CN110517987A - 晶片的加工方法 - Google Patents
晶片的加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110517987A CN110517987A CN201910402964.1A CN201910402964A CN110517987A CN 110517987 A CN110517987 A CN 110517987A CN 201910402964 A CN201910402964 A CN 201910402964A CN 110517987 A CN110517987 A CN 110517987A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- adhesive
- resin layer
- adhesive resin
- processing method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 38
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims abstract description 24
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims abstract description 24
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 21
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 claims description 11
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 claims description 11
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 17
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 2
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 2
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000000181 anti-adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Abstract
提供晶片的加工方法，即使在基板的上表面上形成有非粘接性树脂层的情况下，也能够粘贴保护带。该晶片的加工方法将在基板(10)的上表面上包覆有非粘接性树脂层(16)并且通过分割预定线(12)划分出多个器件(14)的晶片(W)分割成各个器件(14)，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：非粘接性破坏工序，对非粘接性树脂层(16)的正面照射紫外线(UV)而将正面的非粘接性破坏；保护带粘贴工序，在非粘接性已被破坏的非粘接性树脂层(16)的正面上粘贴保护带(30)；以及分割工序，将切削刀具(43)定位于晶片(W)的分割预定线(12)，一边提供切削水(WT)一边对分割预定线(12)进行切削而将晶片(W)分割成各个器件(14)。
Description
技术领域
本发明涉及晶片的加工方法，将在基板的上表面上包覆有非粘接性树脂层的晶片分割成各个器件。
背景技术
由分割预定线划分而在正面上形成有IC、LSI等多个器件的晶片通过切割装置分割成各个器件，并被用于移动电话、个人计算机等电子设备。
另外，当CCD等图像传感器的正面被包含污染物的切削水污染时，会导致品质的降低，因此在正面上粘贴保护带而进行切割(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2007-134390号公报
近年来，研究了将如下的晶片分割成各个器件，该晶片在基板的上表面上包覆有由非粘接性的有机硅树脂例如二甲基聚硅氧烷(以下称为“PDMS”)构成的层，并在由分割预定线划分的区域内形成有不希望污染物附着的医疗用器件。
在将上述的包覆有PDMS的晶片分割成各个器件时，在希望使各个器件不被包含污染物的切削水污染的情况下，如上所述考虑了在正面上粘贴保护带而进行切割。但是，已知PDMS等有机硅树脂是非粘接性的，可以作为防粘剂，因此存在如下的问题：保护带无法粘贴于基板上表面上，在切割时保护带会发生剥离，无法防止污染物等的污染。
发明内容
本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供晶片的加工方法，即使在基板的上表面上形成有非粘接性树脂层的情况下，也能够粘贴保护带。
为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供晶片的加工方法，将在基板的上表面上包覆有非粘接性树脂层并且通过分割预定线划分出多个器件的晶片分割成各个器件，其中，该晶片的加工方法至少包含如下的工序：非粘接性破坏工序，对非粘接性树脂层的正面照射紫外线，将正面的非粘接性破坏；保护带粘贴工序，在非粘接性已被破坏的非粘接性树脂层的正面上粘贴保护带；以及分割工序，将切削刀具定位于晶片的分割预定线，一边提供切削水一边对分割预定线进行切削而将晶片分割成各个器件。
优选至少在该分割工序之前实施如下的框架支承工序：将晶片的下表面粘贴在划片带上，并且将划片带的外周粘贴在具有对晶片进行收纳的开口的框架上，借助划片带而利用框架对晶片进行支承。另外，优选该非粘接性树脂层是二甲基聚硅氧烷(PDMS)，该紫外线的波长至少包含185nm和254nm，在该非粘接性破坏工序中，使分子的键断裂并且生成活性氧而将非粘接性破坏。
根据本发明的晶片的加工方法，至少包含如下的工序：非粘接性破坏工序，对非粘接性树脂层的正面照射紫外线而将正面的非粘接性破坏；保护带粘贴工序，在非粘接性已被破坏的非粘接性树脂层的正面上粘贴保护带；以及分割工序，将切削刀具定位于晶片的分割预定线，一边提供切削水一边对分割预定线进行切削而将晶片分割成各个器件，从而即使是在基板的上表面上包覆有PDMS等具有非粘接性的有机硅树脂的晶片，也能够粘贴保护带，从而可防止污染物等附着于各个分割的器件，抑制品质的降低。
附图说明
图1的(a)是示出将在本实施方式中作为被加工物的晶片支承于框架的方式的立体图，图1的(b)是图1的(a)中A-A所示的剖面的局部放大图。
图2是示出在本实施方式的非粘接性破坏工序中对晶片的上表面照射紫外线的方式的立体图。
图3的(a)是示出本实施方式的保护带粘贴工序的实施方式的立体图，图3的(b)是通过保护带粘贴工序粘贴了保护带的晶片的立体图。
图4的(a)是示出实施本实施方式的分割工序的方式的立体图，图4的(b)是示出实施了分割工序的晶片的立体图。
图5是示出本实施方式中的保护片剥离工序的实施方式的立体图。
标号说明
10：基板；12：分割预定线；14：器件；14a：空间部；16：非粘接性树脂层；20：紫外线照射装置；30：保护带；40：切削装置；41：主轴单元；42：主轴；43：切削刀具；44：主轴壳体；100：分割槽。
具体实施方式
以下，参照附图对根据本发明实施的晶片的加工方法进行详细说明。
(非粘接性破坏工序)
在本实施方式的晶片的加工方法中，首先实施非粘接性破坏工序。在实施非粘接性破坏工序时，首先如图1的(a)所示，准备在基板10上通过分割预定线12划分出多个器件14的晶片W(被加工物准备工序)。如图1的(a)以及将图1的(a)的A-A剖面的一部分放大而示出的图1的(b)所示，基板10的上表面被非粘接性树脂层16包覆。上述非粘接性树脂层16典型地是有机硅树脂，例如是二甲基聚硅氧烷(PDMS)。另外，在本实施方式中通过分割预定线12进行划分的器件14是医疗用的器件，具有俯视呈矩形的上下贯通的空间部14a。另外，在本发明中通过分割预定线12进行划分的器件14并不限于此，包含各个分割后能够利用的所有的功能、形态的器件。
若准备了上述的晶片W，则如图1的(a)所示，将晶片W的下表面粘贴在划片带T上，并且将划片带T的外周粘贴在具有对晶片W进行收纳的开口的框架F上，借助划片带T而利用框架F对晶片W进行支承(框架支承工序)。
若通过上述框架支承工序利用框架F对晶片W进行了支承，则如图2所示，将晶片W定位于通过具有短波长紫外线灯的紫外线照射装置20而被照射紫外线UV的照射位置。若将晶片W定位于紫外线照射装置20的照射位置，则对晶片W的整个上表面照射紫外线UV。该紫外线UV包含波长为185nm和波长为254nm的紫外线。
被照射了紫外线UV的非粘接性树脂层16通过被照射为波长185nm的紫外线而将正面的分子有机键断裂。进一步，通过被照射波长为254nm的紫外线，从通过紫外线而产生的臭氧(O3)分离的活性氧(O)与所述断裂的正面的分子结构键合，生成新的官能团。通过该官能团的作用，非粘接性树脂层16的正面被改质成具有粘接性的树脂层。由此，完成非粘接性破坏工序。
(保护带粘贴工序)
若如上述那样实施了非粘接性破坏工序，则如图3所示，在支承于框架F的晶片W的上表面上粘贴保护带30。作为保护带30，可以使用在由聚氯乙烯(PVC)构成的片状基材的粘贴面上涂布有丙烯酸系树脂系的糊料的常规保护带。如上所述，非粘接性树脂层16在实施非粘接性破坏工序之前具有较强的防粘作用，即使想要粘贴保护带30，也会立刻剥离，无法发挥作为保护带的功能。但是，在本实施方式中，通过实施上述的非粘接性破坏工序对非粘接性树脂层16的正面进行改质，因此可良好地粘贴保护带30。如上所述，完成保护带粘贴工序。另外，在本实施方式中，在实施了框架支承工序之后实施本工序，但实施框架支承工序的时机不限于此，也可以在实施本工序之后且在实施后述的分割工序之前实施。
(分割工序)
若如上述那样完成了保护带粘贴工序，则实施分割工序。如图4的(a)所示，分割工序例如通过具有主轴单元41的切削装置40(省略了装置整体的图示)来执行。主轴单元41具有主轴壳体44，该主轴壳体44对固定于旋转主轴42的前端部的切削刀具43进行保持。在主轴壳体44上与切削刀具43相邻且夹着切削刀具43而配设有切削水提供单元45(在图中仅示出近前侧的切削水提供单元45)，构成为能够朝向切削刀具43的切削位置提供切削水WT。在本实施方式中，首先通过未图示的保持单元对晶片W进行保持并适当地实施对准工序，从而进行切削刀具43与晶片W的加工位置的对位。保护带30由透明的材质构成，不必照射红外线光而能够将切削刀具43定位于分割预定线12。使在箭头R所示的方向上高速旋转的切削刀具43相对于切削装置40的未图示的保持单元所保持的晶片W下降而切入，使晶片W相对于切削刀具43在箭头X所示的加工进给方向上移动。由此，沿着分割预定线12按照将晶片W与保护片30一起完全分割的深度形成分割槽100。使晶片W相对于切削刀具43在分度方向、旋转方向上适当地移动，从而如图4的(b)所示沿着晶片W的所有分割预定线12形成分割槽100，分割成各个器件14。如上所述，完成分割工序。
若完成了上述的分割工序，则对实施了分割工序的晶片W进行清洗、干燥而实施保护片剥离工序。在实施保护片剥离工序时，首先在粘贴有保护片30的晶片W的上表面上粘贴宽幅的粘接带32，如图5所示那样将保护片30从晶片W的上表面剥离。保护片30在上述的分割工序中与器件14一起被分割成小片，通过使用如图所示那样的宽幅的粘接带32，能够一气呵成地剥离。晶片W以比将保护片30粘贴于晶片W的上表面时的结合力强的力支承于划片带T，因此即使将保护片30从晶片W的上表面剥离，也可防止各个器件14从晶片W脱离。如图中将一部分放大所示，经过上述分割工序，对形成于基板10的器件14一个一个地进行分割，并且在分割工序时良好地粘贴有保护带30，从而还可以防止污染物等进入器件14的空间部14a。将如上述那样实施了保护片剥离工序的晶片W适当地搬送至下一工序，从划片带T拾取各个器件14。
如上所述，根据本实施方式，即使在将在基板10的上表面上包覆有由PDMS等有机硅树脂构成的非粘接性树脂层16的晶片W分割成各个器件14的情况下，也能够良好地粘贴保护带30，因此即使一边提供切削水WT一边通过切削刀具43进行切削，各个器件14也能够不被污染物等污染而分割成各个器件14。
在上述的实施方式中，作为在非粘接层破坏工序中进行照射的紫外线UV，照射包含波长为185nm和波长为254nm的紫外线UV，但本发明不限于此，例如可以选择波长为172nm的所谓的准分子光。
Claims (3)
1.一种晶片的加工方法，将在基板的上表面上包覆有非粘接性树脂层并且通过分割预定线划分出多个器件的晶片分割成各个器件，其中，
该晶片的加工方法至少包含如下的工序：
非粘接性破坏工序，对非粘接性树脂层的正面照射紫外线，将正面的非粘接性破坏；
保护带粘贴工序，在非粘接性已被破坏的非粘接性树脂层的正面上粘贴保护带；以及
分割工序，将切削刀具定位于晶片的分割预定线，一边提供切削水一边对分割预定线进行切削而将晶片分割成各个器件。
2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，
至少在该分割工序之前实施如下的框架支承工序：将晶片的下表面粘贴在划片带上，并且将划片带的外周粘贴在具有对晶片进行收纳的开口的框架上，借助划片带而利用框架对晶片进行支承。
3.根据权利要求1或2所述的晶片的加工方法，其中，
该非粘接性树脂层是二甲基聚硅氧烷，该紫外线的波长至少包含185nm和254nm，
在该非粘接性破坏工序中，使分子的键断裂并且生成活性氧而将非粘接性破坏。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018096889A JP7092553B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | ウエーハの加工方法 |
| JP2018-096889 | 2018-05-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110517987A true CN110517987A (zh) | 2019-11-29 |
| CN110517987B CN110517987B (zh) | 2024-03-15 |
Family
ID=68622675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910402964.1A Active CN110517987B (zh) | 2018-05-21 | 2019-05-15 | 晶片的加工方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7092553B2 (zh) |
| KR (1) | KR102670602B1 (zh) |
| CN (1) | CN110517987B (zh) |
| TW (1) | TWI800647B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114628304A (zh) * | 2020-12-10 | 2022-06-14 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 芯片键合方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101859851A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-10-13 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
| CN105140183A (zh) * | 2014-06-05 | 2015-12-09 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
| WO2016092584A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | めっき皮膜付樹脂製品並びに樹脂製品及びめっき皮膜付樹脂製品の製造方法 |
| US20160172312A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-16 | Disco Corporation | Wafer processing method |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007134390A (ja) | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
| JP2007165694A (ja) | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
| JP5559027B2 (ja) | 2010-12-24 | 2014-07-23 | 株式会社朝日ラバー | シリコーンレンズ、レンズ付ｌｅｄ装置及びレンズ付ｌｅｄ装置の製造方法 |
| JP5950502B2 (ja) | 2011-03-23 | 2016-07-13 | 株式会社ディスコ | ウエーハの分割方法 |
| JP6013858B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
| JP6133152B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2017-05-24 | 株式会社ディスコ | 樹脂シート貼着方法 |
| JP6346827B2 (ja) | 2014-08-13 | 2018-06-20 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
| JP2016136559A (ja) | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の切削方法 |
| JP2017005158A (ja) | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの裏面研削方法 |
| JP6621338B2 (ja) | 2016-02-09 | 2019-12-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 |
-
2018
- 2018-05-21 JP JP2018096889A patent/JP7092553B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-17 KR KR1020190044756A patent/KR102670602B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-15 CN CN201910402964.1A patent/CN110517987B/zh active Active
- 2019-05-16 TW TW108116988A patent/TWI800647B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101859851A (zh) * | 2009-02-09 | 2010-10-13 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
| CN105140183A (zh) * | 2014-06-05 | 2015-12-09 | 株式会社迪思科 | 晶片的加工方法 |
| WO2016092584A1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-06-16 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | めっき皮膜付樹脂製品並びに樹脂製品及びめっき皮膜付樹脂製品の製造方法 |
| US20160172312A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-16 | Disco Corporation | Wafer processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI800647B (zh) | 2023-05-01 |
| TW202004879A (zh) | 2020-01-16 |
| JP2019204813A (ja) | 2019-11-28 |
| CN110517987B (zh) | 2024-03-15 |
| KR102670602B1 (ko) | 2024-05-29 |
| JP7092553B2 (ja) | 2022-06-28 |
| KR20190132918A (ko) | 2019-11-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4791843B2 (ja) | 接着フィルム付きデバイスの製造方法 | |
| JP2005019525A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JPH0917752A (ja) | 偏平な被切削物の切断方法及びその装置 | |
| JP2005101290A (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
| CN102157449A (zh) | 晶片的加工方法 | |
| JP2015217461A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP5762213B2 (ja) | 板状物の研削方法 | |
| TW201820437A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
| JP4471565B2 (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
| JP2007134390A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
| JP4565977B2 (ja) | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 | |
| CN110517987B (zh) | 晶片的加工方法 | |
| CN104716094A (zh) | 器件晶片的加工方法 | |
| KR20080023497A (ko) | 박형 반도체 패키지 제조방법 | |
| JPH04356942A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
| TWI613085B (zh) | 樹脂片貼著方法 | |
| JP2007012751A (ja) | ウェーハの加工方法 | |
| JP6230354B2 (ja) | デバイスウェーハの加工方法 | |
| TWI267913B (en) | Wafer dicing method | |
| JP2005243910A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
| JP2001044142A (ja) | シリコンウエハの切断方法 | |
| JP6938260B2 (ja) | ウエーハの研削方法 | |
| JP4978411B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP4127729B2 (ja) | ダイシング方法 | |
| JP2005136228A (ja) | 半導体基板のダイシング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |