JP7092553B2 - ウエーハの加工方法 - Google Patents
ウエーハの加工方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7092553B2 JP7092553B2 JP2018096889A JP2018096889A JP7092553B2 JP 7092553 B2 JP7092553 B2 JP 7092553B2 JP 2018096889 A JP2018096889 A JP 2018096889A JP 2018096889 A JP2018096889 A JP 2018096889A JP 7092553 B2 JP7092553 B2 JP 7092553B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- protective tape
- resin layer
- adhesive
- adhesive resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/86—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using tape automated bonding [TAB]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
- H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dicing (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
Description
本実施形態のウエーハの加工方法では、まず、非粘着性破壊工程を実施する。非粘着性破壊工程を実施するに際し、まず、図1(a)に示すように、基板10において複数のデバイス14が分割予定ライン12によって区画されたウエーハWを準備する(被加工物準備工程)。基板10の上面は、図1(a)、及び図1(a)のA-A断面の一部を拡大して示す図1(b)に示すように、非粘着性樹脂層16で被覆されている。上記非粘着性樹脂層16は、典型的にはシリコーン樹脂であり、たとえば、ジメチルポリシロキサン(PDMS)である。また、本実施形態において分割予定ライン12によって区画されたデバイス14は、医療用のデバイスであり、平面視で矩形状をなす上下に貫通する空間部14aを備えている。なお、本発明において分割予定ライン12によって区画されるデバイス14はこれに限定されるものではなく、個々に分割された後に利用可能なあらゆる機能、形態のデバイスを含む。
上記したように、非粘着性破壊工程が実施されたならば、図3に示すように、フレームFに支持されたウエーハWの上面に、保護テープ30を貼着する。保護テープ30としては、ポリ塩化ビニル(PVC)からなるシート状基材の貼着面にアクリル樹脂系の糊が塗布されている一般的な保護テープを使用することができる。上記したように、非粘着性樹脂層16は、非粘着性破壊工程を実施する前は、強い離形作用を有しており、保護テープ30を貼着しようとしても、直ぐに剥がれてしまい、保護テープとしての機能を奏することができない。しかし、本実施形態では、上記した非粘着性破壊工程が施されていることにより、非粘着性樹脂層16の表面が改質されているため、保護テープ30が良好に貼着される。以上により、保護テープ貼着工程が完了する。なお、本実施形態では、フレーム支持工程が実施された後に本工程を実施しているが、フレーム支持工程を実施するタイミングはこれに限定されず、本工程を実施した後、後述する分割工程を実施する前に実施してもよい。
上記したように、保護テープ貼着工程が完了したならば、分割工程を実施する。分割工程は、図4(a)に示すように、たとえば、スピンドルユニット41を備えた切削装置40(装置全体の図示は省略する。)により実行される。スピンドルユニット41は、回転スピンドル42の先端部に固定された切削ブレード43を保持するスピンドルハウジング44を備えている。スピンドルハウジング44には、切削ブレード43に隣接し、切削ブレード43を挟むようにして切削水供給手段45が配設されており(図には手前側の切削水供給手段45のみを示す)、切削水WTを切削ブレード43の切削位置に向けて供給することが可能に構成されている。本実施形態では、まず、図示しない保持手段にウエーハWを保持させ、適宜アライメント工程を実施することにより切削ブレード43とウエーハWの加工位置との位置合わせを行う。保護テープ30は透明な材質で構成されており、赤外線光を照射することなく、分割予定ライン12に切削ブレード43を位置付けることが可能である。矢印Rで示す方向に高速回転させられる切削ブレード43を、切削装置40の図示しない保持手段に保持されたウエーハWに対して下降させて切り込ませ、ウエーハWを切削ブレード43に対して矢印Xで示す加工送り方向に移動させる。これにより、分割予定ライン12に沿って保護テープ30と共にウエーハWを完全に分割する深さで、分割溝100を形成する。ウエーハWを、切削ブレード43に対して割り出し方向、回転方向に適宜移動させることで、図4(b)に示すように、ウエーハWの全ての分割予定ライン12に沿って分離溝100を形成し、個々のデバイス14に分割する。以上により、分割工程が完了する。
12:分割予定ライン
14:デバイス
14a:空間部
16:非粘着性樹脂層
20:紫外線照射装置
30:保護テープ
40:切削装置
41:スピンドルユニット
42:スピンドル
43:切削ブレード
44:スピンドルハウジング
100:分離溝100
Claims (3)
- 基板の上面に非粘着性樹脂層が被覆され複数のデバイスが分割予定ラインによって区画されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
非粘着性樹脂層の表面に紫外線を照射し表面の非粘着性を破壊する非粘着性破壊工程と、
非粘着性が破壊された非粘着性樹脂層の表面に保護テープを貼着する保護テープ貼着工程と、
表面に保護テープが貼着されたウエーハの分割予定ラインに切削ブレードを位置付け切削水を供給しながら分割予定ラインを切削してウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、
から少なくとも構成されるウエーハの加工方法。 - ウエーハの下面をダイシングテープに貼着すると共にウエーハを収容する開口を備えたフレームに貼着し、ダイシングテープを介してウエーハをフレームで支持するフレーム支持工程を少なくとも該分割工程の前に実施する請求項1に記載のウエーハの加工方法。
- 該非粘着性樹脂層は、ジメチルポリシロキサン(PDMS)であり、該紫外線の波長は、185nm、及び254nmを少なくとも含み、
該非粘着性破壊工程において、分子の結合を切断すると共に活性酸素を生成して非粘着性を破壊する請求項1、又は2に記載のウエーハの加工方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018096889A JP7092553B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | ウエーハの加工方法 |
KR1020190044756A KR102670602B1 (ko) | 2018-05-21 | 2019-04-17 | 웨이퍼의 가공 방법 |
CN201910402964.1A CN110517987B (zh) | 2018-05-21 | 2019-05-15 | 晶片的加工方法 |
TW108116988A TWI800647B (zh) | 2018-05-21 | 2019-05-16 | 晶圓加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018096889A JP7092553B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | ウエーハの加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019204813A JP2019204813A (ja) | 2019-11-28 |
JP7092553B2 true JP7092553B2 (ja) | 2022-06-28 |
Family
ID=68622675
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018096889A Active JP7092553B2 (ja) | 2018-05-21 | 2018-05-21 | ウエーハの加工方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7092553B2 (ja) |
KR (1) | KR102670602B1 (ja) |
CN (1) | CN110517987B (ja) |
