CN105140183A - 晶片的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供晶片的加工方法。该方法是将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片，该方法包含以下的工序：改性层形成工序，沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，使会聚点定位于晶片内部，在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层；以及背面磨削工序，在实施该保护膜形成工序、该保护带粘贴工序以及该改性层形成工序之后，一边供给磨削水一边磨削晶片的背面来薄化至规定的厚度，并且将晶片以改性层为断裂起点，沿着分割预定线分割为各个器件芯片，在实施背面磨削工序之前，实施以下的工序，保护膜形成工序，在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜；保护带粘贴工序，在该保护膜的正面上粘贴保护带。

Description

晶片的加工方法
技术领域
本发明涉及沿着分割预定线来分割晶片的晶片加工方法，该晶片在正面上以格子状形成多个分割预定线并且在由该多个分割预定线划分的多个区域内形成器件。
背景技术
在半导体器件制造工艺中，利用在作为大致圆板形状的半导体晶片的正面上以格子状排列的分割预定线来划分多个区域，在所划分的区域内形成IC、LSI等器件。通过沿着分割预定线切断这样形成的半导体晶片，来分割已形成器件的区域，制造各个器件芯片。
通常，利用被称为切割锯的切削装置进行对上述半导体晶片的沿着分割预定线的切断。该切削装置具备：卡盘工作台，其保持半导体晶片或光器件晶片等被加工物；切削单元，其用于切削在该卡盘工作台上保持的被加工物；以及切削进给单元，其使卡盘工作台与切削单元相对地进行移动。切削单元包含主轴单元，该主轴单元具备旋转主轴、在该主轴上安装的切削刀片以及旋转驱动旋转主轴的驱动机构。切削刀片由圆盘状的基台和在该基台的侧面外周部上安装的环状的切割刃构成，切割刃利用电铸在基台上固定例如粒径3μm左右的金刚石磨粒并形成为厚度为20μm左右。
然而，因为切削刀片具有20μm左右的厚度，所以作为划分器件的分割预定线需要50μm左右的宽度，从而具有分割预定线相对于晶片面积所占的面积比率变大、生产性变差这样的问题。
另一方面，近年来作为分割半导体晶片等晶片的方法，如以下这样的被称为内部加工的激光加工方法也已实用化，该内部加工是采用对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在应该分割的区域的内部定位会聚点后照射脉冲激光光线。采用被称为该内部加工的激光加工方法的分割方法是以下这样的技术，从晶片的一个面侧向内部对准会聚点并照射对晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改性层，通过形成该改性层来沿着强度降低的分割预定线施加外力，由此使晶片断裂进行分割(例如，参照专利文献1)。
作为如上所述地对沿着分割预定线形成有改性层的晶片，沿着分割预定线施加外力来将晶片分割为各个器件的方法，在下述的专利文献2中公开了以下这样的技术，在安装于环状框架的切割带上粘贴沿着分割预定线形成改性层的晶片，通过扩张切割带来对晶片赋予拉伸力，沿着形成改性层并降低强度的分割预定线将晶片分割为各个器件芯片。
另外，在下述的专利文献3中公开了以下这样的技术，在沿着分割预定线连续形成改性层的晶片的正面上粘贴保护带，在卡盘工作台上保持保护带侧，然后对晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度，并且将晶片分割为各个器件芯片。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-160493号公报
专利文献2：日本特开2005-223282号公报
专利文献3：日本特开2013-165229号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而，当在沿着分割预定线连续形成改性层的晶片的正面上粘贴保护带、在卡盘工作台上保持保护带侧并通过对晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度并且将晶片分割为各个器件芯片时，存在如下这样的问题：磨削水从已分割为各个器件芯片的间隙侵入，使器件芯片的侧面以及正面受到污染，器件芯片的品质降低。
另外，当在已分割为各个器件芯片的晶片的背面安装粘结膜并且粘贴切割带并通过扩张该切割带来使粘结膜沿着各个器件芯片进行断裂时，存在如下这样的问题：因为粘结膜形成为比晶片稍大，所以粘结膜的外周部破碎后飞散，附着在器件芯片的正面上而导致器件芯片的品质降低。
本发明是鉴于上述情况而作出的，其主要的技术课题是提供如下的晶片的加工方法：在沿着分割预定线形成改性层的晶片的正面上粘贴保护带、在卡盘工作台上保持保护带侧并对晶片的背面一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度并且将晶片分割为各个器件芯片时，无需污染器件芯片的侧面以及正面就能够实施。
解决问题的手段
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明提供以下这样的晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片，该该晶片的正面上以格子状形成了多个分割预定线，并且在利用该多个分割预定线划分的各区域内形成器件，该晶片的加工方法的特征是具备以下的工序：保护膜形成工序，在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜；保护带粘贴工序，在该保护膜的正面上粘贴保护带；改性层形成工序，使会聚点定位于晶片内部而沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层；以及背面磨削工序，在实施该保护膜形成工序、该保护带粘贴工序以及该改性层形成工序之后，一边供给磨削水一边磨削晶片的背面来薄化至规定的厚度，并且以改性层为断裂起点，将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片。
在实施上述背面磨削工序之后，实施粘结膜断裂工序和保护膜去除工序，该粘结膜断裂工序在分割为各个器件的晶片的背面安装粘结膜并且粘贴切割带来剥离保护带，并通过扩张该切割带使粘结膜沿着各个器件断裂，该保护膜去除工序对实施了该粘结膜断裂工序的各个器件的正面供给清洗液来去除保护膜。
发明效果
本发明的晶片的加工方法包含以下的工序：改性层形成工序，使会聚点定位于晶片内部而沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层；以及背面磨削工序，对于实施该改性层形成工序之后的晶片的背面，一边供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度，并且以改性层为断裂起点，将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片，在实施背面磨削工序之前，实施以下的工序：保护膜形成工序，在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜；保护带粘贴工序，在该保护膜的正面上粘贴保护带，因此虽然在背面磨削工序中从分割为各个器件芯片的间隙里侵入已混入磨削屑的磨削水，但因为在半导体晶片的正面上形成有保护膜，所以没有到达器件的正面。因此，消除了已混入磨削屑的磨削水污染器件而导致品质降低这样的问题。此外，在磨削中，即使将半导体晶片分割为各个器件，也能够利用比较稳固地覆盖于晶片的正面上的保护膜来抑制间隙的扩大，因此能够阻止磨削水的侵入并减少器件的侧面污染。
附图说明
图1是半导体晶片的立体图。
图2是示出保护膜形成工序的说明图。
图3是示出保护带粘贴工序的说明图。
图4是用于实施改性层形成工序的激光加工装置的主要部位立体图。
图5是示出改性层形成工序的说明图。
图6是示出背面磨削工序的说明图。
图7是示出晶片支承工序的第1实施方式的说明图。
图8是示出晶片支承工序的第2实施方式的说明图。
图9是根据本发明构成的带扩张装置的立体图。
图10是示出粘结膜断裂工序的说明图。
图11是示出保护膜去除工序的说明图。
标号说明
2：半导体晶片
21：分割预定线
22：器件(器件芯片)
23：改性层
3：保护膜形成装置
31：旋转工作台
32：树脂液供给喷嘴
300：保护膜
4：保护带
5：激光加工装置
51：激光加工装置的卡盘工作台
52：激光光线照射单元
522：聚光器
6：磨削装置
61：磨削装置的卡盘工作台
62：磨削单元
634：磨削轮
7：粘结膜
8：带扩张装置
81：框架保持单元
82：带扩张单元
9：清洗水供给喷嘴
F：环状的框架
T：切割带
具体实施方式
以下，参照附图来详细说明本发明的晶片的加工方法以及分割装置的优选实施方式。
在图1中示出根据本发明加工的半导体晶片2的立体图。图1所示的半导体晶片2由厚度为例如500μm的硅晶片构成，在正面2a上以格子状形成多个分割预定线21，并且在利用该多个分割预定线21划分的多个区域内形成IC、LSI等器件22。以下，说明将该半导体晶片(以下，有时仅简称为晶片)2沿着分割预定线21分割为各个器件(器件芯片)22的晶片的加工方法。
首先，实施在半导体晶片2的正面2a上覆盖液状树脂来形成保护膜的保护膜形成工序。采用图2的(a)以及(b)所示的保护膜形成装置3来实施该保护膜形成工序。图2的(a)以及(b)所示的保护膜形成装置3具备保持晶片的旋转工作台31和在该旋转工作台31的旋转中心的上方配置的树脂液供给喷嘴32。在这样构成的保护膜形成装置3的旋转工作台31上载置半导体晶片2的背面2b侧。然后，使未图示的吸引单元进行工作，在旋转工作台31上吸引保持半导体晶片2。因此，在旋转工作台31上保持的半导体晶片2的正面2a成为上侧。这样，只要在旋转工作台31上保持半导体晶片2，就能够如图2的(b)所示使旋转工作台31沿着箭头所示的方向以规定的旋转速度(例如300～1000rpm)进行旋转，并且从在旋转工作台31的上方配置的树脂液供给喷嘴32向半导体晶片2的正面2a的中央区域滴下预定量的液状树脂30。然后，通过使旋转工作台31旋转60秒左右，来如图2的(c)所示在半导体晶片2的正面2a上形成保护膜300。在半导体晶片2的正面2a上覆盖的保护膜300的厚度由上述液状树脂30的滴下量来决定，可以是50μm左右。此外，作为液状树脂30优选采用乙烯醇(PVA)、水溶性苯酚树脂、丙烯酸系水溶性树脂等水溶性树脂。
如果通过实施上述的保护膜形成工序来使在半导体晶片2的正面2a上覆盖的保护膜300干燥并固化，则实施在保护膜300的正面300a上粘贴保护带的保护带粘贴工序。即，如图3所示，在覆盖于半导体晶片2的正面上的保护膜300的正面300a上粘贴保护带4。此外，在本实施方式中，保护带4在由厚度为100μm的聚氯乙烯(PVC)构成的片状基体材料的正面上涂敷厚度为5μm左右的丙烯酸树脂系的糊。
此外，在实施后述的背面磨削工序之前，可实施上述的保护膜形成工序和保护带粘贴工序。
接着，实施改性层形成工序，即将会聚点定位于晶片内部，沿着分割预定线21照射对半导体晶片2具有透过性的波长的激光光线，在半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成改性层。采用图4所示的激光加工装置5来实施该改性层形成工序。图4所示的激光加工装置5具备：卡盘工作台51，其保持被加工物；激光光线照射单元52，其对保持于该卡盘工作台51上的被加工物照射激光光线；以及摄像单元53，其对保持于卡盘工作台51上的被加工物进行摄像。卡盘工作台51构成为吸引保持被加工物，并利用未图示的移动机构向图4中箭头X所示的加工进给方向以及箭头Y所示的分度进给方向进行移动。
上述激光光线照射单元52实质上从安装于水平配置的圆筒形状的壳体521的末端的聚光器522照射脉冲激光光线。另外，在构成上述激光光线照射单元52的壳体521的末端部安装的摄像单元53除了在本实施方式中利用可视光线摄像的通常的摄像元件(CCD)之外，还由对被加工物照射红外线的红外线照明单元、捕捉由该红外线照明单元照射的红外线的光学系统以及输出与该光学系统捕捉到的红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成，并向未图示的控制单元发送摄像的图像信号。
参照图4以及图5来说明采用上述的激光加工装置5实施的改性层形成工序。该改性层形成工序首先在上述图4所示的激光加工装置5的卡盘工作台51上载置已实施上述保护带粘贴工序的半导体晶片2的保护带4侧。然后，利用未图示的吸引单元在卡盘工作台51上借助于保护带4吸附保持半导体晶片2(晶片保持工序)。因此，在卡盘工作台51上保持的半导体晶片2的背面2b成为上侧。这样，吸引保持半导体晶片2的卡盘工作台51利用未图示的加工进给单元定位于摄像单元53的正下方。
