(例えば、特許文献1参照。)。この方法では、図7に示したように、まず、TFTや有機発光素子などの薄膜パターン112を形成した母材基板111と、カラーフィルタなどの薄膜パターン122を形成した他の母材基板122とを用意する。次いで、それらを薄膜パターン112と薄膜パターン122とを対向させて接着剤を用いて貼り合わせることにより、貼り合わせ基板113を形成する。そののち、母材基板111,121の裏面113A,113Bを研磨剤等を用いて研磨し、所望の厚み(例えば、全体として1mm厚)となるように調整する。そののち、所望の寸法ごとに切り出し、薄型の表示パネル110を得る。
第2に、化学的エッチングを行う方法が挙げられる(例えば、特許文献2参照。)。この方法は、上記と同様にして形成した貼り合わせ基板113を、フッ酸等のエッチング液に浸漬することによりエッチングし、所望の厚みとなるようにするものである。
このほか、上記の機械的研磨と化学的エッチングとを併用する方法もある(例えば、特許文献1,3参照。)。
しかしながら、特許文献1に記載されたような機械的研磨による方法では、大きな荷重を加えながら研磨を行うことから、表示パネル内部にクラックなどの欠陥を生じやすい、研磨による傷が生じやすい、除去したガラス(図7における残渣114)の回収が困難である、などの問題のほか、化学的エッチング等に比べると所要時間が長く量産性が悪い、という問題があった。一方、特許文献2に記載されたような化学的エッチング法では、フッ酸等の薬品の取扱いに特段の注意を要する、除去したガラスの回収が困難である、厚みの均一化が困難である、などの問題があった。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、第1の目的は、より薄型の基板を用いて、より多くの薄膜デバイスを一括して簡便に製造することのできる薄膜デバイスの製造方法を提供することにある。
また、本発明の第2の目的は、より薄く、より大きな面積を有する薄型のガラス基板同士を容易に貼り合わせることのできる貼り合わせ方法を提供することにある。
本発明による第1の薄膜デバイスの製造方法は、以下の(A)〜(E)の各工程を含み、一方の基板に薄膜パターンを有するパネルを得るものである。
(A)複数のパターン領域を有する第1基板を、この第1基板よりも厚い支持基板の上に載置する工程
(B)第1エネルギービームを照射することにより、第1基板と支持基板との融着部を、パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程
(C)第1基板における複数のパターン領域に、それぞれ薄膜パターンを形成する工程と、
(D)複数の薄膜パターンが形成された第1基板に、支持基板よりも薄い第2基板を重ね合わせて接着させる工程
(E)複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って第1基板および第2基板を複数のパネルに分断すると共に、パネルを支持基板から切り離す工程
(A)複数のパターン領域を有する第1基板を、この第1基板よりも厚い支持基板の上に載置する工程
(B)第1エネルギービームを照射することにより、第1基板と支持基板との融着部を、パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程
(C)第1基板における複数のパターン領域に、それぞれ薄膜パターンを形成する工程と、
(D)複数の薄膜パターンが形成された第1基板に、支持基板よりも薄い第2基板を重ね合わせて接着させる工程
(E)複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って第1基板および第2基板を複数のパネルに分断すると共に、パネルを支持基板から切り離す工程
本発明による第2の薄膜デバイスの製造方法は、以下の(A)〜(E)の各工程を含み、両方の基板に薄膜パターンを有するパネルを得るものである。
(A)複数のパターン領域を有する第1基板を2つ用意し、一方の第1基板をこの基板よりも厚い第1支持基板上に載置すると共に、他方の第1基板をこの基板よりも厚い第2の支持基板上に載置する工程
(B)第1エネルギービームを照射することにより、第1基板と第1支持基板との融着部、第2基板と第2支持基板との融着部をそれぞれ、パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程
(C)第1基板および第2基板の各パターン領域に薄膜パターンを形成する工程
(D)互いの薄膜パターンを対向させて第1基板と第2基板とを接着させる工程
(E)複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って、第1基板および第2基板を複数のパネルに分断すると共に、パネルを第1支持基板および第2支持基板から切り離す工程
(A)複数のパターン領域を有する第1基板を2つ用意し、一方の第1基板をこの基板よりも厚い第1支持基板上に載置すると共に、他方の第1基板をこの基板よりも厚い第2の支持基板上に載置する工程
(B)第1エネルギービームを照射することにより、第1基板と第1支持基板との融着部、第2基板と第2支持基板との融着部をそれぞれ、パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程
(C)第1基板および第2基板の各パターン領域に薄膜パターンを形成する工程
(D)互いの薄膜パターンを対向させて第1基板と第2基板とを接着させる工程
(E)複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って、第1基板および第2基板を複数のパネルに分断すると共に、パネルを第1支持基板および第2支持基板から切り離す工程
本発明による第3の薄膜デバイスの製造方法は、以下の(A)〜(D)の各工程を含むものである。
(A)複数のパターン領域を有する第1基板を、この第1基板よりも厚い支持基板の上に載置する工程
(B)第1エネルギービームを照射することにより、第1基板と支持基板との融着部を、パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程
(C)第1基板の複数のパターン領域に、それぞれ薄膜パターンを形成する工程
(D)複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って第1基板を複数のパネルに分断すると共に、パネルを支持基板から切り離す工程
(A)複数のパターン領域を有する第1基板を、この第1基板よりも厚い支持基板の上に載置する工程
(B)第1エネルギービームを照射することにより、第1基板と支持基板との融着部を、パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程
(C)第1基板の複数のパターン領域に、それぞれ薄膜パターンを形成する工程
(D)複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って第1基板を複数のパネルに分断すると共に、パネルを支持基板から切り離す工程
本発明による第1ないし第3の薄膜デバイスの製造方法では、上記の各工程を含むことにより、当初より所望の厚みを有する基板(第1基板および第2基板)が、この基板よりも厚く、たわみ量の少ない支持基板(第1支持基板および第2支持基板)の上に重ねて載置された状態のまま加工される。従って、薄膜パターンが形成される基板が極めて薄い場合であっても、たわみが発生することがなく、よって生産ラインにおける搬送が円滑になされると共に取扱いが容易になり、生産性が向上する。
また、本発明によるガラス基板の貼り合わせ方法は、第1ガラス基板の上に、この第1ガラス基板よりも薄い第2ガラス基板を載置する工程と、エネルギービームを照射することにより、第1ガラス基板と第2ガラス基板とを融着させる工程とを含むようにしたものである。
この貼り合わせ方法では、エネルギービームの照射により、第1ガラス基板と第2ガラス基板とが融着されるが、接着剤が不要であり、よって異物が混入することなく貼り合わせが行われる。
本発明に係る第1の薄膜デバイスの製造方法によれば、エネルギービームを照射することにより、第1基板と支持基板とを局所的に融着させて仮止めしたのち、第1基板に薄膜パターンを形成し、更に第2基板を重ね合わせ、次いで、これら第1基板および第2基板を分断して複数のパネルを形成すると共に、これらパネルを支持基板から切り離すようにしたので、第1基板および第2基板として、当初より所望の厚みを有し、厚み方向の加工が不要な基板を用いることができる。従って、より薄く、軽量な複数の薄膜デバイスを、化学エッチングや機械研磨を用いることなく、より簡便に一括して製造することができる。
また、本発明に係る第2の薄膜デバイスの製造方法によれば、上記第1の方法に加え、第2の基板にも薄膜パターンを形成するようにしたので、上記効果に加え、例えば、カラーフィルタを備えた有機発光表示デバイスや一対の配向膜を備えた液晶表示デバイスなど、2つの基板の双方に薄膜パターンが形成されたパネルを得ることができる。
本発明に係る第3の薄膜デバイスの製造方法によれば、エネルギービームを照射することにより、第1基板と支持基板とを局所的に融着させて仮止めしたのち、第1基板に薄膜パターンを形成し、次いで第1基板を分断して複数のパネルを形成すると共に、これらパネルを支持基板から切り離すようにしたので、上記第1の方法に同様に、第1基板を、第1基板よりも厚く、たわみ量の少ない支持基板の上に載置した状態のまま加工することができる。従って、より薄く、軽量な複数のパネルを、化学エッチングや機械研磨を用いることなく、より簡便に一括して製造することができる。
本発明に係るガラス基板の貼り合わせ方法によれば、エネルギービームの照射により、2枚の基板を融着させるようにしたので、接着剤を用いて貼り合わする場合とは異なり、異物の混入を避けることができる。また、エネルギービームを走査して選択的に照射することにより、比較的大きな面積を有するガラス基板同士であっても精度良く所望の領域のみを融着させることができる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
〔第1の実施の形態〕
まず、本発明の第1の実施の形態の説明に先立ち、図1を参照して、以下の各実施の形態に共通に用いるレーザ加工装置50について説明する。
まず、本発明の第1の実施の形態の説明に先立ち、図1を参照して、以下の各実施の形態に共通に用いるレーザ加工装置50について説明する。
レーザ加工装置50は、エネルギービーム(レーザビーム70)を照射することによって被加工物1の加工、すなわち、複数枚重ね合わされたガラス基板の貼り合わせや、分断(パネル化)などを行うものである。被加工物1は、具体的には後出の融着基板16,26や貼り合わせ基板19,19Aに対応するものである。
レーザ加工装置50は、例えば、レーザ発振器51、冷却装置52、レーザ電源53、コリメータ54、アッテネータ55、ビームエキスパンダ56、対物レンズ57、対物レンズ移動機構58、駆動電源59、位置センサ60、被加工物1を載置するステージ62、制御用コンピュータ63、モニタ64を、その主要部として備えている。
レーザ発振器51はレーザ電源53により駆動され、レーザビーム70としてパルスレーザビームを出力するものである。具体的には、レーザダイオード(LD)励起YAGレーザなどの第3高調波レーザが挙げられ、その中でも特に、発振波長が355±1nm、または349±1nmのレーザビーム70を出力するものが好ましい。レーザビーム70の被加工物1に対するその他の照射条件は、一例として、平均出力が10W、繰り返し周波数が10kHz、パルス幅が25nsec、パルスエネルギーが1mJ/pulse である。また、レーザビーム70は、高精度な加工を容易とするため、スポット形状がほぼ円形または楕円形状であることが好ましい。
このレーザ発振器51はレーザビーム70の出力に伴って発熱するため、冷却装置52により冷却されるようになっている。レーザ発振器51から出力されるレーザビーム70はミラー66A,66Bによってコリメータ54へと導かれ、ここで平行光とされるようになっている。コリメータ54により平行光とされたレーザビーム70は、1/2波長板および偏光ビームスプリッタにより構成されたアッテネータ55により透過光量が調整されるようになっている。
ビームエキスパンダ56は、レーザ発振器51から出力されてコリメータ54とアッテネータ55とを通過して到達したレーザビーム70のビーム径およびスポット形状の調整を行うものである。このビームエキスパンダ56は、倍率の変更が可能であるうえ、集光部のNA(Numerical Aperture;開口数)の調整も可能なように構成されている。ビームエキスパンダ56によりビーム径等が調整されたレーザビーム70は、立ち下げミラー66Cにより対物レンズ57へと導かれるようになっている。
対物レンズ57および対物レンズ移動機構58は、レーザビーム70の焦点位置(ビームウェスト位置)を被加工物1の厚み方向内部または外部に合わせる焦点位置調節部である。対物レンズ57は、対物レンズ移動機構58により光軸方向へ移動可能であり、レーザビーム70の焦点位置を被加工物1の厚み方向内部または外部の任意の位置に設定することができるようになっている。対物レンズ移動機構58は、対物レンズ57の位置を被加工物1の表面に対して垂直方向に移動させることでレーザビーム70の焦点位置の調節制御を行うものである。対物レンズ移動機構58には駆動電源59より電源電力が供給されるようになっている。
位置センサ60は、レーザビーム70の光軸方向(Z方向とする)における被加工物1の表面位置を測定し、その測定結果の情報を対物レンズ移動機構58へとフィードバックさせるものである。ステージ62は、被加工物1を載置した状態で、その水平方向(対物レンズ57からのレーザビーム70と直交する面内方向、XY平面内の任意の方向)における位置を調節するための移動テーブルである。このステージ62は、所定の速度で水平方向に移動可能なように構成されている。
制御用コンピュータ63は、このレーザ加工装置50における各種制御を行うものである。この制御用コンピュータ63の動作状態や各種コマンドの稼働状況のモニタリングや各種情報の表示出力がモニタ64により行われるようになっている。このモニタ64は、パーソナルコンピュータなどの情報処理装置に付設されるディスプレイにより構成されている。
以上の構成を有するレーザ加工装置50では、レーザ発振器51から出力されたレーザビーム70は、コリメータ54を通して平行光とされ、アッテネータ55により光強度を調整されたのち、ビームエキスパンダ56によってビーム径が調整され、対物レンズ57を経由して被加工物1へ照射される。レーザビーム70が照射された被加工物1は、例えばスクライブ線が形成される。あるいは、被加工物1を構成するガラス基板同士が、レーザビーム70の照射部分において融着することとなる。
続いて、図2および図3を参照して、このレーザ加工装置50を用いた薄膜デバイスの製造方法を具体的に説明する。ここでは、薄膜デバイスとして、例えば有機発光装置の表示パネルを製造するものとする。
まず、図2(A)に示したように、基板11(第1基板)と、この基板11よりも厚い支持基板12とを用意し、それぞれ純水などによって洗浄する(洗浄工程)。基板11は最終的に表示パネル10(後出)の駆動基板となるものであり、例えば0.03mm厚のガラス基板である。支持基板12は例えば0.5mm厚のガラス基板である。基板11や支持基板12に用いる硝材としては、例えば無アルカリガラスが挙げられる。基板11は、図3(A)に示したように、複数のパターン領域13をマトリクス状に有するものであり、隣接するパターン領域13同士の間隙領域14において分断されることによって個々のパネルに分割されるようになっている。
洗浄したのち、基板11を支持基板12の上に載置し、チャンバ(図示せず)に入れる。次いで、チャンバ内の雰囲気を減圧することにより、支持基板12と基板11とを互いに隙間なく密着させる。さらに、互いに密着した支持基板12および基板11を被加工物1として図1において説明したレーザ加工装置50のステージ62上にセットし、間隙領域14のうちの一部にレーザビーム70を照射することにより、支持基板12と基板11とを局所的に融着させ、互いに固定する(図2(B)および図3(A)参照、基板融着工程)。これにより得られた融着基板16は、その厚みが0.53mmとなる。ここでは、縦横2つずつのパターン領域13を含むように(すなわち、パターン領域13を4つずつ取り囲むように)ステージ62を一定速度で移動させながらレーザビーム70を走査することにより融着部15を形成する。レーザビーム70は、NAを例えば0.1とし、パルスエネルギーを例えば0.5mJ/pulse に調整し、基板11と支持基板12との接触面に集光させる。必要に応じて、同一箇所に繰り返し照射するようにしてもよい。
このようにレーザビーム70の照射によって基板11と支持基板12とを融着させることにより、接着剤を用いて貼り合わせを行う場合とは異なり、異物の混入を避けることができるうえ、所望の領域のみを高精度に融着させることができる。
なお、本実施の形態では、図3(A)に示したように、融着部15がパターン領域13を完全に取り囲むように連続的に形成されているが、例えば、図4に示したように、不連続なスポット状の融着部15Aを形成するようにしてもよい。このように融着部15Aを不連続とすることにより、大気圧下において融着した場合であっても支持基板12と基板11とを互いに隙間なく密着させることが可能になる。これは、融着によって支持基板12と基板11とが互いに引っ張り合う際に、互いの接触面の間に気泡が有ったとしても、その気泡は融着部15同士の隙間から外部に放出されるからである。
融着基板16を形成したのち、基板11上に複数の薄膜パターン17を形成する(図2(C)参照、薄膜形成工程)。ここでは、パターン領域13ごとに薄膜パターン17を形成する。具体的には、薄膜トランジスタアレイと、平坦化膜と、赤色,緑色および青色の各有機発光素子(それぞれアノード電極、有機層、カソード電極が順に積層されたもの)と、保護膜とを順に形成する。薄膜トランジスタアレイを形成する際には、スパッタリング法による電極材料の成膜、CVD(Chemical Vapor Deposition )法によるゲート電極やチャネル層の成膜、フォトリソグラフィ法によるパターニング、ドライエッチング、ウェットエッチング、イオンドーピング、レーザアニールおよび高温アニールなどの各処理を施す。
次いで、複数の薄膜パターン17が形成された基板11の全面に亘って、あるいはパターン領域13のみに接着剤を塗布したのち、純水等で洗浄した封止基板18(第2基板)を重ね合わせることにより貼り合わせ基板19とする(図2(D)参照、貼り合わせ工程)。封止基板18としては、支持基板12よりも薄い、例えば、厚み0.05mmのガラス基板を用いる。
続いて、貼り合わせ基板19を再びレーザ加工装置50のステージ62上に設置したのち、各パターン領域13の外縁に沿ってレーザビーム70を照射することにより、基板11および封止基板18を分断し、表示パネル10の切り出しを行う(図2(E)参照、基板分割工程)。
具体的には、図3(B)に示したように、各パターン領域13の外側の領域にX方向およびY方向のスクライブ線20を形成する。このスクライブ線20は、レーザビーム70を、封止基板18の両側の表面近傍と基板11の両側の表面近傍とにそれぞれ集光させることにより、封止基板18の両表面と基板11の両表面とにそれぞれ形成されるようにする。このときのレーザビーム70のエネルギー密度は、アッテネータ55による光強度の調整やビームエキスパンダ56によるビーム径の調整などにより、前述の融着部15を形成する場合よりも高く設定すればよい。なお、このときスクライブ線20は融着部15からずれた位置に形成するものとする。
こののち、適当な外力を加えることにより、各スクライブ線20に沿って表示パネル10ごとに分割する。このとき支持基板12も分断されるが、スクライブ線20が融着部15からずれているため、分断された支持基板12は表示パネル10から切り離される。なお、スクライブ線20は、融着作業や接着作業を行う前の段階で予め形成しておいてもよいし、あるいは、融着作業や接着作業と並行して形成するようにしてもよい。また、加圧によって分割を行う方法に限らず、レーザビーム70の照射のみによって分断するようにしてもよい。
貼り合わせ基板19から表示パネル10が切り出されて残った支持基板12などのガラス部材99は回収され、再生利用される。特に、基板11、支持基板12および封止基板18が全て同一の硝材からなる場合には分離精製等の処理が不要であり、再度、これらの基板を構成する材料として容易に再生利用できる。さらに、封止基板18を貼り合わせる際、接着剤をパターン領域13のみに塗布するようにすれば、ガラス部材99への異物混入の可能性がより低減されるので、再生利用に好適となる。
最後に、切り出された表示パネル10の端部を研磨するなどして、所定の寸法となるように調整し、これを作動させるための駆動部品の取り付け等を行い、有機発光表示デバイスを完成させる。
このように本実施の形態の薄膜デバイスの製造方法では、支持基板12に重ね合わせられた基板11に対しレーザビーム70を照射して融着部15を形成すると共に、基板11に複数の薄膜パターン17を形成し、さらに薄膜パターン17の形成された基板11の上に封止基板18を接着し、再度レーザビーム70を照射して個々に分断することにより表示パネル10を切り出すようにしたので、基板11および封止基板18を、これらよりも厚く、たわみ量の少ない支持基板12の上に重ねて載置した状態のまま融着やスクライブ線の形成、あるいは搬送などを行うことができる。
従って、基板11や封止基板18がそれぞれ極めて薄くても、単独で用いた場合のような大きなたわみが生じることがなく、生産ラインにおける搬送上の不具合や取扱い性の悪化等を招くことがない。すなわち、当初より所望の厚みの基板11および封止基板18を用いることができ、化学エッチングや機械研磨などによる厚み方向の加工が不要となる。化学エッチングや機械研磨を行う場合には、大量の薬品(エッチング液)や研磨剤などが必要となるが、本実施の形態では不要である。また、支持基板12と基板11との融着を行う工程と、表示パネル10の切り出しを行う工程とを同一装置を用いて実施できる。このため、より薄く、軽量な表示パネル10を備えた複数の有機発光表示デバイスを、より簡便に一括して製造することが可能になる。
以下、他の実施の形態について説明するが、それぞれ特徴部分について主に説明し、第1の実施の形態と重複する部分については適宜説明を省略する。
〔第2の実施の形態〕
次に、図5を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態では、第1の実施の形態がパネルを構成する一方の基板のみに薄膜パターンを形成するのに対し、他方の基板側にも薄膜パターンを形成するものである。
