JP4127729B2 - ダイシング方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハをダイシング装置等の精密切削装置により切削・切断する、所謂ダイシング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の半導体ウェーハをダイシングする方法は、図８に示したように、半導体ウェーハ１の裏面に支持テープ２を貼着してフレーム３に支持させ、該フレーム３に支持させた状態で精密切削装置であるダイシング装置４に供給し、特に、半導体ウェーハ１はその表面が露出した状態のままで供給され、所定の操作によってダイシングされるものである。
【０００３】
ダイシング装置４の概略を説明すると、該装置は前進後退及び上下動が精密且つ任意に行えるスピンドルユニット５を備え、該スピンドルユニット５の先端側にブレード６が取り付けられており、該ブレード６によってチャックテーブル７上に載置された半導体ウェーハ１を個々のチップ状に切削または切断分割されるものである。
【０００４】
半導体ウェーハ１は、表面が露出した状態で切削・切断が遂行されるため、切削・切断された溝の両側にチッピングが生じやすい。また、半導体ウェーハ１の表面は、コンタミを含んだ泥水が漂って汚染されるので、フレーム３に支持させた状態のまま洗浄手段８によって一応の洗浄がなされるものの、それでも除去できないコンタミが付着しており、品質の低下を招くという問題点がある。
【０００５】
そこで、例えば、ＬＣＤやＣＣＤ等においては、チッピングの防止、コンタミの付着防止を目的として、図９に示したように、支持テープ２でフレーム３に支持させた半導体ウェーハ１の表面に、別のテープ９を貼着して覆い、実質的に半導体ウェーハ１を２枚のテープで表裏両面からサンドイッチ状に支持させ、前記同様にダイシング装置４に供給して、テープ９の上から半導体ウェーハ１をテープ９ごとダイシングするという方法も提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ダイシングにおいてテープ９ごと切削・切断するために、次のような新たな問題点が生じている。即ち、
▲１▼切ったテープ９の一部を巻き込んだりしてブレードの破損を生じる。
▲２▼覆ったテープ９ごと切削・切断するため、ブレードの磨耗が速い。
▲３▼テープ基材や接着剤に粘性があり、ブレードの目詰まりを起こす。
▲４▼切削・切断した各チップから、まだ粘着性が残っているテープ９片を剥離させるための作業性が悪いこと。
等の不都合な点である。
【０００７】
従って、従来技術において、まず第１に半導体ウェーハの表面に付着するコンタミを解消させること、第２にテープごと切削・切断することによって生ずるブレードに対する不都合を解消すること、第３に切断した粘着性が残っているテープ片を各チップから剥離する作業の困難性を解消することに解決しなければならない課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記従来例の課題を解決する具体的手段として本発明は、半導体ウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法であって、半導体ウェーハの裏面とフレームとをテープによって一体に貼着する工程と、該半導体ウェーハの表面にＵＶテープを貼着する工程と、該ＵＶテープに紫外線を照射してＵＶテープの糊層を硬化させる工程と、硬化した糊層のみを半導体ウェーハの表面に残存させて該ＵＶテープのシート層を剥離する工程と、該硬化した糊層と共に半導体ウェーハをダイシングするダイシング工程と、該ダイシングが完了した後に半導体ウェーハの表面から硬化した糊層を剥離する工程と、からなるダイシング方法を提供するものである。
【０００９】
そして、ＵＶテープは紫外線照射によって硬化するＵＶ硬化型糊層と、該ＵＶ硬化型糊層を保持するシート層のみから構成されていて、紫外線照射後の硬化した糊層とシート層とが剥離容易に構成されていること；ＵＶテープのシート層は紫外線の透過を妨げない透明または半透明に形成されていること；及びダイシング工程が完了した後に、硬化した糊層表面に粘着テープを貼着し、該貼着した粘着テープを剥がすことによって硬化した糊層を半導体ウェーハの表面から剥離すること；を付加的な要件として含むものである。
【００１０】
