JP7382708B2 - 実装方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 86
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 86
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 66
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 22
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 7
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 38
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 16
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N Propane Chemical compound CCC ATUOYWHBWRKTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- -1 azo compound Chemical class 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N isobutane Chemical compound CC(C)C NNPPMTNAJDCUHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004604 Blowing Agent Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 235000013305 food Nutrition 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000001282 iso-butane Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
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- H01L23/49503—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
- H01L23/49513—Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/563—Encapsulation of active face of flip-chip device, e.g. underfilling or underencapsulation of flip-chip, encapsulation preform on chip or mounting substrate
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C09J11/00—Features of adhesives not provided for in group C09J9/00, e.g. additives
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- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J201/00—Adhesives based on unspecified macromolecular compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
- C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
- C09J7/35—Heat-activated
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
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- C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
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- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
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- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
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Description
また、被着体を支持体に取り付けた際、接着剤層を未接触状態または未接触部過多状態とすることで、接着剤層の厚みが障壁となって凸部と支持体とが未接触となることを防止することができる。
さらに、除去工程を実施することで、凸部と支持体との間に異物が介在することを防止し、それらの接触を確実なものとすることができる。
また、個片化工程を実施すれば、被着体を個片化して形成した個片体を支持体に取り付けることができる。
さらに、剥離工程を実施すれば、一方の面に他のシートが仮着された接着剤層の態様のものに対応することができる。
なお、本実施形態におけるX軸、Y軸、Z軸は、それぞれが直交する関係にあり、X軸およびY軸は、所定平面内の軸とし、Z軸は、前記所定平面に直交する軸とする。さらに、本実施形態では、Y軸と平行な図1中手前方向から観た場合を基準とし、図を指定することなく方向を示した場合、「上」がZ軸の矢印方向で「下」がその逆方向、「左」がX軸の矢印方向で「右」がその逆方向、「前」がY軸と平行な図1(A)中手前方向で「後」がその逆方向とする。
なお、本実施形態では、積層工程PC1と実装工程PC4との間で、バンプBPがリードフレームLFに接触する接触部BP1に付着している異物を除去する除去工程PC2を実施し、さらに、実装工程PC4の前段で、ウエハWFを個片化して個片体としてのチップCPを形成する個片化工程PC3を実施する。また、接着剤層ALの厚みは、バンプBPの高さ以下に設定されている。
なお、積層工程PC1を終えると、バンプBPは、押圧ローラ11の押圧によって接着剤層ALにめり込み、接触部BP1が接着剤層ALから表出した状態、または、接触部BP1に接着剤層ALが薄膜状態となって覆い被さった状態となる。
なお、本実施形態では、エネルギー付与工程PC5で接着剤層ALに熱HTを付与する前段で、接着剤層ALがリードフレームLFに接触していない未接触状態(図1(D)参照)、または、部分的に接触した未接触部過多状態(図1(D1)、(D2)参照)とする。
ここで、未接触部過多状態とは、チップCPに積層されてリードフレームLF側に表出している接着剤層AL全体の領域に対し、当該接着剤層ALがリードフレームLFに接触している初期接触領域の割合が50%未満の状態のことをいう。
すなわち、積層工程PC1では、図1(F)に示すように、剥離シートRLを介して押圧ローラ11で接着剤層ALをウエハWFの凸部形成面WF1に押圧して貼付し、その後、剥離工程PC6を実施する。
剥離工程PC6は、図1(G)に示すように、吸着保持部材61(保持手段)で剥離シートRLを吸着保持し、接着剤層ALから剥離シートRLを剥離する。この剥離工程は、剥離シートRLを吸着保持した吸着保持部材61とウエハWFとの一方の移動を規制した状態で他方を移動させたり、それら両方を移動させたりすることで、剥離シートRLを吸着保持した吸着保持部材61とウエハWFとを相対移動させて剥離シートを接着剤層ALから剥離することができる。
なお、接触部BP1から除去する異物は、接着剤層ALの他、当該接触部BP1に付着した汚れや塵埃等が例示できる。
なお、個片化工程PC3が、ウエハWFに改質部を形成してチップCPを形成する場合、当該改質部が形成されたウエハWFに外力を付与し、改質層を起点とした亀裂を形成する外力付与工程を行ってもよい。
改質部形成手段としては、レーザ光の他に、電磁波、振動、熱、薬品、化学物質等を付与し、ウエハWFの特性、特質、性質、材質、組成、構成、寸法等を変更することで、ウエハWFを脆弱化、粉砕化、液化または空洞化して改質部を形成するものでもよく、このような改質部は、被着体を個片化して個片体を形成することができればどのようなものでもよい。
個片化工程PC3では、ウエハWFを2分割にしてもよいし、3分割以上にしてもよいし、個片化によって形成されるチップCPの形状は、円形、楕円形、三角形または四角形以上の多角形等、どのような形状でもよい。
実装工程PC4で実施される接合処理は、接着(粘着)剤、接着(粘着)シート、接着(粘着)テープ等による接合の他、溶融、焼き付き、はんだ等による接合等、どのような接合処理方法でもよい。
エネルギー付与工程PC5は、接着剤層ALに対して全体に一括で熱HTを付与してもよいし、接着剤層ALに対して部分的に熱HTを付与してもよいし、膨張性粒子SGの特性、特質、性質、材質、組成および構成等を考慮して、接着剤層ALに熱HTを付与する時間を任意に決定することができるし、ウエハWFまたはチップCPの一端から他端に向けて徐々に熱HTを付与してもよいし、ウエハWFまたはチップCP側から接着剤層ALに熱HTを付与してもよいし、リードフレームLF側から接着剤層ALに熱HTを付与してもよいし、ウエハWFまたはチップCPやリードフレームLFの側方から接着剤層ALに熱HTを付与してもよく、何れの位置から接着剤層ALに熱HTを付与してもよい。
エネルギー付与工程PC5は、実装工程PC4で実施してもよく、この場合、例えば、実装工程PC4で、接着剤層ALが積層されたウエハWFをリードフレームLFに取り付けた際(この際、接合処理は実施してもよいし、実施しなくてもよい)、保持プレート41に内蔵した加熱手段を駆動し、接着剤層ALに熱HTを付与して膨張性粒子SGを膨張させることで、リードフレームLFに対する接着剤層ALの接触領域を増大させればよい。
また、剥離工程6は、帯状または枚葉の剥離用テープを剥離シートRLに貼付し、剥離シートRLに貼付した剥離用テープをチャックシリンダ(駆動機器)で把持し、当該チャック部材とウエハWFとを相対移動させて剥離シートRLを接着剤層ALから剥離する剥離装置の他、公知の剥離装置や人手によって剥離シートRLを接着剤層ALから剥離してもよい。
剥離工程6は、剥離の対象とする他のシートとして、所定の基材に所定の接着剤層が積層された接着シートや、接着剤層ALを保護するカバーシート等であってもよい。
被着体および支持体は、例えば、食品、樹脂容器、シリコン半導体ウエハや化合物半導体ウエハ等の半導体ウエハ、回路基板、光ディスク等の情報記録基板、ガラス板、ガラス器具、鋼板、金属製品、陶器、木板、木製品または樹脂等の単体物であってもよいし、それら2つ以上で形成された複合物であってもよく、任意の形態の部材や物品なども対象とすることができるし、その材質、種別、形状等は、特に限定されることはないし、そのような被着体に形成された凸部は、例えば、ボルトやナット等の留め具によるものや、樹脂成型された突出部等、どのようなものでもよいし、被着体、支持体および凸部の形状は、例えば、円形、楕円形、三角形や四角形等の多角形、立方体、直方体、球形、円柱形、角柱形、円錐形、角錐形等、その他どのような形状であってもよい。
前記実施形態において、ローラ等の回転部材が採用されている場合、当該回転部材を回転駆動させる駆動機器を備えてもよいし、回転部材の表面や回転部材自体をゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、回転部材の表面や回転部材自体を変形しない部材で構成してもよいし、ローラの代わりに回転するまたは回転しないシャフトやブレード等の他の部材を採用してもよいし、押圧ローラや押圧ヘッド等の押圧手段や押圧部材といった被押圧物を押圧するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、ローラ、丸棒、ブレード材、ゴム、樹脂、スポンジ等の部材を採用したり、大気やガス等の気体の吹き付けにより押圧する構成を採用したりしてもよいし、押圧するものをゴムや樹脂等の変形可能な部材で構成してもよいし、変形しない部材で構成してもよいし、支持(保持)手段や支持(保持)部材等の被支持部材を支持または保持するものが採用されている場合、メカチャックやチャックシリンダ等の把持手段、クーロン力、接着剤(接着シート、接着テープ)、粘着剤(粘着シート、粘着テープ)、磁力、ベルヌーイ吸着、吸引吸着、駆動機器等で被支持部材を支持(保持)する構成を採用してもよいし、切断手段や切断部材等の被切断部材を切断または、被切断部材に切込や切断線を形成するものが採用されている場合、上記で例示したものに代えてまたは併用して、カッター刃、レーザカッタ、イオンビーム、火力、熱、水圧、電熱線、気体や液体等の吹付け等で切断するものを採用したり、適宜な駆動機器を組み合わせたもので切断するものを移動させて切断するようにしたりしてもよい。
BP…バンプ(凸部)
BP1…接触部
PC1…積層工程
PC2…除去工程
PC3…個片化工程
PC4…実装工程
PC5…エネルギー付与工程
PC6…剥離工程
LF…支持体(リードフレーム)
SG…膨張性粒子
WF…半導体ウエハ(被着体)
WF1…凸部形成面
Claims (5)
- 凸部が形成された凸部形成面を有する被着体の当該凸部形成面に、所定のエネルギーが付与されることで膨張する膨張性粒子が添加された接着剤層を積層する積層工程と、
前記凸部を支持体に接触させ、前記接着剤層が積層された前記被着体を当該支持体に取り付ける実装工程と、
前記接着剤層に前記エネルギーを付与して前記膨張性粒子を膨張させることで、当該膨張性粒子を膨張させる前に比べ、前記支持体に対する前記接着剤層の接触領域を増大させるエネルギー付与工程とを実施する実装方法において、
前記積層工程の前段で、予め層状に成形された前記接着剤層を用意する工程をさらに実施し、
前記積層工程では、前記凸部を前記接着剤層にめり込ませて当該接着剤層を前記被着体に積層することを特徴とする実装方法。
- 前記接着剤層の厚みは、前記凸部の高さ以下に設定され、前記エネルギー付与工程で前記接着剤層に前記エネルギーを付与する前段で、前記接着剤層が前記支持体に接触していない未接触状態、または、部分的に接触した未接触部過多状態とすることを特徴とする請求項1に記載の実装方法。
- 前記積層工程と実装工程との間で、前記凸部が前記支持体に接触する接触部に付着している異物を除去する除去工程を実施することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の実装方法。
- 前記実装工程の前段で、前記被着体を個片化して個片体を形成する個片化工程を実施し、前記実装工程では、前記接着剤層が積層された前記個片体を支持体に取り付けることを特徴とする請求項1乃至請求項3の何れかに記載の実装方法。
- 前記接着剤層の一方の面には、他のシートが仮着され、
前記積層工程では、前記接着剤層の他方の面を前記凸部形成面に接触させて当該接着剤層を前記凸部形成面に積層し、
前記実装工程の前段で、前記接着剤層が積層された前記被着体から前記他のシートを剥離する剥離工程を実施することを特徴とする請求項1乃至請求項4の何れかに記載の実装方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018124792A JP7382708B2 (ja) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 実装方法 |
KR1020207034525A KR20210025004A (ko) | 2018-06-29 | 2019-03-20 | 실장 방법 |
PCT/JP2019/011770 WO2020003653A1 (ja) | 2018-06-29 | 2019-03-20 | 実装方法 |
CN201980036976.5A CN112219268A (zh) | 2018-06-29 | 2019-03-20 | 安装方法 |
TW108110190A TWI835783B (zh) | 2018-06-29 | 2019-03-25 | 安裝方法 |
US17/130,608 US20210111036A1 (en) | 2018-06-29 | 2020-12-22 | Mounting method of work |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018124792A JP7382708B2 (ja) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020004909A JP2020004909A (ja) | 2020-01-09 |
JP7382708B2 true JP7382708B2 (ja) | 2023-11-17 |
Family
ID=68986939
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018124792A Active JP7382708B2 (ja) | 2018-06-29 | 2018-06-29 | 実装方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210111036A1 (ja) |
JP (1) | JP7382708B2 (ja) |
KR (1) | KR20210025004A (ja) |
CN (1) | CN112219268A (ja) |
TW (1) | TWI835783B (ja) |
WO (1) | WO2020003653A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013115185A (ja) | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
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JP2017103362A (ja) | 2015-12-02 | 2017-06-08 | リンテック株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2018
- 2018-06-29 JP JP2018124792A patent/JP7382708B2/ja active Active
-
2019
- 2019-03-20 WO PCT/JP2019/011770 patent/WO2020003653A1/ja active Application Filing
- 2019-03-20 CN CN201980036976.5A patent/CN112219268A/zh active Pending
- 2019-03-20 KR KR1020207034525A patent/KR20210025004A/ko not_active Application Discontinuation
- 2019-03-25 TW TW108110190A patent/TWI835783B/zh active
-
2020
- 2020-12-22 US US17/130,608 patent/US20210111036A1/en not_active Abandoned
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JP2013115185A (ja) | 2011-11-28 | 2013-06-10 | Nitto Denko Corp | 半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20210025004A (ko) | 2021-03-08 |
US20210111036A1 (en) | 2021-04-15 |
JP2020004909A (ja) | 2020-01-09 |
WO2020003653A1 (ja) | 2020-01-02 |
CN112219268A (zh) | 2021-01-12 |
TW202002102A (zh) | 2020-01-01 |
TWI835783B (zh) | 2024-03-21 |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Request for written amendment filed |
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