JP7033444B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、ＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセスによる半導体装置の製造方法に関する。

従来、半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」ともいう）を個片化して半導体チップ（以下、単に「チップ」ともいう）を形成する工程において、ウエハを研削する前に当該ウエハに改質層を形成しておき、回路面の反対面側から当該改質層に向けてウエハを研削することで、当該ウエハを個片化して半導体チップを形成する所謂ＳＤＢＧ（Stealth Dicing Before Grinding）プロセス（以下、単に「ＳＤＢＧプロセス」ともいう）による半導体装置の製造方法が知られている（例えば、特許文献１の第２の実施形態参照）。

特開２０１７－１３０５９８号公報 特開２０１５－０３８９４８号公報 特開２０１５－１９８１１８号公報 特開２０１７－０４１５６２号公報

しかしながら、特許文献１に記載されたような従来のＳＤＢＧプロセスでは、ウエハ分割工程（研削工程、チップ形成工程）において、研削ホイール２３の研削負荷により、改質層１９（改質層）を起点として亀裂を形成し、当該亀裂によってウエハＷ（半導体ウエハ）を個片化してチップＣ（半導体チップ）を形成するため、チップ形成工程の後の半導体チップは、相互に接触した状態となっており、この接触によって外縁部が細かく欠ける所謂チッピング現象を起こしやすい。
そこで、発明者は、鋭意検討の結果、従来のＳＤＢＧプロセスにおいて、エキスパンドテープ７０（第２接着シート）に貼付された保護テープ１７（第１接着シート）付きの半導体チップから、当該第１接着シートを剥離して当該半導体チップの転写（以下、単に「転写」ともいう）を行うと、半導体チップは、単に相互に接触しているだけではなく、第２接着シート上で相互に押し合いを起こし、その結果、チッピング現象を助長するＳＤＢＧプロセス特有の不都合が発生することをつきとめた。このような働きは、半導体ウエハを研削後、当該半導体ウエハに振動等の外力を付与して半導体チップを形成するＳＤＢＧプロセスの場合も同様に起り得る。
このチッピング現象を助長する働きを図３を用いて説明すると、従来のＳＤＢＧプロセスにおけるテープ貼付工程（第２シート貼付工程）では、図３（Ａ）に示すように、第２接着シートＡＳ２は、貼付後に弛まないように所定の張力Ｆ１が付与されつつ、半導体チップＣＰとリングフレームＲＦとの両方に、同時に貼付される。その結果、第２接着シートＡＳ２は、縮もうとしながら半導体チップＣＰとリングフレームＲＦとに貼付されるが、半導体チップＣＰには複数個に跨って第１接着シートＡＳ１が貼付されているため、この縮もうとする力は、当該第１接着シートＡＳの抗力によって封じられ、図３（Ｂ）に示すように、内部応力Ｆ２となって第２接着シートＡＳ２に残留した状態となる。このような状態で、半導体チップＣＰから第１接着シートＡＳ１を剥離すると、当該第１接着シートＡＳによって封じられていた第２接着シートＡＳ２の内部応力Ｆ２が解放され、図３（Ｃ）に示すように、第２接着シートＡＳ２上で半導体チップＣＰが相互に押し合いを起こし、当該押し合いによってチッピング現象ＣＧを助長するようになるからである。
ここで、例えば、特許文献２に記載されているようなブレードを用いて溝を形成する通常のダイシングプロセスや、所謂ＤＢＧ（Dicing Before Grinding）プロセス（以下、単に「ＤＢＧプロセス」ともいう）等では、転写を行っても、半導体チップの相互間隔（カーフ幅）が３０～４０μｍ程度あるため、上述のＳＤＢＧプロセス特有の不都合を発生することはなかった。
また、例えば、特許文献３に記載されているような半導体ウエハを研削した後に改質層を形成し、当該半導体ウエハに張力を付与して半導体チップを形成する所謂ステルスダイシングプロセスでは、改質層を形成した後に当該改質層間隔を広げて半導体チップを形成するため、これもまた上述のＳＤＢＧプロセス特有の不都合を発生することはなかった。
なお、例えば、特許文献４には、ウエハＷＦ（半導体チップ）に接着シートＡＳ（第２接着シート）を貼付する工程の前段において、当該第２接着シートの外縁にリングフレームＲＦ（支持部材）を貼付する工程を実施する方法が開示されているが、上述のＳＤＢＧプロセス特有の不都合を解消する方法を提示したものではない。