当卡盘工作台51定位于摄像单元53的正下方时，利用摄像单元53以及未图示的控制单元执行检测半导体晶片2的应该激光加工的加工区域的对准作业。即，摄像单元53以及未图示的控制单元执行图形匹配等图像处理，并执行激光光线照射位置的对准，该图形匹配是用于进行在半导体晶片2的第1方向上形成的分割预定线21与沿着分割预定线21照射激光光线的激光光线照射单元52的聚光器522的对位。另外，即使针对在半导体晶片2上形成的以相对于上述第1方向垂直的第2方向延伸的分割预定线21，也同样执行激光光线照射位置的定位。此时，形成半导体晶片2的分割预定线21的正面2a位于下侧，但摄像单元53如上所述地具备红外线照明单元和由捕捉红外线的光学系统以及输出与红外线对应的电信号的摄像元件(红外线CCD)等构成的摄像单元，因此能够从背面2b透过而对分割预定线21进行摄像。
当如以上这样地检测在卡盘工作台51上保持的半导体晶片2上形成的分割预定线21并进行激光光线照射位置的定位时，如图5的(a)所示使卡盘工作台51向照射激光光线的激光光线照射单元52的聚光器522所处的激光光线照射区域进行移动，使规定的分割预定线21的一端(图5的(a)中的左端)定位于激光光线照射单元52的聚光器522的正下方。接着，使从聚光器522照射的脉冲激光光线的会聚点P位于半导体晶片2的厚度方向的中间部。然后，从聚光器522照射对硅晶片具有透过性的波长的脉冲激光光线并且使卡盘工作台51沿着图5的(a)中箭头X1所示的方向以规定的进给速度进行移动。然后，当如图5的(b)所示地激光光线照射单元52的聚光器522的照射位置到达分割预定线21的另一端的位置时，停止脉冲激光光线的照射并且停止卡盘工作台51的移动。结果，在半导体晶片2的内部沿着分割预定线21形成改性层23。
此外，上述改性层形成工序中的加工条件如以下这样进行设定。
当如上所述沿着规定的分割预定线21实施上述改性层形成工序时，使卡盘工作台51沿着箭头Y所示的方向以在半导体晶片2上形成的分割预定线21的间隔进行分度进给(分度进给工序)，并执行上述改性层形成工序。当这样沿着在第1方向上形成的全部分割预定线21实施上述改性层形成工序时，使卡盘工作台51转动90度，沿着与在上述第1方向上形成的分割预定线21垂直的在第2方向上延伸的分割预定线21执行上述改性层形成工序。
如果实施了上述改性层形成工序，则实施背面磨削工序，即一边对半导体晶片2的背面供给磨削水一边进行磨削来形成为规定的厚度并且以改性层23为断裂起点将半导体晶片2沿着分割预定线21分割为各个器件芯片。采用图6的(a)所示的磨削装置6来实施该背面磨削工序。图6的(a)所示的磨削装置6具备作为保持被加工物的保持单元的卡盘工作台61和对在该卡盘工作台61上保持的被加工物进行磨削的磨削单元62。卡盘工作台61构成为在上表面吸引保持被加工物，利用未图示的旋转驱动机构在图6的(a)中箭头A所示的方向上进行旋转。磨削单元62具备：主轴外壳631；旋转主轴632，其旋转自如地支承在该主轴外壳631上并利用未图示的旋转驱动机构进行旋转；贴片机633，其安装在该旋转主轴632的下端；以及磨削轮634，其安装在该贴片机633的下表面。该磨削轮634由圆环状的基台635和在该基台635的下表面环状安装的磨石636构成，在贴片机633的下表面利用连结螺栓637来安装基台635。此外，在构成上述磨削装置6的旋转主轴632上设置有沿着轴心形成的磨削水供给通路，通过该磨削水供给通路，向磨石636的磨削区域供给磨削水。
为了采用上述磨削装置6实施上述背面磨削工序，而如图6的(a)所示在卡盘工作台61的上表面(保持面)载置与半导体晶片2的正面粘贴的保护带4侧。然后，利用未图示的吸引单元在卡盘工作台61上借助于保护带4吸附保持半导体晶片2(晶片保持工序)。因此，在卡盘工作台61上保持的半导体晶片2的背面2b成为上侧。如果这样地在卡盘工作台61上借助于保护带4吸引保持半导体晶片2，则沿着图6的(a)中箭头A所示的方向以例如300rpm使卡盘工作台61旋转，并且使磨削单元62的磨削轮634沿着图6的(a)中箭头B所示的方向以例如6000rpm进行旋转，如图6的(b)所示使磨石636与作为被加工面的半导体晶片2的背面2b进行接触，使磨削轮634如箭头C所示以例如1μm/秒的磨削进给速度向下方(相对于卡盘工作台61的保持面垂直的方向)磨削进给预定量。在这样实施背面磨削工序时，对磨石636的磨削区域供给磨削水。结果，半导体晶片2的背面2b被磨削而使半导体晶片2形成为规定的厚度(例如100μm)，并且沿着形成改性层23并降低强度的分割预定线21分割为各个器件(器件芯片)22。此外，在分别分割的多个器件22的表面上粘贴保护带4，因此维持半导体晶片10的形态而不分散。
在上述的背面磨削工序中，因为对磨石636的磨削区域供给磨削水，所以虽然从分割为各个器件22的间隙里侵入已混入磨削屑的磨削水，但因为在半导体晶片2的正面2a上形成有保护膜300，所以没有到达器件22的正面。因此，消除了已混入磨削屑的磨削水污染器件而导致品质降低这样的问题。此外，在磨削中即使将半导体晶片2分割为各个器件22也能够利用比较稳固地覆盖于半导体晶片2的正面2a上的保护膜300来抑制间隙的扩大，因此能够阻止磨削水的侵入并减少器件的侧面污染。
接着，实施晶片支承工序，即在已实施上述背面磨削工序的半导体晶片2的背面安装粘结膜并且在粘结膜侧粘贴切割带，利用环状的框架来支承该切割带的外周部。在该晶片支承工序的实施方式中，如图7的(a)以及(b)所示在半导体晶片2的背面2b安装粘结膜7(粘结膜安装工序)。此外，因为粘结膜7可靠地安装在半导体晶片2的整个背面，所以形成为比半导体晶片2稍大。如果这样地在半导体晶片2的背面2b安装粘结膜7，则如图7的(c)所示在已安装于环状的框架F的可拉伸的切割带T上粘贴已安装粘结膜7的半导体晶片2的粘结膜7侧。然后，剥离在覆盖于半导体晶片2的正面2a上的保护膜300的正面粘贴的保护带4(保护带剥离工序)。此外，在图7的(a)至(c)所示的实施方式中虽然示出了在安装于环状的框架F的切割带T上粘贴已安装有粘结膜7的半导体晶片2的粘结膜7侧的例子，但也可以在已安装粘结膜7的半导体晶片2的粘结膜7侧粘贴切割带T并且在环状的框架F上同时安装切割带T的外周部。
参照图8来说明上述晶片支承工序的其它实施方式。
在图8所示的实施方式中，使用在切割带T的正面上预先粘贴粘结膜7的带粘结膜的切割带。即，如图8的(a)、(b)所示，在以覆盖环状框架F的内侧开口部的方式安装有外周部的切割带T的正面上粘贴的粘结膜7上安装半导体晶片2的背面2b。在这样地使用带有增强片的切割带时，在粘贴于切割带T的正面的粘结膜7上安装半导体晶片2的背面2b，由此利用已安装到环状框架F的切割带T来支承安装有粘结膜7的半导体晶片2。此外，因为预先粘贴于切割带T的正面的粘结膜7也可靠地安装在半导体晶片2的整个背面，所以形成为比半导体晶片2稍大。然后，如图8的(b)所示，剥离在覆盖于半导体晶片2的正面2a的保护膜300的正面上粘贴的保护带4(保护带剥离工序)。此外，在本实施方式中虽然示出了在于环状框架F上安装有外周部的切割带T的正面所粘贴的粘结膜7上安装半导体晶片2的背面2b的例子，但也可以在半导体晶片2的背面2b安装已粘贴于切割带T上的粘结膜7并且在环状的框架F上同时安装切割带T的外周部。
如果如以上这样地实施了晶片支承工序，则实施粘结膜断裂工序，该粘结膜断裂工序中通过扩张切割带T来使粘结膜7沿着各个器件22断裂。采用图9所示的带扩张装置8来实施该粘结膜断裂工序。图9所示的带扩张装置8具备保持上述环状的框架F的框架保持单元81和使在该框架保持单元81上保持的环状框架F上所安装的切割带T扩张的带扩张单元82。框架保持单元81由环状的框架保持部件811以及作为配置于该框架保持部件811的外周的固定单元的多个夹具812构成。框架保持部件811的上表面形成载置环状框架F的载置面811a，在该载置面811a上载置环状的框架F。并且，在载置面811a上载置的环状的框架F被夹具812固定于框架保持部件811上。利用带扩张单元82，在以上下方向可进退的方式支承这样构成的框架保持单元81。
带扩张单元82具备在上述环状的框架保持部件811的内侧配置的扩张滚筒821。该扩张滚筒821具有比环状框架F的内径小且比在安装于该环状框架F的切割带T上粘贴的半导体晶片2的外径大的内径以及外径。另外，扩张滚筒821在下端具有支承法兰822。本实施方式中的带扩张单元82具备使上述环状的框架保持部件811在上下方向上可进退的支承单元823。该支承单元823由在上述支承法兰822上配置的多个气缸823a构成，将该活塞杆823b连接在上述环状的框架保持部件811的下表面上。如图10的(a)所示，这样由多个气缸823a构成的支承单元823使环状的框架保持部件811在载置面811a与扩张滚筒821的上端为大致同一高度的基准位置以及如图10的(b)所示比扩张滚筒821的上端向下预定量的扩张位置之间，在上下方向上进行移动。
参照图10说明采用以上构成的带扩张装置8实施的粘结膜断裂工序。即，在如图10的(a)所示地构成框架保持单元81的框架保持部件811的载置面811a上载置装上已粘贴半导体晶片2的切割带T的环状的框架F，并利用夹具812来固定到框架保持部件811上(框架保持工序)。此时，框架保持部件811定位于图10的(a)所示的基准位置。接着，使作为构成带扩张单元82的支承单元823的多个气缸823a进行工作，使环状的框架保持部件811下降到图10的(b)所示的扩张位置。因此，在框架保持部件811的载置面811a上固定的环状的框架F也下降，所以如图10的(b)所示安装于环状的框架F上的切割带T相接于扩张滚筒821的上端缘进行扩张(带扩张工序)。因此，在切割带T上经由粘结膜7粘贴的半导体晶片2(沿着分割预定线21进行分割)在器件22之间形成间隙(s)。结果，安装于半导体晶片2的背面的粘结膜7沿着各个器件22进行断裂并分离。在这样使粘结膜7沿着各个器件22断裂时，如图10的(b)所示从半导体晶片2的外周缘露出的粘结膜7的外周部71的一部分71a破碎后飞散并落下到器件22的正面侧，但因为在器件22的正面上覆盖有保护膜300，所以破碎的粘结膜7的外周部71的一部分71a附着于在器件22的正面上覆盖的保护膜300的正面，破碎的粘结膜7的外周部71的一部分71a没有直接附着于器件22的正面。因此，通过去除在器件22的正面上覆盖的保护膜300，也去除了附着的粘结膜7的外周部71的一部分71a，所以没有降低器件22的品质。
如果实施了上述的粘结膜断裂工序，则实施保护膜去除工序，在保护膜去除工序中，在各个器件(器件芯片)22的正面供给清洗液来去除保护膜300。在该保护膜去除工序中，从实施了上述粘结膜断裂工序的图10的(b)所示的状态起如图11的(a)所示地使带扩张装置8位于清洗水供给喷嘴9的正下方，从清洗水供给喷嘴9对在安装于环状框架F的切割带T上所粘贴的各个器件22的正面上覆盖的保护膜300的正面供给作为清洗液的清洗水。结果，如图11的(b)所示地保护膜300由水溶性树脂构成，所以利用清洗水能够容易地进行去除并且也去除在保护膜300的正面上附着的粘结膜7的一部分。因此，在器件22的正面上没有附着粘结膜的一部分，所以不会降低器件22的品质。
如果如以上这样地实施保护膜去除工序，则输送至从切割带T上剥离在背面安装有粘结膜7的器件22后进行拾取的拾取工序。

Claims (3)

1.一种晶片的加工方法，将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片，在该晶片的正面上以格子状形成了多个分割预定线，并且在由该多个分割预定线划分的各区域内形成了器件，该晶片的加工方法的特征在于，具备以下的工序：
保护膜形成工序，在晶片的正面上覆盖液状树脂来形成保护膜；
保护带粘贴工序，在该保护膜的正面上粘贴保护带；
改性层形成工序，使会聚点定位于晶片内部而沿着分割预定线照射对晶片具有透过性的波长的激光光线，在晶片的内部沿着分割预定线形成改性层；以及
背面磨削工序，在实施该保护膜形成工序、该保护带粘贴工序以及该改性层形成工序之后，一边供给磨削水一边磨削晶片的背面来薄化至规定的厚度，并且以改性层为断裂起点，将晶片沿着分割预定线分割为各个器件芯片。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，该方法还具备以下的工序：
晶片支承工序，在实施该背面磨削工序之后，在分割为各个器件芯片的晶片的背面上粘贴粘结膜，并且在该粘结膜上粘贴外周部已安装到环状框架上的切割带，通过环状框架来支承晶片；
粘结膜断裂工序，在实施该晶片支承工序之后，通过扩张该切割带来使该粘结膜沿着各个器件芯片断裂；以及
保护膜去除工序，在实施该粘结膜断裂工序之后，对各个器件芯片的正面供给清洗液而去除该保护膜。
3.根据权利要求2所述的晶片的加工方法，其特征在于，
该液状树脂由水溶性树脂构成，该清洗液是清洗水。
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