本発明に係るダイシング方法は、半導体ウェーハの表面にＵＶテープの硬化した糊層のみを残してダイシングするため、硬化した糊層は粘性がほとんどなくなっているため、ブレードに巻き込まれたり目詰まりしたりすることがなく、しかも糊層の存在によって半導体ウェーハの表面にコンタミが付着せずに効率よく切削・切断が遂行でき、そして、ダイシング後において、硬化した糊層を粘着テープを貼り付けて簡単に剥離することができるのである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に本発明を図示の実施例により更に詳しく説明する。まず、工程順に説明すると、図１において、一般的に行われているように、半導体ウェーハ１１の裏面側に支持テープ１２を貼着することによりフレーム１３に支持させる。この状態は、従来技術と変わるところがない。
【００１２】
次に、半導体ウェーハ１１の表面側に、図２に示したように、ＵＶテープ１４を貼着する。この場合のＵＶテープ１４は、ＵＶ（紫外線）照射によって硬化するＵＶ硬化型の糊層１４ａと、該ＵＶ硬化型の糊層１４ａを保持するシート層１４ｂのみから構成されている。そして、ＵＶ硬化型の糊層１４ａは硬化したときに透明であることが望ましいし、また、シート層１４ｂは、紫外線の透過を妨げないように透明または半透明（薄色透明）の材料が使用される。
【００１３】
ＵＶテープ１４は、図３に示したように、半導体ウェーハ１１の表面に貼着した状態で、ＵＶ照射用の光源１５によってＵＶ照射を受ける。このＵＶ照射によって糊層１４ａが半導体ウェーハ１１の表面に貼着した状態のままで硬化し、粘性がほとんどなくなる。このＵＶ照射を受ける場合に、糊層１４ａ全体が略均等に硬化するように、光源１５側または半導体ウェーハ１１側を動かす（移動）かもしくは他の適宜の手段を用いて、ＵＶ照射を均等に受けるようにする。
【００１４】
このようにＵＶ照射によって糊層１４ａを硬化させた後に、図４に示したように、ＵＶテープ１４におけるシート層１４ｂを剥離し、図５に示したように、半導体ウェーハ１１の表面に硬化した糊層１４ａだけを残す。
【００１５】
一般的には、この種のシート層と糊層とを有する接着又は粘着テープにおいては、製品面に糊残りをなくすために、テープ基材（シート層）にプライマー処理工程を施し、シート層と糊層とが剥がれないようにしているが、本件のＵＶテープ１４においては、基材に対するプライマー処理工程を除外し、シート層１４ｂから糊層１４ａが剥がれ易いようにしてある。
【００１６】
シート層１４ｂを剥がして硬化した糊層１４ａだけが半導体ウェーハ１１の表面に残った状態で、前記従来例と同様のダイシング装置を使用して、そのまま糊層１４ａと一緒に半導体ウェーハ１１のダイシングを遂行する。
【００１７】
この場合に、硬化した糊層１４ａは透明であることから、切削・切断のためのアライメントが容易に且つ正確に行えるものである。また、糊層１４ａは硬化した状態にあるので、ダイシング装置のブレードで切削・切断しても、ブレードに付着したり巻き込んだりすることなく、速やかな切削・切断が遂行できるのである。
【００１８】
このようにダイシングした半導体ウェーハ１１は、図６に示したように、糊層１４ａが硬化し付着した状態のままで切削・切断されることになり、硬化した糊層１４ａの存在によって、チッピングまたは欠けが生じ難いばかりでなく、ダイシング工程において生ずるコンタミが半導体ウェーハ１１の表面に直接付着することがないのである。
【００１９】
そして、半導体ウェーハ１１は切削・切断されることにより、多数のチップ１１ａに分割されるが、各チップ１１ａの表面にはそれぞれ硬化した糊層１４ａが付着したままの状態にある。
【００２０】
そこで、各チップ１１ａから糊層１４ａを除去するには、図７に示したように、適宜の粘着テープ１６を全体の糊層１４ａの表面に渡って貼着させ、該粘着テープ１６の一方の端部をもって引き上げまたは剥がす行為をすることにより、該粘着テープ１６に各チップ１１ａの糊層１４ａを貼着させて、全部を一挙に剥ぎ取って除去するのである。
【００２１】
この場合に、各チップ１１ａは支持テープ１２によって貼着支持されており、また、粘着テープ１６は所定の粘着力をもって糊層１４ａに粘着しており、硬化した糊層１４ａは各チップ１１ａとの間での粘着力が低下していることから、粘着テープ１６による剥ぎ取り行為で、各チップ１１ａから容易に且つ糊層の一部を残すことなく、きれいに剥離させて除去することが出来るのである。なお、これら糊層１４ａを除去する時期は、ダイシング工程の終了後の任意の時期、即ち作業工程によって任意に選択できるのである。
【００２２】