次に、図5を参照して、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態では、第1の実施の形態がパネルを構成する一方の基板のみに薄膜パターンを形成するのに対し、他方の基板側にも薄膜パターンを形成するものである。
まず、第1の実施の形態と同様にして、洗浄工程、基板融着工程および薄膜形成工程を経ることにより、薄膜パターン17が表面に形成された融着基板16を得る。これと並行して、同様の方法により、基板11とは別体の基板21(第2基板)を用意し、この基板21を他の支持基板22に部分的に融着させて融着基板26を形成し、さらに、基板21上に、各パターン領域に対応して薄膜パターン27を形成する。この基板21は、封止基板18となるガラス基板であり、薄膜パターン27は例えばカラーフィルタである。
次いで、薄膜パターン17の形成された融着基板16と薄膜パターン27の形成された融着基板26とを、薄膜パターン17および薄膜パターン27を互いに対向させて位置合わせを行ったのち、接着剤を全面に亘って、あるいはパターン領域13のみに塗布し、接着する(図5(D)参照、貼り合わせ工程)。
さらに、パターン領域13の外縁に沿ってレーザビーム70を照射することにより、基板11,21および支持基板12,22を分断し、表示パネル10Aの切り出しを行う(図5(E)参照、基板分割工程)。
このように本実施の形態により得られた表示パネル10Aは、対向する基板11,21にそれぞれ所定の薄膜パターン17,27を有するものであり、例えば、カラーフィルタを有する有機発光表示デバイスに適用することができる。
〔第3の実施の形態〕
図6は、第3の実施の形態を表すもので、上記第1,第2の実施の形態とは異なり、パネルを一つの基板のみによって構成したものである。すなわち、ともに洗浄した基板11と支持基板12とを重ね合わせ、レーザビームを照射して互いに融着させ、複数の薄膜パターン17を形成したのち、そのままパネルごとに切り出すものである。これにより、基板上に薄膜トランジスタアレイなどの薄膜パターンを有する薄膜デバイス30を得ることができる。なお、このように薄膜デバイスを個々に形成したのち、これらを対向させて接着するなどして表示パネルを形成するようにしてもよい。
図6は、第3の実施の形態を表すもので、上記第1,第2の実施の形態とは異なり、パネルを一つの基板のみによって構成したものである。すなわち、ともに洗浄した基板11と支持基板12とを重ね合わせ、レーザビームを照射して互いに融着させ、複数の薄膜パターン17を形成したのち、そのままパネルごとに切り出すものである。これにより、基板上に薄膜トランジスタアレイなどの薄膜パターンを有する薄膜デバイス30を得ることができる。なお、このように薄膜デバイスを個々に形成したのち、これらを対向させて接着するなどして表示パネルを形成するようにしてもよい。
〔第4の実施の形態〕
本実施の形態は、ガラス基板同士の貼り合わせを行う方法であり、第1ガラス基板の上に、この第1ガラス基板よりも薄い第2ガラス基板を載置する工程と、エネルギービームを照射することにより、第1ガラス基板と第2ガラス基板とを融着させる工程とを含むようにしたものである。具体的内容は、上記第1〜第3の実施の形態に実質的に含まれているので、その説明は省略する。融着は、基板の全体にわたっても、あるいは部分的であってもよい。
本実施の形態は、ガラス基板同士の貼り合わせを行う方法であり、第1ガラス基板の上に、この第1ガラス基板よりも薄い第2ガラス基板を載置する工程と、エネルギービームを照射することにより、第1ガラス基板と第2ガラス基板とを融着させる工程とを含むようにしたものである。具体的内容は、上記第1〜第3の実施の形態に実質的に含まれているので、その説明は省略する。融着は、基板の全体にわたっても、あるいは部分的であってもよい。
この貼り合わせ方法では、エネルギービームの照射により、第1ガラス基板と第2ガラス基板とが融着されるが、接着剤が不要であり、よって異物が混入することなく貼り合わせが行われる。
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば上記実施の形態では、表示デバイスとして有機発光表示デバイスを例示して説明したが、その他、例えば液晶表示デバイスにも適用可能である。その場合、例えば図5(C)に示した薄膜形成工程において、薄膜パターン17,27として対向電極膜や配向膜、あるいは液晶層を封入するためのシールパターンなどを形成するようにすればよい。
また、上記実施の形態では、基板を分割しパネル化を行うにあたり、基板と支持基板との融着に使用するものと同一波長のレーザビームを照射するようにしたが、互いに異なる光源を用いるようにしてもよい。さらに、パネル化する際には、エネルギービームを照射するのではなく、ダイヤモンド等の超硬質材料からなるブレードを用いたメカニカルな方式によってスクライブ線を形成するようにしてもよい。但し、チッピングやクラック等の発生を低減できるので、レーザビームを用いることが好ましい。
1…被加工物、10…表示パネル、11…基板(第1基板)、12…支持基板、13…パターン領域、14…間隙領域、15…融着部、16…融着基板、17…薄膜パターン、18…封止基板(第2基板)、19…貼り合わせ基板、20…スクライブ線、30…薄膜デバイス、50…レーザ加工装置、51…レーザ発振器、52…冷却装置、53…レーザ電源、54…コリメータ、55…アッテネータ、56…ビームエキスパンダ、57…対物レンズ、58…対物レンズ移動機構、59…駆動電源、60…位置センサ、62…ステージ、63…制御用コンピュータ、64…モニタ、66C…立ち下げミラー、70…レーザビーム。
Claims (17)
- 複数のパターン領域を有する第1基板を、この第1基板よりも厚い支持基板の上に載置する工程と、
第1エネルギービームを照射することにより、前記第1基板と前記支持基板との融着部を、前記パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程と、
前記第1基板における複数のパターン領域に、それぞれ薄膜パターンを形成する工程と、
前記複数の薄膜パターンが形成された第1基板に、前記支持基板よりも薄い第2基板を重ね合わせて接着させる工程と、
前記複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って前記第1基板および第2基板を複数のパネルに分断すると共に、前記パネルを前記支持基板から切り離す工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1基板および第2基板の分断を第2エネルギービームを照射することにより行う
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1および第2エネルギービームが互いに同一波長を有するレーザビームである
ことを特徴とする請求項2に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1および第2エネルギービームが、いずれも355±1nm、または349±1nmの波長を有するパルスレーザビームである
ことを特徴とする請求項2に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記支持基板、第1基板および第2基板が、いずれも同種の硝材からなる
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 大気圧以下の気圧下において前記支持基板と前記第1基板とを融着させる
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1基板が、0.03mm以上0.5mm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記分断された第1基板および第2基板によって有機ELパネルまたは液晶表示パネルを構成する
ことを特徴とする請求項1に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 複数のパターン領域を有する第1基板を2つ用意し、一方の第1基板をこの基板よりも厚い第1支持基板上に載置すると共に、他方の第1基板をこの基板よりも厚い第2の支持基板上に載置する工程と、
第1エネルギービームを照射することにより、前記第1基板と前記第1支持基板との融着部、前記第2基板と前記第2支持基板との融着部をそれぞれ、前記パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程と、
前記第1基板および第2基板の各パターン領域に薄膜パターンを形成する工程と、
互いの薄膜パターンを対向させて前記第1基板と第2基板とを接着させる工程と、
前記複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って、前記第1基板および第2基板を複数のパネルに分断すると共に、前記パネルを前記第1支持基板および第2支持基板から切り離す工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1基板および第2基板の分断を、第2エネルギービームを照射することにより行う
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1および第2エネルギービームが互いに同一波長を有する
ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1および第2エネルギービームが、いずれも355±1nm、または349±1nmの波長を有するパルス状のレーザビームである
ことを特徴とする請求項10に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1および第2支持基板ならびに前記第1および第2基板が、いずれも同種の硝材からなる
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 大気圧以下の気圧下において前記第1基板を前記第1支持基板に融着させると共に前記第2基板を前記第2支持基板に融着させる
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 前記第1および第2基板が、0.03mm以上0.5mm以下の厚みを有する
ことを特徴とする請求項9に記載の薄膜デバイスの製造方法。 - 複数のパターン領域を有する第1基板を、この第1基板よりも厚い支持基板の上に載置する工程と、
第1エネルギービームを照射することにより、前記第1基板と前記支持基板との融着部を、前記パターン領域以外の領域に対応する位置に局所的に形成する工程と、
前記第1基板の複数のパターン領域に、それぞれ薄膜パターンを形成する工程と、
前記複数のパターン領域それぞれの周囲に沿って前記第1基板を複数のパネルに分断すると共に、前記パネルを前記支持基板から切り離す工程と
を含むことを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。 - 第1ガラス基板の上に、この第1ガラス基板よりも薄い第2ガラス基板を載置する工程と、
エネルギービームを照射することにより、前記第1ガラス基板と前記第2ガラス基板とを融着させる工程と
を含むことを特徴とするガラス基板の貼り合わせ方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004155002A JP2005338281A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 薄膜デバイスの製造方法およびガラス基板の貼り合わせ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004155002A JP2005338281A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 薄膜デバイスの製造方法およびガラス基板の貼り合わせ方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005338281A true JP2005338281A (ja) | 2005-12-08 |
Family
ID=35491949
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004155002A Pending JP2005338281A (ja) | 2004-05-25 | 2004-05-25 | 薄膜デバイスの製造方法およびガラス基板の貼り合わせ方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005338281A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007237292A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Samsung Sdi Co Ltd | レーザ照射装置 |
JP2007264135A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Nec Corp | レーザ切断方法、表示装置の製造方法、および表示装置 |
JP2007290304A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Casio Comput Co Ltd | 脆性シート材分断方法及びその装置 |
JP2010533639A (ja) * | 2007-07-16 | 2010-10-28 | コーニング インコーポレイテッド | 局所可逆ガラススエリングのための方法 |
WO2011001946A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルム積層体 |
JP2013059785A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Aisin Seiki Co Ltd | レーザ接合装置及び焦点合わせ方法 |
CN104103497A (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-15 | 株式会社迪思科 | 加工方法 |
US9500890B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing device substrate and display device manufactured using the same |
JP2017157668A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN112388178A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-02-23 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置的处理方法、显示装置及电子设备 |
CN113314576A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-27 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示模组及显示模组的制造方法 |
-
2004
- 2004-05-25 JP JP2004155002A patent/JP2005338281A/ja active Pending
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007237292A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-09-20 | Samsung Sdi Co Ltd | レーザ照射装置 |
JP2007264135A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Nec Corp | レーザ切断方法、表示装置の製造方法、および表示装置 |
US8791387B2 (en) | 2006-03-27 | 2014-07-29 | Nlt Technologies, Ltd. | Laser cutting method, display apparatus manufacturing method, and display apparatus |
JP2007290304A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Casio Comput Co Ltd | 脆性シート材分断方法及びその装置 |
JP2010533639A (ja) * | 2007-07-16 | 2010-10-28 | コーニング インコーポレイテッド | 局所可逆ガラススエリングのための方法 |
US8697241B2 (en) | 2009-07-03 | 2014-04-15 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Glass film laminate |
KR20120037367A (ko) * | 2009-07-03 | 2012-04-19 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 유리 필름 적층체 |
JP2011183792A (ja) * | 2009-07-03 | 2011-09-22 | Nippon Electric Glass Co Ltd | ガラスフィルム積層体 |
WO2011001946A1 (ja) * | 2009-07-03 | 2011-01-06 | 日本電気硝子株式会社 | ガラスフィルム積層体 |
KR101643993B1 (ko) * | 2009-07-03 | 2016-07-29 | 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 | 유리 필름 적층체 |
JP2013059785A (ja) * | 2011-09-13 | 2013-04-04 | Aisin Seiki Co Ltd | レーザ接合装置及び焦点合わせ方法 |
CN104103497A (zh) * | 2013-04-11 | 2014-10-15 | 株式会社迪思科 | 加工方法 |
JP2014207270A (ja) * | 2013-04-11 | 2014-10-30 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
US9500890B2 (en) | 2013-11-15 | 2016-11-22 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing device substrate and display device manufactured using the same |
JP2017157668A (ja) * | 2016-03-01 | 2017-09-07 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
CN112388178A (zh) * | 2020-10-23 | 2021-02-23 | Oppo广东移动通信有限公司 | 显示装置的处理方法、显示装置及电子设备 |
CN113314576A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-08-27 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 显示模组及显示模组的制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5864988B2 (ja) | 強化ガラス板切断方法 | |
JP6505773B2 (ja) | 透明材料の内部でレーザーフィラメンテーションを実行する方法および装置 | |
US7772522B2 (en) | Method for scribing substrate of brittle material and scriber | |
JP5784273B2 (ja) | レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法 | |
EP2394775B1 (en) | Workpiece cutting method | |
JP2007260773A (ja) | 基板切断方法及びこれを用いた基板切断装置 | |
TWI625186B (zh) | Laser processing method and laser processing device | |
JP2010026041A (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
JP2005338281A (ja) | 薄膜デバイスの製造方法およびガラス基板の貼り合わせ方法 | |
JP2007136554A (ja) | レーザ加工方法 | |
KR101345229B1 (ko) | 기판의 절단장치 | |
JP6050002B2 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2009220142A (ja) | レーザー加工装置及びレーザー加工方法 | |
WO2013039006A1 (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2007290011A (ja) | 基板ならびに基板の分断方法、電気光学装置、電子機器 | |
JP5037926B2 (ja) | レーザアニール装置 | |
JP2007015169A (ja) | スクライブ形成方法、スクライブ形成装置、多層基板 | |
JP2007118207A (ja) | 積層体の加工方法 | |
JP2007326127A (ja) | レーザ照射装置、レーザスクライブ方法、電気光学装置の製造方法 | |
JP2008132501A (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法、及び電気光学装置の製造方法 | |
KR20080093321A (ko) | 레이저가공 장치 | |
JPH06326337A (ja) | レーザ加工装置 | |
JP2008132500A (ja) | レーザ加工装置、レーザ加工方法、基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法 | |
JP2010023055A (ja) | 表示パネルの製造方法 | |
JP2009190943A (ja) | 基板の分断装置、基板の分断方法、及びその方法を用いて製造された基板 |