TWI835783B - 安裝方法 - Google Patents
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Abstract
一種可防止被黏接體對支持體之黏接力不足之安裝方法，係實施下述步驟：積層步驟PC1，係於被黏接體WF之凸部形成面WF1積層黏接劑層AL，該被黏接體WF係具有該凸部形成面WF1，該凸部形成面WF1係形成有凸部BP，該黏接劑層AL係添加有藉由賦予預定之熱HT而膨脹之膨脹性粒子SG；安裝步驟PC4，係使凸部BP與支持體LF接觸，將積層有黏接劑層AL之被黏接體WF安裝於該支持體LF；以及能量賦予步驟PC5，係對黏接劑層AL賦予熱HT而使膨脹性粒子SG膨脹，藉此使黏接劑層AL對支持體LF之接觸區域比起使該膨脹性粒子SG膨脹前增大。
Description
本發明係關於一種安裝方法。
以前，已知有將形成有凸部之被黏接體安裝於預定之支持體的安裝方法(例如參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2017-103362號公報。
[發明所欲解決之課題]
然而，在專利文獻1所記載之先前之半導體裝置之製造方法(安裝方法)中，因未將樹脂層(黏接劑層)積極地黏接於基板(支持體)，故附有凸塊(bump)的晶片(chip)(被黏接體)只是以經由凸塊(凸部)的凸部接合為主地接合於支持體，因而存在被黏接體對支持體的黏接力不足之可能性。
本發明之目的在於提供一種可防止被黏接體對支持體之黏接力不足之情形的安裝方法。 [用以解決課題的手段]
本發明採用請求項所記載之構成。 [發明功效]
根據本發明，因可使膨脹性粒子膨脹且使黏接劑層對支持體之接觸區域增大，故可防止被黏接體對支持體之黏接力不足的情形。 而且，當將被黏接體安裝於支持體時，藉由使黏接劑層成為未接觸狀態或未接觸部過多狀態，可防止黏接劑層之厚度成為障礙而凸部與支持體變成未接觸之情形。 進一步地，藉由實施去除步驟，可防止異物介於凸部與支持體之間，使它們之接觸確實。 而且，若實施單片化步驟，則可將單片體安裝於支持體，該單片體係將被黏接體單片化而形成。 進一步地，若實施剝離步驟，則可對應於一面暫時黏接有另一片材(sheet)之黏接劑層之態樣。
以下，基於圖式對本發明之實施形態進行說明。 另外，本實施形態中之X軸、Y軸、Z軸分別為正交之關係，X軸及Y軸係設為預定平面內之軸，Z軸係設為與前述預定平面正交之軸。進一步地，在本實施形態中，於將從與Y軸平行之圖1中近前方向觀察之情況為基準且不指定圖而表示方向之情形時，「上」設為Z軸的箭頭方向而「下」設為上之相反方向，「左」設為X軸的箭頭方向而「右」設為左之相反方向，「前」設為與Y軸平行之圖1中的(A)中近前方向而「後」設為前之相反方向。
本發明之安裝方法係實施下述步驟之方法：積層步驟PC1，係於作為被黏接體之半導體晶圓(以下簡稱為「晶圓」)WF之凸部形成面WF1積層黏接劑層AL，該作為被黏接體之半導體晶圓WF係具有該凸部形成面WF1，該凸部形成面WF1係形成有作為凸部之凸塊BP，該黏接劑層AL係添加有藉由賦予作為預定之能量之熱HT而膨脹之膨脹性粒子SG；安裝步驟PC4，係使凸塊BP與作為支持體之引線框架(lead frame)LF接觸，將積層有黏接劑層AL之晶圓WF安裝於該引線框架LF；以及能量賦予步驟PC5，係對黏接劑層AL賦予熱HT而使膨脹性粒子SG膨脹，藉此使黏接劑層AL對引線框架LF之接觸區域比起使該膨脹性粒子SG膨脹前增大。 另外，在本實施形態中，於積層步驟PC1與安裝步驟PC4之間實施將附著於凸塊BP與引線框架LF接觸之接觸部BP1的異物去除之去除步驟PC2，進一步地，於安裝步驟PC4之前段中，實施將晶圓WF單片化而形成作為單片體之晶片CP之單片化步驟PC3。而且，黏接劑層AL之厚度係設定為凸塊BP之高度以下。
如圖1中的(A)所示，積層步驟PC1是使按壓輥11(按壓機構)於黏接劑層AL上轉動，將該黏接劑層AL按壓並貼附於凸塊BP及凸部形成面WF1的步驟。在該積層步驟PC1中，於限制了轉動之按壓輥11與晶圓WF之一者之移動的狀態下使另一者移動、或者使按壓輥11與晶圓WF雙方移動，藉此可使轉動之按壓輥11與晶圓WF相對移動而將黏接劑層AL貼附於晶圓WF。 另外，當結束積層步驟PC1時，凸塊BP藉由按壓輥11之按壓而嵌入黏接劑層AL，成為接觸部BP1從黏接劑層AL露出之狀態或者是黏接劑層AL呈薄膜狀態地覆蓋接觸部BP1之狀態。
如圖1中的(B)所示，去除步驟PC2是如下步驟：使旋轉刷21(去除機構)旋轉且使該旋轉之旋轉刷與接觸部BP1接觸，藉此例如將呈薄膜狀態地覆蓋該接觸部BP1上之黏接劑層AL作為異物而去除。在該去除步驟PC2中，於限制了旋轉之旋轉刷21與晶圓WF之一者之移動的狀態下使另一者移動或者使旋轉刷21與晶圓WF雙方移動，藉此可使旋轉之旋轉刷與晶圓WF相對移動而從接觸部BP1中去除異物。
如圖1中的(C)所示，單片化步驟PC3是如下步驟：使旋轉刀片31(切斷機構)旋轉且使該旋轉之旋轉刀片31沿著晶圓WF之切斷預定線移動，藉此將該晶圓WF單片化而形成晶片CP。在該單片化步驟PC3中，於限制了旋轉之旋轉刀片31與晶圓WF之一者之移動的狀態下使另一者移動或者使旋轉刀片31與晶圓WF雙方移動，藉此可使旋轉之旋轉刀片31與晶圓WF相對移動而將晶圓WF單片化。
安裝步驟PC4是將積層有黏接劑層AL之晶片CP安裝於引線框架LF之步驟。亦即，如圖1中的(D)所示，安裝步驟PC4是如下步驟：以保持板41(保持機構)吸附保持晶片CP，使已吸附保持之晶片CP之接觸部BP1與引線框架LF之預定之位置接觸後，以未圖示之超音波振動機構使晶片CP振動，進行超音波接合之接合處理。藉此，晶片CP僅藉由經由了凸塊BP的凸部接合而安裝於引線框架LF之預定之位置。 另外，在本實施形態中，於能量賦予步驟PC5對黏接劑層AL賦予熱HT之前段中，黏接劑層AL成為不與引線框架LF接觸之未接觸狀態(參照圖1中的(D))或與引線框架LF局部接觸之未接觸部過多狀態(參照圖1中的(D1)、圖1中的(D2))。 此處，未接觸部過多狀態是指相對於積層於晶片CP而露出在引線框架LF側的黏接劑層AL整體之區域，該黏接劑層AL與引線框架LF接觸之初始接觸區域之比例小於50%之狀態。
如圖1中的(E)所示，能量賦予步驟PC5是如下步驟：藉由線圈加熱器(coil heater)51(加熱機構)發出熱HT，將該熱HT賦予至黏接劑層AL而使膨脹性粒子SG膨脹。藉此，添加於黏接劑層AL之膨脹性粒子SG膨脹，而該黏接劑層AL抵接於引線框架LF，藉此與使膨脹性粒子SG膨脹前相比其接觸區域增大。結果，在僅凸部接合、或凸部接合及未接觸部過多狀態下安裝於引線框架LF之晶片CP亦藉由黏接劑層AL之大部分而黏接於引線框架LF。
根據以上般之實施形態，由於膨脹性粒子SG膨脹，且黏接劑層AL對引線框架LF之接觸區域增大，故可防止晶片CP對引線框架LF之黏接力不足的情形。
本發明中之機構及步驟只要能夠實現對上述機構及步驟所說明的動作、功能或步驟，則不受任何限定，並且，完全不受前述實施形態中所示的僅一個實施形態之構成物或步驟之限制。例如，若安裝步驟是使凸部與支持體接觸且將積層有黏接劑層之被黏接體安裝於該支持體的步驟，則對照申請當初之技術常識，只要在其技術範圍內則不受任何限定(其他機構及步驟亦相同)。
例如，可於黏接劑層AL之一面AL1暫時黏接有作為另一片材之剝離片材RL，在積層步驟PC1中，使黏接劑層AL之另一面AL2與凸部形成面WF1接觸而將該黏接劑層AL積層於凸部形成面WF1，於安裝步驟PC4之前段中，實施剝離步驟PC6，該剝離步驟PC6係將剝離片材RL從積層有黏接劑層AL之晶圓WF剝離。 亦即，如圖1中的(F)所示，在積層步驟PC1中，經由剝離片材RL且藉由按壓輥11將黏接劑層AL按壓並貼附於晶圓WF之凸部形成面WF1，然後實施剝離步驟PC6。 如圖1中的(G)所示，剝離步驟PC6係可用吸附保持構件61(保持機構)將剝離片材RL吸附保持，藉此將剝離片材RL從黏接劑層AL剝離。剝離步驟係於限制了已吸附保持剝離片材RL之吸附保持構件61與晶圓WF之一者之移動的狀態下使另一者移動、或者使吸附保持構件61與晶圓WF雙方移動，藉此能夠使已吸附保持剝離片材RL之吸附保持構件61與晶圓WF相對移動而將剝離片材從黏接劑層AL剝離。
積層步驟PC1可以是除了藉由如下之貼附裝置之外，亦可藉由公知之貼附裝置或人手將黏接劑層AL貼附於凸部形成面WF1的步驟，上述貼附裝置係以被支持於直動馬達(驅動機器)之輸出軸且能夠藉由減壓泵或真空噴射器等減壓機構來吸附保持的保持構件將黏接劑層AL吸附保持，且將已由該保持構件保持之黏接劑層AL按壓並貼附於凸部形成面WF1。
去除步驟PC2例如可在單片化步驟PC3之後段實施，只要是在積層步驟PC1與安裝步驟PC4之間則可在任何階段實施，例如，可藉由電漿(plasma)處理從接觸部BP1中去除異物，除了藉由賦予熱空氣或清洗液而從接觸部BP1中去除異物之去除裝置之外，亦可藉由公知之去除裝置或人手從接觸部BP1中去除異物，作為去除機構而言，除了上述以外，例如亦可採用砂紙(sand paper)或氣體噴吹等，也可不在本發明之安裝方法中實施。 另外，作為從接觸部BP1中去除之異物而言，除了黏接劑層AL之外，亦可例示附著於該接觸部BP1之污垢或塵埃等。
單片化步驟PC3例如可於積層步驟PC1之前段實施，也可於積層步驟PC1與去除步驟PC2之間實施，亦可於未實施去除步驟PC2之情形時的積層步驟PC1與安裝步驟PC4之間實施，只要是在安裝步驟PC4之前段則可在任何階段實施，單片化步驟PC3除了藉由下述單片化裝置之外，亦可藉由公知之單片化裝置或人手將晶圓WF單片化，還可不在本發明之安裝方法中實施，上述單片化裝置係例如藉由作為改質部形成機構之雷射照射器(改質部形成機構)發出雷射，使發出該雷射之雷射照射器沿著晶圓WF之切斷預定線移動，藉此在該晶圓WF形成改質部，並對形成有該改質部之晶圓WF賦予張力或振動等外力來形成晶片CP。 另外，於單片化步驟PC3是在晶圓WF形成改質部而形成晶片CP之步驟之情形時，可於單片化步驟PC3中進行外力賦予步驟，該外力賦予步驟係對形成有該改質部之晶圓WF賦予外力且形成以改質層為起點之龜裂。 除了賦予雷射光之外，被用作改質部形成機構之機構可以是如下機構：賦予電磁波、振動、熱、化學藥品、化學物質等，變更晶圓WF之特性、特質、性質、材質、組成、構成、尺寸等，藉此將晶圓WF脆弱化、粉碎化、液化或空洞化而形成改質部，只要可將被黏接體單片化而形成單片體，則這種改質部可以是任何一種。 在單片化步驟PC3中，晶圓WF可分割為兩個，亦可分割為三個以上，藉由單片化所形成之晶片CP之形狀可以是圓形、橢圓形、三角形或四邊形以上之多邊形等任何形狀。
安裝步驟PC4除了藉由如下之安裝裝置之外，亦可藉由公知之安裝裝置或人手將晶片CP安裝於引線框架LF，上述安裝裝置係以夾盤缸(chuck cylinder)(驅動機器)抓持晶片CP，使已由該夾盤缸抓持之晶片CP之接觸部BP1與引線框架LF之預定之位置接觸而進行安裝，黏接劑層AL與引線框架LF可以不是未接觸狀態或未接觸部過多狀態，例如，於能量賦予步驟PC5對黏接劑層AL賦予熱HT之前段中，初始接觸區域之比例例如可以是51%、75%、99%等這樣的50%以上之比例，關鍵是只要在能量賦予步驟PC5使膨脹性粒子SG膨脹時，能夠使黏接劑層AL對引線框架LF之接觸區域比起使該膨脹性粒子SG膨脹前增大即可。 在安裝步驟PC4所實施之接合處理除了可以是由黏接(黏著)劑、黏接(黏著)片材、黏接(黏著)帶等所進行的接合之外，亦可以是由熔融、熔補(burning)、焊料等所進行之接合等，可以是使用任何方法之接合處理。
能量賦予步驟PC5除了可以是藉由紅外線加熱器發出熱HT且對黏接劑層AL賦予該熱HT來使膨脹性粒子SG膨脹之能量賦予裝置之外，亦可藉由公知之能量賦予裝置或人手對黏接劑層AL賦予熱HT而使膨脹性粒子SG膨脹，作為加熱機構而言，除了上述之機構以外，例如可採用熱管(heat pipe)之加熱側或熱水供給器等。 能量賦予步驟PC5可對黏接劑層AL整體統一賦予熱HT；可對黏接劑層AL局部地賦予熱HT；可以考慮膨脹性粒子SG之特性、特質、性質、材質、組成及構成等而任意地決定對黏接劑層AL賦予熱HT之時間；可從晶圓WF或晶片CP之一端朝向另一端逐漸地賦予熱HT；可從晶圓WF或晶片CP側對黏接劑層AL賦予熱HT；可從引線框架LF側對黏接劑層AL賦予熱HT；可從晶圓WF或晶片CP或引線框架LF之側方對黏接劑層AL賦予熱HT；可從任何位置對黏接劑層AL賦予熱HT。 能量賦予步驟PC5可在安裝步驟PC4內實施，在該情形時，例如在安裝步驟PC4中將積層有黏接劑層AL之晶圓WF安裝至引線框架LF時(此時可實施或不實施接合處理)，內建於保持板41之加熱機構被驅動，對黏接劑層AL賦予熱HT而膨脹性粒子SG膨脹，藉此黏接劑層AL對引線框架LF之接觸區域增大即可。
剝離步驟PC6可在未實施去除步驟PC2之情形時的單片化步驟PC3與安裝步驟PC4之間實施，在該情形時，於單片化步驟PC3中由旋轉刀片31將積層有附剝離片材RL之黏接劑層AL之晶圓WF予以單片化即可，只要是在安裝步驟PC4之前段則剝離步驟PC6可在任何階段實施。 而且，剝離步驟PC6除了藉由如下剝離裝置之外，亦可藉由公知之剝離裝置或人手將剝離片材RL從黏接劑層AL剝離，上述剝離裝置係將帶狀或片狀之剝離用帶貼附於剝離片材RL，由夾盤缸(驅動機器)抓持已貼附於剝離片材RL之剝離用帶，使該夾盤構件與晶圓WF相對移動而將剝離片材RL從黏接劑層AL剝離。 在剝離步驟PC6中成為剝離對象之另一片材可以是於預定之基材積層有預定之黏接劑層而成之黏接片材、或保護黏接劑層AL之覆蓋片材(cover sheet)等。
以黏接劑層AL而言，可以採用添加有膨脹性粒子SG的材料，該膨脹性粒子SG係利用紫外線、可見光、聲波、X射線或伽馬射線等的電磁波或熱水或熱空氣等的熱等任何能量而膨脹，在能量賦予步驟PC5中，可根據該等膨脹性粒子SG之特性、特質、性質、材質、組成及構成等來將紫外線、可見光、聲波、X射線或伽馬射線等的電磁波或熱水或熱空氣等的熱等任何能量設為預定之能量，只要能夠藉由使膨脹性粒子SG膨脹來使黏接劑層AL對支持體之接觸區域比起使該膨脹性粒子SG膨脹前增大，則都可以。
以膨脹性粒子SG而言，例如可例示藉由異丁烷(isobutane)、丙烷(propane)、戊烷(pentane)等的加熱而容易氣化膨脹之物質被內包在具有彈性之殼內的微粒等，可以是在日本專利申請之特願2017-73236、日本特開2013-159743、日本特開2012-167151、日本特開2001-123002等所揭示之熱發泡性微粒、或在日本特開2013-47321、日本特開2007-254580、日本特開2011-212528、日本特開2003-261842等所揭示之膨脹性粒子等不受任何限定的物質，例如，可採用進行熱分解而產生水、二氧化碳(carbonic acid gas)、氮而實現與膨脹性粒子類似之效果的發泡劑，可採用在日本特開2016-53115、日本特開平7-278333所揭示之以藉由紫外線產生氣體之偶氮(azo)化合物等氣體產生劑而使殼膨脹的物質，例如可採用藉由加熱而膨脹之橡膠或樹脂等，此外，可採用碳酸氫鈉(sodium bicarbonate)、發酵粉(baking powder)等。
在本發明之安裝方法中，亦可於積層步驟PC1、去除步驟PC2、單片化步驟PC3、安裝步驟PC4、能量賦予步驟PC5或剝離步驟PC6之前段或後段等實施研削(研磨)晶圓WF或晶片CP至預定之厚度為止的研削(研磨)步驟。
黏接劑層AL可以是感壓黏接性、感熱黏接性等黏接形態，於採用感熱黏接性之黏接劑層AL之情形時，以如下的適當方法黏接即可：設置用以加熱該黏接劑層AL之適當的線圈加熱器或熱管之加熱側等加熱機構。而且，黏接劑層AL例如可以是只有黏接劑層之單層、具有單個或多個中間層之雙面黏接型、或者是無中間層之單層或多層；可以是圓形、橢圓形、三角形或四邊形等多邊形或其他任何形狀。另外，於黏接劑層AL具有中間層之情形時，膨脹性粒子SG可僅添加於黏接劑層AL、可僅添加於中間層、亦可添加於黏接劑層AL與中間層雙方。 被黏接體及支持體例如是食品、樹脂容器、矽半導體晶圓或化合物半導體晶圓等半導體晶圓、電路基板、光碟等資訊記錄基板、玻璃板、玻璃器具、鋼板、金屬製品、陶瓷、木板、木製品或樹脂等單個物體，可以是由該等中的兩種以上之物質形成之複合物，且能夠以任意形態之構件或物品等為對象，其材質、種類、形狀等不作特別限定，形成於這種被黏接體之凸部例如可以是螺栓(bolt)或螺母(nut)等緊固件、樹脂成型之突出部等任何類型，被黏接體、支持體及凸部之形狀例如可以是圓形、橢圓形、三角形或四邊形等多邊形、立方體、長方體、球形、圓柱形、角柱形、圓錐形、角錐形等其他任何形狀。
在前述實施形態中之驅動機器可採用轉動馬達、直動馬達、線性馬達、單軸機器人、具備雙軸或三軸以上之關節的多關節機器人等電動機器、氣缸(air cylinder)、液壓缸、無桿氣缸(rod-less cylinder)及旋轉氣缸(rotary cylinder)等致動器(actuator)等，此外，亦可採用該等直接或間接組合而成之機構。 在前述實施形態中，於採用輥等旋轉構件之情形時，可具備使該旋轉構件旋轉驅動之驅動機器，可由橡膠或樹脂等能夠變形之構件構成旋轉構件之表面或旋轉構件自身，可由不變形之構件構成旋轉構件之表面或旋轉構件自身，可採用旋轉或不旋轉的軸(shaft)或刀葉(blade)等其他構件來代替輥，於採用按壓輥或按壓頭等按壓機構或按壓構件這種對被按壓物進行按壓之構件時，可代替上述例示或與上述例示並用地採用輥、圓棒、刀葉材料、橡膠、樹脂、海綿等構件，可採用藉由大氣或氣體等氣體之噴吹而進行按壓之構成，進行按壓的構件可由橡膠或樹脂等能夠變形之構件構成，亦可由不變形之構件構成，於採用支持(保持)機構或支持(保持)構件等對被支持構件進行支持或保持的構件時，可採用由機械夾盤或夾盤缸等抓持機構、庫侖力(Coulomb force)、黏接劑(黏接片材、黏接帶)、黏著劑(黏著片材、黏著帶)、磁力、伯努利(Bernoulli)吸附、抽吸吸附、驅動機器等對被支持構件進行支持(保持)之構成，於採用切斷機構或切斷構件等將被切斷構件切斷或在被切斷構件形成切口或切斷線之構件時，可代替上述例示或與上述例示並用地採用切割刀、雷射切割器(laser cutter)、離子束(ion beam)、熱功率、熱、水壓、電熱絲、氣體或液體等之噴吹等進行切斷的構件，或可由適當之驅動機器的組合使切斷構件移動而進行切斷。
11‧‧‧按壓輥(按壓機構)
21‧‧‧旋轉刷(去除機構)
31‧‧‧旋轉刀片(切斷機構)
41‧‧‧保持板(保持機構)
51‧‧‧線圈加熱器(加熱機構)
61‧‧‧吸附保持構件(保持機構)
AL‧‧‧黏接劑層
AL1‧‧‧一面
AL2‧‧‧另一面
BP‧‧‧凸塊(凸部)
BP1‧‧‧接觸部
CP‧‧‧晶片
HT‧‧‧熱
LF‧‧‧支持體(引線框架)
PC1‧‧‧積層步驟
PC2‧‧‧去除步驟
PC3‧‧‧單片化步驟
PC4‧‧‧安裝步驟
PC5‧‧‧能量賦予步驟
PC6‧‧‧剝離步驟
RL‧‧‧剝離片材
SG‧‧‧膨脹性粒子
WF‧‧‧半導體晶圓(被黏接體)
WF1‧‧‧凸部形成面
圖1中的(A)至圖1中的(G)係本發明之實施形態之安裝方法之說明圖。
11:按壓輥(按壓機構)
21:旋轉刷(去除機構)
31:旋轉刀片(切斷機構)
41:保持板(保持機構)
51:線圈加熱器(加熱機構)
61:吸附保持構件(保持機構)
AL:黏接劑層
AL1:一面
AL2:另一面
BP:凸塊(凸部)
BP1:接觸部
CP:晶片
HT:熱
LF:支持體(引線框架)
PC1:積層步驟
PC2:去除步驟
PC3:單片化步驟
PC4:安裝步驟
PC5:能量賦予步驟
PC6:剝離步驟
RL:剝離片材
SG:膨脹性粒子
WF:半導體晶圓(被黏接體)
WF1:凸部形成面
Claims (6)
- 一種安裝方法，係實施下述步驟：積層步驟，係於被黏接體之凸部形成面積層黏接劑層，前述被黏接體係具有前述凸部形成面，前述凸部形成面係形成有凸部，前述黏接劑層係添加有藉由賦予預定之能量而膨脹之膨脹性粒子；安裝步驟，係使前述凸部與支持體接觸，將積層有前述黏接劑層之前述被黏接體安裝於前述支持體；以及能量賦予步驟，係對前述黏接劑層賦予前述能量而使前述膨脹性粒子膨脹，藉此使前述黏接劑層對前述支持體之接觸區域比起使前述膨脹性粒子膨脹前增大；於前述安裝方法中，進一步實施於前述積層步驟之前段中準備預先成形為層狀之前述黏接劑層；於前述積層步驟中，係將前述凸部嵌入至前述黏接劑層而將前述黏接劑層積層至前述被黏接體。
- 如請求項1所記載之安裝方法，其中前述黏接劑層之厚度係設定為前述凸部之高度以下，於前述能量賦予步驟對前述黏接劑層賦予前述能量之前段中，前述黏接劑層成為不與前述支持體接觸之未接觸狀態或成為與前述支持體局部接觸之未接觸部過多狀態。
- 如請求項1或2所記載之安裝方法，其中於前述積層步驟與前述安裝步驟之間實施去除步驟，前述去除步驟係將附著於前述凸部與前述支持體接觸之接觸部的異物去除。
- 如請求項1或2所記載之安裝方法，其中於前述安裝步驟之前段中實施將前述被黏接體單片化而形成單片體之單片化步驟，於前述安裝步驟中將積層有前述黏接劑層之前述單片體安裝於支持體。
- 如請求項1或2所記載之安裝方法，其中於前述黏接劑層之一面係暫時黏接有另一片材；於前述積層步驟中，使前述黏接劑層之另一面與前述凸部形成面接觸而將前述黏接劑層積層於前述凸部形成面；於前述安裝步驟之前段中，實施從積層有前述黏接劑層之前述被黏接體剝離前述另一片材之剝離步驟。
- 如請求項1或2所記載之安裝方法，於前述積層步驟中，係藉由按壓輥於前述黏接劑層上轉動而使前述凸部嵌入至前述黏接劑層。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018124792A JP7382708B2 (ja) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 実装方法 |
| JP2018-124792 | 2018-06-29 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202002102A TW202002102A (zh) | 2020-01-01 |
| TWI835783B true TWI835783B (zh) | 2024-03-21 |
Family
ID=
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006118033A1 (ja) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Lintec Corporation | シート状アンダーフィル材および半導体装置の製造方法 |
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006118033A1 (ja) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Lintec Corporation | シート状アンダーフィル材および半導体装置の製造方法 |
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