いずれにしても、半導体ウェーハの表面側が全面的に硬化した糊層によって覆われた状態でダイシングされるので、半導体ウェーハの表面に対してコンタミの付着が防止でき、チッピングが生じ難いばかりでなく、糊層の硬化によってブレードの目詰まり等がなく、ブレードを損傷することなくダイシング工程が遂行できるのである。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るダイシング方法は、半導体ウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法であって、半導体ウェーハの裏面とフレームとをテープによって一体に貼着する工程と、該半導体ウェーハの表面にＵＶテープを貼着する工程と、該ＵＶテープに紫外線を照射してＵＶテープの糊層を硬化させる工程と、硬化した糊層のみを半導体ウェーハの表面に残存させて該ＵＶテープのシート層を剥離する工程と、該硬化した糊層と共に半導体ウェーハをダイシングするダイシング工程と、該ダイシング工程が完了した後に半導体ウェーハの表面から硬化した糊層を剥離する工程と、からなるものであって、硬化した糊層は粘性がほとんどなくなっているため、ブレードに巻き込まれたり目詰まりしたりすることがなく、ブレードを傷めないで、しかも硬化した糊層の存在によって半導体ウェーハの表面にコンタミが付着せずに効率よく切削・切断のダイシングが遂行できできると言う優れた効果を奏する。
【００２４】
また、ダイシング工程が完了した後に、硬化した糊層表面に粘着テープを貼着し、該貼着した粘着テープを剥がすことによって、硬化した糊層を半導体ウェーハの分割したチップ表面から簡単に且つ糊層の一部を残すことなく剥離することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るダイシング方法に適用される半導体ウェーハを支持テープによってフレームに取り付けた状態を示す略示的断面図である。
【図２】同半導体ウェーハの表面にＵＶテープを取り付けた状態を示す略示的断面図である。
【図３】同半導体ウェーハの表面に取り付けたＵＶテープにＵＶ照射する状態を示す略示的断面図である。
【図４】同ＵＶ照射後において、ＵＶテープの硬化した糊層のみを残してテープ層を除去する状態を示す略示的断面図である。
【図５】同硬化した糊層が残ってダイシングする前の状態を示す略示的断面図である。
【図６】同硬化した糊層が残った状態でダイシングした後の状態を示す略示的断面図である。
【図７】同ダイシングした後において、糊層を全面的に除去する状態を示す略示的断面図である。
【図８】一般的に使用されているダイシング装置を示す斜視図である。
【図９】従来例における一例のダイシング手段に適用される半導体ウェーハを示す略示的断面図である。
【符号の説明】
１１……半導体ウェーハ、 １１ａ……分割されたチップ、
１２……支持テープ、 １３……フレーム、 １４……ＵＶテープ、
１４ａ……糊層、 １４ｂ……テープ層、 １５……ＵＶ照射光源、
１６……粘着テープ。
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウェーハをダイシング装置等の精密切削装置により切削・切断する、所謂ダイシング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
この種の半導体ウェーハをダイシングする方法は、図８に示したように、半導体ウェーハ１の裏面に支持テープ２を貼着してフレーム３に支持させ、該フレーム３に支持させた状態で精密切削装置であるダイシング装置４に供給し、特に、半導体ウェーハ１はその表面が露出した状態のままで供給され、所定の操作によってダイシングされるものである。
【０００３】
ダイシング装置４の概略を説明すると、該装置は前進後退及び上下動が精密且つ任意に行えるスピンドルユニット５を備え、該スピンドルユニット５の先端側にブレード６が取り付けられており、該ブレード６によってチャックテーブル７上に載置された半導体ウェーハ１を個々のチップ状に切削または切断分割されるものである。
【０００４】
半導体ウェーハ１は、表面が露出した状態で切削・切断が遂行されるため、切削・切断された溝の両側にチッピングが生じやすい。また、半導体ウェーハ１の表面は、コンタミを含んだ泥水が漂って汚染されるので、フレーム３に支持させた状態のまま洗浄手段８によって一応の洗浄がなされるものの、それでも除去できないコンタミが付着しており、品質の低下を招くという問題点がある。
【０００５】
そこで、例えば、ＬＣＤやＣＣＤ等においては、チッピングの防止、コンタミの付着防止を目的として、図９に示したように、支持テープ２でフレーム３に支持させた半導体ウェーハ１の表面に、別のテープ９を貼着して覆い、実質的に半導体ウェーハ１を２枚のテープで表裏両面からサンドイッチ状に支持させ、前記同様にダイシング装置４に供給して、テープ９の上から半導体ウェーハ１をテープ９ごとダイシングするという方法も提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、ダイシングにおいてテープ９ごと切削・切断するために、次のような新たな問題点が生じている。即ち、
▲１▼切ったテープ９の一部を巻き込んだりしてブレードの破損を生じる。
▲２▼覆ったテープ９ごと切削・切断するため、ブレードの磨耗が速い。
▲３▼テープ基材や接着剤に粘性があり、ブレードの目詰まりを起こす。
▲４▼切削・切断した各チップから、まだ粘着性が残っているテープ９片を剥離させるための作業性が悪いこと。
等の不都合な点である。
【０００７】
従って、従来技術において、まず第１に半導体ウェーハの表面に付着するコンタミを解消させること、第２にテープごと切削・切断することによって生ずるブレードに対する不都合を解消すること、第３に切断した粘着性が残っているテープ片を各チップから剥離する作業の困難性を解消することに解決しなければならない課題を有している。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記従来例の課題を解決する具体的手段として本発明は、半導体ウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法であって、半導体ウェーハの裏面とフレームとをテープによって一体に貼着する工程と、該半導体ウェーハの表面にＵＶテープを貼着する工程と、該ＵＶテープに紫外線を照射してＵＶテープの糊層を硬化させる工程と、硬化した糊層のみを半導体ウェーハの表面に残存させて該ＵＶテープのシート層を剥離する工程と、該硬化した糊層と共に半導体ウェーハをダイシングするダイシング工程と、該ダイシングが完了した後に半導体ウェーハの表面から硬化した糊層を剥離する工程と、からなるダイシング方法を提供するものである。
【０００９】
そして、ＵＶテープは紫外線照射によって硬化するＵＶ硬化型糊層と、該ＵＶ硬化型糊層を保持するシート層のみから構成されていて、紫外線照射後の硬化した糊層とシート層とが剥離容易に構成されていること；ＵＶテープのシート層は紫外線の透過を妨げない透明または半透明に形成されていること；及びダイシング工程が完了した後に、硬化した糊層表面に粘着テープを貼着し、該貼着した粘着テープを剥がすことによって硬化した糊層を半導体ウェーハの表面から剥離すること；を付加的な要件として含むものである。
【００１０】
本発明に係るダイシング方法は、半導体ウェーハの表面にＵＶテープの硬化した糊層のみを残してダイシングするため、硬化した糊層は粘性がほとんどなくなっているため、ブレードに巻き込まれたり目詰まりしたりすることがなく、しかも糊層の存在によって半導体ウェーハの表面にコンタミが付着せずに効率よく切削・切断が遂行でき、そして、ダイシング後において、硬化した糊層を粘着テープを貼り付けて簡単に剥離することができるのである。
【００１１】
【発明の実施の形態】
次に本発明を図示の実施例により更に詳しく説明する。まず、工程順に説明すると、図１において、一般的に行われているように、半導体ウェーハ１１の裏面側に支持テープ１２を貼着することによりフレーム１３に支持させる。この状態は、従来技術と変わるところがない。
【００１２】
次に、半導体ウェーハ１１の表面側に、図２に示したように、ＵＶテープ１４を貼着する。この場合のＵＶテープ１４は、ＵＶ（紫外線）照射によって硬化するＵＶ硬化型の糊層１４ａと、該ＵＶ硬化型の糊層１４ａを保持するシート層１４ｂのみから構成されている。そして、ＵＶ硬化型の糊層１４ａは硬化したときに透明であることが望ましいし、また、シート層１４ｂは、紫外線の透過を妨げないように透明または半透明（薄色透明）の材料が使用される。
【００１３】
ＵＶテープ１４は、図３に示したように、半導体ウェーハ１１の表面に貼着した状態で、ＵＶ照射用の光源１５によってＵＶ照射を受ける。このＵＶ照射によって糊層１４ａが半導体ウェーハ１１の表面に貼着した状態のままで硬化し、粘性がほとんどなくなる。このＵＶ照射を受ける場合に、糊層１４ａ全体が略均等に硬化するように、光源１５側または半導体ウェーハ１１側を動かす（移動）かもしくは他の適宜の手段を用いて、ＵＶ照射を均等に受けるようにする。
【００１４】
このようにＵＶ照射によって糊層１４ａを硬化させた後に、図４に示したように、ＵＶテープ１４におけるシート層１４ｂを剥離し、図５に示したように、半導体ウェーハ１１の表面に硬化した糊層１４ａだけを残す。
【００１５】
一般的には、この種のシート層と糊層とを有する接着又は粘着テープにおいては、製品面に糊残りをなくすために、テープ基材（シート層）にプライマー処理工程を施し、シート層と糊層とが剥がれないようにしているが、本件のＵＶテープ１４においては、基材に対するプライマー処理工程を除外し、シート層１４ｂから糊層１４ａが剥がれ易いようにしてある。
【００１６】
シート層１４ｂを剥がして硬化した糊層１４ａだけが半導体ウェーハ１１の表面に残った状態で、前記従来例と同様のダイシング装置を使用して、そのまま糊層１４ａと一緒に半導体ウェーハ１１のダイシングを遂行する。
【００１７】
この場合に、硬化した糊層１４ａは透明であることから、切削・切断のためのアライメントが容易に且つ正確に行えるものである。また、糊層１４ａは硬化した状態にあるので、ダイシング装置のブレードで切削・切断しても、ブレードに付着したり巻き込んだりすることなく、速やかな切削・切断が遂行できるのである。
【００１８】
このようにダイシングした半導体ウェーハ１１は、図６に示したように、糊層１４ａが硬化し付着した状態のままで切削・切断されることになり、硬化した糊層１４ａの存在によって、チッピングまたは欠けが生じ難いばかりでなく、ダイシング工程において生ずるコンタミが半導体ウェーハ１１の表面に直接付着することがないのである。
【００１９】
そして、半導体ウェーハ１１は切削・切断されることにより、多数のチップ１１ａに分割されるが、各チップ１１ａの表面にはそれぞれ硬化した糊層１４ａが付着したままの状態にある。
【００２０】
そこで、各チップ１１ａから糊層１４ａを除去するには、図７に示したように、適宜の粘着テープ１６を全体の糊層１４ａの表面に渡って貼着させ、該粘着テープ１６の一方の端部をもって引き上げまたは剥がす行為をすることにより、該粘着テープ１６に各チップ１１ａの糊層１４ａを貼着させて、全部を一挙に剥ぎ取って除去するのである。
【００２１】
この場合に、各チップ１１ａは支持テープ１２によって貼着支持されており、また、粘着テープ１６は所定の粘着力をもって糊層１４ａに粘着しており、硬化した糊層１４ａは各チップ１１ａとの間での粘着力が低下していることから、粘着テープ１６による剥ぎ取り行為で、各チップ１１ａから容易に且つ糊層の一部を残すことなく、きれいに剥離させて除去することが出来るのである。なお、これら糊層１４ａを除去する時期は、ダイシング工程の終了後の任意の時期、即ち作業工程によって任意に選択できるのである。
【００２２】
いずれにしても、半導体ウェーハの表面側が全面的に硬化した糊層によって覆われた状態でダイシングされるので、半導体ウェーハの表面に対してコンタミの付着が防止でき、チッピングが生じ難いばかりでなく、糊層の硬化によってブレードの目詰まり等がなく、ブレードを損傷することなくダイシング工程が遂行できるのである。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るダイシング方法は、半導体ウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法であって、半導体ウェーハの裏面とフレームとをテープによって一体に貼着する工程と、該半導体ウェーハの表面にＵＶテープを貼着する工程と、該ＵＶテープに紫外線を照射してＵＶテープの糊層を硬化させる工程と、硬化した糊層のみを半導体ウェーハの表面に残存させて該ＵＶテープのシート層を剥離する工程と、該硬化した糊層と共に半導体ウェーハをダイシングするダイシング工程と、該ダイシング工程が完了した後に半導体ウェーハの表面から硬化した糊層を剥離する工程と、からなるものであって、硬化した糊層は粘性がほとんどなくなっているため、ブレードに巻き込まれたり目詰まりしたりすることがなく、ブレードを傷めないで、しかも硬化した糊層の存在によって半導体ウェーハの表面にコンタミが付着せずに効率よく切削・切断のダイシングが遂行できできると言う優れた効果を奏する。
【００２４】
また、ダイシング工程が完了した後に、硬化した糊層表面に粘着テープを貼着し、該貼着した粘着テープを剥がすことによって、硬化した糊層を半導体ウェーハの分割したチップ表面から簡単に且つ糊層の一部を残すことなく剥離することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るダイシング方法に適用される半導体ウェーハを支持テープによってフレームに取り付けた状態を示す略示的断面図である。
【図２】同半導体ウェーハの表面にＵＶテープを取り付けた状態を示す略示的断面図である。
【図３】同半導体ウェーハの表面に取り付けたＵＶテープにＵＶ照射する状態を示す略示的断面図である。
【図４】同ＵＶ照射後において、ＵＶテープの硬化した糊層のみを残してテープ層を除去する状態を示す略示的断面図である。
【図５】同硬化した糊層が残ってダイシングする前の状態を示す略示的断面図である。
【図６】同硬化した糊層が残った状態でダイシングした後の状態を示す略示的断面図である。
【図７】同ダイシングした後において、糊層を全面的に除去する状態を示す略示的断面図である。
【図８】一般的に使用されているダイシング装置を示す斜視図である。
【図９】従来例における一例のダイシング手段に適用される半導体ウェーハを示す略示的断面図である。
【符号の説明】
１１……半導体ウェーハ、 １１ａ……分割されたチップ、
１２……支持テープ、 １３……フレーム、 １４……ＵＶテープ、
１４ａ……糊層、 １４ｂ……テープ層、 １５……ＵＶ照射光源、
１６……粘着テープ。
Claims (4)
- 半導体ウェーハを個々のチップに分割するダイシング方法であって、
半導体ウェーハの裏面とフレームとをテープによって一体に貼着する工程と、
該半導体ウェーハの表面にＵＶテープを貼着する工程と、
該ＵＶテープに紫外線を照射してＵＶテープの糊層を硬化させる工程と、
硬化した糊層のみを半導体ウェーハの表面に残存させて該ＵＶテープのシート層を剥離する工程と、
該硬化した糊層と共に半導体ウェーハをダイシングするダイシング工程と、
該ダイシングが完了した後に半導体ウェーハの表面から硬化した糊層を剥離する工程と、
からなるダイシング方法。 - ＵＶテープは紫外線照射によって硬化するＵＶ硬化型糊層と、該ＵＶ硬化型糊層を保持するシート層のみから構成されていて、紫外線照射後の硬化した糊層とシート層とが剥離容易に構成されている
請求項１に記載のダイシング方法。 - ＵＶテープのシート層は紫外線の透過を妨げない透明または半透明に形成されている
請求項１または２に記載のダイシング方法。 - ダイシング工程が完了した後に、硬化した糊層表面に粘着テープを貼着し、
該貼着した粘着テープを剥がすことによって硬化した糊層を半導体ウェーハの表面から剥離する
請求項１、２または３に記載のダイシング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12852998A JP4127729B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | ダイシング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12852998A JP4127729B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | ダイシング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11330008A JPH11330008A (ja) | 1999-11-30 |
| JP4127729B2 true JP4127729B2 (ja) | 2008-07-30 |
Family
ID=14987013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12852998A Expired - Lifetime JP4127729B2 (ja) | 1998-05-12 | 1998-05-12 | ダイシング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4127729B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109841557A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-04 | 东莞新科技术研究开发有限公司 | 半导体的加工方法 |
| JP2023050847A (ja) | 2021-09-30 | 2023-04-11 | 株式会社ディスコ | 被加工物の分割方法 |
-
1998
- 1998-05-12 JP JP12852998A patent/JP4127729B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11330008A (ja) | 1999-11-30 |
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| JPH0257343B2 (ja) |
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