本発明の目的は、転写が行われた際、半導体チップが相互に押し合いを起こしてチッピング現象を助長するＳＤＢＧプロセス特有の不都合を極力低減することができる半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明は、請求項に記載した構成を採用した。

本発明によれば、第２シート貼付工程の前段において支持部材取付工程を実施するので、第２接着シートに所定の張力を付与しながら当該第２接着シートに支持部材を取り付けても、当該第２接着シートは、支持部材に貼付された後に張力が分散され、張力の均衡状態となる。従って、第２シート貼付工程および第１シート剥離工程を経て転写が行われても、第２接着シートによる内部応力の解放が行われることはなくなり、転写が行われた際、半導体チップが相互に押し合いを起こしてチッピング現象を助長するＳＤＢＧプロセス特有の不都合を極力低減することができる。
さらに、研削工程にてチップ形成工程をも実施すれば、半導体装置の製造工程を簡略化することができる。
また、間隔拡張工程を実施すれば、万が一、チップ形成工程で隣接する半導体チップと繋がったままの半導体チップがあった場合にでも、それらを引き離すことができる。
さらに、張力付与工程を実施すれば、支持部材取付工程で支持部材に取り付けた第２接着シートの張力が不足していても、当該第２接着シートの張力を上昇させ、所定の張力の第２接着シートを半導体チップに貼付することができる。
また、張力緩和工程を実施すれば、支持部材取付工程で支持部材に取り付けた第２接着シートの張力が過剰であったとしても、当該第２接着シートの張力を低下させ、所定の張力の第２接着シートを半導体チップに貼付することができる。

本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法の説明図。 従来の転写法と本発明の転写法の説明図。 従来例の説明図。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
なお、本実施形態におけるＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、それぞれが直交する関係にあり、Ｘ軸およびＹ軸は、所定平面内の軸とし、Ｚ軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、Ｙ軸と平行な図１中手前方向から観た場合を基準とし、図を指定することなく方向を示した場合、「上」がＺ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がＸ軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がＹ軸と平行な図１中手前方向で「後」がその逆方向とする。また、図１～図３は、各図の（Ａ）に記載した方向と同じ方向から観た図なので、各図の（Ａ）以外における方向を示す矢印は省略する。

本発明の半導体装置の製造方法は、ウエハＷＦの一方の面に第１接着シートＡＳ１を貼付する第１シート貼付工程ＰＣ１と、外力の付与により、ウエハＷＦが個片化する起点となる改質層ＭＬを当該ウエハＷＦに形成する改質層形成工程ＰＣ２と、ウエハＷＦの他方の面側から当該ウエハＷＦを研削する研削工程ＰＣ３と、ウエハＷＦに外力を付与し、当該ウエハＷＦを個片化してチップＣＰを形成するチップ形成工程ＰＣ４と、第２接着シートＡＳ２におけるチップＣＰが貼付される貼付予定領域の外側に、当該第２接着シートＡＳ２を介してチップＣＰを支持する支持部材としてのリングフレームＲＦを取り付ける支持部材取付工程ＰＣ５と、チップＣＰの他方の面に第２接着シートＡＳ２を貼付する第２シート貼付工程ＰＣ６と、第２接着シートＡＳ２に貼付されたチップＣＰから第１接着シートＡＳ１を剥離する第１シート剥離工程ＰＣ７と、第２接着シートＡＳ２に張力を付与し、チップＣＰの相互間隔を広げる間隔拡張工程ＰＣ８とを実施する。

第１シート貼付工程ＰＣ１は、図１（Ａ）に示すように、第１基材ＢＳ１の一方の面に第１接着剤層ＡＬ１が積層された第１接着シートＡＳ１を、押圧手段としての押圧ローラ１１でウエハＷＦの一方の面に押圧して貼付する。第１接着シートＡＳ１は、押圧ローラ１１とウエハＷＦとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりしてウエハＷＦに貼付される。ウエハＷＦは、一方の面に所定の回路が形成されている。

改質層形成工程ＰＣ２は、図１（Ｂ）に示すように、改質層形成手段としてのレーザ照射機２１でウエハＷＦの内部に複数の改質層ＭＬを形成する。改質層ＭＬは、レーザ照射機２１とウエハＷＦとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりして、図１（Ｂ）の状態で、Ｘ軸およびＹ軸にそれぞれ平行となる格子状に形成される（Ｘ軸に平行な改質層ＭＬは不図示）。

研削工程ＰＣ３は、図１（Ｃ）に示すように、グラインダや切断部材等の研削手段３１でウエハＷＦの他方の面側から研削することで、当該ウエハＷＦの厚みを低減する。ウエハＷＦの研削は、ウエハＷＦと研削手段３１との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたり、それら両方の移動を規制した状態で行われる。

チップ形成工程ＰＣ４は、図１（Ｃ）に示すように、研削工程ＰＣ３におけるウエハＷＦを研削する力を外力とし、当該研削工程ＰＣ３にて実施されるようになっている。すなわち、研削手段３１でウエハＷＦの他方の面側から改質層ＭＬに向けて当該半導体ウエハを研削しつつ、当該研削手段３１の負荷を外力とし、改質層ＭＬを起点としてウエハＷＦに亀裂ＣＣを形成し、当該亀裂ＣＣによってウエハＷＦを個片化してチップＣＰを形成する。

支持部材取付工程ＰＣ５は、図１（Ｄ）に示すように、第２基材ＢＳ２の一方の面に第２接着剤層ＡＬ２が積層された第２接着シートＡＳ２を、押圧手段としての押圧ローラ５１でリングフレームＲＦの一方の面に押圧して貼付する。第２接着シートＡＳ２は、押圧ローラ５１とリングフレームＲＦとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりしてリングフレームＲＦに貼付される。このとき、第２接着シートＡＳ２は、張力が付与されながらリングフレームＲＦに貼付されてもよいし、張力が付与されることなくリングフレームＲＦに貼付されてもよく、第２接着シートに張力が付与されながらリングフレームＲＦに貼付されたとしても、当該第２接着シートＡＳ２は、リングフレームＲＦに貼付された後に張力が分散され、張力の均衡状態となる。
なお、支持部材取付工程ＰＣ５は、第２シート貼付工程ＰＣ６の前段であればどの段階で実施してもよく、例えば、第１シート貼付工程ＰＣ１の前段で実施してもよいし、第１シート貼付工程ＰＣ１と改質層形成工程ＰＣ２との間で実施してもよいし、改質層形成工程ＰＣ２と研削工程ＰＣ３との間で実施してもよいし、研削工程ＰＣ３とチップ形成工程ＰＣ４との間で実施してもよいし、第１シート貼付工程ＰＣ１と同時期に実施してもよいし、改質層形成工程ＰＣ２と同時期に実施してもよいし、研削工程ＰＣ３と同時期に実施してもよいし、チップ形成工程ＰＣ４と同時期に実施してもよい。

第２シート貼付工程ＰＣ６は、図１（Ｅ）に示すように、リングフレームＲＦが貼付された第２接着シートＡＳ２を、保持手段としての第１保持部材６１で保持し、第１接着シートＡＳ１上で複数のチップＣＰとされたウエハＷＦを、保持手段としての第２保持部材６２で保持し、第１保持部材６１および第２保持部材６２を接近させて、研削が行われたチップＣＰの他方の面に第２接着シートＡＳ２を押圧して貼付する。第２接着シートＡＳ２は、押圧部材６１と各チップＣＰとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりして各チップＣＰに貼付される。

第１シート剥離工程ＰＣ７は、図１（Ｆ）に示すように、各チップＣＰに貼付された第１接着シートＡＳ１に、保持手段としての剥離用シートＰＴを剥離手段としての剥離ローラ７１で貼付しつつ、当該剥離用シートＰＴを回収することで、各チップＣＰから第１接着シートＡＳ１を剥離する。第１接着シートＡＳ１は、剥離用シートＰＴと各チップＣＰとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりして各チップＣＰから剥離される。このとき、第２接着シートＡＳ２は、リングフレームＲＦに貼付された後に張力が分散され、張力の均衡状態となっているので、チップＣＰが相互に押し合いを起こすことはない。

間隔拡張工程ＰＣ８は、図１（Ｇ）に示すように、第２接着シートＡＳ２に当接する当接手段８１と、リングフレームＲＦを保持する保持手段としてのフレーム保持部材８２とを相対移動させ、第２接着シートＡＳ２に張力を付与することによってチップＣＰの相互間隔を広げる。第２接着シートＡＳ２は、当接手段８１とフレーム保持部材８２との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりして張力が付与される。

以上のような実施形態によれば、第２シート貼付工程ＰＣ６の前段において支持部材取付工程ＰＣ５を実施するので、第２接着シートＡＳ２に所定の張力を付与しながら当該第２接着シートＡＳ２にリングフレームＲＦを取り付けても、当該第２接着シートＡＳ２は、リングフレームＲＦに貼付された後に張力が分散され、張力の均衡状態となっている。従って、第２シート貼付工程ＰＣ６および第１シート剥離工程ＰＣ７を経て転写が行われても、第２接着シートＡＳ２による内部応力の解放が行われることはなくなり、転写が行われた際、チップＣＰが相互に押し合いを起こしてチッピング現象を助長するＳＤＢＧプロセス特有の不都合を極力低減することができる。

ここで、第１接着シートＡＳ１に貼付された各チップＣＰとリングフレームＲＦとの両方に、同時に第２接着シートＡＳ２を貼付し、各チップＣＰから第１接着シートＡＳ１を剥離して転写した従来の転写法（以下、単に「従来転写法」ともいう）と、上記実施形態のように、先にリングフレームＲＦに貼付した第２接着シートＡＳ２を各チップＣＰに貼付し、各チップＣＰから第１接着シートＡＳ１を剥離して転写した本発明の転写法（以下、単に「本発明転写法」ともいう）とで、第２接着シートＡＳ２に転写された各チップＣＰがどれだけ移動するかの検証を行った。

先ず、ＳＤＢＧプロセスでは、第２接着シートＡＳ２に転写した際、各チップＣＰは相互に接触した状態なので、各チップＣＰの移動量を計測できないため、図２（Ａ－１）、（Ｂ－１）に示すように、全く同じＤＢＧプロセスによって、第１接着シートＡＳ１上に複数のチップＣＰが形成された検査対象物ＥＸ１、ＥＸ２を用意した。なお、図２各図には簡略化した検査対象物ＥＸ１、ＥＸ２を示したが、実際には、直径が３００ｍｍのウエハＷＦに対し、表面側から幅が３０μｍのブレードで裏面側にまで達することのない溝ＧＶを、左右１０ｍｍ間隔、前後１０ｍｍ間隔で形成し、当該ウエハＷＦの裏面側から溝ＧＶに達するまで研削を行い、理論上のチップ間隔が３０μｍで、厚みが３０μｍの複数のチップＣＰを形成した。

次いで、検査対象物ＥＸ１に対しては、従来転写法を適用し、図２（Ａ－２）、（Ａ－３）に示すように、支持部材取付工程ＰＣ５と同等の要領で、押圧ローラ５１でチップＣＰとリングフレームＲＦとの両方に、同時に第２接着シートＡＳ２を貼付した後、第１シート剥離工程ＰＣ７を経て、第２接着シートＡＳ２上に複数のチップＣＰが転写されたサンプルＳＰ１を作成した。
一方、検査対象物ＥＸ２に対しては、本発明転写法を適用し、図２（Ｂ－２）、（Ｂ－３）に示すように、支持部材取付工程ＰＣ５、第２シート貼付工程ＰＣ６および第１シート剥離工程ＰＣ７を経て、第２接着シートＡＳ２上に複数のチップＣＰが転写されたサンプルＳＰ２を作成した。
なお、従来転写法において、チップＣＰとリングフレームＲＦとの両方に、同時に第２接着シートＡＳ２を貼付した際、当該第２接着シートＡＳ２に付与した張力と、本発明転写法において、リングフレームＲＦに第２接着シートＡＳ２を貼付した際、当該第２接着シートＡＳ２に付与した張力とは、同じ張力となっている。

そして、サンプルＳＰ１、ＳＰ２において、第２接着シートＡＳ２上のチップ間隔の平均値を算出した結果、サンプルＳＰ１におけるチップ間隔の平均は、２６．７６μｍ（標準偏差 ３．２０）となり、サンプルＳＰ２におけるチップ間隔の平均は、２８．２５μｍ（標準偏差 １．６０）となった。つまり、理論上のチップ間隔が３０μｍであるのに対し、サンプルＳＰ１は、平均で３．２４μｍ、サンプルＳＰ２は、平均で１．７５μｍ移動したことになる。従って、サンプルＳＰ２は、サンプルＳＰ１に比べて平均で１．４９μｍすなわち４６．０％移動量が減少したこととなる。また、上記標準偏差の値から、散らばり度合いも半減したこととなる。この各チップＣＰ移動量の減少は、そのまま各チップＣＰが相互に押し合う力の減少として捉えることはできないが、移動量が減少しているからには、相互に押し合う力も確実に減少方向にあと捉えることができる。従って、本発明転写法は、転写が行われた際、チップＣＰが相互に押し合いを起こしてチッピング現象を助長するＳＤＢＧプロセス特有の不都合を、従来転写法に比べて低減したこととなる。

なお、本発明における手段および工程は、それら手段および工程について説明した動作、機能または工程を果たすことができる限りなんら限定されることはなく、まして、前記実施形態で示した単なる一実施形態の構成物や工程に全く限定されることはない。例えば、第１シート貼付工程は、半導体ウエハの一方の面に第１接着シートを貼付する工程であれば、出願当初の技術常識に照らし合わせ、その技術範囲内のものであればなんら限定されることはない（その他の手段および工程も同じ）。

本発明の半導体装置の製造方法は、図１（Ｈ）に示すように、支持部材取付工程ＰＣ５の後段であって、第２シート貼付工程ＰＣ６の前段において、リングフレームＲＦに取り付けられた第２接着シートＡＳ２に張力を付与する張力付与工程ＰＣ９を実施してもよい。
このような張力付与工程ＰＣ９は、第２接着シートＡＳ２として、所定の第１エネルギーとしての紫外線が付与されることで収縮するものを採用し、第１エネルギー付与手段としての発光源９１で紫外線を発光し、リングフレームＲＦに貼付された第２接着シートＡＳ２に当該紫外線を付与する。紫外線は、発光源９１とリングフレームＲＦに貼付された第２接着シートＡＳ２との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたり、それら両方の移動を規制した状態で第２接着シートＡＳ２に付与される。

本発明の半導体装置の製造方法は、図１（Ｉ）に示すように、支持部材取付工程ＰＣ５の後段であって、第２シート貼付工程ＰＣ６の前段において、リングフレームＲＦに取り付けられた第２接着シートＡＳ２の張力を緩和させる張力緩和工程ＰＣ１０を実施してもよい。
このような張力緩和工程ＰＣ１０は、第２接着シートＡＳ２として、所定の第２エネルギーとしての赤外線が付与されることで伸びるものを採用し、第２エネルギー付与手段としての発光源１０１で赤外線を発光し、リングフレームＲＦに貼付された第２接着シートＡＳ２に当該赤外線を付与する。赤外線は、発光源１０１とリングフレームＲＦに貼付された第２接着シートＡＳ２との一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたり、それら両方の移動を規制した状態で第２接着シートＡＳ２に付与される。
なお、張力緩和工程ＰＣ１０は、支持部材取付工程ＰＣ５と張力付与工程ＰＣ９との間で実施してもよいし、張力付与工程ＰＣ９と第２シート貼付工程ＰＣ６との間で実施してもよいし、張力付与工程ＰＣ９と交互に繰り返して実施し、第２接着シートＡＳ２に付与する張力が所定の張力となるようにしてもよい。

第１シート貼付工程ＰＣ１は、駆動機器であって押圧手段としての直動モータの出力軸に支持され、減圧ポンプや真空エジェクタ等の減圧手段によって吸着保持が可能な保持部材で第１接着シートＡＳ１を保持し、当該保持部材で保持した第１接着シートＡＳ１をウエハＷＦに押圧して貼付してもよい。

改質層形成工程ＰＣ２は、ウエハＷＦの一方の面側から改質層ＭＬを形成してもよいし、ウエハＷＦの他方の面側から改質層ＭＬを形成してもよいし、Ｘ軸と平行な１本の改質層ＭＬを形成してもよいし、Ｙ軸と平行な１本の改質層ＭＬを形成してもよいし、Ｘ軸と平行でない１本または複数の改質層ＭＬを形成してもよいし、Ｙ軸と平行でない１本または複数の改質層ＭＬを形成してもよいし、相互に不等間隔の改質層ＭＬを形成してもよいし、相互に平行または平行でない改質層ＭＬを形成してもよいし、相互に交差しない複数の改質層ＭＬを形成してもよいし、相互に直交または斜交する複数の改質層ＭＬを形成してもよいし、曲線状または折線状の１本または複数の改質層ＭＬを形成してもよく、そのような改質層ＭＬによって形成されるチップＣＰの形状は、円形、楕円形、三角形または四角形以上の多角形等、どのような形状でもよい。
改質層形成手段は、レーザ光、電磁波、振動、熱、薬品、化学物質等の付与によって、ウエハＷＦの特性、特質、性質、材質、組成、構成、寸法等を変更することで、ウエハＷＦを脆弱化、粉砕化、液化または空洞化し、ウエハＷＦに直接的または間接的に外力を付与することで、当該ウエハが個片化する起点となればどのような改質層ＭＬを形成してもよい。

研削工程ＰＣ３は、レーザ光、薬品、化学物質等の付与によって、ウエハＷＦの厚みを低減してもよい。

チップ形成工程ＰＣ４は、研削工程ＰＣ３にて実施することなく独立して行ってもよく、例えば、バイブレータや偏心モータ等の振動手段によってウエハＷＦに外力を付与したり、第１接着シートＡＳ１に張力を付与したり、ウエハＷＦを湾曲させたりして、改質層ＭＬを起点として亀裂ＣＣを形成し、当該亀裂ＣＣによってウエハＷＦを個片化してチップＣＰを形成してもよく、ウエハＷＦに付与する外力は、押圧力、張力、圧力、曲げ力、振動等どんな力でもよい。

支持部材取付工程ＰＣ５は、駆動機器であって押圧手段としての直動モータの出力軸に支持され、減圧ポンプや真空エジェクタ等の減圧手段によって吸着保持が可能な保持部材で第２接着シートＡＳ２を保持し、当該保持部材で保持した第２接着シートＡＳ２をリングフレームＲＦに押圧して貼付してもよい。

第２シート貼付工程ＰＣ６は、押圧手段としての押圧ローラで第２接着シートＡＳ２を押圧し、チップＣＰの他方の面に当該第２接着シートＡＳ２を押圧して貼付してもよいし、チップＣＰと第２接着シートＡＳ２との間に空気が介在しないように、真空を含む減圧雰囲気でチップＣＰの他方の面に第２接着シートＡＳ２を貼付してもよい。

第１シート剥離工程ＰＣ７は、保持手段として、帯状または枚葉の剥離用シートＰＴを採用してもよいし、駆動機器としての直動モータの出力軸に支持され、減圧ポンプや真空エジェクタ等の減圧手段によって吸着保持が可能な保持部材で第１接着シートＡＳ１を保持し、当該保持部材で保持した第１接着シートＡＳ１を各チップＣＰから離間させて分離する構成等どのような構成でもよいし、エネルギー線としての紫外線で接着力が低下する第１接着シートＡＳ１を採用し、当該第１接着シートＡＳ１に紫外線を照射する紫外線照手段で紫外線を照射してから各チップＣＰから第１接着シートＡＳ１を剥離してもよく、このようなエネルギー線としては、赤外線、可視光線、音波、Ｘ線またはガンマ線等の電磁波でもよい。

間隔拡張工程ＰＣ８は、本発明の半導体装置の製造方法において実施しなくてもよい。

張力付与工程ＰＣ９は、発光源９１で第２接着シートＡＳ２に部分的に紫外線を付与し、当該発光源９１と第２接着シートＡＳ２とを相対移動させて当該第２接着シートＡＳ２全体に紫外線を付与してもよいし、第２接着シートＡＳ２全体に一括で紫外線を付与してもよいし、第２接着シートＡＳ２に紫外線を照射する時間は、当該第２接着シートＡＳ２の特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮して任意に決定することができるし、所定の第１エネルギーとして、紫外線以外に、赤外線、可視光線、音波、Ｘ線またはガンマ線等の電磁波や、熱湯や熱風等の熱を付与するものでもよく、第２接着シートＡＳ２の特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮して任意に決定することができるし、第１エネルギーを第２接着シートＡＳ２に集中して付与する集光板や収集板等の集中手段を採用してもよいし、発光源９１としてＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）ランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプ等何を採用してもよいし、それらを適宜に組み合わせたものを採用してもよいし、本発明の半導体装置の製造方法において実施しなくてもよい。

張力緩和工程ＰＣ１０は、発光源１０１で第２接着シートＡＳ２に部分的に赤外線を付与し、当該発光源１０１と第２接着シートＡＳ２とを相対移動させて当該第２接着シートＡＳ２全体に赤外線を付与してもよいし、第２接着シートＡＳ２全体に一括で赤外線を付与してもよいし、第２接着シートＡＳ２に赤外線を照射する時間は、当該第２接着シートＡＳ２の特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮して任意に決定することができるし、所定の第２エネルギーとして、赤外線以外に、紫外線、可視光線、音波、Ｘ線またはガンマ線等の電磁波や、熱湯や熱風等の熱を付与するものでもよく、第２接着シートＡＳ２の特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮して任意に決定することができるし、第２エネルギーを第２接着シートＡＳ２に集中して付与する集光板や収集板等の集中手段を採用してもよいし、発光源１０１としてＬＥＤ（Light Emitting Diode、発光ダイオード）ランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、ハロゲンランプ等何を採用してもよいし、それらを適宜に組み合わせたものを採用してもよいし、本発明の半導体装置の製造方法において実施しなくてもよい。

ウエハＷＦは、一方の面に所定の回路が形成されていなくてもよい。
支持部材は、環状または環状でないものが採用されてもよいし、円形、楕円形、三角形や四角形等の多角形、その他の形状であってもよい。

本発明における第１、第２接着シートＡＳ１、ＡＳ２およびウエハＷＦの材質、種別、形状等は、特に限定されることはない。例えば、第１、第２接着シートＡＳ１、ＡＳ２およびウエハＷＦは、円形、楕円形、三角形や四角形等の多角形、その他の形状であってもよいし、感圧接着性、感熱接着性等の接着形態のものであってもよく、感熱接着性の第１、第２接着シートＡＳ１、ＡＳ２が採用された場合は、当該第１、第２接着シートＡＳ１、ＡＳ２を加熱する適宜なコイルヒータやヒートパイプの加熱側等の加熱手段を設けるといった適宜な方法で接着されればよい。また、このような第１、第２接着シートＡＳ１、ＡＳ２は、例えば、接着剤層だけの単層のもの、基材と接着剤層との間に中間層を有するもの、基材の上面にカバー層を有する等３層以上のもの、更には、基材を接着剤層から剥離することのできる所謂両面接着シートのようなものであってもよく、両面接着シートは、単層又は複層の中間層を有するものや、中間層のない単層又は複層のものであってよい。また、半導体ウエハとしては、例えば、シリコン半導体ウエハや化合物半導体ウエハ等であってもよい。なお、第１、第２接着シートＡＳ１、ＡＳ２は、機能的、用途的な読み方に換え、例えば、情報記載用ラベル、装飾用ラベル、保護シート、ダイシングテープ、ダイアタッチフィルム、ダイボンディングテープ、記録層形成樹脂シート等の任意のシート、フィルム、テープ等でもよい。

前記実施形態における駆動機器は、回動モータ、直動モータ、リニアモータ、単軸ロボット、２軸または３軸以上の関節を備えた多関節ロボット等の電動機器、エアシリンダ、油圧シリンダ、ロッドレスシリンダ及びロータリシリンダ等のアクチュエータ等を採用することができる上、それらを直接的又は間接的に組み合せたものを採用することもできる。
前記実施形態において、ローラ等の回転部材が採用されている場合、当該回転部材を回転駆動させる駆動機器を備えてもよいし、回転部材の表面や回転部材自体をゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、回転部材の表面や回転部材自体を変形しない部材で構成してもよいし、押圧ローラや押圧ヘッド等の押圧手段や押圧部材といった被押圧物を押圧するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、ローラ、丸棒、ブレード材、ゴム、樹脂、スポンジ等の部材を採用したり、大気やガス等の気体の吹き付けにより押圧する構成を採用したりしてもよいし、押圧するものをゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、変形しない部材で構成してもよいし、剥離板や剥離ローラ等の剥離手段や剥離部材といった被剥離物を剥離するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、板状部材、丸棒、ローラ等の部材を採用してもよいし、剥離するものをゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、変形しない部材で構成してもよいし、支持（保持）手段や支持（保持）部材等の被支持部材を支持または保持するものが採用されている場合、メカチャックやチャックシリンダ等の把持手段、クーロン力、接着剤（接着シート、接着テープ）、粘着剤（粘着シート、粘着テープ）、磁力、ベルヌーイ吸着、吸引吸着、駆動機器等で被支持部材を支持（保持）する構成を採用してもよい。

ＡＳ１…第１接着シート
ＡＳ２…第２接着シート
ＣＰ…半導体チップ
ＭＬ…改質層
ＰＣ１…第１シート貼付工程
ＰＣ２…改質層形成工程
ＰＣ３…研削工程
ＰＣ４…チップ形成工程
ＰＣ５…支持部材取付工程
ＰＣ６…第２シート貼付工程
ＰＣ７…第１シート剥離工程
ＰＣ８…間隔拡張工程
ＰＣ９…張力付与工程
ＰＣ１０…張力緩和工程
ＲＦ…リングフレーム（支持部材）
ＷＦ…半導体ウエハ

Claims (4)

1. 半導体ウエハの一方の面に第１接着シートを貼付する第１シート貼付工程と、
   外力の付与により、前記半導体ウエハが個片化する起点となる改質層を当該半導体ウエハに形成する改質層形成工程と、
   前記半導体ウエハの他方の面側から当該半導体ウエハを研削する研削工程と、
   前記半導体ウエハに外力を付与し、当該半導体ウエハを個片化して半導体チップを形成するチップ形成工程と、
   前記半導体チップの他方の面に第２接着シートを貼付する第２シート貼付工程と、
   前記第２接着シートに貼付された前記半導体チップから前記第１接着シートを剥離する第１シート剥離工程とを有し、
   前記第２シート貼付工程の前段において、前記第２接着シートにおける前記半導体チップが貼付される貼付予定領域の外側に、当該第２接着シートを介して前記半導体チップを支持する支持部材を取り付ける支持部材取付工程を実施し、
   前記支持部材取付工程の後段であって、前記第２シート貼付工程の前段において、前記支持部材に取り付けられた前記第２接着シートに張力を付与する張力付与工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 半導体ウエハの一方の面に第１接着シートを貼付する第１シート貼付工程と、
   外力の付与により、前記半導体ウエハが個片化する起点となる改質層を当該半導体ウエハに形成する改質層形成工程と、
   前記半導体ウエハの他方の面側から当該半導体ウエハを研削する研削工程と、
   前記半導体ウエハに外力を付与し、当該半導体ウエハを個片化して半導体チップを形成するチップ形成工程と、
   前記半導体チップの他方の面に第２接着シートを貼付する第２シート貼付工程と、
   前記第２接着シートに貼付された前記半導体チップから前記第１接着シートを剥離する第１シート剥離工程とを有し、
   前記第２シート貼付工程の前段において、前記第２接着シートにおける前記半導体チップが貼付される貼付予定領域の外側に、当該第２接着シートを介して前記半導体チップを支持する支持部材を取り付ける支持部材取付工程を実施し、
   前記支持部材取付工程の後段であって、前記第２シート貼付工程の前段において、前記支持部材に取り付けられた前記第２接着シートの張力を緩和させる張力緩和工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記チップ形成工程は、前記研削工程における前記半導体ウエハを研削する力を外力とし、当該研削工程にて実施されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記第１シート剥離工程の後段において、前記第２接着シートに張力を付与し、前記半導体チップの相互間隔を広げる間隔拡張工程を実施することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。

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