TW (1) | TWI800647B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN114628304A (zh) * | 2020-12-10 | 2022-06-14 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 芯片键合方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134390A (ja) | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2012138422A (ja) | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Asahi Rubber Inc | シリコーンレンズ、レンズ付led装置及びレンズ付led装置の製造方法 |
JP2012204371A (ja) | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2016040809A (ja) | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007165694A (ja) * | 2005-12-15 | 2007-06-28 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの分割方法 |
JP2010183014A (ja) * | 2009-02-09 | 2010-08-19 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP6013858B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-10-25 | 株式会社ディスコ | ウェーハの加工方法 |
JP6133152B2 (ja) * | 2013-07-10 | 2017-05-24 | 株式会社ディスコ | 樹脂シート貼着方法 |
JP2015230964A (ja) * | 2014-06-05 | 2015-12-21 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP5856354B1 (ja) * | 2014-12-08 | 2016-02-09 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | めっき皮膜付樹脂製品並びに樹脂製品及びめっき皮膜付樹脂製品の製造方法 |
JP2016115800A (ja) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | 株式会社ディスコ | ウエーハの加工方法 |
JP2016136559A (ja) * | 2015-01-23 | 2016-07-28 | 株式会社ディスコ | 被加工物の切削方法 |
JP2017005158A (ja) * | 2015-06-12 | 2017-01-05 | 株式会社ディスコ | ウエーハの裏面研削方法 |
JP6621338B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2019-12-18 | 株式会社ディスコ | 被加工物の樹脂被覆方法及び被加工物の加工方法 |
-
2018
- 2018-05-21 JP JP2018096889A patent/JP7092553B2/ja active Active
-
2019
- 2019-04-17 KR KR1020190044756A patent/KR102670602B1/ko active IP Right Grant
- 2019-05-15 CN CN201910402964.1A patent/CN110517987B/zh active Active
- 2019-05-16 TW TW108116988A patent/TWI800647B/zh active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134390A (ja) | 2005-11-08 | 2007-05-31 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2012138422A (ja) | 2010-12-24 | 2012-07-19 | Asahi Rubber Inc | シリコーンレンズ、レンズ付led装置及びレンズ付led装置の製造方法 |
JP2012204371A (ja) | 2011-03-23 | 2012-10-22 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの分割方法 |
JP2016040809A (ja) | 2014-08-13 | 2016-03-24 | 株式会社ディスコ | 加工方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110517987B (zh) | 2024-03-15 |
KR20190132918A (ko) | 2019-11-29 |
TW202004879A (zh) | 2020-01-16 |
KR102670602B1 (ko) | 2024-05-29 |
JP2019204813A (ja) | 2019-11-28 |
CN110517987A (zh) | 2019-11-29 |
TWI800647B (zh) | 2023-05-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4769560B2 (ja) | ウエーハの分割方法 | |
JP2005019525A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
KR20150142597A (ko) | 웨이퍼 가공 방법 | |
CN109417049B (zh) | 处理背面上具有突出物的晶片的方法 | |
KR20160072775A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP2021048407A (ja) | ウェハの処理方法 | |
JP5762213B2 (ja) | 板状物の研削方法 | |
JP2007134390A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
KR20150131966A (ko) | 서포트 플레이트, 서포트 플레이트의 형성 방법 및 웨이퍼 가공 방법 | |
JP4471565B2 (ja) | 半導体ウエーハの分割方法 | |
JP2006294938A (ja) | 接着フィルムの破断方法 | |
JP5636266B2 (ja) | ワークの加工方法及びダイシングテープ | |
JP7092553B2 (ja) | ウエーハの加工方法 | |
US10199253B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor devices through peeling using UV-ray | |
JP4565977B2 (ja) | フィルム剥離方法およびフィルム剥離装置 | |
KR20160075326A (ko) | 웨이퍼의 가공 방법 | |
JP6685592B2 (ja) | ウェーハの加工方法 | |
TW201528359A (zh) | 裝置晶圓之加工方法 | |
JP2006245209A (ja) | 半導体チップの製造方法 | |
JP6133152B2 (ja) | 樹脂シート貼着方法 | |
JP5492445B2 (ja) | ウェーハの分割方法 | |
JP2010129622A (ja) | ウエーハの加工方法 | |
JP2013243286A (ja) | 粘着テープ | |
JP2001044142A (ja) | シリコンウエハの切断方法 | |
JP2018067646A (ja) | ウエーハの加工方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220209 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220411 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220524 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220616 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7092553 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |